JP2012009635A - プラズマ処理装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】凹部16と凸部17からなる凹凸パターン15を裏面12側に形成した、再利用可能な支持ガラス基板11の表面13側に接着剤24で貼り合わせた薄化半導体基板19をESC電極2上に載置することによって前記半導体基板19の冷却を促進し、TSV加工速度を向上させる。
【選択図】図1
Description
2 ESC電極
3 プラズマ源
4 ガス導入装置
5 第1の高周波電源
6 第2の高周波電源
7 冷却装置
8 熱交換ガス供給装置
9 DC電源
11,23 支持ガラス基板
12 裏面
13 表面
15 凹凸パターン
16 凹部
17 凸部
19 半導体基板
20 TSV
21 貫通プラグ
22a,22b 半導体デバイス
24 接着剤
25 リソパターン
26 絶縁膜
27 配線層
28 半田バンプ
Claims (10)
- プラズマ源により半導体基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記半導体基板を載置するための支持基板は、前記半導体基板を載置する面と反対側の裏面に凹凸を有すること
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記支持基板の裏面とプラズマ処理装置が具備する電極ステージとの接触面積が、前記裏面の全面積の50%以上100%未満であること
を特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 前記支持基板の裏面の凸部幅が50μm以上1mm以下であること
を特徴とする請求項1または2記載のプラズマ処理装置。 - 前記支持基板の裏面の凹部深さが10μm以上100μm以下であること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載のプラズマ処理装置。 - 前記支持基板の裏面に形成された凹凸パターンの凹部は、予めレーザー等により熱処理が施されたこと
を特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載のプラズマ処理装置。 - プラズマ源により半導体基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、
前記半導体基板を載置するための支持基板は、前記半導体基板を載置する面と反対側の裏面に凹凸を形成すること
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記支持基板の裏面とプラズマ処理装置が具備する電極ステージとの接触面積が、前記裏面の全面積の50%以上100%未満であること
を特徴とする請求項6記載のプラズマ処理方法。 - 前記支持基板の裏面の凸部幅が50μm以上1mm以下であること
を特徴とする請求項6または7記載のプラズマ処理方法。 - 前記支持基板の裏面の凹部深さが10μm以上100μm以下であること
を特徴とする請求項6〜8のいずれか1項記載のプラズマ処理方法。 - 前記支持基板の裏面に形成された凹凸パターンにおける凹部に、予めレーザー等による熱処理を施すこと
を特徴とする請求項6〜9のいずれか1項記載のプラズマ処理方法。
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2010
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