JP6802966B2 - 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 - Google Patents
支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6802966B2 JP6802966B2 JP2015239149A JP2015239149A JP6802966B2 JP 6802966 B2 JP6802966 B2 JP 6802966B2 JP 2015239149 A JP2015239149 A JP 2015239149A JP 2015239149 A JP2015239149 A JP 2015239149A JP 6802966 B2 JP6802966 B2 JP 6802966B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- substrate
- supporting
- less
- processed substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
10、26、31 支持ガラス基板
11、24、34 加工基板
12、32 剥離層
13、21、25、33 接着層
20 支持部材
22、35 半導体チップ
23 封止材
28 配線
29 半田バンプ
36 研磨装置
37 紫外光
Claims (11)
- ガラス組成として、質量%で、SiO 2 55〜68%、Al 2 O 3 12〜25%、B 2 O 3 0〜15%、MgO+CaO+SrO+BaO 5〜30%を含有し、30〜380℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が30×10−7/℃超であり、且つ50×10−7/℃未満であり、表面に研磨面を有し、全体板厚偏差が2.0μm未満であることを特徴とする支持ガラス基板。
- 半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いることを特徴とする請求項1に記載の支持ガラス基板。
- ガラス内部に成形合流面を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の支持ガラス基板。
- ヤング率が65GPa以上であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成として、質量%で、SiO2 55〜68%、Al2O3 12〜25%、B2O3 0〜15%、MgO+CaO+SrO+BaO 5〜30%、Li 2 O+Na 2 O+K 2 O 0〜1%未満を含有することを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成として、質量%で、SiO2 58〜65%、Al2O3 15〜23%、B2O3 0〜11%、MgO+CaO 6〜15%、SrO+BaO 0〜11.4%、Li2O+Na2O+K2O 0〜1%未満を含有することを特徴とする請求項5に記載の支持ガラス基板。
- 板厚が2.0mm未満であることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の支持ガラス基板。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項1〜7の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層体。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、
加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項1〜7の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項9又は10に記載の半導体パッケージの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014255237 | 2014-12-17 | ||
JP2014255237 | 2014-12-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016117641A JP2016117641A (ja) | 2016-06-30 |
JP6802966B2 true JP6802966B2 (ja) | 2020-12-23 |
Family
ID=56242399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015239149A Active JP6802966B2 (ja) | 2014-12-17 | 2015-12-08 | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6802966B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109843817B (zh) * | 2016-12-20 | 2021-11-02 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃 |
WO2019021672A1 (ja) * | 2017-07-26 | 2019-01-31 | 日本電気硝子株式会社 | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板 |
CN111225883A (zh) | 2017-10-25 | 2020-06-02 | 日本板硝子株式会社 | 玻璃组合物 |
JP7478340B2 (ja) * | 2018-10-17 | 2024-05-07 | 日本電気硝子株式会社 | 無アルカリガラス板 |
CN113412244A (zh) * | 2019-02-07 | 2021-09-17 | Agc株式会社 | 无碱玻璃 |
JPWO2020162606A1 (ja) * | 2019-02-07 | 2021-12-09 | Agc株式会社 | 無アルカリガラス |
JP7184845B2 (ja) * | 2020-05-21 | 2022-12-06 | ショット グラス テクノロジーズ (スゾウ) カンパニー リミテッド | ガラスキャリアウェハー用の低cteボロアルミノシリケートガラス |
JPWO2023042717A1 (ja) * | 2021-09-14 | 2023-03-23 | ||
KR20240089604A (ko) * | 2021-11-10 | 2024-06-20 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 무알칼리 유리판 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3119924B2 (ja) * | 1991-07-11 | 2000-12-25 | 富士通株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
JPH0832038A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 貼り合わせsoi基板の製造方法および貼り合わせsoi基板 |
JPH10291827A (ja) * | 1997-04-16 | 1998-11-04 | Hoya Corp | ガラス板の製造方法及び製造装置 |
JP4918183B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-04-18 | Hoya株式会社 | 板ガラスの製造装置及び製造方法、並びにガラス製品及び液晶ディスプレイの製造方法 |
JP5334411B2 (ja) * | 2007-12-30 | 2013-11-06 | 株式会社フジクラ | 貼り合わせ基板および貼り合せ基板を用いた半導体装置の製造方法 |
JP4862859B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2012-01-25 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス基板 |
US9227295B2 (en) * | 2011-05-27 | 2016-01-05 | Corning Incorporated | Non-polished glass wafer, thinning system and method for using the non-polished glass wafer to thin a semiconductor wafer |
JP5970986B2 (ja) * | 2012-07-05 | 2016-08-17 | 富士通株式会社 | ウエハー基板の製造方法 |
-
2015
- 2015-12-08 JP JP2015239149A patent/JP6802966B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016117641A (ja) | 2016-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6802966B2 (ja) | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 | |
JP6963219B2 (ja) | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 | |
JP6593669B2 (ja) | 支持ガラス基板及びこれを用いた搬送体 | |
JP6611079B2 (ja) | ガラス板 | |
TWI742535B (zh) | 支撐玻璃基板及積層體 | |
JP7268718B2 (ja) | 支持ガラス基板の製造方法 | |
JP6674147B2 (ja) | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 | |
JP6763124B2 (ja) | 積層体及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法 | |
JP6627388B2 (ja) | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 | |
JP6593676B2 (ja) | 積層体及び半導体パッケージの製造方法 | |
JP6443668B2 (ja) | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 | |
WO2016111158A1 (ja) | ガラス板及びその製造方法 | |
JP6955320B2 (ja) | 積層体及び半導体パッケージの製造方法 | |
JP7538483B2 (ja) | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板 | |
JP7011215B2 (ja) | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 | |
JP6813813B2 (ja) | ガラス板 | |
JP7051053B2 (ja) | 支持ガラス基板及びそれを用いた積層体 | |
JP2022161964A (ja) | 支持ガラス基板の製造方法 | |
WO2016098499A1 (ja) | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191023 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200602 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200722 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6802966 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |