TW564471B - Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Toru Takayama
Junya Maruyama
Mayumi Mizukami
Shunpei Yamazaki
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Semiconductor Energy Lab
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Description

564471 A7 _ B7 五、發明説明（i ) 發明領域 本發明關於將剝離層剝離的方法，特別關於剝離包含 多種元素的剝離層的方法。此外，本發明關於具有薄膜電 晶體（下文稱做TFT )組成的電路之半導體裝置，在薄膜 電晶體中，剝離掉的剝離層已黏貼並轉移到基底構件上， 並關於半導體裝置的製造方法。例如，本發明關於以液晶 模組爲代表的電光裝置、由EL模組代表的發光裝置以及 有此裝置安裝於上作爲一部分的電子設備。 應該指出在本說明書中，術語“半導體裝置，，是指通 常能夠利用半導體特性起作用的裝置，電光裝置、發光裝 置、半導體電路以及電子設備都是半導體裝置。 相關技術： 近些年來，使用形成在具有絕緣表面的基底上的半導 體薄膜（厚度約幾到幾百nm )的薄膜電晶體（TFT )構成 的技術已引起注意。半導體薄膜廣泛地應用於例如1C、 電光裝置等電子裝置，特別是非常需要開發爲用於影像顯 示裝置的開關元件。 · 對於利用例如影像顯示裝置的應用，預期有多種應用 ，特別是，用於便攜裝置的應用已受到關注。目前，雖然 使用了許多玻璃基底和石英基底，但存在易於破裂和太重 的缺陷。此外，在大規模生産的基礎上玻璃基底和石英基 底很難製成很大，不太適合這些應用。因此，現在已嘗試 將TFT元件形成在具有可撓性的基底上，代表性地，在 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 -4 - 564471 Α7 _ Β7 經濟部智慧財產芍員工消費合作社印， 五、發明説明（2 ) 可撓塑膠膜上。 然而，由於塑膠膜的熱阻很低，因此無助於降低工藝 的最高溫度。由此，目前，與形成在玻璃基底上的TFT 相比，形成的TFT不具有優良的電特性。因此，採用塑 膠膜的具有高性能的液晶顯示裝置和發光元件目前還沒有 實現。 此外，現已提出借助隔離層從前述的基底上將存在于 基底上的剝離層剝離的方法。例如，在日本待審專利公開 No.HIO- 1 2 5929專利公報和日本待審專利公開^.則〇-】2 5 9 3 1專利公報中介紹的技術就是提供由非晶矽（或多 晶砂）組成的隔離層的技術，藉由傳送基底經由雷射照射 並使含在多晶矽中的氫釋放出，由此產生間隙並分離基底 。此外，在日本待審專利公開Ν ο · Η 1 0 - 1 2 5 9 3 0專利公報 中還介紹了利用該技術，通過將剝離層（在專利公報中， 是指轉換層）黏貼到塑膠膜上完成液晶顯示裝置。 然而，在以上介紹的方法中，實質上是使用高半透明 度的基底，此外，爲了賦予足夠的能量以釋放出含在非晶 矽中的氫，需要較大雷射光束的照射，因此發生剝離層受 損的問題。而且，在以上介紹的方法中，當把元件製備在 隔離層上時，如果在元件製程中進行高溫熱處理等，那麽 含在隔離層中的氫會分散並減少。此時，即使雷射光束照 射在隔離層上，也存在不能充分進行剝離的可能性。因此 ，爲了保持含在隔離層中的氫量，發生形成隔離層之後的 製程受限制的問題。此外在以上介紹的專利公報中，還介 本、紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、τ
564471 A7 B7 經濟部智慧財產^肖工消赍合作社卬製 五、發明説明（3 ) 紹了爲了防止剝離層受損，而提供輻射遮罩層或反射層。 然而，此時’很難製備透射型液晶顯示裝置。而且，通過 以上介紹的方法，很難剝離具有較大面積的剝離層。 發明槪述 考慮以上介紹的問題而實施了本發明，本發明提供一 種剝離掉剝離層的剝離方法，不會損傷剝離層，目的在於 能夠完整地剝離掉具有較大面積的剝離層表面，並且能夠 剝離具有較小面積的剝離層。 此外，本發明目的在於提供一種剝離方法，在剝離時 不受剝離層形成時的諸如熱處理溫度、基底種類等等限制 〇 此外，本發明目的在於藉由將剝離層黏貼到多種基底 構件上以提供一種節省重量的半導體裝置，及其製備方法 。具體地，本發明目的在於通過黏貼多種元件（薄膜二極 體、由矽的PIN接面組成的光電轉換元件）提供一種節省 重1的半導體裝置及其製備方法。當本發明人進行許多實 驗並硏究這些實驗時，本發明人發現當本發明人在基底上 設置氮化物層（較佳地爲金屬氮化物層），以氧化物層接 觸上述的金屬氮化物層，並進一步進行膜形成或在50〇°C 以上的溫度對氧化物進行熱處理期間，沒有發生例如膜剝 離等製程異常，然而本發明人已發現通過施加物理力，代 表性地爲機械力（例如，通過人手剝離）可以容易且明確 地在氧化物層或它們之間的介面分離的剝離方法。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T Ρ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -6- 564471 A7 B7 經濟部智葸財產苟員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 具體地，氮化物層和氧化物層之間的結合力具有能承 受熱能的強度，然而由於氮化物層和氧化物層的膜應力相 互不同並且在氮化物層和氧化物層之間存在應力變形，因 此動能很弱，適合於剝離。本發明人的剝麝步驟是指以該 方式利用膜應力作爲應力剝離製程以進行剝離。 應該指出，在本說明書中，膜的內應力（稱做膜應力 )是指當考慮基底上形成的膜內部的給定的截面時，每單 位截面積的力，其中截面的一側對另一側有影響。內應力 總是或多或少地存在於通過真空澱積、濺射、汽相澱積法 等形成的薄膜內。値最大爲109N/m2。通過薄膜的材料、 基底的材料、薄膜的形成條件等可以改變內部應力値。而 且’也可以通過進行熱處理改變內部應力値。 此外，當具有通過相對於基底表面垂直地分佈的單位 截面對該對方的影響力在拉伸方向起作用力時，稱做拉 伸狀態’此時的內部應力稱做拉伸應力。當力在推擠方向 中起作用力時’稱做處於壓縮狀態，此時的內部應力稱做 壓縮應力，當標繪在圖中或表示在表中時，這些拉伸應力 標烏正（+)數，壓縮應力標爲負（—）數。本發明的構成 (constitimon) 1關於在本說明書中公開的剝離方法，一 種從基底剝離掉剝離層的剝離方法， 其特徵在於在上述的基底上設置氮化物層，由含有與 至少以上氮化物層接觸的氧化物層的疊層組成的剝離層形 成在已設有以上氮化物層的基底上之後，從已設有以上氮 化物層的基底上氧化物層內或與以上氧化物層的介面上， 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇'〆297公潑) (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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-7- 564471 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 通過物理方式剝離掉剝離層。 此外，可以在使用黏合劑黏結支撐體之後進行剝離， 本發明的構成2關於在本說明書中公開的剝離方法，一種 從基底上剝離掉剝離層的剝離方法， 其特徵在於在上述基底上，設置氮化物層，由含有與 至少以上氮化物層接觸的氧化物層的疊層組成的剝離層形 成在已設有以上氮化物層的基底上之後，從已設有以上氮 化物層的基底上氧化物層內或與以上氧化物層的介面上，· 藉由物理方式剝離掉黏結到支撐體的相應剝離層。 此外，在以上介紹的構成2中，爲了促進剝離，在黏 結以上的支撐體之前進行熱處理或雷射光束的照射。此時 ，通過選擇吸收雷射光束的材料並加熱氮化物層和氧化物 層之間的介面以便容易剝離。然而，使用雷射光束時，使 用半透明材料作爲基底。 此外，在以上介紹的構成中，對於氮化物層，其他層 齿可以設置在基底和氮化物層之間，可以設置例如絕緣層 、金屬層等。然而，爲了簡化製程，較佳地形成氮化物層 與基底表面接觸。 此外，代替該氮化物層，可以使用金屬層，最好爲金 屬氮化物層，可以設置金屬層，最好爲金屬氮化物層，而 且，設置氧化物層與以上的金屬氮化物層接觸，進而，如 果進行膜形成處理或50(TC以上的熱處理，通過物理方式 可以容易且明確地在氧化物層內或與氧化物層的介面上分 離。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-8- 564471 A7 B7 蛵濟部智慧財產局MJL>/]t合作社印製 五、發明説明（6) 與本說明書中揭示的剝離方法有關之本發明的構成3 係從基底剝離掉剝離層的剝離方法， 其特徵在於在上述基底上，設置金屬層，由含有與至 少以上金屬層接觸的氧化物層的疊層組成的剝離層形成在 已設有以上金屬層的基底上之後，從已設有以上金屬層的 基底上氧化物層內或與以上氧化物層的介面上，通過物理 方式剝離掉相應剝離層。 此外，可以在使用黏合劑黏結支撐體之後進行剝離， 與本說明書中揭示的剝離方法有關之本發明的構成4係從 基底上剝離掉剝離層的剝離方法， 其特徵在於在上述基底上，設置金屬層，由含有與至 少以上金屬層接觸的氧化物層的疊層組成的剝離層形成在 已設有以上金屬層的基底上之後，從已設有以上金屬層的 基底上氧化物層內或與以上氧化物層的介面上，通過物理 方式剝離掉黏結到支撐體的剝離層。 此外，在以上介紹的構成4中，爲了促進剝離，在黏 結以上的支撐體之前進行熱處理或雷射光束的照射。此時 ，通過選擇吸收雷射光束的材料並加熱金屬層和氧化物層 之間的介面以便容易剝離。然而，使用雷射光束時，使用 半透明材料作爲基底。 應該注意在本說明書中，物理方式是指通過物理而不 是化學確認的方式’具體地’術詣是指具有能夠歸因於動 力學定律的過程的動力或機械方式，也指改變任何動能（ 機械能）的方式。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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P 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0乂297公釐） -9- 564471 Α7 Β7 五、發明説明（7 ) 然而，在以上介紹的構成2和4的任何一個中，當通 過物理方式剝離時，需要使氧化物層和金屬層之間的黏結 力小於與支撐體的黏結力。 此外，在以上介紹的構成3或4中，以上金屬層的特 徵在於它是選自 T i、A1、丁 a、W、Μ 〇、C u、C1.、N cl、F e 、N i、C 〇、Z r、Z n、R u、R h、P d、〇 s、11·和 P t 中的一種 元素，由主要成分爲以上元素的合金材料或化合物材料組 成的單層，或這些金屬或它們的混合物的疊層。 此外，在以上介紹的構成3或4中，對於金屬層，例 如絕緣層等的其他層可以設在基底和金屬層之間，但是爲 了簡化製程，較佳地形成金屬層與基底的表面接觸。 此外，在以上介紹的本發明中，可以使用各種基底， 不限於具有半透明性的基底，例如，玻璃基底、石英基底 、半導體基底、陶瓷基底、金屬基底，提供在基底上的剝 -離層可以剝離。 此外，在上述的各個構成中，上述氧化物層的特徵在 於，這是由氧化矽材料或金屬氧化物材料或這些的疊層組 成的單層。 此外，在以上介紹的各個構成中，爲了促進剝離，在 通過以上的物理方式進行剝離之刖進行熱處理或雷射·光束 的照射。 此外，可以使用以上介紹的本發明的剝離方法藉由將 設在基底上的剝離層黏貼（轉換）到轉換體上，以製造半 導體裝置，本發明的構成關於半導體裝置的製造方法，_ 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-10- 564471 Α7 Β7 五、發明説明（ 8 、部 % t 合 社 印 製 種半導體裝置的製造方法，其特徵在於具有以下步驟： 在基底上形成氮化物層， 在上述的氮化物層上形成氧化物層， 在上述的氧化物層上形成絕緣層， 在上述的絕緣層上形成元件， 支撐體黏結到上述兀件之後，從氧化物層內或基底上 與上述氧化物層的介面上，通過物理方式剝離掉相應支撐 體，以及 將轉換體黏結到上述絕緣層或上述氧化物層，將上述 元件夾在上述支撐體和上述轉換體之間。 此外，在以上介紹的各構成中，爲了促進剝離，在黏 結上述支撐體之前，進行熱處理或雷射光束的照射。此時 ’通過選擇吸收雷射光束的材料並加熱氮化物層和氧化物 層之間的介面以便容易剝離。然而，使用雷射光束時，使 用半透明材料作爲基底。此外，爲了促進剝離，通過在氮 化物層上提供顆粒形氧化物可以容易地剝離，顆粒形氧化 物層覆蓋相應的氧化物，本發明的構成關於半導體裝置的 製造方法，一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於具有 以下步驟： 在基底上形成氮化物層， 在上述氮化物層上形成顆粒形氧化物， 形成氧化物層覆蓋上述氮化物層上的上述氧化物， 在上述氧化物層上形成絕緣層， 在上述絕緣層上形成元件， 本紙? 張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
-11 - 564471 A7 經濟部智慧財1¾ 8工消贽合作社卬製 B7五、發明説明（9 ) 支撐體黏結到上述元件之後，從氧化物層內或基底上 與上述氧化物層的介面上，通過物理方式剝離掉相應支撐 體，以及 將轉換體黏結到上述絕緣層或上述氧化物層，將上述 元件夾在上述支撐體和上述轉換體之間。 此外，本發明的構成關於半導體裝置的製造方法，一 種半導體裝置的製造方法，其特徵在於具有以下步驟： 在基底上形成含金屬材料的層， 在上述含金屬材料的層上形成氧化物層， 在上述氧化物層上形成絕緣層， 在上述絕緣層上形成元件， 支撐體黏結到上述元件之後，從氧化物層內或基底上 與上述氧化物層的介面上，通過物理方式剝離掉相應支撐 體，以及 將轉換體黏結到上述絕緣層或上述氧化物層，將上述 元件夾在上述支撐體和上述轉換體之間。 此外，在以上介紹的構成中，爲了促進剝離，在黏結 上述支撐體之前，進行熱處理或雷射光束的照射。此時， 通過選擇吸收雷射光束的材料並加熱氮化物層和氧化物層 之間的介面以便容易剝離。然而，使用雷射光束時，使用 半透明材料作爲基底。此外，爲了促進剝離，通過在含金 屬材料的層上提供顆粒形氧化物可以容易地剝離，顆粒形 氧化物層覆蓋相應的氧化物，本發明的構成關於半導體裝 置的製造方法，一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
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P 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -12- 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 564471 Μ Β7 __ 五、發明説明（10) 具有以下步驟： 在基底上形成含金屬材料的層’ 在上述含金屬材料的層上形成顆粒形氧化物層， 形成氧化物層覆蓋上述氧化物’ 在上述氧化物層上形成絕緣層’ 在上述絕緣層上形成元件， 支撐體黏結到上述元件之後，從氧化物層內或基底上 與上述-氧化物層的介面上，通過物理方式剝離掉相應支撐 體，以及 將轉換體黏結到上述絕緣層或上述氧化物層，將上述 元件夾在上述支撐體和上述轉換體之間。 在以上介紹的構成中，較佳地，上述含金屬材料的層 爲氮化物，上述金屬材料的特徵在於它是選自Ti、Α1、
Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、RU、
Rh、Pd、〇s、Ir和Pt中的一元素、主要成分爲上述元 素的合金材料或化合物材料組成的單層、或這些金屬或它 們的混合物的疊層。 此外，藉由以上介紹的本發明的剝離方法將提供在基 底上的剝離層黏貼到第一轉換體或第二轉換體製備半導體 裝置，本發明的構成關於半導體裝置的製造方法，一種半 導體裝置的製造方法，其特徵在於具有以下步驟： 在基底上形成含有金屬材料的層， 在上述含有金屬材料的層上形成顆粒形的氧化物， 在上述氧化物層上形成絕緣層， I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) ^一 -13- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
564471 A7 B7 五、發明説明（11) 在上述絕緣層上形成元件， 通過物理方式在氧化物層內或基底上與上述氧化物層 的介面處剝離， 將第一轉換體黏結到上述絕緣層或上述氧化物層，以 及 將第一轉換體黏結到上述元件，並將上述元件夾在上 述第一轉換體和上述第二轉換體之間。 在上述介紹的構成中，較佳地，上述含金屬材料的層 爲氮化物，以上金屬材料的特徵在於它是選自Ti、A1、
Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni ' Co、Zr、Zn、Ru、
Rh ' Pd、〇s、Ir和Pt中的一種元素、由主要成分爲以上 兀素的合金材料或化合物材料組成的單層、或這些金屬或 它們的混合物的疊層。 此外，本發明的構成關於其他半導體裝置的製備方法 ’ 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於具有以下步驟 在基底上形成氮化物層， 在上述氮化物層上形成氧化物層， 在上述氧化物層上形成絕緣層， 在上述絕緣層上形成元件， 藉由物理方式在氧化物層內或基底上與上述氧化物層 的介面處剝離， 將第一轉換體黏結到上述絕緣層或上述氧化物層，以 及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14 - 564471 A7 _ B7 五、發明説明（12) 將第一轉換體黏結到上述元件，並將上述元件夾在上 述第一轉換體和上述第二轉換體之間。 此外’在以上介紹的關於以上半導體裝置的製造方法 的各構成中’上述氧化物層的特徵在於它是由矽的氧化物 材料或金屬氧化物材料或它們的疊層組成的單層。 此外’在以上介紹的關於以上半導體裝置的製造方法 的各構成中，爲了進一步促進剝離，在通過上述的物理方 式進行剝離之前，進行熱處理或雷射照射。 此外’在以上介紹的關於上述半導體裝置的製造方法 的各構成中，上述元件的特徵在於它是包括半導體層作爲 主動層的薄膜電晶體，形成以上半導體層的步驟爲通過進 行熱處理或雷射照射晶化具有非晶結構的半導體層並使半 導體層具有晶化結構的步驟。 應該指出在本說明書中，術語“轉換體”是指將剝離 層剝離之後黏結到剝離層的構件，不必特別地限定，可以 是任何成分的基底構件，例如塑膠、玻璃、金屬、陶瓷等 。此外，在本說明書中，術語“支撐體”可以是藉由物理 方式剝離剝離層時黏結到剝離層剝離層的構件，不必特別 地限定，可以是任何成分的基底構件，例如塑膠、玻璃、 金屬、陶瓷等。此外，轉換體的形狀和支撐體的形狀不必 特別地限定，，可以是爲平面、曲面、能夠彎曲的表面、或 膜形。此外，節約重量爲最優先考慮，較佳地爲膜形的塑 膠基底，例如，聚對苯二甲酸乙二酯（PET )、聚醚礪（ PES )、 聚萘二甲酸乙二酯（PEN )、聚碳酸酯（PC )、 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ29*7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T ρ 經濟部智慧財產局Β(工涓費合作社印製 -15- 564471 A7 五、發明説明（13) 尼龍、聚醚酮醚（PEEK )、聚碾（psf )、聚乙烯亞胺（ PEI)、聚芳基化合物（PAR)、聚對苯二甲酸丁二酯（ P B T )、聚醯亞胺等。在以上介紹的關於以上半導體裝置 的製造方法的各構成中’當製備液晶顯示裝置時，支撐體 製成相對基底’利用密封構件作黏結構件將支撐體黏結到 剝離層。此時，設在以上剝離層上的元件具有像素電極， 將液晶材料裝在相關的像素電極和以上相對基底之間。 在以上介紹的關於以上半導體裝置的製造方法的各構 成中，製備具有OLED的發光裝置代表的發光裝置時，較 佳地，發光元件完全不受外部影響，以防止促進有機化合 物層退化的物質如水份、氧或類似物從外部滲透。此外， 如果節約重量爲最優先考慮時，較佳地使用膜形的塑膠基 底。然而，由於塑膠防止促進有機化合物層退化的物質如 水份、氧或類似物從外部滲透的效果很差，因此例如可以 藉由在支撐體上設置第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣 膜，以便充分地防止進有機化合物層退化的物質如水份、 氧或類似物從外部滲透。然而，將夾在以上第一絕緣膜（ 阻擋膜）和以上第三絕緣膜（阻擋膜）之間的以上第二絕 緣膜（應力釋放）製成它的膜應力小於以上第一絕緣膜和 以上第三絕緣膜的膜應力。 此外’製備具有OLED的發光裝置代表的發光裝置時 ，較佳地藉由第一絕緣膜、第二絕緣J莫和第三絕緣膜不僅 設在支撐體上’也類似地設置在轉換體上，可以充分地防 止例如水份、氧或類似物從外部侵入。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 564471 A7 ____ B7 _ 五、發明説明（14) (竇驗1 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 這裏，設置與氮化物層或金屬層接觸的氧化物層，爲 了檢驗剝離層是否能從基底剝離，進行下述實驗。 首先，在基底上形成圖3A所示的疊層。 對於基底30，可以使用玻璃基底（#1 737 )。然而， 在基底30上，通過濺射法形成厚度300nm的鋁-矽合金層 3 i。隨後，通過濺射法形成厚度1 OOnm的氮化鈦層32。 之後，通過濺射法形成厚度200nm的氧化矽層33。氧化 矽層3 3的膜形成條件爲利用RF法的濺射裝置和利用氧 化矽靶C直徑，30.5cm) ，150°C的基底溫度，0.4Pa的膜 形成壓力，3kW的膜形成電功率，氬的體積流量/氧的體 積流量二 3 5 s c c ni /1 5 s c c m。
隨後，通過電漿CVD法在氧化矽層33上形成初始覆 蓋絕緣層。對於初始覆蓋絕緣層，通過電漿CVD法在300 °C的膜形成溫度下形成厚度50nm由原材料氣體SiH4、 NHi和ΝΑ製備的氮氧化矽34a (組分比Si = 32%，0 = 27% 經濟部智慧財產^員工消費合作社印製 ，N = 24%和H = 17%)。之後，用臭氧水淸洗表面之後，用 稀釋的氫氟酸（1 .· 1 00 )除去表面的氧化膜。接著，通過 電漿CVD法在300t的膜形成溫度下疊置形成lOOnm厚 由原材料氣體SiH4、NH3和N2〇製備的氮氧化矽34b (組 分比Si二32% ，〇二59% ， N = 7%和H = 2% )，此外，通過電獎 CVD法在300°C的溫度不釋放空氣形成厚度54nm具有非 晶結構的半導體層（這裏爲非晶矽層35 )(圖3A )。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210乂 297公釐） "~ -17- 564471 A7 B7 五、發明説明（15) 接下來，將轉換爲重量時爲含1 〇ppm鎳的乙酸鎳溶 液，以旋轉器塗敷轉。使用濺射法代替塗敷法作爲在整個 表面上散佈鎳元素的方法。隨後，藉由進行熱處理和晶化 以形成具有晶體結構的半導體膜（這裏爲多晶矽層3 6 ) (圖3B )。這裏，在進行用於脫氫作用的熱處理（500°C ，1小時）之後，藉由執行晶化熱處理（550°C，4小時） 而取得具有晶體結構的矽膜。應該注意，雖然這裏使用鎳 作爲促進矽晶化的金屬元素的晶化技術，但是也可以使用 其他的晶化技術，例如固相晶化法或雷射晶化法。隨後， 對於黏結層37，使用環氧樹脂，膜基底38 (這裏爲聚對 苯二甲酸乙二酯（PET ))黏貼在多晶矽層36上（圖3C )° 得到圖3C的狀態之後，用人手拉所得結構，以便將 膜基底3 8和基底30分開。應該意識到至少氮化鈦和鋁-矽合金層留在已拉開的基底30上。期望藉由該實驗在氧 化矽33內或與氧化矽33的介面上剝離。 以此方式，藉由設置與氮化物層或金屬層接觸的氧化 物層，並拉掉設在相應氧化物層上的剝離層，從基底3 0 的整個表面上剝離掉剝離層。 (實驗2 ) ^ 爲了確定發生剝離的位置，藉由本發明的剝離方法部 分進行部分剝離，進行實驗以檢查它的分層面附近的剖面 本纸張又度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 -18- 564471 A7 B7 五、發明説明（16) 對於基底，使用玻璃基底（#1 737 )。然而，在基底 上’藉由濺射法形成厚度1 〇〇nm的氮化鈦層3 2。 之後’藉由濺射法形成厚度2 0 0 n m的氧化砂層3 3。 氧化矽層33的膜形成條件爲利用RF法的濺射裝置和利 用氧化矽靶（直徑，30.5cni ) ，150°C的基底溫度，〇.4Pa 的膜形成壓力，3kW的膜形成電功率，氬的體積流量/氧 白勺體積流量=3 5 sccm/1 5 seem ° 隨後，通過電漿CVD法在氧化矽層33上形成初始覆 盖絕緣層。對於初始覆蓋絕緣層，通過電漿CVD法在300 °c的膜形成溫度下形成厚度50nm由原材料氣體SiH4、 NH:’和Ν·2〇製備的氮氧化矽34a (組分比Si = 32%，0 = 27% ，N = 24%和 H = 17% )。 之後’用臭氧水淸洗表面之後，用稀釋的氫氟酸（ 1:100)除去表面的氧化膜。接著，通過電漿CVD法在 3 00°C的膜形成溫度下疊置形成i〇〇nm厚由原材料氣體 SiHd、NIL·和N2〇製備的氮氧化矽（組分比Si = 32%， 0 = 59%，N = 7%和H = 2% )，此外，藉由電漿CVD法在300 ΐ的溫度不釋放空氣形成厚度54nm具有非晶結構的半導 體層（這裏爲非晶矽層）。 接下來，將轉換成重量時爲含1 Oppm鎳的乙酸鎳溶 液，以旋轉器塗敷。使用濺射法代替塗敷法以在整個表面 上散佈鎳元素的方法。隨後，通過進行熱處理和晶化形成 具有晶體結構的半導體膜（這裏爲多晶矽層）。這裏，進 行用於脫氫作用的熱處理（500°C，1小時），藉由執行 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11
經濟部智慈財產局®工消費合作社印製 -19- 564471 A7 B7 五、發明説明（17) 晶化熱處理（5 50°C，4小時）而得到具有晶體結構的矽 膜。 隨後’黏結帶黏貼在部分多晶砂層上，用人手拉所得 結構，以便將黏結帶和基底分開。然後，僅剝離黏貼黏結 帶的位置，並轉換到帶。基底側剝離介面上的TEM照片 顯示在圖20A中，它的示意圖顯示在圖20B中。 如圖2 0所示，氮化鈦層整個地留在玻璃基底上，有 帶黏結並被轉換的部分被淸楚地轉換，.而除去了疊層（藉 由濺射法形成的Si〇2膜，藉由PCVD法形成的絕緣膜（1 )和（2 )和多晶矽膜）。由此，應該明白剝離發生在藉 由濺射法形成的氮化鈦層和Si〇2膜之間的介面上。 (實驗3 ) 這裏，當氮化物層的材料由TiN、W和WN製成時， 爲了檢驗設在氧化物層上的剝離層是否已剝離，通過提供 與氮化物層或金屬層接觸的氧化物層（氧化矽：膜厚度， 2 0 0 n m )進行以下實驗。 關於樣品1，利用濺射法在玻璃基底上形成膜厚度 lOOnm的TiN之後，藉由濺射形成300nm厚的氧化矽膜。 進行形成氧化矽的步驟之後，類似於實驗1進行疊置和晶 化。 關於樣品2，藉由濺射法在玻璃基底上形成膜厚 5 0nm的W，利用濺射法形成200nm厚的氧化矽膜。形成 氧化矽膜的步驟之後，類似於實驗1進行疊置和晶化。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 -口
經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 -20- 564471 A7 B7 五、發明説明（18) 關於樣品3 ’藉由濺射法在玻璃基底上形成膜厚 5 0nm的WN，利用濺射法形成200nm厚的氧化矽膜。形 成氧化矽膜的步驟之後，類似於實驗1進行疊置和晶化。 以此方式，形成樣品1 - 3，爲了確定藉由將黏結帶黏 貼到剝離層是否能將剝離層剝離，進行實驗。結果顯示在 表1中。 [表1] 第一材料層 第二材料層 帶測試 (下層） (上層） 樣品 1 ΤιΝ 氧化砂 剝離 (100 n m ) (2 0 0 n m ) 樣品2 W 氧化矽 剝離 (5 0 n m ) (2 0 0n m ) 樣品3 WN 氧化矽 剝離 (5 0 nm ) (2 00nm ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 此外’測量熱處理（5 5 0 °C，4小時）之前和之後氧 化矽膜、TiN膜、w膜各膜上的內應力。結果顯示在表2 中〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -21 - 564471 A7 B7 五、發明説明（19) [表21 膜的內應力値（d y n e / c m2 ) 膜形成之後 熱處理之後 氧化矽膜 -9.40 E + 08 -1.34 E + 09 -9.47 E + 08 -1.26 E + 09 TiN膜 3.90 E + 09 4.36 E + 09 3.95 E + 09 4.50 E + 09 W膜 -7.53 E + 09 8.96 E + 09 -7.40 E + 09 7.95 E + 09 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局B〔工消費合作社印製 應該指出對於氧化矽膜，測量通過濺射法在矽基底上 形成的400nm厚的膜。對於TMN膜和W膜，通過濺射法 在玻璃基底上形成的400nm厚的膜之後，測量內應力， 然後疊置氧化矽膜作爲帽蓋膜。進行熱處理之後，通過腐 蝕除去帽蓋膜，然後再次測量帽蓋膜。此外，各樣品製備 2件並進行測量。 對於W膜，雖然形成膜之後立即具有了壓應力（約-7 X 109 ( Dyne/cm2))，通過熱處理膜具有了拉伸應力（ 約8 x 1 09 - 9 x 1 09 ( D y n e / c m2 ))，並且剝離狀態優良。對 於TiN膜，熱處理之前和之後很難改變應力，始終具有拉 伸應力（約 3.9 XI09-4.5 M 09 ( Dyne/cm2))。此外，對 於氧化矽膜，熱處理之前和之後很難改變應力，始終具有 壓縮應力（約-9.4 MO9- -1.3 xlO9 ( Dyne/cm2 ))。 從這些結果中，可以看出剝離現象與黏附性有關歸因 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -22- 564471 A7 B7 五、發明説明（20) 於多種因素，然而，具體地，主要與內應力有關，在氮化 物層或金屬層上形成氧化物層時，剝離層會從氮化物層或 金屬層與氧化物層之間介面的整個表面上剝離。 (:實驗4 ) 爲了檢查與加熱溫度的相關性，進行以下實驗。 關於樣品’通過濺射在基底上形成50nm厚的W膜（ 鎢膜）之後，使用濺射形成厚度200nm的氧化矽膜（ lOsccm的氬氣流速，30sccm的氧氣流速，〇.4Pa的膜形成 壓力，3kW的濺射電能，30CTC的基底溫度，使用矽靶） 。接下來，以和實驗1相同的方式，藉由電漿CVD形成 初始覆蓋絕緣層（50nm的氮氧化矽膜和1 〇〇nm的氮氧化 矽膜）和54nm厚的非晶矽膜。 接著，進行熱處理同時改變加熱溫度的條件之後，使 用黏結材料將石英基底黏帖在非晶矽膜上（或多晶矽膜） ，藉由拉拔以將石英基底和玻璃基底相互分離，以人眼檢 查它們是否剝離。加熱溫度的條件1爲5〇〇°C和1小時， 條件2爲45 0°C和1小時，條件3爲4251和1小時，條 件4爲41 〇°C和1小時，條件5爲400°C和1小時，條件6 爲3 5 0°C和1小時。 貫驗的結果，在條件1 - 4下，樣品剝離。在條件5和 6下’樣品沒有剝離。因此，在根據本發明的剝離方法， 較佳低在至少4 1 0 °C以上進行熱處理。 此外，當剝離W膜時，W膜留在玻璃基底的整個表 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局’肖工消費合作社印製 -23- 564471 A7 B7 經濟部智慧財產苟S (工消費合作社印製 五、發明説明（21) 面上，疊層（濺射得到的SiCh膜，PCVD得到的絕緣膜（ 1 )和（2 )，以及非晶矽膜）轉換到石英基底上。圖21 顯示以TXRF測量被轉換的SiCh膜表面的結果。通過 AFM測量，表面粗糙度RZ ( 30點）爲5.44nm。此外，圖 22示出了測量形成在石英基底上5〇ηηι的w膜表面的結 果作爲參考。通過AFM測量表面粗糙度( 30點）爲 22.8nm。此外，圖23示出了通過TXRF僅測量石英基底 的結果。由於比較圖21和22的W (鎢）峰値時兩者類似 ，所以發現小的金屬材料（這裏爲鎢）黏附在轉換的 SiCh膜表面上。 根據在本說明書中揭示的本發明的構成，半導體裝置 包括支撐體，通過黏合劑材料黏貼到支撐體的剝離層，以 及氧化砂膜’設置在氧化矽膜和黏結材料之間的小的金屬 材料。 在以上構成中，金屬材料包括選自Ti、A1、Ta、W、 Mo、Cu、C!·、Nd、Fe、Ni、Co、Z!·、Zn、RU、Rh、Pd、 Os、Ir和Pt中的一種元素、主要成分爲以上元素的合金 材料或化合物材料。 附圖簡述 圖1 A到1 C示出了本發明的實施例1 ; 圖2A到2C示出了本發明的實施例2 ; 圖3A到3D示出了本發明的實驗； 圖4A到4C示出了本發明的實施例3 ; 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 % -24- 564471 A7 B7 五、發明説明（22) ® 5 A到5 C示出了本發明的實施例4 ; ® 6A到6D示出了主動矩陣基板的製造步驟； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖7 A到7 C示出了主動矩陣基板的製造步驟； 圖8示出了主動矩陣基底； 圖9 A到9 D示出了本發明的實施範例2 ; 圖1 Ο A到1 0E示出了本發明的實施範例3 ; 圖11示出了本發明的實施範例4 ; 圖1 2示出了本發明的實施範例5 ; 圖1 3 A到1 3D示出了本發明的實施範例6 ; 圖1 4A到1 4C示出了本發明的實施範例7 ; 圖1 5示出了本發明的實施範例8 ; 圖1 6 A和1 6 B示出了本發明的實施範例9 ; 圖1 7示出了本發明的實施範例9 ; 圖1 8 A到1 8F示出了電子設備的一實施範例； 圖1 9 A到1 9 C示出了電子設備的一實施範例； 圖20A和20B示出了部分剝離的分界位置的剖面 丁EM照片和示意圖； 經濟部智慧財產^7¾工消費合作社印製 圖2 1示出了剝離的氧化矽膜表面的τ X R F測量結果 的圖表； 圖22示出了在石英基底上形成w膜表面的TXRF測 量結果的圖表；（參考） 圖23示出了石英基底表面的TXRF測量結果的圖表 。（參考） 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） -25 - 564471 A7 B7 五、發明説明（23) 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 主要元 件對 昭 表 10 基 底 i丄 氮 化 物 層 或 金 屬 層 12 氧 化 物 層 13 剝 離 層 20 基 底 21 氮 化 物 層 或 金 屬 層 22 氧 化 物 層 23a 初 始 覆 蓋 絕 緣 層 23b 初 始 覆 蓋 絕 緣 層 24 剝 離 層 30 基 底 31 鋁 矽 合 金 層 32 氮 化 鈦 層 3 3 氧 化 矽 層 34a 初 始 覆 蓋 絕 緣 層 34b 初 始 覆 蓋 絕 緣 層 3 5 非 晶 矽 層 3 6 多 晶 矽 層 3 7 黏 結 層 38 膜 基 底 40 基 底 41 氮 化 物 層 或 金 屬 層 42 氧 化 物 層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - 26- 564471 A7 B7 經濟部智慧財產/¾員工消費合作社印製 五、發明説明（2小 4 3 剝離層 5 0 基底 5 1 氮化物層或金屬層 5 2 氧化物層 5 3 剝離層 100 基底 101 氮化物層或金屬層 102 氧化物層 103 初始覆蓋絕緣層 104 半導體層 105 半導體層 106 半導體層 107 半導體層 108 半導體層 109 閘絕緣層 ll〇a 第一導電膜 110b 第二導電膜 112 掩罩 113 掩罩 1 14 掩罩 115 掩罩 116 掩罩 117 掩罩 118 閘絕緣膜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、一U 口
本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27- 564471 A7 B7 五、發明説明（25) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 119 導電層 120 導電層 121 導電層 122 導電層 123 導電層 124 導電層 126 導電層 丄27 導電層 128 導電層 129 導電層 130 導電層 13 1· 導電層 132 第一雜質區 133 第一雜質區 134 第一雜質區 135 第一雜質區 136 第一*雜質區 137 掩罩 138 掩罩 139 掩罩 140 第二雜質區 141 第二雜質區 142 第二雜質區 144 第三雜質區 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28- 564471 A7 B7 五、發明説明（26) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 145 第 —* 雜 質 區 146 第 — 雜 質 區 147 第 一 雜 質 區 148 掩 罩 149 掩 罩 150 掩 罩 151 第 四 雜 質 區 152 第 四 雜 質 區 153 第 五 雜 質 154 . 第 五 雜 質 區 155 第 一 層 間 絕 緣 膜 156 第 二 層 間 絕 緣 膜 1 5 7 源 電 極 或 汲 電 極 158 源 電 極 或 汲 電 極 159 源 電 極 或 汲 電 極 160 源 電 極 或 汲 電 極 161 源 電 極 或 汲 電 極 162 源 電 極 或 汲 電 極 163 連 接 佈 線 164 閘 極 佈 線 165 像 素 電 極 166 通 道 形 成 區 167 通 道 形 成 區 168 通 道 形 成 區 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -29- 經濟部智慧財產局資工消費合作社印製 564471 Μ Β7 五、發明説明（27) 169 通道形成區 170 半導體層 171 第二雜質區
201 η通道型TFT
202 p型通道型TFT
203 η通道型TFT
204 像素TFT 205 保持電容器 2 0 6 驅動電路 207 像素區 301 基底 302 源極信號線驅動電路 303 閘極信號線驅動電路 304 像素部份 305 可撓電路板 306 相對基底 307 密封劑 3 08 密封材料 400 基底 401 金屬層 402 氧化物層 403 初始覆蓋絕緣層 404a 驅動電路的元件 404b 像素部份的元件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-30- 564471 A7 B7 五、發明説明（28) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 405 像 素 電 極 406a 配 向 膜 406b 配 向 膜 407 支 撐 體 408 相 對 電 極 409 黏 結 層 410 液 晶 材料 41 1 黏 結 層 412 轉 換 體 413 驅 動 電 路 414 像 素 部 份 500 基 底 501 氮 化 物 層 或 金 屬層 502 氧 化 物 層 5 03 初 始 覆 蓋 絕 緣 層 504a 驅 動 電 路 的 元 件 504b 像 素 部 份 的 元 件 505 像 素 電 極 506 黏 結 層 507 轉 換 體 5 0 8a 配 向 膜 5 0 8b 配 向 膜 509 相 對 電 極 5 10 支 撐 體 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210〆297公釐） -31 - 564471 A7 B7 五、發明説明（29) 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 5 12 黏 結 層 5 13 液 晶 材 料 5 14 驅 動 電 路 5 15 像 素 部 份 6 00 層 間 絕 緣 膜 601 像 素 電 極 602 連 接 電 極 603 極 化 板 604 背 光 605 導 光 板 606 蓋 607 黏 結 層 608 支 撐 體 609 黏 結 層 610 轉 換 體 611 驅 動 路 612 像 素 部 份 700 基 底 701 氮 化 物 層 或 金 屬層 702 氧 化 物 層 703 初 始 覆 蓋 絕 緣 層 7 04a 驅 動 電 路 的 元 件 704b 像 素 部 份 的 元 件 704c 像 素 部 份 的 元 件 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1'
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -32- 564471 A7 B7 五、發明説明（3〇) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 705 有機發光裝置 706 層間絕緣膜 707 黏結層 708 支撐體 709 黏結層 710 轉換體 711 驅動電路 712 像素部份 806 驅動電路 807 像素部份 809 第二黏結層 810 膜基底 811 密封膜 811a 阻擋膜 811b 應力釋放膜 811c 阻擋膜 812 膜基底 814 密封膜 814a 阻擋膜 814b 應力釋放膜 814c 阻擋膜 900 膜基底 901 源極側驅動電路 902 像素部分 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
衣· 訂
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33- 564471 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（31) 903 閘極側驅動電路 9 08 佈線 909 可撓電路板 910 絕緣膜 911 薄膜電晶體 912 像素電極 913 η通道型薄膜電晶體 914 ρ通道型薄膜電晶體 915 觸排 916 E L 層 917 陰極 918 密封部件 919 保護膜 920 蓋部件 921 乾燥劑 1000 膜基底 1 002 像素部份 1 003 閘極側驅動電路 1 008 佈線 1 009 可撓電路板 1010 絕緣膜 1011 薄膜電晶體 1〇1 2 像素電極 1013 η通道型薄膜電晶體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -34- 564471 A7 B7 經濟部智態財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（32) 1014 p通道型薄膜電晶體 1015 觸排 1018 密封部件 1019 保護膜 1 020 蓋部件 1021 乾燥劑 2001 主體 2002 影像輸入部份 2003 顯示部份 2004 鍵盤 2101 主體 2102 顯示部份 2103 聲音輸入部份 2104 操作開關 2105 電池 2106 影像輸入部份 220 1 主體 2202 攝影部份 2203 影像接收部份 2204 操作開關 2 20 5 顯示部份 230 1 主體 2 3 0 2 顯示部份 2303 臂部份 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .
、1T φ! 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -35- 564471 A7 B7 五、發明説明（33) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 240 1 主體 2402 顯示部份 2403 揚聲器部份 2404 記錄媒體 2405 操作開關 2 5 0 1 主體 2502 顯示部份 2503 取景器 2504 操作開關 290 1 主體 2902 聲音輸出部份 2903 聲音輸入部份 2904 顯示部份 2905 操作開關 2906 天線 2907 影像輸入部份 300 1 主體 3002 顯示部份 3003 顯示部份 3004 記錄媒體 3005 操作開關 3006 天線 3101 主體 3102 支撐部份 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -36- 564471 經濟部智恶財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7 " >_____—____—-—________五、發明説明（34) 3l〇3 顯示部份 · 實施例說明 此處，將說明本發明的最佳實施例。 [列 1 這裏，利用本發明代表性的剝離過程示意性地顯示在 圖1中。 在圖1A中，代號10表示基底，代號1 1表示氮化物 層或金屬層，代號1 2表示氧化物層，代號1 3表示剝離層 〇 在圖1 A中，關於基底1 〇，可以使用玻璃基底、石英 基底、陶瓷基底等。此外，也可以使用矽基底、金屬基底 或不錄鋼基底。 首先，如圖1A所示，氮化物層或金屬層1 1形成在 基底1 0上。關於氮化物層或金屬層11，代表性的實施例 如下··選自 Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Ci·、Nd、Fe、Ni 、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、〇s、Ii·和 Pt 中的一種元素 或由主要成分爲以上元素的合金材料或化合物材料組成的 單層，或它們的疊層，或這些氮化物組成的單層，可以使 用例如氮化鈦、氮化鎢、氮化鉅、氮化鉬或它們的疊層。 隨後’氧化物層1 2形成在氮化物層或金屬層1 1上。關於 氧化物層1 2，代表性的實施例可以使用氧化矽、氮氧化 矽和金屬氧化物材料。關於氧化物層1 2，可以使用膜形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-5-口
-37- 經濟部智慧財產局a(工消費合作社印製 564471 A7 B7 五、發明説明（35) 成法，例如濺射法、電漿CVD法、塗敷法。在本發明中 ’所述氧化物層1 2的膜應力和氮化物層或金屬層1 1的膜 應力制得相互不同很重要。各膜的厚度適當地設置在1 nm 到lOOOnm的範圍內，各膜的應力可以調節。此外，在圖 1中，爲了簡化製程，示出了形成與基底1 〇接觸的氮化 物層或金屬層11的一實施範例，藉由在基底1 〇和氮化物 層或金屬層11之間設置絕緣層或金屬層可以增強基底1〇 的黏附性。 隨後，在氧化物層12上形成剝離層13 (圖1A )。剝 離層可以是含有多種元件（薄膜二極體、包括矽的PIN接 面的光電轉換元件以及砂電阻元件）的層，代表性的爲 TFT。此外，可以進行基底1 〇能夠承受範圍的熱處理。 應該指出在本發明中，即使氧化物層1 2的膜應力和氮化 物層或金屬層11的膜應力不同’在剝離層1 3的製備步驟 的熱處理中不會發生膜剝離等。 隨後，用物理方式拉掉設在氮化物層或金屬層11上 的基底1 0 (圖1 B )。由於氧化物層1 2的膜應力和氮化物 層或金屬層11的膜應力不同’用較小的力就可以拉開它 們。此外，雖然這裏顯示了假設剝離層1 3具有足夠的機 械強度的一實施範例’但是’當剝離層1 3的機械強度不 夠時，較佳的是，在黏貼用於固定剝離層1 3的支撐體（ 未示出）之後，其會被剝離。以此方式，形成在氧化物層 1 2上的剝離層1 3與基底1 〇分開。剝離之後的狀態顯示 在圖1 C中。在實驗中，當藉由濺射法，將厚度爲1 〇nm 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-38- 564471 A7 B7 五、發明説明（36) 的鎢膜作爲金屬層1 1，及將具有2 0 0 n m的厚度之氧化矽 膜作爲氧化物層1 2時，根據本發明的剝離方法可以確認 剝離。當藉由濺射法，將50nm的鎢膜作爲金屬層1 1時 ’將具有1 〇〇nm的厚度的氧化矽膜作爲氧化物層1 2，根 據本發明的剝離方法可以確認剝離。當藉由濺射法，將 5 0nm的鎢膜作爲金屬層11時，將具有400nm的厚度的氧 化矽膜作爲氧化物層1 2，根據本發明的剝離方法可以確 認剝離。此外，剝離之後，拉掉的剝離層1 3黏貼在轉換 體（未示出）上。 此外’本發明適用於多種半導體裝置的製備方法。特 別是，藉由使用塑膠基底作爲轉換體和支撐體，可以將其 製成很輕。當製備液晶顯示裝置時，支撐體作爲相對基底 ’利用密：J件作爲黏結部件將支撐體黏貼到剝離層。此 時，設在上述剝離層上的元件具有像素電極，將液晶材料 封在相關的像素電極和上述相對的基底之間。此外，製備 液晶顯示裝置的製程順序不必特別限定，黏貼相對基底作 爲支撐體。注入液晶之後，將基底剝離並黏貼在塑膠基底 上作爲轉換體，或形成像素電極之後，剝離基底，黏貼塑 膠基底作爲第一轉換體之後，黏貼相對基底作爲第二轉換 體。 此外，製備由具有OLED的發光裝置代表的發光裝置 時，較佳的是支撐體製成密封介質，發光元件完全與外部 斷開’以防止促進有機化合物層退化的物質例如水分、氧 等從外部滲透。此外，製備由具有OLED的發光裝置代表 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -39- 564471 A7 B7 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 五、發明説明（37) 的發光裝置時，較佳地能夠充分地防止促進有機化合物層 退化的物質例如水分、氧等從外部滲透到支撐體內和轉換 體內。此外，製備液晶顯示裝置的製程順序不必特別限定 。形成發光元件之後，黏貼塑膠基底作爲支撐體，將基底 剝離，並黏貼塑膠基底作爲轉換體，或形成發光元件之後 ’剝離基底，以及黏貼塑膠基底作爲第一轉換體之後，黏 貼塑膠基底作爲第二轉換體。 實施例2 關於本實施例，圖2顯示藉由設置與剝離層接觸的初 始覆蓋絕緣層以防止雜質由氮化物層或金屬層以及基底擴 散時用於剝離基底的剝離程序。在圖2A中，代號20表 示基底，代號21表示氮化物層或金屬層，代號22表示氧 化物層，代號2 3 a和2 3 b表示初始覆蓋絕緣層，代號2 4 表示剝離層。 在圖2A中’關於基底20’可以使用玻璃基底、石英 基底、陶瓷基底等。此外，也可以使用矽基底、金屬基底 或不銹鋼基底。 首先，如圖1A所示，氮化物層或金屬層21形成在 基底20上。對於氮化物層或金屬層2 1，代表性的實施例 如下：選自 Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、pe、Ni 、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、〇s、Ir 和 Pt 中的〜種元素 、或主要成分爲以上元素的合金材料或化合物材料組成的 單層、或它們的疊層 '或這些氮化物組成的單層，舉例而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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-40- 564471 A7 ___B7 五、發明说明（38) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 言，氮化鈦、氮化鎢、氮化鉅、氮化鉬或它們的疊層。這 些都可以使用。隨後’氧化物層22形成在氮化物層或金 屬層21上。對於氧化物層22，代表性的例子可以使用氧 化矽、氮氧化矽和金屬氧化物材料。關於氧化物層2 2， 可以使用膜形成法，例如濺射法、電發CVD法、塗敷法 〇 在本發明中，所述氧化物層22的膜應力和氮化物層 或金屬層21的膜應力製成相互不同很重要。各膜的厚度 適當地設置在1 n m到1 0 0 0 n m的範圍內，各膜的應力可以 調節。此外，在圖2中，爲了簡化製程，示出了形成與基 底20接觸的氮化物層或金屬層2 1的一實施例，藉由在基 底20和氮化物層或金屬層2 1之間設置絕緣層或金屬層可 以增強基底10的黏附性。
經濟部智慧財產局肖工消費合作社印製 隨後，通過電漿CVD法在氧化物層22上形成初始覆 蓋絕緣層23a和23b。這裏，藉由電漿CVD法在400°C的 月旲形成溫度下形成厚度5 0 n m由原材料氣體s i Η 4、N Η 3和 Ν 2〇製備的氮氧化砂2 3 a (組分比S i = 3 2 %，Ο = 2 7 %， Ν-24%ίΠ Η=17%)，接著，藉由電漿CVD法在400°C的膜 形成溫度下疊置形成100nm厚由原材料氣體SiH4、NH3和 N2〇製備的氮氧化矽23b (組分比SU32% , 0 = 59%，N = 和H = 2% )。但不必特別限定，可以使用單層或具有三層 或更多層的疊層。隨後，剝離層24形成在初始覆蓋絕緣 層2 3 b上（圖2 A )。 以此方式，當製備兩層初始覆蓋絕緣層23a和23b時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） >41 - 564471 A7 B7 五、發明説明（39) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，在形成剝離層24的製程中，可以防止雜質由氮化物層 或金屬層和基底20擴散。此外，利用初始覆蓋絕緣層 23a和23b可以增強氧化物層22和剝離層24之間的黏附 性。 此外，由於氮化物層或金屬層21和氧化物層22，在 表面上形成有凹陷和凸起，因此形成初始覆蓋絕緣層之前 和之後應平坦化表面。平坦化時，剝離層上的覆蓋變得更 好，當形成含有元件24的剝離層24時，由於元件的特性 變得容易穩定，因此較佳。應該注意，關於平坦化處理， 可以使用形成塗敷膜（光阻膜或類似物）之後進行蝕刻等 的回蝕法、化學機械抛光法（CMP法）等。 經濟部智慈財產局Μ工涓費合作社印製 隨後，通過物理方式剝離其上設有氮化物層或金屬層 21的基底20 (圖2B )。由於氧化物層22的膜應力和氮 化物層或金屬層2 1的膜應力不同，因此可以以較小的力 剝離。此外，雖然這裏示出了假設剝離層24有足夠機械 強度的一實施範例，當剝離層24的機械強度不夠時，較 佳的是黏貼固定剝離層24的支撐體（未顯示）之後進行 剝離。 以此方式，形成在初始覆蓋絕緣層22上的剝離層24 可以與基底20分離。剝離之後的狀態顯示在圖2C中。 此外，在其被剝離之後，被剝離的剝離層24會黏貼 在轉換體（未顯示）上。 此外，本發明可應用於多種半導體裝置的製備方法。 特別是，使用塑膠基底作爲轉換體和支撐體，可以將其製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -42- 564471 A7 __ _B7 五、發明説明（4〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 戊很輕。在製備液晶顯示裝置的情形中，支撐體作爲相對 基底，利用街、封介質作爲黏結部件以將支撐體黏貼到剝離 U。在此k形中’設在剝離層上的元件具有像素電極，將 液曰θ材料紂在相關的像素電極和上述相對的基底之間。此 外’製備液晶顯示裝置的製程順序不必特別限定，在注入 '攸晶之後’黏貼作爲支撐體之相對基底，將基底剝離並黏 貼在作爲轉換體的塑膠基底上，或形成像素電極之後，剝 離基底。在站貼塑膠基底作爲第一轉換體之後，黏貼相對 基底作爲第二轉換體。
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外’在製備以具有OLED的發光裝置爲代表的發光 裝置時，較佳的是支撐體製成密封介質，發光元件完全與 外部斷開，以防止促進有機化合物層退化的物質例如水分 、氧等從外部滲透。此外，製備由具有〇LED的發光裝置 代表的發光裝置時’較佳的是能夠充分地防止促進有機化 合物層退化的物質例如水分、氧等從外部滲透到支撐體內 和轉換體內。此外，製備液晶顯示裝置的製程順序不必特 別限定。形成發光元件之後，黏貼塑膠基底作爲支撐體， 將基底剝離，並黏貼塑膠基底作爲轉換體，或形成發光元 件之後，剝離基底，以及黏貼塑膠基底作爲第一轉換體之 後，黏貼塑膠基底作爲第二轉換體。 實施例3 在本實施例中，除了實施例1，進行雷射光束照射或 熱處理以促進剝離的一實施範例顯示在圖4中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -43- 564471 A7 B7 五、發明説明（41) 在圖4 A中，代號4 0表不基底，代號41表示氮化物 層或金屬層，代號42表示氧化物層，代號43表示剝離層 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於形成它直到製備剝離層的步驟都與實施例1相同 ’因此省略其說明。 形成剝離層之後，進行雷射光束照射（圖3A )。對 於雷射光束，可以使用例如準分子雷射器等的氣體雷射器 ，例如YV04雷射器、YAG雷射器等的固態雷射器，以及 半導體雷射器。此外，雷射的形式可以是連續振盪或脈衝 振盪，雷射光束的形狀可以是直線、矩形、圓形或橢圓形 中的任何一種。此外，使用的波長可以是基波、二次諧波 或三次諧波。 此外，希望氮化物層或金屬層41使用的材料爲容易 吸收雷射光束的材料，較佳地氮化鈦。應該注意爲了使雷 射光束穿過，使用具有透明度的基底作爲基底40。 經濟部智慧財產局S工消费合作社印製 隨後，藉由物理方式拉掉其上設有氮化物層或金屬層 41的基底40 (圖4B )。由於氧化物層42的膜應力和氮 化物層或金屬層4 1的膜應力不同，因此可以以較小的力 拉掉。 藉由照射雷射光和加熱氮化物層或金屬層4 1與氧化 物層42之間的介面，膜應力可以相互改變並且可以促進 剝離，可以用較小的力進行剝離。此外，雖然這裏示出了 假設剝離層4 3有足夠機械強度的一實施範例，但是，在 剝離層4 3的機械強度不夠的情形中，較佳的是在黏貼固 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） -44- 564471 A7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（42) 定剝離層43的支撐體（未顯示）之後進行剝離。以此方 式，形成在氧化物層42上的剝離層24可以與基底40分 離。剝離之後的狀態顯示在圖4C中。此外，不限於雷射 光束，可以使用例如鹵素燈等的光源發出的可見光、紅外 線、紫外線、微波等。 此外，代替雷射光束，可以在電爐中進行熱處理。 此外，黏貼支撐體之前，或藉由以上物理方式剝離之 前，進行熱處理或雷射光束照射。 此外，本實施例可以與實施例2結合。 實施例4 在本實施例中，除了實施例1之外，圖5顯示，在氮 化物層或金屬層和氧化物層之間的介面上設置顆粒形氧化 物以促進剝離的一實施範例。 在圖5A中，代號50表示基底，代號51表示氮化物 層或金屬層，代號52a表示顆粒形氧化物層，代號52b表 示氧化物層，代號5 3表示剝離層。 由於形成它直到形成氮化物層或金屬層5 1的步驟都 與實施例1相同，因此省略其說明。 形成氮化物層或金屬層5 1之後，形成顆粒形氧化物 層5 2a。關於顆粒形氧化物層52a，可以使用金屬氧化物 材料’例如ITO (氧化銦·氧化錫合金）、氧化銦-氧化鋅 合金（In2〇3-Zn〇）、氧化鋅（Zn〇）等。 隨後，形成氧化物層52b覆蓋顆粒形氧化物層52.a。 ^ _________ _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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-45- 564471 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（43) 關於氧化物層5 2b，一個代表性的實施範例可以使用氧化 矽、氮氧化矽和金屬氧化物材料。應該指出例如濺射法、 電漿CVD法、塗敷法等的任何膜形成法可以應用到氧化 物層5 2 b。 隨後，在氧化物層52b上形成剝離層（圖5A )。 隨後，用物理方式拉掉提供在氮化物層或金屬層5 1 上的基底5 0 (圖5 B )。由於氧化物層5 2的膜應力和氮化 物層或金屬層5 1的膜應力不同，用較小的力就可以拉開 它們。 氮化物層或金屬層5 1和氧化物層5 2之間的結合力被 弱化，因此相互之間的黏附力可以改變、藉由設置顆粒形 氧化物層5 2a可以促進剝離、可以用較小的力進行剝離。 此外，雖然這裏示出了假設剝離層53有足夠機械強度的 一實施範例，當剝離層5 3的機械強度不夠時，較佳的是 黏貼固定剝離層5 3的支撐體（未顯示）之後進行剝離。 以此方式，形成在氧化物層52b上的剝離層53可以 與基底50分離。剝離之後的狀態顯示在圖5C中。 此外，本實施例可以與實施例2或3結合。 下面參考實例詳細地介紹包括上述說明的各構成的本 發明。 實施範例 實施範例 1 將參考圖6到8說明本發明的實施範例。這裏，將詳 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣·
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本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46- 經濟部智慧財產局W工消費合作社印製 564471 A7 B7 五、發明説明（44) 細地說明在相同基底上同時製備設在像素部分（η通道型 TFT和ρ通道型TFT )的周邊上之像素部分和驅動電路的 TFT的方法。 首先，氮化物層或金屬層1 〇 1、氧化物層1 2和初始 覆蓋絕緣膜103形成在基底1〇〇上，得到具有晶體結構的 丰導體膜之後’藉由蝕刻處理形成所需形狀之島形隔離的 半導體層104-108。 關於基底100，可以使用剝離基底（#1 737 )。 此外，關於金屬層101，可以使用選自Ti、A卜Ta、 W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、
Pd、〇s、Ii·和Pt中的一元素、由主要成分爲以上元素的 合金材料或化合物材料組成的單層、或它們的的疊層。更 佳地，可以使用這些氮化物組成的單層，例如，氮化鈦、 氮化鎢、氮化鉅、氮化鉬或它們的疊層。這裏，藉由濺射 法使用膜厚度1 0 0 n m的氮化銶膜。 此外，對於氧化物層102，可以使用氧化矽材料或金 屬氧化物材料組成的單層，或它們的疊層。這裏，使用濺 射法形成200nm膜厚的氧化矽膜。在熱處理中，金屬層 101和氧化物層102之間的結合力很強，不會發生膜剝離 (也僅稱爲“剝離”）等。然而，藉由物理方式在氧化物 層內或介面上容易剝離。 隨後，對於初始覆蓋絕緣層，藉由電漿CVD法在400 t：的膜形成溫度下形成厚度50nm由原材料氣體SiH4、 NH3和N，_〇製備的氮氧化矽l〇3a (組分比Si = 32%，0 = 27% 本紙張尺^適用中國國家標準(CNS ) A4規格（210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
-47- 564471 A7 _________B7 五、發明説明（45) ，N = 和H=17%)。隨後，用臭氧水淸洗表面之後，用 氫氟酸（1 : 100稀釋）除去氧化膜的表面。之後，通過 電發CVD法在400°C的膜形成溫度下疊置形成1〇〇nm厚 (較佳地，50-200nm)由原材料氣體以仏和N2〇製備的 忍氧化石夕103b (币且分比Si = 32%，〇=59%，N = 7%和H = 2% )，此外，通過電漿CVD法在300°C的膜形成溫度下不釋 放空氣形成厚度54nm (較佳地，25-80nm )具有非晶結構 的半導體層（這裏爲非晶矽層）。 在本實施範例中，雖然初始覆蓋絕緣層103顯示爲兩 層結構，但也可以形成以上絕緣膜的單層膜或疊置兩層以 上的膜結構。此外，對於半導體膜的材料沒有限制，但較 佳地，通過公知的方式（濺射法、LPCVD法、電漿CVD 法等）使用矽或矽鍺（SixGe^JX^O.OOOl-O.OS))合金等形 成。此外，電漿CVD裝置可以是薄片型或分批型裝置。 此外’初始覆蓋絕緣膜和半導體膜可以在相同的膜形成室 中不接觸空氣地連續地形成。 隨後’淸洗具有非晶結構的半導體膜表面之後，在表 面上用臭氧水形成厚度約2nm極薄的氧化膜。接著，爲 了控制TFT的臨界値，摻雜微量的雜質元素（硼或磷） 。利用進行電漿啓動的離子摻雜法，在1 5 kV的加速電壓 ，3 0sccm的氣體流速，乙硼烷用氫稀釋爲1%，2 xlO12/ cm2的劑量，同時不大量（mass)分離乙硼烷（b2H〇的 摻雜條件下，將硼添加到非晶矽膜。 隨後，用旋轉器塗敷當轉換爲重量時爲含lOppm鎳 ϋ張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（230X 297公釐） ί請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -48- 564471 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（46) 的鎳催化劑溶液。可以使用濺射法代替塗敷法以將鎳元素 分佈在整個表面。 接著，通過熱處理和晶化形成具有晶體結構的半導體 膜。對於所述熱處理，可以使用電爐或強光照射的熱處理 。當通過利用電爐形成熱處理時，可以在500t -650°C進 行4-24小時。這裏，進行脫氫作用的熱處理（50(TC，1 小時）之後，通過進行用於晶化的熱處理得到具有晶體結 構的矽膜。應該注意雖然這裏使用通過電爐的熱處理進行 晶化，然而，也可以通過燈退火裝置進行晶化。 應該注意這裏使用鎳作爲促進矽晶化的金屬元素的晶 化技術。然而，也可以使用其他公知的晶化技術，例如， 固相晶化法或雷射晶化法。 之後，藉由稀釋的氫氟酸或類似物，除去具有晶體結 構的砂膜表面的氧化膜之後，在空氣或在氧氣氛中進行第 一雷射光束（XeCl :波長3 08nm)的照射以增強晶化率並 修復保留在晶粒內的缺陷。對於雷射光束，使用波長 400nm以下的準分子雷射光束、YAG雷射的二次諧波或三 次諧波。總之，使用具有約1 〇-1 OOOHz重復頻率的脈衝雷 射光束，相關的雷射光束由光學系統以1 〇 〇 - 5 0 0 m J / c m2聚 光，用90-95%的重疊比例照射，用它掃描矽膜表面。這 裏，在空氣中30Hz的重復頻率、393 m]/cm2的能量密度 進行第一雷射光束的照射。應該指出由於在空氣中或在氧 氣氛中進行，藉由第一雷射光束的照射，氧化膜形成在表 面上。 本纸張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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-49- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564471 A7 B7 五、發明説明（47) 隨後，用稀釋的氫氟酸除去第一雷射光束照射形成的 氧化膜之後，在氮氣氛或真空中進行第二雷射光束的照射 ，由此平坦化半導體膜的表面。對於所述雷射光束（第二 雷射光束），使用波長400nm以下的準分子雷射光束、 YAG雷射的二次諧波或三次諧波。第二雷射光束的能量 密度大於第一雷射光束的能量密度，較佳地，大30-60 m J / c m2。這裏，在3 0 Η z的重復頻率、4 5 3 m J / c m2的能量 密度進行第一雷射光束的照射，半導體膜表面中的凹陷和 凸起的P-V値（峰到谷，最大値到最小値之間的差異）爲 5 0nm以下。通過AFM (原子力顯微鏡）得到所述P-V値 〇 此外，在本實施範例中，在整個表面上進行第二雷射 光束的照射。然而，由於OFF狀態電流減小對TFT的像 素部分影響很大，所以，其可爲僅在至少像素部份上選擇 性地僅照的步驟。 隨後，通過用臭氧水處理表面120秒形成總厚度卜 5nm氧化膜組成的阻擋層。 接著，藉由濺射法在阻擋層上形成膜厚150nm含有 氬元素作爲吸氣地點的非晶矽膜。本實施範例之濺射法的 膜形成條件爲0.3Pa的膜形成壓力、50 ( seem )的氣體（ Ar )體積流量、3kW的膜形成功率和150°C的基底溫度。 應該注意在以上介紹的條件下非晶砂膜中含有的氬元素的 原子百分數在3 X 102Vcm3到6 X 102°/cm3的範圍內，氧的 原子百分數在1 x 1019/cm3到3 x 1019/cm3的範圍內。然後 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-50- r564471 A7 B7 五、發明説明（48) ’使用燈退火裝置進行650°C 3分鐘的熱處理以進行吸氣 〇 之後，阻擋層製成蝕刻終止層之後，選擇性地除去含 有氬元素作爲吸氣地點的非晶矽膜，用稀釋的氫氟酸選擇 性地除去阻擋層。應該注意，由於吸氣時，鎳容易移動到 較高氧密度區域中內，因此希望吸氣之後除去由氧化膜組 成的阻擋層。 接下來’薄氧化膜用臭氧水形成在具有已得到的晶體 結構的矽膜（也稱做“多晶矽膜）表面上之後，形成由光 阻組成的掩罩，以蝕刻處理，形成所需形狀之以島狀隔離 的半導體層104- 108。形成半導體層之後，除去由光阻組 成的掩罩。 此後’以含氫氟酸的蝕刻劑除去氧化膜，同時，淸洗 矽膜表面’形成主要成分爲矽並且將作爲閘絕緣膜丨〇9的 絕緣膜。在本實施範例中，以電漿CVD法形成厚度 1 1 5nn]的氮氧化矽膜（組分比Si = 32%，0 = 59%，N = 7%和 Η = 2 % ) 〇 .接著，如圖6 Α所示，具有2 0 - 1 0 0 n m膜厚的第一導電 膜110a和具有100-400nm膜厚的第二導電膜ll〇b疊置地 形成在閘絕緣膜109上。在本實施範例中，膜厚度50nm 的氮化鈦膜和膜厚度370nm的鎢膜進而疊置在閘絕緣膜 109 上。 對於形成第一導電膜和第二導電膜的導電材料，使用 選自Ta、W、ΊΊ、Mo、A1和Cu之元素或主要成分爲以上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -51 - 564471 A7 B7 五、發明説明（49) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 元素的的合金材料或化合物材料。此外，對於第一導電膜 和第二導電膜，可以使用由摻雜磷等雜質元素的多晶矽膜 表示的半導體膜，以及Ag、Pd、Cu合金。此外，不限於 兩層結構。例如，可以是三層結構，其中依次疊置5〇nm 膜厚的鎢膜、500nm膜厚的鋁-矽（Al-Si )合金，以及膜 厚3 0 n m的氮化鈦膜。此外，對於三層結構，代替鎢的第 一導電膜，可以使用氮化鎢，代替鋁·矽（A1 - S i )合金的 第二導電膜，可以使用鋁-矽（Al-Ti )合金膜，或代替氮 化鈦膜的第三導電膜，使用鈦膜。此外，可以是單層結構 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接下來，如圖6 B所示，通過曝光步驟形成由光阻組 成的罩掩11 2-1 1 7，進行形成閘電極和佈線的第一蝕刻處 理。在第一和第二鈾刻條件下進行第一蝕刻處理。關於蝕 刻，可以使用ICP (感應耦合電漿）蝕刻法。藉由適當地 調節蝕刻條件（施加到線圈型電極的電能、施加到基底一 側電極的電能、基底一側電極的溫度等）將膜蝕刻成需要 的錐形。應該注意，關於蝕刻氣體，可以適當地使用由 Ch、BCh ' SiCh、CCh等代表的氯基氣體、由CF4、SF6 、NF:，等代表的氟基氣體或〇2。 在本實施範例中，對基底一側（樣品台），接通 1 50W的RF ( 13.5 6MHz )電源，施加足夠的負自偏置電壓 。應故注思基底一1側電極面積的尺寸爲1 2.5 c m x 1 2.5 c m ’線圏型電極（這裏爲其上設有線圈的石英圓盤）面積的 尺寸爲直徑爲2 5 c m的圓盤面積。藉由在第一蝕刻條件下 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -52- 564471 A7 ___ B7 五、發明説明（50) 貪虫刻W膜以將第一導電層的端部製成推拔形。第一蝕刻 條件下對W的蝕刻速率爲200.39nm/min，對TaN的蝕刻 速率爲8 〇 · 3 2 n m / m i η，W對T a N的選擇率約2 · 5。此外， W的推拔角約26。。然後，在不移除由光阻組成的掩罩 112-117下，改變第二蝕刻條件，使用cf4和Cl2作爲蝕刻 氣體，氣體的體積流量各比例製成30/30 ( seem )，在1 Pa壓力下將線圈型電極接通500W的RF ( 13.56MHz )電 源，産生電漿並進行約30秒的蝕刻，將電極一側（樣品 台）也接通20 W的RF ( 13.56MHz )電源，並施加足夠的 負自偏置電壓。第二蝕刻條件下對W的蝕刻速率爲 5 8.97nm/min，對TaN的蝕刻速率爲66.34 nm/min。應該 注意，爲了蝕刻但不在閘絕緣膜上餘留殘留物，因而以約 10-20%的比例增加蝕刻時間。，在上述第一蝕刻處理中， 藉由適當地調節由光阻組成的掩罩，第一導電層和第二導 電層的端部會由於施加到基底上的偏壓的影響而變爲推拔 狀。該推拔部分的角度在15到45°的範圍內。 以此方式，藉由第一蝕刻處理，形成由第一導電層和 第二導電層（第一導電層119a-124a和第二導電層119b-124b )組成的第一形狀的導電層119-123。將要成爲閘絕 緣膜的絕緣膜109蝕刻約10-20nm，而變成閘絕緣膜118 ，其中沒有被第一形狀的導電層119-123覆蓋的區域製得 較薄。 隨後，進行第二鈾刻處理而不除去由光阻組成的掩罩 。這裏，使用SF6、Ch和〇2作爲蝕刻氣體’使氣體的體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2IOX 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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經濟部智Μ財產局員工消費合作社印製 -53- 564471 A7 ______ B7 ____ 五、發明説明（51) 積流量各比例製成2 4 / 1 2 / 2 4 ( s c c m )，將線圈型電極接通 7 00W的RF ( 13.56MHz )電源，産生l,3Pa壓力的電漿。 將電極一側（樣品台）也接通10 W的RF ( 13.56MHz )電 源，並施加足夠的負自偏置電壓。第二蝕刻條件下對W 的蝕刻速率爲227.3 nm/min，對TaN的蝕刻速率爲32.1 nm/min，W對TaN的選擇率7.1，對作爲絕緣膜118的 S i〇N之蝕刻速率爲3 3.7 n m / m i η，W對S i Ο N的選擇率 6· 83。以此方式，當SF(1用做蝕刻氣體時，由於對絕緣膜 Π 8的選擇率很高，因此可以抑制膜減少。在本實施範例 中，在絕緣膜11 8中，僅發生約8nm的膜減少。以第二 蝕刻處理，使推拔角度變成70。。以第二蝕刻處理形成第 二導電層12 6b-131b。另一方面，第一導電層幾乎不被蝕 刻，及變爲第一導電層126a-131a。應該注意，第一導電 層126a-131a的尺寸幾乎與第一導電層U9a-124ad相同 。實際上，雖然有時與第二次鈾刻之前相比第一導電層的 寬度減少約0·3μπι，即，整個線寬減少約〇.6μηι，但是， 尺寸上幾乎沒有變化。 此外，在使用三層結構以代替兩層結構之情形中，其 中膜厚50nm的鎢膜、膜厚500nm的膜厚的鋁-矽（Al-Si )合金，以及氮化鈦膜依次疊置，關於第一蝕刻處理的第 一鈾刻條件，利用BCh、C1:和〇2作爲原材料氣體，使氣 體的體積流量各比例製成65/10/5 ( seem )，將基底一側 (樣品台）接通300W的RF ( 13.56MHz )電源，在1.2Pa 壓力下將線圈型電極接通450W的RF ( 13.56MHz )電源 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 - 54- 564471 A7 B7 五、發明说明（52) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，産生電漿’關於第一蝕刻處理的第二蝕刻條件，利用 CF,、Ch和〇2作爲原材料氣體，使氣體的體積流量各比 例製成25/25/ 1 0 ( sccm )，將基底一側（樣品台）接通 20W的RF ( 13·56ΜΗζ )電源，在ipa壓力下將線圈型電 極接通500W的RF ( 13.56MHz)電源，産生電漿進行約 3〇秒的蝕刻’關於第二蝕刻處理，利用BCh和Ch作爲 原材料氣體’使氣體的體積流量各比例製成20/60 ( seem )，將基底一側（樣品台）接通100W的RF ( 13·56ΜΗζ )電源，在1.2Pa壓力下將線圈型電極接通600W的RF ( 13.56MHz)電源，産生電漿進行蝕刻。 隨後，除去由光阻組成的掩罩，進行第一摻雜處理得 到圖6D的狀態。通過離子摻雜法和離子注入法進行摻雜 處理。離子摻雜法的條件爲1. 5 x 1 014 a t 〇 m / c m2，6 0 · 經濟部智慧財產局S(工消費合作社卬製 J OOkeV的加速電壓，在這些條件下進行。對於賦予n型 的雜質元素，通常使用磷（P )或砷（A s )。此時，針對 賦予η型的雜質元素掩蔽第一導電層和第二導電層1 26-130，以自對準方式形成第一雜質區1 32- 1 36。在1 X 1016 到1 X 1017/cm3的密度範圍內添加賦予η型的雜質元素。 這裏，具有與第一雜質區域相同密度的區域也稱做η -區 。應該注意在本例中，除去由光阻組成的掩罩之後，進行 第一摻雜處理。然而，也可以不除去由光阻組成的掩罩進 行第一摻雜處理。 接著，如圖7 Α所示，形成由光阻組成的掩罩1 3 7 -139 ’進行第二摻雜處理。掩罩137爲保護形成p通道型 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -55- 564471 Α7 Β7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（53) TFT的驅動電路和它的周邊區的半導體層的通道形成區的 掩罩，掩罩1 3 8爲保護形成^通道型TFT的驅動電路之 一的半導體層的通道形成區的掩罩，掩罩1 39爲保護形成 TFT的像素部分和它的周邊區以及用於保持容量（ retention volume )的半導體層的通道形成區的掩罩。 在第二摻雜處理中離子摻雜的條件爲劑量1.5 X 1〇ι4 at〇m/cm2，60- 100keV的加速電壓，在這些條件下摻磷（p )。這裏，通過利用第二導電層126b-128b作爲掩罩，以 自對準方式在各半導體層上形成雜質區。不必說，用掩罩 1 37- 1 39覆蓋的區域不添加雜質。由此，形成第二雜質區 1 40- 142和第三雜質區144。在1 X l〇2G到1 X l〇2i/cm3的 密度範圍內將賦予η型的雜質元素添加到第二雜質區 1 4 0- 142。這裏，與第一雜質區域具有相同密度的區域也 稱做η +區。 此外’由第一導電層以低於第二雜質區的密度形成第 三雜質區，在1 X 1〇18到1 X l〇19/cm3的密度範圍內添加 賦予n型的雜質元素。應該注意對於第三雜質區，由於使 雜質穿過部分第一導電層並進行摻雜，因此它具有雜質密 度朝推拔部分的端部增加的密度梯度。這裏，與第一雜質 區域具有相同密度的區域也稱做η -區。此外，雜質元素 沒有添加到通過第二摻雜處理由掩罩138和139覆蓋的區 域。因此，這些區域變成第一雜質區145和146。 接著，除去由光阻組成的掩罩1 3 7 · 1 3 9，新形成由光 阻組成的掩罩1 48- 1 50，如圖7Β所示，進行第三摻雜處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ：Ζ97公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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-56- 564471 A7 B7 經濟部智慧財產局工消費合作社印製 五、發明説明（54) 理。 在驅動電路中，通過以上介紹的第三摻雜處理形成第 四雜質區151，152和第五雜質區153，154，其中將賦予p 導電類型的雜質元素添加到形成p通道型TFT和形成保 持容量的半導體層。 然而’將濃度在1 x 1 〇2 ^到1 x 1 021 / c m3的範圍之賦 予P導電類型的雜質元素添加到第四雜質區1 5 1，1 5 2。應 該注意，第四雜質區151，152爲在前面步驟中已添加磷（ P )的區域（η-區），但添加1.5到3合倂（fold )密度的 賦予p型的雜質元素。這裏，與第四雜質區域具有相同密 度的區域也稱做P +區。 此外，在與第二導電層1 27a的推拔部分重疊的區域 上形成第五雜質區153，154。在1 X 1〇1§到1 X l〇2°/cm3的 密度範圍內添加賦予η型的雜質元素。這裏，與第五雜質 區域具有相同密度的區域也稱做p區。 至上述步驟爲止，具有η型或p型導電類型的雜質區 形成在各半導體層上。導電層126-1 29變爲TFT的閘電極 。此外，導電層變爲像素部分中形成保持容量的電極之一 。此外，導電層1 3 1形成像素部分中的源極佈線。 隨後，形成覆蓋幾乎整個表面的絕緣膜（未示出）。 在本例中，通過電獎CVD法形成50nm膜厚的氧化ϊ夕膜。 不必說，該絕緣膜不限於氧化矽膜，也可以使用其他含矽 絕緣膜做爲單層或疊層結構。 接著，進行活化添加到各半導體層的雜質元素之步驟 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r· 、訂
本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -57- 564471 A7 B7 五、發明説明（55) 。通過使用燈光源的快速熱退火方法（R T A法）、或從背 面照射YAG雷射或準分子雷射的方法、或這些方法的組 合的方法進行該活化步驟。 此外，在本實施範例中，雖然示出了以上介紹的活化 之前形成絕緣膜的例子，但也可以在以上介紹的啓動之後 進行該步驟。 接下來，形成由氮化矽組成的第一層間絕緣膜1 55， 進行熱處理（在3 00- 5 5 (TC進行1 -1 2小時的熱處理），以 及氫化半導體層的步驟（圖7C)。該步驟爲藉由包含在 第一層間絕緣膜1 55中的氫以終止半導體層的懸空鍵。無 論是否存在由氧化矽組成的絕緣膜（未示出），半導體層 都可以被氫化。然而，由於在本實施範例中，主要成分爲 鋁的材料用做第二導電層，因此熱處理條件很重要，以便 第二導電層能夠承受氫化步驟。對於其他的氫化方法，可 以進行電漿氫化（使用電漿激化的氫）。 隨後，在第一層間絕緣膜1 55上形成由有機絕緣材料 組成的第二層間絕緣膜156。在本例中，形成膜厚1.6μηι 的丙烯樹脂膜。接著，形成到達源佈線1 3 1的接觸孔、到 達導電層1 29,1 30的接觸孔以及到達各雜質區的接觸孔。 在本實施範例中，依次進行幾個蝕刻製程。在本實施範例 中，利用第一層間絕緣膜作爲蝕刻終止層以蝕刻第二層間 絕緣膜之後，在利用絕緣膜（未示出）以蝕刻第一層間絕 緣膜之後，蝕刻絕緣膜（未示出）。然後，使用Α1、ΊΊ 、M〇、W等形成佈線和像素電極。對於電極和像素電極 ^^^用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 -58 - 564471 Α7 _ Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（56) 的這些材料，較佳地主要成分爲A1或Ag的膜或反射性 優良的材料，例如它們的疊層等。由此，形成源電極或汲 電極1 57-1 62、閘極佈線1 64、連接佈線1 63和像素電極 165 〇 如上所述，可以在相同的基底上形成具有η通道型 TFT210、ρ通道型TFT202和η通道型TFT203的驅動電路 206、及具有由η通道型TFT和保持電容器2〇5組成的像 素TFT204的像素部分207 (圖8 )。在本說明書中，爲便 於說明起見，這種基底稱做主動矩陣基底。 在像素部分207上，像素TFT204 ( η通道型TFT )具 有通道形成區1 69、在形成閘電極的導電層1 29的外部形 成的第一雜質區（η-區）147，以及作爲源區或汲區的第 二雜質區（η +區）142,171。此外，第四雜質區152、第五 雜質區154形成在半導體層上作爲保持容量205的一個電 極。利用絕緣膜（與閘絕緣膜相同的膜）作爲介電質，由 第二電極130和半導體層152、154和170形成保持容量 205 ° 此外，在驅動電路206中，η通道型TFT201 (第一 η 通道型TFT)具有通道形成區166、第三雜質區（η區） 144、以及作爲源區或汲區的第二雜質區（η +區）140，第 三雜質區（η區）1 44經由絕緣膜而與形成閘電極的導電 層1 2 6的一部分重疊。 此外，在驅動電路206中，ρ通道型TFT202具有通 道形成區1 67、經由絕緣膜與形成閘電極的導電層1 27的 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂
本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -59- 564471 A7 B7 五、發明説明（57) 一部分重疊的第五雜質區（P區）1 5 3、以及作爲源區或 汲區的第四雜質區（ρ +區）1 5 1。 此外，在驅動電路206中，η通道型TFT203 (第一 η 通道型TFT)具有通道形成區168、在形成閘電極的導電 層128的外部形成的第一雜質區（η-區）146，以及作爲 源區或汲區的第二雜質區（η +區）141。 藉由適當地組合這些TFT201-203，形成移位暫存器 電路、緩衝電路、電位偏移電路、佇鎖電路等，並且可以 形成驅動電路206。舉例而言，通過互補地連接η通道型 TFT201和ρ通道型TFT202形成CMOS電路。特別是，對 於驅動電壓高的緩衝電路，爲了防止由於熱載子效應造成 的退化，η通道型TFT203的結構很適合。 此外，對於可靠性被認爲是頭等重要的電路，爲 GOLD結構的η通道型TFT 201的結構很適合。 此外，由於通過提高半導體膜的表面平坦度可以增強 可靠性，因此在具有GOLD結構的TFT中，藉由減少經 由閘絕緣膜與閘電極重疊的雜質區面積也可以獲得足夠的 可靠性。 具體地，在具有GOLD結構的TFT中，藉由減少閘 電極的推拔形部分的尺寸可以獲得足夠的可靠性’當閘絕 緣膜較薄時，寄生電容增加。然而，閘電極（第一導電層 )推拔部分的尺寸較小，寄生電容減少，f特性（頻率特 性）也增強，進而可以高速操作，TFT得到足夠的可靠性 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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經濟部智1財產局員工消費合作社印製 -60- 564471 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i、發明説明（58) 應該注意同樣在像素部分207的像素TFT中，藉由 第二雷射光束的照射可以實現OFF態電流減少和變化減 少。 此外，在本實施範例中，顯示了製備形成反射型顯示 裝置的主動矩陣基底的例子，但當藉由透明導電膜形成像 素電極時，雖然光掩罩的數量增加一片，但可以形成透明 型顯示裝置。 此外，在本實施例例中，使用玻璃基底，但不必特別 限定。可以使用石英基底、半導體基底、陶瓷基底和金屬 基底。 此外，得到圖8的狀態之後，如果設在氧化物層1 〇2 上含TFT的層（剝離層）具有足夠的機械強度，那麼基 底1 00可以拉掉。在本實施範例中，由於剝離層的機械強 度不夠，因此較佳的是黏貼固定剝離層的支撐體（未示出 )之後，剝離掉剝離層。 實施範例？, 在本實施範例中，將說明從實施範例1中製備的主動 矩陣基底剝離掉基底1 00並將其與塑膠基底相黏貼以製備 主動矩陣型液晶顯示裝置之步驟。用圖9作說明。 在圖9A中，代號400表示基底，代號401表示氮化 物層或金屬層，代號402表示氧化物層，代號403表示初 始覆蓋絕緣層，代號404a表示驅動電路413的元件，代 號4 04b表示像素部分414的元件404b，代號405表示像 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I»· 訂
-61 - 564471 A7 B7 五、發明説明（59) 素電極。這裏術語“元件”是指主動矩陣型液晶顯示裝置 中像素的開關元件使用的半導體元件（通常爲TFT )或 ΜIM元件。圖9A中所示的主動矩陣基底爲簡化的圖8所 示主動矩陣基底，圖8中的基底1 〇〇對應於圖9Α中的基 底400。類似地，圖9A中的代號401對應於圖8中的代 號101，圖9A中的代號402對應於圖8中的代號102，圖 9A中的代號403對應於圖8中的代號103，圖9A中的代 號4 04a對應於圖8中的代號201和202，圖9A中的代號 404b對應於圖8中的代號204，圖9A中的代號405b分別 對應於圖8中的代號165。 首先，根據實施範例1，得到圖8狀態的主動矩陣基 底之後，在圖8的主動矩陣基底上形成配向膜406a，進 行摩擦處理。應該注意在本實施範例中，形成配向膜之前 ，藉由圖型化諸如丙烯樹脂等有機樹脂膜而在需要的位置 形成保持基底間隔的柱形間隔物（未示出）。此外，代替 柱形間隔物，也可以在基底的整個表面上分佈球形間隔物 〇 隨後，製備將成爲支撐體407的相對基底。在該相對 基底上提供有根據各像素設置彩色層和輻射遮罩層的濾色 片（未示出）。此外，輻射遮罩層設在部分驅動電路上。 設置覆蓋所述彩色層和輻射遮罩層的平坦化膜（未示出） 。接著，由透明導電膜組成的相對電極408形成在像素部 分中的平坦化膜上，配向膜406b形成在相對基底的整個 表面上，進行摩擦處理。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慈財產局肖工消費合作社印製 -62- 564471 A7 B7 五、發明説明（60) 然後，以將成爲黏結層409的密封介質’將形成有像 素部分和驅動電路的主動矩陣基底400和支撐體407黏貼 在一起。在密封介質內，混入塡料，以此塡料和柱形間隔 物，將兩片基底以均勻間隔黏貼在一起。然後’在基底之 間，注入液晶材料410並用密封劑（未示出）完全密封（ 圖 9B)。 之後，通過物理方式拉掉已設有氮化物層或金屬層 401的基底400 (圖9C )。由於氧化物層402的膜應力和 氮化物層或金屬層40 1的膜應力不同，因此用較小的力就 可以拉開它們。 接著，用由環氧樹脂或類似物組成的黏結層4 1 1將它 黏貼在轉換體4 1 2上。在本例中，藉由使用塑膠膜基底作 爲轉換體4 1 2，可以將它製得較輕。 以此方式，完成了可撓式矩陣型液晶顯示裝置。然後 ，如果需要，將可撓基底412切割成需要的形狀。此外， 使用公知的技術適當地提供極化板（未示出）或類似物。 之後，使用習知的技術黏貼FPC (未示出）。 實施範例3 在實施範例2中，示出了黏貼作爲支撐體的相對基底 和注入液晶之後，剝離基底並黏貼塑膠基底作爲轉換體的 一實範例。然而，在本實施範例中，將說明形成圖8所示 的主動矩陣基底之後，剝離基底，作爲第一轉換體的塑膠 基底以及作爲第二轉換體黏的塑膠基底黏貼在一起的實施 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -63- 564471 A7 _ B7 五、發明説明（61) 範例。使用圖1 〇進行說明。 在圖10A中，代號500表示基底，代號501表示氮化 物層或金屬層，代號502表示氧化物層，代號503表示初 始覆蓋絕緣層，代號504a表示驅動電路5 14的元件，代 號504b表示像素部分515的元件{ 504b ?}，代號505表 示像素電極。圖1 〇 A中所示的主動矩陣基底爲簡化的圖8 所不主動矩陣基底’圖8中的基底1 〇 〇對應於圖9 A中的 基底500。類似地，圖l〇A中的代號501對應於圖8中的 代號101，圖10A中的代號402對應於圖8中的代號1〇2 ’圖10A中的代號5 03對應於圖8中的代號103，圖10A 中的代號504a對應於圖8中的代號201和202，圖10A 中的代號504b對應於圖8中的代號204，圖10A中的代 號505b分別對應於圖8中的代號165。 首先，根據實施範例1，得到圖8狀態的主動矩陣基 底之後，藉由物理方式拉掉已設有氮化物層或金屬層50 1 的基底5 0 0 (圖1 0 B )。由於氧化物層5 0 2的膜應力和氮 化物層或金屬層5 0 1的膜應力不同，因此用較小的力就可 以拉開它們。 接著，用由環氧樹脂或類似物組成的黏結層506將它 黏貼在轉換體507 (第一轉換體）上。在本實施範例中， 通過使用塑膠膜基底作爲轉換體507可以將它製得較輕（ 圖 1 0 C )。 隨後，形成配向膜5 0 8並進行摩擦處理。應該注意在 本實施範例中，形成配向膜之前，藉由圖型化諸如丙烯樹 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ29?公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慈財產局Μ工消費合作社印製 -64- 564471 A7 B7 五、發明説明（62) 脂等有機樹脂膜以在需要的位置形成保持基底間隔的柱形 (未示出）的間隔物。此外，代替柱形隔離物，也可以在 基底的整個表面上分佈球形間隔物。 隨後，製備將成爲支撐體5 1 0 (第二支撐體）的相對 基底。在該相對基底上設有根據各像素設置彩色層和輻射 遮罩層的濾色片（未示出）。此外，輻射遮罩層設在部分 驅動電路上。設置覆蓋所述彩色層和輻射遮罩層的平坦化 膜（未示出）。接著，由透明導電膜組成的相對電極509 形成在像素部分中的平坦化膜上，配向膜508b形成在相 對基底的整個表面上，進行摩擦處理。 然後，以將成爲黏結層5 1 2的密封介質黏，將形成有 像素部分和驅動電路的塑膠膜基底507和支撐體5 1 0貼在 一起（圖10D )。在密封介質內，混入塡料，以此塡料和 柱形間隔物，以均勻的間隔，將二片基底黏貼在一起。然 後，在基底之間，注入液晶材料5 1 3並用密封劑（未示出 )完全密封（圖1 0D )。對於液晶材料5 1 3，可以使用公 知的液晶材料。 以此方式，完成了可撓式矩陣型液晶顯示裝置。然後 ，如果需要，將可撓基底412切割成需要的形狀。此外， 使用公知的技術適當地提供極化板（未示出）或類似物。 之後，使用公知的技術黏貼FPC (未示出）。 實施範例4 將參考圖1 1中的俯視圖，說明藉由實施範例2或實 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 -65- 564471 Α7 Β7 五、發明説明（63) 施範例3得到的液晶元件的結構。實施範例2中的基底 412或例3中的基底507對應於基底301。 像素部分3 0 4設置在基底3 0 1的中央。驅動源極信號 線的源極信號線驅動電路302設置在像素部分304上。驅 動閘極信號線的閘極信號線驅動電路303設置在像素部分 304上的左邊和右邊。雖然在本實施範例中閘極信號線驅 動電路303相對於像素部分對稱，但是液晶元件中也可以 僅有一個閘極信號線驅動電路設置在像素部分的一邊。對 於以上兩種選擇，設計者可以根據液晶元件的基底尺寸等 選擇更適合的佈局。然而，就電路工作的可靠性、驅動效 率等而言，較佳的是圖1 1所示的閘極信號線驅動電路的 對對稱配置。 信號由可撓印製電路板（FPC ) 305輸入到驅動電路 。藉由在層間絕緣膜和樹脂膜中開出接觸孔並形成連接電 極3 09之後，壓入FPC305穿過各向異性導電膜等以到達 設置在基底3 0 1給定位置的佈線。在本實施範例中連接佈 線由ITO形成。 沿環繞驅動電路和像素部分的基底周邊施加密封劑 3〇7。藉由密封劑307，相對基底306黏接到基底301，同 時預先在膜基底上形成間隔物，以保持兩個基底之間的距 離不變。藉由在沒有被密封劑307覆蓋的基底區域注入液 晶元件。然後，以密封材料308密封基底。藉由以上步驟 完成了液晶元件。 雖然在這裏顯示的實施範例中，在膜基底上形成了所 ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格ΤΤΓ0Χ297公釐） ' -66- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智懇財產局貨工消資合作社印製 564471 A7 B7 五、發明説明（64) 有的驅動電路，但是一些ic也可以用做一些驅動電路。 本實施範例可與實施範例1相結合。 實施節彳列5 實施範例1示出了由反射金屬材料形成像素電極的反 射性顯示裝置的一實施範例。在本實施範例中顯示的是像 素電極由透光導電膜形成的透光顯示裝置的一實施範例。 直到形成層間絕緣膜的步驟的製程都與實施範例1的 製程相同，因此在這裏省略了介紹。根據實施範例1形成 層間絕緣膜之後，由透光導電膜形成像素電極6 0 1。透光 導電膜的實施範例包括ITO (氧化銦錫合金）膜、氧化 銦-氧化鋅合金（In2〇3-Zn〇）膜、氧化鋅（Zn〇）等。 此後，在層間絕緣膜600中形成接觸孔。接下來形成 與像素電極重疊的連接電極602。連接電極602通過接觸 孔連接到汲區。同時形成連接電極，形成其他TFT的源 電極或汲電極。 雖然在這裏說明的實施範例中，在膜基底上形成了所 有的驅動電路，但是一些1C也可以用做一些驅動電路。 如上所述完成主動矩陣基底之後，使用該主動矩陣基 底剝離基底以黏接塑膠基底，根據實施範例2-4製造液晶 兀件。液晶兀件提供有背光604和導光板605，並由蓋 6 0 6覆蓋，完成了圖1 2所示部分剖面圖的主動矩陣液晶 顯不裝置。使用黏接劑或有機樹脂將盖黏接到液晶元件。 當將塑膠基底黏接到相對基底時，給基底作框架以便框架 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、·ιτ
經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 -67- 564471 A7 B7 五、發明説明（65) 和基底之間的空間塡充用於黏接的有機樹脂。由於顯示裝 置爲透光型，因此塑膠基底和相對基底的每一個都需要黏 接極化板603。 該實施範例可以與實施範例1到4組合。 實施範例6 在本實施範例中，製備具有形成在塑膠基底上有機發 光裝置（OLED )的發光裝置的一實施範例顯示在圖1 3中 〇 在圖13A中，代號600表示基底，代號601表示氮化 物層或金屬層，代號602表示氧化物層，代號和字元6〇3 表示初始覆蓋絕緣層，代號604a表示驅動電路6 1 1的元 件，代號604b和604c表示像素部分612的元件{ 504b ? } ’代號605表示OLED (有機發光裝置）。這裏術語“元 件”是指主動矩陣型液晶顯示裝置中像素的開關元件使用 的半導體元件（通常爲TFT )或MIM元件等。然後形成 覆蓋這些元件的層間絕緣膜606。較佳的是層間絕緣膜 6 0 6比形成膜之後的表面平坦。應該注意不需要提供層間 絕緣膜606。 應該注意，可以根據實施範例2到4形成設在基底 600上的代號60 1 -603。 可以根據以上介紹的實施範例1的η通道型TFT20 1 和/或以上介紹的P通道型TFT202製備這些元件（包括 604a、604b 和 604c ) 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -68- 564471 A7 _ B7 五、發明説明（66) OLED605具有通過施加電場産生電致發光的有機化 合物（有機發光材料）的層（下文稱做有機發光層）、陽 極層和陰極層。雖然對於有機化合物中的電致發光，當由 單激發態返回到基態時産生發光（熒光），當由三重態返 回到基態時産生發光（磷光），本發明的發光裝置使用以 上介紹的一種發光或以上介紹的兩種發光。應該注意在本 說明書中，形成在〇LED的陽極和陰極之間的所有層都限 定爲有機發光層。具體地，有機發光層包括發光層、空穴 注入層、電子注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層等。基本 上，OLED具有依次疊置的陽極/發光層/陰極的結構，除 了該結構之外，還有以下一些結構：依次疊置陽極/空穴 注入層/發光層/陰極或陽極/空穴注入層/發光層/電子傳輸 層/陰極等。 根據以上介紹的方法，得到圖1 3 A的狀態，使用黏 結層607黏貼支撐體608 (圖13B )。在本實施例中，塑 膠基底用做支撐體608。具體地，對於支撐體，可以使用 具有ΙΟμηι以上厚度的樹脂基底，例如，聚醚碾（PES ) 、聚碳酸酯（PC )、聚對苯二甲酸乙二酯（PET )、或聚 萘二曱酸乙二酯（PEN )。應該注意當從〇LED看支撐體 608和黏結層607位於觀察者一側（發光裝置的使用者一 側）時，支撐基底608和黏結層607爲透光材料。 隨後，通過物理方式拉掉已設有氮化物層或金屬層 601的基底600 (圖13C )。由於氧化物層602的膜應力 和氮化物層或金屬層60 1的膜應力不同，因此用較小的力 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -69- 564471A7B7 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 五、發明説明（67) 就可以拉開它們。 接著’用由環氧樹脂或類似物組成的黏結層609將它 黏貼在轉換體6 1 0上（圖1 3 D )。在本例中，藉由使用塑 膠膜基底作爲轉換體4 1 2可以將它製得較輕。 以此方式’可以得到夾在具有可撓性的支撐體608和 具有可撓性的轉換體6 1 0之間的可撓發光裝置。應該注意 如果支撐體608和轉換體6 1 0由相同的材料製成，那麽熱 膨脹係數相等，因此不容易受到溫度變化引起的熱應力變 形的影響。 然後，如果需要，具有可撓性的支撐體608和轉換體 6 1 0切割成需要的形狀。之後，使用公知的技術黏貼Fpc (未示出）。 實施範例7 在實施範例6中，示出了黏貼支撐體之後，剝離基底 並黏貼作爲轉換體的塑膠基底的一實施範例。然而，在本 實施範例中’將示出基底剝離之後，黏貼作爲第一轉換體 的塑fl#基底和作烏第一轉換體的塑膠基底，以及製備配備 〇L E D的發光裝置的一貫施範例。參考圖1 4進行介紹。 在圖14A中，_代號700表示基底，代號7〇1表示氮化 物層或金屬層，代號702表示氧化物層，代號和字元7〇3 表示初始覆蓋絕緣層’代號704a表示驅動電路7丨丨的元 件’代號704b和704c表不像素部分7 1 2的元件，代號 705表示OLED (有機發光裝置）。這裏術語“元件，，是 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇1^97公釐_ " --—- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣 訂
-70- 564471 A7 __ B7 五、發明説明（68) 指主動矩陣型液晶顯示裝置中像素的開關元件使用的半導 體元件（通常爲TFT )或MIM元件等。然後形成覆蓋這 些元件的層間絕緣膜706。較佳的是，層間絕緣膜706比 形成膜之後的表面平坦。應該注意，不需要設置層間絕緣 膜 7 06。 應該注意，可以根據實施例2到4形成設在基底700 上的代號70 1 -703。 可以根據以上介紹的實施範例1的η通道型TFT201 和/或以上介紹的ρ通道型TFT202製備這些元件（包括 704a ' 704b 和 704c ) ° 根據以上介紹的方法，得到圖14A的狀態，藉由物 理方式拉掉已設有氮化物層或金屬層701的基底700 (圖 1 4BC )。由於氧化物層702的膜應力和氮化物層或金屬 層70 1的膜應力不同，因此用較小的力就可以拉開它們。 接著，用由環氧樹脂或類似物組成的黏結層709將它 黏貼在轉換體（第一轉換體）7 1 0上。在本實施範例中， 藉由使用塑膠膜基底作爲轉換體7 1 0可以將它製得較輕。 隨後，使用黏結層707黏貼基底構件（第二轉換體） 7 08 (圖14C )。在本實施例中，塑膠基底用做支撐體708 。具體地，對於轉換體7 1 0和基底構件708，可以使用具 有ΙΟμηι以上厚度的樹脂基底，舉例而言，聚醚碉（PES )、聚碳酸酯（PC )、聚對苯二甲酸乙二酯（PET )、或 聚萘二甲酸乙二酯（PEN )。應該注意當從OLED看基底 構件708和黏結層707位於觀察者一側（發光裝置的使用 本紙張尺度適^中國"Ϊ家標準（CNS ) A4規格（210X 297公^ ~ -71 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564471 A7 __ B7 五、發明説明（69) 者一側）時，基底構件7 08和黏結層707爲透光材料。 以此方式，可以得到夾在具有可撓性的基底構丨牛7〇8 和具有可撓性的轉換體7 1 0之間的可撓發光裝置。應該-$ 意如果基底構件708和轉換體7 1 0由相同的材料製成，那 麽熱膨脹係數相等，因此不容易受到溫度變化引起的熱應 力變形的影響。 然後’如果需要，具有可撓性的基底構件7 0 8和轉ί奐 體7 1 0切割成需要的形狀。之後，使用公知的技術黏貼 FPC (未示出）。 實施範例8 在實施範例6或實施範例7中，示出了可撓發光裝置 夾在具有可燒性的基底之間的一實施範例。然而，由於通 常由塑膠構成的基底容易穿透水分和氧，並且它們會促進 有機發光層的退化，因此發光裝置的壽命容易縮短。 因此，在本實施範例中，在塑膠基底上，提供防止氧 和水分滲透到OLED的有機發光層內的多個膜（下文稱做 阻擋膜）和位於以上阻擋膜之間應力比以上阻擋膜小的層 (應力釋放膜）。在本說明書中，阻擋膜和應力釋放膜疊 置組成的膜稱做“密封膜”。 具體地，提供由無機物質組成的兩層或多層阻擋膜（ 下文稱做阻擋膜），並且提供位於相關兩層阻擋膜之間具 有樹脂的應力釋放膜（下文稱做應力釋放膜）。然後，藉 由在相關的三層或多層絕緣膜上形成OLED並緊密地密封 本紙張尺度適用中國國家標準rCNS ) Α4規格（210X297公釐） ~ -72- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564471 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7〇) 形成發光裝置。應該注意由於除了基底，實施範例6和7 相同，因此這裏省略了介紹。 如圖1 5所示，兩層或多層阻擋膜設在膜基底8 1 0上 ，此外，應力釋放膜設在相關的兩層阻擋膜之間。由此， 在膜基底8 1 0和第二黏結層809之間，形成阻擋膜和應力 釋放膜疊置的密封膜。 這裏，藉由濺射法在膜基底8 1 0上以膜的形式形成由 氮化矽組成的層作爲阻擋膜8 1 1 a，在阻擋膜8 1 1 a上以膜 的形式形成具有聚醯亞胺的應力釋放膜8 11 b，通過濺射 法在應力釋放膜8 1 1 b上以膜的形式形成由氮化矽組成的 層作爲阻擋膜8 1 1 c。阻擋膜8 1 1 a、應力釋放膜8 1 1 b和阻 擋膜811c疊置的層通常稱做密封膜811。然後使用含元 件的剝離層上的第二黏結層809將形成有相應密封膜8 11 的膜基底810黏貼在一起。 類似地，藉由濺射法，在膜基底8 1 2上形成由氮化矽 組成的層作爲阻擋膜814a，在阻擋膜814a上形成具有聚 醯亞胺的應力釋放膜8 1 4b。藉由濺射法，在應力釋放膜 8 1 4b上形成由氮化矽組成的層作爲阻擋膜8 1 4c。阻擋膜 814a、應力釋放膜814b和阻擋膜814c疊置的層通常稱做 密封膜8 1 4。然後使用含元件的剝離層上的第二黏結層 8 09將形成有相應密封膜814的膜基底812黏貼在一起。 應該注思對於阻搶膜’如果設有兩層以上，也是可行 的。然後，對於阻擋膜，可以使用氮化矽、氮氧化矽、氧 化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁或氮氧化矽鋁（AlSiON )。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4^格（210x297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-73- 564471 A7 B7 五、發明説明（71) 由於氮氧化矽鋁的導熱率較高，因此利用它作阻擋膜 在元件中産生的熱可以有效地排出。 此外，對於應力釋放膜，可以使用具有透明度的樹脂 。代表性的可以使用的有聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯 亞胺、聚醯亞胺醯胺（polyimideamide)、苯環丁烷（ benzocyclobutene)、環氧樹脂等。應該注意也可以使用 除了以上介紹的樹脂之外的其他樹脂。這裏，塗敷熱聚合 型的聚醯亞胺之後，固化並成型。 藉由引入氬在0.4Pa的濺射壓力下保持基底溫度爲 1 50°C以進行氮化矽的膜形成。然後，使用矽做靶，氬除 外，引入氮和氫進行膜形成。對於氮氧化矽，通過引入氬 在0.4Pa的’濺射壓力下保持基底溫度爲15(TC形成膜。然 後，使用矽做靶，除了氬引入氮、二氧化氮和氫進行膜形 成。應該注意，對於靶，可以使用氧化矽。 希望阻檔膜的膜厚在50nm到3μΐΉ的範圍內。這裏， 形成Utm厚的氮化矽。 應該注意阻擋膜的膜形成法不限於濺射法，進行膜形 成的人能適當地選擇膜形成方法。舉例而言，可以使用 LPCVD法、電漿CVD法等進行膜形成。此外，希望阻擋 膜的膜厚在2 0 0 n m到2 μ m的範圍內。這裏，形成1 μ m厚 的聚醯亞胺。 通過採用其上設有本實施範例密封膜的塑膠基底作爲 實施範例6中的支撐體或轉換體6 1 0或實施範例7中的基 底構件708或轉換體710，OLED可以完全與空氣隔絕， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 -74- 564471 A7 B7 五、發明説明（72) 由此幾乎能夠完全抑制由於氧化有機發光材料的退化，能 夠極大地增強〇LED的可靠性。 實施節例9 將參考圖1 6的俯視圖，說明根據實施範例6或7得 到的具有〇LED的元件的構成，也稱做EL元件的構成。 實施範例7中的轉換體6 1 0或實施範例8中的轉換體7 1 0 對應於膜基底900。 圖16A示出了具有OLED的元件稱做EL元件的俯視 圖，圖1 6 B爲沿圖1 6 A的線A - A ’的剖面圖。在具有可撓 性的膜基底900上（舉例而言，塑膠基底等），形成像素 部分902、源極側驅動電路90 1以及閘極側驅動電路903 。根據以上介紹的實施例得到這些像素部分和驅動電路。 此外，代號9 1 8表示密封部件，代號9 1 9表示DLC膜， 像素部分和驅動電路部分由密封部件9 1 8覆蓋，它的密封 部件由保護膜9 1 9覆蓋。此外，使用黏著構件，以蓋部件 920將其密封。蓋部件920的形狀和支撐體的形狀不特別 限定，可以使用平面、曲面、能夠彎曲的表面、或膜形。 希望能夠承受由於熱和外力變形的蓋部件920於膜基底 900的材料相同，舉例而言，使用塑膠基底，使用圖1 6 所示的凹形（深度3 -1 0 μ m )加工的基底。希望進一步加 工形成能放置乾燥劑921的凹形部分（深度50_200μηι) 。此外，在將基底和蓋部件黏貼在一起之後以多重圖形製 造EL元件的情形中，使用C〇2雷射或類似物進行切割以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 -75- 564471 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（73) 使端面相互匹配。 此外，這裏在圖中沒有示出，爲了防止由於採用的金 屬層（這裏爲陰極或類似物）的反射背景反光’在基底 c)〇〇上提供由相差板（λ/4板）和極化板組成稱做圓形極 化板的圓形極化裝置。 應該注意代號908表示傳送輸入到源側驅動電路90 1 和閘極側驅動電路903內信號的佈線，它從爲外部輸入端 的FPC (可撓印刷電路板）接收視頻信號和時鐘信號。此 外，本實施範例的發光裝置可以是數位驅動，或類比驅動 ，或者視頻信號可以是數位信號或類比信號。應該注意這 裏僅在圖中示出了 FPC，但是印刷線路板（PWB )也可安 裝在FPC上。限定本說明書中的發光裝置不僅包括發光 裝置的主體也包括FPC或PWB安裝在主體上的狀態。此 外，雖然複雜的積體電路（記憶體、CPU、控制器、D/A 轉換器等）能夠形成在具有這些像素部分和驅動電路的相 同基底上，但製造少量的掩罩很難。因此，較佳的是，藉 由COG (晶片上玻璃）法、TAB (載帶自動鍵合）法或引 線鍵合法安裝配備有記憶體、CPU、控制器、D/A轉換器 等的1C晶片。 接下來’爹考圖1 6 B說明剖面結構。絕緣膜9 1 0設在 膜基底900上，像素部分902和閘極側驅動電.路903形成 在絕緣膜9 1 0上，像素部份902由多個像素形成，多個像 素包含電連接至TFT 9 11的像素電極9 1 2以控制電流及其 汲極。應該注意根據實施例4中的任何一個剝離形成在 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 策· 訂
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -76- 564471 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 Μ ____Β7_五、發明説明（74) 基底上的剝離層之後，黏貼膜基底900。 此外，使用組合η通道型TFT913和p通道型TFT914 的CMOS電路形成閘極側驅動電路903。 根據以上介紹的例1的η通道型TFT20 1和以上介紹 的例1的Ρ通道型TFT202製造這些TFT (包括911、913 和 9 1 4 ) 〇 應該注意對於提供在TFT和〇LED之間的絕緣膜，較 佳的是，材料不僅能阻擋諸如鹼金屬離子、鹼土金屬離子 等的雜質離子的擴散，也可以主動地吸收例如鹼金屬離子 、鹼土金屬離子等的雜質離子，此外，材料能夠承受以後 處理的溫度。對於適合這些條件的材料，舉例而言，列舉 了含大量氟的氮化矽膜。含在氮化矽膜中的氟密度爲1 X 101 Vcm3以上，較佳地，氟的組分比在1到5%的範圍內。 氮化矽膜中的氟結合到鹼金屬離子、鹼土金屬離子等，並 在膜中吸收。此外，關於其他實施例，含由銻（Sb )化合 物、錫（Sn )化合物、或銦（In )化合物組成的細小顆粒 的有機樹脂膜，舉例而言，也列舉了含五氧化銻細小顆粒 (Sb2〇5*nH2〇 )的有機樹脂膜。應該注意該有機樹脂膜含 有10-20 μηι平均顆粒直徑的細小顆粒，透光度也很高。由 該五氧化銻細小顆粒表示的銻化合物容易吸收例如鹼金屬 離子或鹼土金屬離子。 此外，對於TFT的主動層和〇LED之間的絕緣膜的其 他材料，可以使用由AlNx〇y表示的層。通過在氬氣、氮 化物氣體、氮氣和氧氣混合的氣氛中使用氮化鋁（A1N ) _本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
一衣· 訂
-77- 564471 A7 —..... __ __ B7 五、發明説明（75) 作靶通過濺射法進行膜形成得到氮氧化物層（由AlN:<〇y 表示的層）爲含氮在2· 5 atm %到47.5atm %範圍的膜，特徵 在於它具有能夠阻止水分和氧的效果，此外，具有高導熱 性和散熱效果，而且具有很高的透明度。此外，它可以防 止例如驗金屬、驗土金屬等的雜質滲透到TFT的主動層 內。 像素電極912起OLED陽極的作用。此外，觸排（ bank ) 915形成在像素電極912的兩端，發光元件的EL 層9 1 6和陽極9 1 7形成在像素電極9 1 2上。 關於EL層9 1 6，藉由自由地組合發光層、電荷注射 層或電荷注入層可以形成EL層（用於發光並使載子爲此 遷移的層）。舉例而言，可以使用低分子系統有機EL材 料和高分子系統有機EL材料。此外，對於EL層，可以 使用由單激發態發光（熒光）的發光材料（單態化合物） 組成的薄膜，或由三重激發態發光（磷光）的發光材料（ 三重態化合物）組成的薄膜。此外，例如碳化矽等的無機 材料能夠用做電荷傳輸層和電荷注射層。對於這些有機 E L材料和無機材料，可以使用已知的材料。陰極9 1 7也 作爲所有的像素共同的佈線，並借助連接佈線9 0 8電連接 到FPC909。此外，含在像素部分902中和閘極側驅動電 路9 0 3上的元件都由陰極9 1 7、密封部件9 1 8以及保護膜 9 1 9覆蓋。 應該指出，關於密封部件9 1 8，較佳的是，如果可能 ，使用能夠透過可見光或半透明的材料。此外，希望密封 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 -78- 564471 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（76) 部件9 1 8爲盡可能地少穿透水分和氧的材料。 此外，利用密封部件9 1 8完全覆蓋發光元件之後，較 佳的是由至少DLC膜等組成的保護膜9 1 9設在密封部件 918的表面（露出的表面）上，如圖16所示。此外，保 護膜設在包括基底背面的整個表面上。這裏，需要注意保 護膜沒有形成在設有外部輸入端子（FPC )的那部分上。 保護膜不是利用掩罩形成，或者沒有用帶例如CVD裝置 中使用的掩蔽帶覆蓋外部輸入端子部分形成保護膜。 藉由以上介紹結構中的密封部件9 1 8和保護膜密封發 光元件，發光裝置可以完全阻止外部影響，它可以防止造 成退化的物質從外部滲透，以免因水份、氧或類似物而造 成EL層氧化而發生退化。此外，如果具有高導熱性的膜 (A10N膜、A1N膜等）用做保護膜，那麽當它驅動時産 生的熱能夠釋放。因此可以得到具有高可靠性的發光裝置 〇 然而，像素電極製成陰極，EL層和陽極疊置，可以 設置成在反方向中發光。它的一實施範例顯示在圖1 7中 。應該指出，由於俯視圖相同，因此省略了圖和說明。 將介紹顯示在圖1 7中的剖面結構。關於膜基底1 〇〇〇 ，使用塑膠基底。應該注意根據實施例1 -4中的任何一個 剝離形成在基底上的剝離層之後’黏貼膜基底1 〇 〇 〇。絕 緣膜1010設在膜基底1 000上，在絕緣膜1010上，形成 像素部分1 002和閘極側驅動電路1 003，而且，像素部份 1 002是由多個像素形成，多個像素係含有電連接至TFT ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~~ ^ 一 -79- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂
564471 A7 B7 五、發明説明（77) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的像素電極1 01 2以控制電流1 〇 11及其汲極。此外，使用 組合η通道型TFT 1013和p通道型TFT 1014的CMOS電 路形成閘極側驅動電路1 003。 像素電極1 01 2作爲發光元件的陰極。此外，觸排 1 0 1 5形成在像素電極1 0 1 2的兩端，發光元件的e L層 1 0 1 6和陽極1 0 1 7形成在像素電極丨〇丨2上。 陽極1 0 1 7也作爲所有像素的公共佈線，並借助連接 佈線1 008電連接到FPC 1 009。此外，含在像素部分1 〇〇2 和閘極側驅動電路1 0 0 3中的元件由保護膜1 〇 1 9覆蓋，保 護膜由陽極1 0 1 7、密封部件1 〇 1 8和DLC等組成。此外， 使用黏接劍黏貼蓋部件1 0 2 1和基底1 〇 〇 〇。此外，在蓋部 件中提供凹陷部分，乾燥劑1 02 1放置在蓋部件中。 應該指出對於密封部件1 0 1 8，較佳的是，如果可能· ，使用透過司見光或半透明的材料。此外，希望密封部件 1 0 1 8爲盡可能地少穿透水分和氧的材料。 此外，在圖1 7中，由於像素電極製成陰極，EL層和 陽極疊置，因此發光的方向爲圖17中箭頭所指的方向。 經濟部智慧財產局_工消費合作社印製 此外，這裏在圖中沒有示出，爲了防止由於採用的金 屬層（這裏爲陰極或類似物）的反射背景反光，在基底 1 000上提供由相差板（λ/4板）和極化板組成稱做圓形極 化板的圓形極化裝置。 由於在本實施範例1中，使用在實施範例1中得到的 高質量電特性和高可靠性的TFT，所以，可以形成與習知 元件相比具有較高可靠性的發光元件。此外，利用具有這 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) " -80- 564471 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（78) 種發光元件作爲顯示部分的的發光裝置可以得到高性能的 電裝置。 應該注意本實施範例可以自由地結合實施範例1、7 、8 或 9。 由於藉由物理方式從基底上剝離，因此本發明能增加 元件的可靠性，同時不損傷半導體層。 此外，本發明不僅能夠剝離具有較小面積的剝離層， 而且也可以以優良的產能剝離在整個表面上具有大面積的 剝離層。 此外，由於本發明能夠藉由物理方式容易地剝離，舉 例而言，能夠以人手拉開，因此可說是適於大規模生産之 製程。此外，在製備製造設備以便進行大規模生産時拉掉 剝離層之情形中，可以以低成本製備大尺寸的製造設備。 實施節例1 0 藉由本發明可以完成各種模組（主動矩陣液晶模組、 主動矩陣EL模組以及主動矩陣EC模組）。亦即，藉由 實施本發明可以完成所有的電子設備。 以下爲這些電子設備： 攝影機；數位相機；頭戴式顯示器（護目鏡型顯示器 );汽車導航系統；投影機；汽車音響；個人電腦；可攜 式貝$終朗（移動式電腦、移動電話或電子書等）等。追 些實施例顯示在圖1 8和1 9中。 圖18A爲個人電腦，包括：主體200 1 ;影像輸入部 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ' """ -81 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
564471 A7 B7 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 五、發明説明（79) 分2002 ;顯示部分2003 ;以及鍵盤2004。 圖18B爲攝影機，包括主體2101 ;顯示部分2102 ; 聲音輸入部分2103 ;操作開關2104 ;電池2005以及影像 接收部分2 1 0 6。 圖18C爲移動式電腦，包括主體2201 ;攝影部分 2 202 ;影像接收部分2203 ;操作開關2204以及顯示部分 220 5。 圖18D爲護目鏡型顯示器，包括主體2301 ;顯示部 分2302 ;以及臂部分2303。 圖1 8E爲使用記錄程式的記錄媒體（下文稱做記錄媒 體）的播放器，包括：主體240 1 ;顯示部分2402 ;揚聲 器部分2403 ;記錄媒體2404 ;操作開關2405。該裝置使 用DVD (數位多用途碟片）、CD等作爲記錄媒體，能夠 進行音樂欣賞、電影欣賞、遊戲和用於網際網路。 圖1 8F爲數位相機，包括：主體250 1，顯示部分 25 02 ;取景器2503 ;操作開關2504以及影像接收部分（ 圖中未示出）。 圖19A爲移動電話，包括；主體290 1，聲音輸出部 分2902 ;聲音輸入部分2903 ;顯示部分2904 ;操作開關 2905 ;天線2906 ;以及影像輸入部分（CCD、影像感測器 等）2907等。 圖19B爲可攜式書（電子書），包括：主體300 1 ; 顯示部分3002和3003 ;記錄媒體3004 ;操作開關3005 ; 天線3006等。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -82- 564471 A7 B7 五、發明説明（80) 圖1 9 C爲顯示器，包括：主體3 1 0 1 ;支部分3 1 〇 2 ;以及顯示部分3103等。 此外，圖19C中顯示的顯示器具有小尺寸和中尺寸 或大尺寸，例如5到20英寸的尺寸。此外，爲了製造具 有所述尺寸的顯示部分，較佳的是使用一側上爲1米的基 底，以排字印刷機大規模生産。 如上所述，本發明的應用範圍很廣，本發明能應用到 多種領域的電子設備。注意藉由利用實施範例1到9的構 成的任何組合可以獲得本實施例中的電子設備。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -83-

Claims (1)

  1. 564471 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧對羞局員Η涓費合作社邱製 六、申請專利範圍 1 1 · 一種剝離方法，包括： 形成剝離層’該剝離層包括含有與設在基底上的氮化 物層相接觸的氧化物層之疊層； 然後以物理方式’在該氧化物層內或該氧化物層的介 面，將該剝離層剝離該基底。 2·根據申請專利範圍第1項的方法，其中該氧化物 層包含單層或其疊層，該單層包括選自氧化矽和金屬氧化 物組成的族群之材料。 3 ·根據申請專利範圍第‘丨項的方法，又包括在由該 物理方式進行該剝離之前，進行熱處理或雷射光照射。 4 · 一種剝離方法，包括： 形成剝離層’該剝離層包括含有與設在基底上的氮化 物層相接觸的氧化物層之疊層； 將該剝離層黏附到支撐體上； 然後以物理方式，在該氧化物層內或該氧化物層的介 面’將黏附至該支撐體的該剝離層剝離該基底。 5.根據申請專利範圍第4項的方法.，其中在黏著該 支撐體之前進行熱處理或雷射光照射。 6·根據申請專利範圍第4項的方法，其中該氧化物 層包括單層’該單層包括選自氧化矽和金屬氧化物組成的 族群中之材料或其疊層。 • 7 ·根據申請專利範圍第4項的方法，又包括在由該 物理方式進行該剝離之前，進行熱處理或雷射光照射。 8. —種剝離方法，包括： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂
    本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 564471 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 形成剝離層，該剝離層包括含有與設在基底上的金屬 層相接觸的氧化物層之疊層； 然後以物理方式，在該氧化物層內或該氧化物層的介 面，將該剝離層剝離該基底。 9.根據申請專利範圍第8項的方法，其中該金屬層 爲氮化物。 1 〇.根據申請專利範圍第8項的方法，其中該金屬層 包括選自 Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni' C ο、Z r、Z n、R u、R h、P d、〇 s、11·和 P t 中的一元素：由 主要成分爲該元素的合金材料或化合物材料組成的單層、 .或這些金屬或它們的混合物的疊層。 1 1 ·根據申請專利範圍8的方法，其中該氧化物層包 括單層，該單層包括選自氧化矽和金屬氧化物組成的族群 中之材料或其疊層。 1 2·根據申請專利範圍第8項的方法，又包括在以該 物理方式進行剝離之前，進行熱處理或雷射光照射。 1 3 · —種剝離方法，包括： 形成剝離層，該剝離層包括含有與設在基底上的金屬 層相接觸的氧化物層之疊層； 將該剝離層黏附到支撐體上； 然後以物理方式，在該氧化物層內或該氧化物層的介 面，將黏附至該支撐體的該剝離層剝離該基.底。 1 4 ·根據申請專利範圍第1 3項的方法，其中該金屬 層爲氮化物。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -85- 564471 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 5 .根據申請專利範圍第1 3項的方法，其中該金屬 層包括選自 Ti、A卜 丁a、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Nl 、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、〇s、Ir 和 pt 中的一元素、 由主要成分爲該元素的合金材料或化合物材料組成的單層 、或這些金屬或它們的混合物的疊層。 1 6·根據申請專利範圍第1 3項的方法，其中該氧化 物層包括單層，該單層包括選自氧化矽和金屬氧化物組成 的族群中之材料或其疊層。 1 7 .根據申請專利範圍第1 3項的方法，又包括以該 物理方式進fj剝離之則’進彳了熱處理或雷射光照射。 1 8 ·根據申請專利範圍第1 3項的方法，又包括在黏 著該支撐體之前進行熱處理或雷射照射。 19. 一種製造半導體裝置的方法，包括： 在基底上形成氮化物層； 在該氮化物層上形成氧化物層； 在該氧化物層上形成絕緣層； 在該絕緣層上形成元件； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將該元件黏著到支撐體上； 在該元件黏附到支撐體上之後，以物理方式，從該氧 化物層內或該氧化物層的介面，將該支撐體剝離基底；以 及 將轉換體黏結到該絕緣層或該氧化物層，以將該元件 夾在該支撐體與該轉換體之間。 2 0.根據申請專利範圍第1 9項的方法，其中該支擦 本紙張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ 86 - 564471 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 體爲膜基底或基部構件。 2 1 ·根據申請專利範圍第1 9項的方法，其中該轉換 體爲膜基底或基部構件。 22. 根據申請專利範圍第1 9項的方.法，其中在黏結 該支撐體之前，進行熱處理或雷射光照射。 23. 根據申請專利範圍第19項的方法，其中在以該 物理方式進行剝離之前，進行熱處理或雷射光照射。 24·根據申請專利範圍第1 9項的方法，其中該元件 是薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括作爲主動層的半導·體層 ’並且在形成該半導體層的該步驟中，藉由進行熱處理或 閨射光如射以晶化具有非晶結構的半導體層而成爲具有結 晶結構的半導體層。 25 ·根據申請專利範圍第1 9項的方法，其中該支撐 體爲相對基底，該元件具有像素電極，並且在該像素電極 和該相對基底之間設有液晶材料。 2 6 ·根據申請專利範圍第1 9項的方法，其中該支撐 體爲密封構件，並且該元件爲發光元件。 2 7 .根據申請專利範圍第1 9項的方法，其中該氧化 物層包括單層，該單層包括選自氧化矽和金屬氧化物組成 的族群中之材料或其疊層。 28·根據申請專利範圍第20項的方法，其中該半導 體裝置在該膜基底上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三 絕緣膜，並且夾在該第一絕緣膜和該第三絕緣膜間的該第 一 fe緣膜的膜應力小於該第一絕緣膜和該第三絕緣膜的膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .-if裝· 、^T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -87 - 564471 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 5 應力。 29. 根據申請專利範圍第21項的方法，其中該半導 體裝置在該膜基底上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三 絕緣膜，並且夾在該第一絕緣膜和該第三絕緣膜間的該第 二絕緣膜的膜應力小於該第一絕緣膜和該第三絕緣膜的膜 應力。 30. —種製造半導體裝置的方法，包括： 在基底上形成氮化物層； 在該氮化物層上形成顆粒形氧化物； · 形成用於複蓋該氧化物的氧化物層； 在該氧化物上形成絕緣層； 在該絕緣層上形成元件； 將支撐體黏附到該元件上； 將該支撐體黏附到該元件上之後，以物理方式，從該· 氧化物層內或與該氧化物層的介面，將該支撐體從基底剝 離；以及 將轉換體黏結到該絕緣層或該氧化物層，將該元件夾 在該支撐體和該轉換體之間。 3 1.根據申請專利範圍第3 0項的方法，其中該支撐 體爲膜基底或基部構件。 32·根據申請專利範圍第30項的方法，其中該轉換 體爲膜基底或基部構件。 33·根據申請專利範圍第30項的方法，其中在黏,結 該支撐體之前，進行熱處理或雷射光照射。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -88 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564471 A8 B8 C8 _ D8 ^、申請專利範圍 6 3 4 .根據申請專利範圍第3 0項的方法，其中在以該 物理方式進行剝離之前，進行熱處理或雷射光照射。 35·根據申請專利範圍第30項的方法，其中該元件 是薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括作爲主動層的半導體層 ，並且在形成該半導體層的該步驟中，藉由進行熱處理或 雷射光照射以晶化具有非晶結構的半導體層成爲具有晶體 結構的半導體層。 3 6 ·根據申請專利範圍第3 0項的方法，其中該支撐 體爲相對基底，該兀件具有像素電極，並且在該像素·電極 和該相對基底之間設有液晶材料。 37·根據申請專利範圍第30項的方法，其中該支撐 體爲密封構件，並且該元件爲發光元件。 3 8·根據申請專利範圍第30項的方法，其中該氧化 物層爲單層，該單層包含選自氧化矽和金屬氧化物之材料 或其疊層。 3 9.根據申請專利範圍第3 1項的方法，其中該半導 體裝置在該膜基底上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三 絕緣膜，並且夾在該第一絕緣膜和該第三絕緣膜間的該第 二絕緣膜的膜應力小於該第一絕緣膜和該第三絕緣膜的膜 應力。 40.根據申請專利範圍第32項的方法，其中該半導 體裝置在該膜基底上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三 絕緣膜’並且夾在該第一絕緣膜和該第二絕緣膜間的3亥弟 二絕緣膜的膜應力小於該第一絕緣膜和該第三絕緣膜的膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公嫠） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    -89 - 564471 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 應力。 4 1 · 一種製造半導體裝置的方法，包括：. 在基底上形成含有金屬材料的層； 在含有金屬材料的該層上形成氧化物層； 在該氧化物層上形成絕緣層； 在該絕緣層上形成元件； 將支撐體黏附到該元件； 將該支撐體黏附到該元件之後，以物理方式，從該氧 化物層內或該氧化物層的介面，將該支撐體從基底剝·離； 以及 將轉換體黏結到該絕緣層或該氧化物層，將該元件夾 在該支撐體和該轉換體之間。 42.根據申請專利範圍第41項的方法，其中該支撐 體爲膜基底或基部構件。 4 3 .根據申請專利範圍第4 1項的方法，其中該轉換 體爲膜基底或基底構件。 44·根據申請專利範圍第41項的方法，其中在黏結 該支撐體之前，進行熱處理或雷射光照射。 45 ·根據申請專利範圍第4 1項的方法，其中在以該 物理方式進行剝離之前，進行熱處理或雷射光照射。 46·根據申請專利範圍第41項的方法，其中該元件 是薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括作爲主動層的半導體層 ’並且在形成Η亥半導體層的該步驟中，藉由進行熱處理或 雷射光照射以晶化具有非晶結構的半導體層成爲具有晶體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .—'_裝- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564471 A8 B8 C8 D8 '申請專利範圍 8 結構的半導體層。 47·根據申請專利範圍第41項的方法，其中該支撐 體爲相對基底，該元件具有像素電極，並且在該像素電極 和該相對基底之間設有液晶材料。 4 8 ·根據申請專利範圍第4 1項的方法，其中該支撐 體爲密封構件，並且該元件爲發光元件。 4 9 ·根據申請專利範圍第4 1項的方法，其中該氧化 物層爲單層’該單層包含選自氧化矽和金屬氧化物之材料 或其疊層。 . 5 0 ·根據申請專利範圍第4 1項的方法，其中含有金 屬材料的該層是氮化物。 5 1.根據申請專利範圍第4 1項的方法，其中該金屬 材料選自 Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Ci·、Nd、Fe、Ni、 Co、Zi·、Zn、Ru、Rh、Pd、〇s、lr 和 Pt 中的一元素、由 主要成分爲該元素的合金材料或化合物材料組成的單層、 或這些金屬或它們的混合物的疊層。 5 2 ·根據申|靑專利範圍第4 2項的方法，宜中該半導 體裝置在該膜基底上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三 絕緣膜，並且夾在該第一絕緣膜和該第三絕緣膜間的該第 —絕緣膜的膜應力小於該第一絕緣膜和該第三絕緣膜的膜 應力。 53·根據申請專利範圍第43項的方法，其中該半導 體裝置在e亥膜基底上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三 絕緣膜，並且夾在該第一絕緣膜和該第三絕緣膜間的該第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、νό 經濟部智慧財產局員工消費合作社卬製 91 - 564471 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 9 二絕緣膜的膜應力小於該第一絕緣膜和該第三絕緣膜的膜 應力。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 4 · —種製造半導體裝置的方法，包括： 在基底上形成含有金屬材料的層； 在該氮化物層上形成顆粒形氧化物， 形成氧化物層覆蓋該氧化物， 在該氧化物層上形成絕緣層； 在該絕緣層上形成元件； 將支撐體黏附到該元件上； 將該支撐體黏附到該元件上之後，以物理方式，從該 氧化物層內或該氧化物層的介面，將該支撐體從基底剝離 ;以及 將轉換體黏結到該絕緣層或該氧化物層，將該元件夾 在該支撐體和該轉換體之間。 5 5.根據申請專利範圍第54項的方法，其中該支撐 體爲膜基底或基底構件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 56. 根據申請專利範圍第54項的方法，其中該轉換 體爲膜基底或基底構件。 57. 根據申請專利範圍第54項的方法，其中在黏結 該支撐體之前，進行熱處理或雷射光照射。 58. 根據申請專利範圍第54項的方法，其中在以該 物理方式進行剝離之前，進行熱處理或雷射光照射。 5 9.根據申請專利範圍第5 4項的方法，其中該元件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 -92- 564471 A8 B8 C8 D8 10 六、申請專利範圍 是薄i吳電晶體，該薄膜電晶體 ，並且在形成該半導體層的該 雷射光照射以晶化具有非晶結 結構的半導體層。 60.根據申請專利範圍第 體爲相對基底，該元件具有像 和該相對基底之間設有液晶材 6 K根據申請專利範圍第 體爲密封構件，並且該元件爲 62·根據申請專利範圍第 物層爲單層，該單層包含選自 或其疊層。 6 3 ·根據申請專利範圍第 屬材料的該層是氮化物。 64.根據申請專利範圍第 包括作爲主動層的半導體層 步驟中，藉由進行熱處理或 構的半導體層成爲具有晶體 54項的方法，其中該支撐 素電極，並且在該像素電極 料。 54項的方法，其中該支撐 發光元件。 - 54項的方法，其中該氧化 氧化矽和金屬氧化物之材料 54項的方法，其中含有金 54項的方法，其中該金屬 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、π 材料選自 Ti、Al、Ta、W、Mo、Cn、Ci·、Nd、Fe、Ni、 Co、Zi·、Zn、Ru、Rh、Pd、〇s ' Ii·和 pt 中的—元素、由 主要成分爲該兀素的合金材料或化合物材料組成的單層、 或這些金屬或它們的混合物的疊層。 6 5 ·根據申請專利範圍第5 5項的方法，其中該半導 體裝置在該膜基底上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第二 絕緣膜’並且夾在該第一絕緣膜和該第三絕緣膜間的該第 二絕緣膜的膜應力小於該第一絕緣膜和該第三絕緣膜的膜 應力。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -93 - 564471 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 h 66·根據申請專利範圍第％項的方法，其中該半導 la衣置在Μ膜基底上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三 絕緣膜，並且夾在該第一絕緣膜和該第三絕緣膜間的該第 一絕緣膜的膜應力小於該第一絕緣膜和該第三絕緣膜的膜 應力。 67· —種製造半導體裝置的方法，包括： 在基底上形成含有金屬材料的層； 在該含金屬材料的層上形成氧化物層， 在該氧化物層上形成絕緣層； - 在該絕緣層上形成元件； 從該氧化物層內或該氧化物層的介面，以物理方式剝 離基底； 將第一轉換體黏結到該絕緣層或該氧化物層；以及 將第一轉換體黏結到該元件上，將該元件夾在該第一 轉換體支撐體和該第二轉換體之間。 68·根據申請專利範圍第67項的方法，其中該含有 金屬材料的層是氮化物。 69. 根據申請專利範圍第67項的方法，其中該金屬 材料選自 ΊΊ、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Nl、 Co、Zi、Zn、Ru、Rh、Pd、〇s、Ii·和 Pt 中的 _* 元奉，由 主要成分爲該元素的合金材料或化合物材料組成的單層， 或這些金屬或它們的混合物的疊層。 70. 根據申請專利範圍第67項的方法，其中在以該 物理方式進行剝離之前，進行熱處理或雷射光照射。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -94 - 564471 A8 B8 C8 _______ D8 夂、申請專利範圍 7 1. —種製造半導體裝置的方法，包括： 在基底上形成氮化物層； 在該氮化物層上形成氧化物層， 在該氧化物層上形成絕緣層； 在該絕緣層上形成元件； 從該氧化物層內或該氧化物層的介面，以物理方式剝 離基底； 將第一轉換體黏結到該絕緣層或該氧化物層；以及 將第二轉換體黏結到該元件上，將該元件夾在該第一 轉換體支撐體和該第二轉換體之間。 72.根據申請專利範圍第71項的方法，其中在以該 物理方式進行剝離之前，進行熱處理或雷射光照射。 73· —種半導體裝置，包括： 支撐體； 以黏合材料黏接到該支撐體的剝離層，該剝離層包括 氧化矽膜；以及 設在該氧化矽膜和該黏結材料之間的金屬材料。 74·根據申請專利範圍第73項的裝置，其中該金屬 材料選自 W、Ti、Al、Ta、Mo、Cu、Ci·、Nd、Fe、Ni、 Co ' Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、〇s、Ir 和 Pt 中的一元素、由 主要成分爲該元素的合金材料或化合物材料組成的單層， 或這些金屬或它們的混合物的疊層。 75·根據申請專利範圍第73項的裝置，其中該半導體 裝置倂入於選自個人電腦、攝影機、移動電腦、頭戴式顯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21ϋΧ29<7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 秦· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 95 - 564471 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 13 示器、使用記錄媒體的播放器、數位相機、可攜式電話、 可攜式書以及顯示器組成的族群中至少之一。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·-^裝· 、1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -96 -
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