JP5334411B2 - 貼り合わせ基板および貼り合せ基板を用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
11、21、31、41、101・・・半導体デバイス、
12、22、32、42、102・・・(第1の)接合層(接着層)、
13、23、33、43、103・・・第1の基板(半導体基板)、
14、26、37、46、104・・・キャビティ、
24、36、44・・・第3の基板(サポート基板)、
25、35、45・・・第2の接合層、47、107・・・貫通配線(貫通電極)、
48、105・・・(再)配線(層)、49、106・・・(裏面)配線保護層、
50、108・・・バンプ、51、109・・・ダイシングライン
Claims (9)
- 受動素子および/または能動素子が形成された第1の基板であるウエハ状のシリコン半導体基板の一方の面(表面)に接合層を介して、線膨張係数が3〜8ppm/℃である第2の基板であるウエハ状のガラス基板を貼り合わせた構造を有する貼り合わせ基板の製造方法であって、
第1の基板表面に接着樹脂からなる接合層を形成する工程、
前記接合層を介して第1の基板と第2の基板を接合する工程、および
前記接着樹脂のキュア温度で熱処理する工程、
を含み、
第1の基板の厚さが50μm〜300μmであり、
第2の基板の厚さが1〜3mmであることを特徴とする、
半導体装置の製造方法。 - 前記接着樹脂のキュア温度は130℃〜170℃であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接着樹脂のキュア温度は150℃であることを特徴とする、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 受動素子および/または能動素子が形成された第1の基板であるウエハ状のシリコン半導体基板の一方の面(表面)に接合層を介して線膨張係数が3〜8ppm/℃を持つ第2の基板であるウエハ状のガラス基板を貼り合わせた構造を有する貼り合わせ基板の製造方法であって、
第2または第3の基板表面に接着樹脂からなる第2の接合層を形成する工程、
第2の接合層を介して第2の基板と第3の基板であるサポートシリコン基板を接合する工程、
第2の基板または第1の基板上に接着樹脂からなる第1の接合層を形成する工程、
第1の接合層を介して第1の基板と第2の基板を接合する工程、
第1の基板と第2の基板の接合および第2の基板と第3の基板の接合のための熱処理を行う工程であって、前記第1の接合層の材料の硬化温度(T1)は前記第2の接合層の材料の硬化温度(T2)より低く、前記熱処理温度はT1とT2の間である工程、および
第1の基板の裏面から研削して、第1の基板の厚みを50μm〜300μmとする工程、
を含み、
第2の基板厚みは300μm〜500μm、
第3の基板の厚みは0.3mm〜3mm、
であることを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - T2はT1より少なくとも10度以上高いことを特徴とする、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- T1は130℃〜170℃であり、T2は180℃〜220℃であることを特徴とする、請求項4または5に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1の基板の裏面に貫通配線および電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項4〜6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1の基板、第1の接合層、第2の基板、および第2の接合層の少なくとも1部を切断する工程、並びに切断した第1の基板と第2の基板を接合した貼り合わせ基板を第3の基板から剥離する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項4〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記剥離工程は、アルコールおよび/またはキシレンの剥離液を用いて行なうことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
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