CN115101558A - 显示装置以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开的发明名称是“显示装置以及电子设备”。提供能够改变纵横比的显示装置。显示装置包括多个显示单元及多个驱动电路单元。多个显示单元各自包括发光部及连接区域。多个驱动电路单元各自包括驱动电路部及连接区域。相邻的单元的连接区域彼此重叠，并且一个轴穿过连接区域。相邻的单元由一个轴彼此电连接。通过采用该结构，可以改变由一个轴电连接的相邻的单元之间的角度，从而可以改变显示装置的纵横比。

Description

显示装置以及电子设备

技术领域

本发明涉及显示装置及电子设备。

注意，本发明的一个实施方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本发明的一个实施方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。更具体而言，本说明书所公开的本发明的一个实施方式的技术领域的例子包括半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、处理器、电子设备、系统、其驱动方法、其制造方法及其检验方法。

背景技术

近年来，对用作显示装置的显示区域中的显示元件的利用电致发光(EL)的发光元件积极地进行研究开发。作为该发光元件的基本结构，包含发光物质的层设置在一对电极之间。对该发光元件施加电压来从发光物质得到发光。

该发光元件是自发光型元件，因此，尤其是，使用该发光元件的显示装置具有优点诸如可见度高、不需要背光、功耗低等。此外，使用该发光元件的显示装置还具有制造为薄型且轻量、响应速度高等优点。

包括该发光元件的显示装置可以具有柔性，由此已在研讨显示装置用柔性衬底的使用。

作为使用柔性衬底的显示装置的制造方法，已开发一种技术，其中在衬底和半导体元件之间形成氧化物层及金属层，利用氧化物层与金属层的界面的低密接性来分离衬底，然后将半导体元件转置到其他衬底(例如，柔性衬底)(专利文献1)。

有时，在形成在柔性衬底上的发光元件上还设置另一柔性衬底以保护发光元件表面或避免水分或杂质从外部进入。

包括柔性衬底的显示装置可以是柔性的。因此，该衬底优选使用伸缩性低、伸展时的可延展度高、伸展后的可恢复性高等的材料形成。专利文献2公开了包括拉伸应力缓和性高、伸展后的可恢复性优良的树脂组成物的电子器件用结构体。

[参考文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请公开第2003-174153号公报

[专利文献2]日本专利申请公开第2016-102669号公报

发明内容

在是包括柔性衬底上的发光元件的显示装置的情况下，根据衬底的材料，显示装置有时可以伸展。在使显示装置伸展时，有时可以使显示装置具有与通常尺寸不同的尺寸。

但是，柔性衬底的伸缩度有限，因此过度的伸展可能给该衬底造成损坏。即使该衬底不被损坏，设置于该衬底上的发光元件、电路元件及布线等可能被损坏。

因包括柔性衬底的显示装置伸展而从显示装置的各单位面积发射的光的强度会降低。这是因为被伸展的显示装置的每单位面积的像素数(有时也称为分辨率)减少。因此，在使用被伸展的显示装置时，显示于显示装置的图像质量有时降低。

本发明的一个实施方式的目的是提供一种能够改变形状的新颖显示装置。本发明的一个实施方式的另一目的是提供一种即使其形状改变也具有高显示质量的新颖显示装置。本发明的一个实施方式的另一目的是提供一种包括上述显示装置的电子设备。

注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。在本发明的一个实施方式中，不需要实现所有上述目的。上述目的以外的目的可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取。

(1)本发明的一个实施方式是一种能够改变纵横比的显示装置。显示装置包括具有第一单元及第二单元的显示区域。第一单元和第二单元各自包括发光部及连接区域。第一单元的连接区域与第二单元的连接区域电连接。显示区域具有改变第一单元和第二单元之间的角度的功能。

(2)本发明的另一个实施方式是根据(1)所述的显示装置，包括驱动区域。驱动区域包括第三单元。第三单元包括驱动电路部。驱动电路部具有驱动第一单元的发光部及第二单元的发光部的功能。驱动区域的第三单元平行于第一单元和第二单元中之一。

(3)本发明的另一个实施方式是根据(1)或(2)所述的显示装置，其中第一单元的第一方向的长度比第一单元的第二方向的长度长。

(4)本发明的另一个实施方式是能够改变纵横比的显示装置。显示装置包括显示区域及驱动区域。显示区域包括多个第一单元。驱动区域包括多个第二单元。多个第一单元各自包括连接区域，多个第二单元各自包括连接区域。多个第一单元中的部分连接区域与多个第二单元中的部分连接区域电连接。显示区域的多个第一单元彼此平行。驱动区域的多个第二单元彼此平行。一个第一单元和连接到第一单元的一个第二单元之间的角度能够改变。

(5)本发明的另一个实施方式是根据(4)所述的显示装置，其中多个第一单元各自包括发光部。多个第一单元中的至少一个包括驱动电路部。多个第二单元各自包括驱动电路部。多个第二单元中的至少一个包括发光部。

(6)本发明的另一个实施方式是能够改变纵横比的显示装置。显示装置包括显示区域。显示区域包括第一单元及第二单元。第一单元及第二单元各自包括发光部。第二单元与第一单元的第一区域重叠。显示区域具有改变第一区域的面积的功能。

(7)本发明的另一个实施方式是根据(6)所述的显示装置，包括驱动区域。驱动区域包括第三单元及第四单元。第三单元具有驱动第一单元的发光部的功能。第四单元具有驱动第二单元的发光部的功能。第四单元与第三单元的第一区域重叠。驱动区域具有改变第三单元的第一区域的面积的功能。

(8)本发明的另一个实施方式是根据(7)所述的显示装置，包括第一绝缘体及第二绝缘体。第一单元及第三单元各自被第一绝缘体覆盖。第二单元及第四单元各自被第二绝缘体覆盖。第二绝缘体位于第一绝缘体上。第一绝缘体及第二绝缘体具有伸缩性。

(9)本发明的一个实施方式是根据(6)所述的显示装置，包括第三单元及第一绝缘体。第三单元具有驱动第一单元及第二单元的发光部的功能。第一单元、第二单元及第三单元各自被第一绝缘体覆盖。第一绝缘体具有伸缩性。

(10)本发明的另一个实施方式是根据(1)至(3)及(5)至(9)中任一个所述的显示装置，其中发光部各自包括发光元件。

(11)本发明的另一个实施方式是包括根据(1)至(10)中任一个所述的显示装置的电子设备。

根据本发明的一个实施方式，可以提供一种能够改变形状的新颖显示装置。根据本发明的另一个实施方式，可以提供一种即使其形状改变也具有高显示质量的新颖显示装置。根据本发明的另一个实施方式，可以提供一种包括上述显示装置的电子设备。

注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。本发明的一个实施方式并不需要实现所有上述效果。可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中明显看出并抽出这些效果以外的效果。

附图说明

在附图中：

图1A、图1B、图1C、图1D1及图1D2示出显示装置的例子；

图2A至图2C示出图1D1及图1D2中的显示装置的构成例子；

图3A至图3C是显示装置的一部分的俯视图及截面图；

图4A及图4B是示出轴的例子的截面图；

图5A及图5B各自是示出轴所包括的导电体的例子的立体图；

图6是示出轴的例子的截面图；

图7A及图7B是示出轴的例子的透视图及截面图；

图8A、图8B、图8C1、图8C2、图8D1、图8D2及图8E示出显示装置的例子；

图9A至图9C示出显示装置的例子及该显示装置的构成例子；

图10A1、图10A2、图10B1及图10B2示出电子设备的例子；

图11A及图11B示出电子设备的例子；

图12A、图12B1及图12B2是示出显示区域的例子的模式图；

图13A1及图13A2各自是示出显示区域的例子的模式图；

图14A、图14B1及图14B2是示出显示区域的例子的模式图；

图15A、图15B1及图15B2是示出显示区域的例子的模式图及截面图；

图16A、图16B1及图16B2是示出显示区域的例子的模式图及截面图；

图17A及图17B是示出显示装置的例子的模式图；

图18A、图18B1及图18B2是示出显示装置的例子的模式图及截面图；

图19A至图19C是示出显示装置的制造方法的例子的截面图；

图20A及图20B是示出显示装置的制造方法的例子的截面图；

图21A及图21B是示出显示装置的制造方法的例子的截面图；

图22是示出显示装置的制造方法的例子的截面图；

图23是示出显示装置的制造方法的例子的截面图；

图24A及图24B是示出显示装置的制造方法的例子的截面图；

图25A至图25D示出电子设备的例子；

图26A及图26B示出电子设备的例子；

图27A至图27D示出发光元件的结构；

图28A至图28C示出发光装置；

图29是示出样品的例子的截面图；

图30A至图30D各自是样品的照片。

具体实施方式

(关于本说明书等的记载的附记)

首先，对后面的实施方式及实施例中的结构的记载的附记进行说明。

<关于实施方式及实施例中所示的本发明的一个实施方式的附记>

实施方式所示的结构可以与其他实施方式及实施例所示的任何结构适当地组合而构成本发明的一个实施方式。另外，当在一个实施方式中示出多个结构例子时，可以适当地组合结构例子。

注意，可以将实施方式中的内容(或其一部分)应用于、组合到或者替换成该实施方式中的其他内容和/或另一个或其他实施方式中的内容(或其一部分)。

注意，在各实施方式及实施例中，该实施方式及实施例所说明的内容是参照各种附图所说明的内容或者说明书中的文章的内容。

注意，通过将在一个实施方式或一个实施例中示出的附图(或其一部分)与该附图的其他部分、在该实施方式或实施例中说明的其他附图(或其一部分)和/或在另一个实施方式、其他实施方式或实施例中示出的附图(或其一部分)组合，可以构成更多附图。

<关于序数词的附记>

在本说明书等中，第一、第二、第三等序数词是为了避免构成要素的混淆而附加上的。因此，其不是为了限定构成要素的个数或顺序而附加上的。例如，本说明书等的实施方式之一中的“第一”的构成要素有可能在其他的实施方式或权利要求书中被称为“第二”构成要素。另外，在本说明书等中，例如一个实施方式中的“第一”构成要素可以在其他的实施方式或权利要求书中省略。

<关于附图的说明的附记>

虽然参照附图说明实施方式及实施例，但是实施方式及实施例可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是其方式和详细内容可以在不脱离本发明的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在实施方式及实施例的说明。注意，在实施方式及实施例中的发明的结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。

在本说明书等中，为方便起见，使用了“上”、“下”等表示配置的用语，以参照附图说明构成要素的位置关系。另外，构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，表示配置的用语不局限于本说明书中所示的记载，根据情况可以适当地更换表达方式。

“上”或“下”这样的用语不限定构成要素的位置关系为正上或正下且直接接触的情况。例如，“绝缘层A上的电极B”的记载不一定必须意味着在绝缘层A上直接接触地形成有电极B，也可以意味着绝缘层A与电极B之间设置有其他构成要素。

在附图中，为便于说明，任意地表示大小、层的厚度或区域。因此，大小、层的厚度或区域不局限于所表示的尺寸。注意，附图是为了明确起见而示意性地示出的，本发明的实施方式不局限于附图所示的形状或数值等。例如，可以包括噪声或定时偏差所引起的信号、电压或电流的不均匀。

在透视图等的附图中，为了明确起见，有时未图示部分构成要素。

在附图中，有时使用同一附图标记表示同一构成要素、具有相同功能的构成要素、由同一材料构成的构成要素或者同时形成的构成要素等，并且其说明有时不重复。

<关于可以改称的记载的附记>

在本说明书等中，在说明晶体管的连接关系时，使用“源极和漏极中的一个”(或者第一电极或第一端子)或“源极和漏极中的另一个”(或者第二电极或第二端子)的用语。这是因为晶体管的源极和漏极根据晶体管的结构或工作条件等而互换的缘故。可以将晶体管的源极和漏极根据情况适当地改称为源极(或者漏极)端子、源极(或者漏极)电极等。在本说明书等中，有时将栅极以外的两个端子称为第一端子及第二端子或第三端子及第四端子。在本说明书等中，在晶体管具有两个以上的栅极时(有时将该结构称为多栅极结构)，有时将该栅极称为第一栅极和第二栅极。此外，“底栅极”是指在形成晶体管时在形成沟道形成区域之前形成的端子，“顶栅极”是指在形成晶体管时在形成沟道形成区域之后形成的端子。

另外，在本说明书等中，“电极”或“布线”这样的词语不在功能上限定其构成要素。例如，有时将“电极”用作“布线”的一部分，反之亦然。再者，“电极”或“布线”这样的词语还意味着多个“电极”及“布线”被形成为一体的情况等。

在本说明书等中，可以适当地调换“电压”和“电位”。“电压”是指与参考电位之间的电位差。例如，在参考电位为接地电位时，可以将“电压”换称为“电位”。接地电位不一定意味着0V。电位是相对的，对布线等供应的电位有时根据参考电位而变化。

在本说明书等中，根据情况或状态，可以互相调换“膜”和“层”等用语。例如，有时可以将“导电层”变换为“导电膜”。此外，有时可以将“绝缘膜”变换为“绝缘层”，或者，根据情况或状态，可以变换为不包括“膜”或“层”的用语。例如，有时可以将“导电层”或“导电膜”变换为“导电体”。此外，例如有时可以将“绝缘层”或“绝缘膜”变换为“绝缘体”。

在本说明书等中，根据情况或状态，可以互相调换“布线”、“信号线”及“电力供应线”等用语。例如，有时可以将“布线”变换为“信号线”或“电源线”。有时可以将“信号线”或“电源线”变换为“布线”。有时可以将“电源线”变换为“信号线”。有时可以将“信号线”变换为“电源线”。根据情况或状态，可以将施加到布线的“电位”变换为“信号”。反之亦然，有时可以将“信号”等变换为“电位”。

<关于用语的定义的附记>

对后面的实施方式及实施例中涉及到的用语的定义进行说明。

《半导体的杂质》

半导体的杂质例如是半导体层的主要成分之外的元素。例如，浓度低于0.1atomic％的元素是杂质。在包含杂质时，可能在半导体中形成态密度(DOS：Density ofStates)、载流子迁移率可能降低或结晶性可能降低。在半导体是氧化物半导体时，作为改变半导体的特性的杂质，例如有第一族元素、第二族元素、第十三族元素、第十四族元素、第十五族元素及半导体的主要成分之外的过渡金属等，具体而言，例如有氢(也包含在水中)、锂、钠、硅、硼、磷、碳、氮等。在半导体是氧化物半导体时，例如有时氢等杂质的混入导致氧空位的产生。此外，在半导体是硅层时，改变半导体的特性的杂质的例子包括氧、除了氢之外的第一族元素、第二族元素、第十三族元素、第十五族元素等。

《晶体管》

在本说明书中，晶体管是指包括栅极、漏极以及源极这至少三个端子的元件。晶体管在漏极(漏极端子、漏区域或漏电极)与源极(源极端子、源区域或源电极)之间具有沟道形成区域。对栅极与漏极间施加电压，从而电流能够流过源极与漏极间。

另外，在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，源极及漏极的功能有时相互调换。因此，在本说明书等中，“源极”和“漏极”可以互相调换。

《开关》

在本说明书等中，开关是指具有通过变为导通(开启)或非导通(关闭)来控制是否使电流流过的功能的元件。或者，开关具有选择并切换电流路径的功能。

开关的例子包括电开关及机械开关。换言之，被用作开关的任何元件只要可以控制电流就没有特定的元件的限定。

电开关的例子包括晶体管(例如双极晶体管或MOS晶体管)、二极管(例如PN二极管、PIN二极管、肖特基二极管、金属-绝缘体-金属(MIM)二极管、金属-绝缘体-半导体(MIS)二极管或者二极管接法的品体管)或者组合这些元件的逻辑电路。

当作为开关使用晶体管时，晶体管的“开启状态”是指晶体管的源电极与漏电极在电性上短路的状态。另外，晶体管的“关闭状态”是指晶体管的源电极与漏电极在电性上断开的状态。当仅将晶体管用作开关时，对晶体管的极性(导电型)没有特别的限制。

机械开关的一个例子是像数字微镜装置(DMD)那样的利用微电子机械系统(MEMS)技术的开关。该开关具有以机械方式可动的电极，并且通过移动该电极来控制导通和非导通而进行工作。

《连接》

注意，在本说明书等中，当记载为“X与Y连接”时，包括如下情况：X与Y电连接的情况；X与Y在功能上连接的情况；以及X与Y直接连接的情况。因此，不局限于特定的连接关系，还包括附图或文中所示的连接关系以外的连接关系。

在此，X和Y等各自表示对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜和层等)。

在X和Y电连接的情况下，可以在X和Y之间连接一个以上的能够电连接X和Y的元件(例如开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、显示元件、发光元件、负载等)。另外，开关被控制为开启和关闭。换言之，开关处于导通状态或非导通状态(开启或关闭)来决定是否使电流流过。

例如，在X和Y在功能上连接的情况下，可以在X和Y之间连接一个以上的能够在功能上连接X和Y的电路(例如，逻辑电路诸如反相器、NAND电路、NOR电路等；信号转换电路诸如DA转换电路、AD转换电路、伽马校正电路等；电源电路等电位电平转换电路(例如，升压电路或降压电路)；用来改变信号的电位电平的电平转换电路等；电压源；电流源；切换电路；放大电路诸如能够增大信号振幅或电流量等的电路、运算放大器、差动放大电路、源极跟随电路、缓冲器电路等；信号产生电路；存储电路；和/或控制电路等)。例如，即使在X与Y之间夹有其他电路，当从X输出的信号传送到Y时，也可以说X与Y在功能上是连接着的。

此外，当明确地记载为X与Y电连接时，包括如下情况：X与Y电连接的情况(换言之，以中间夹有其他元件或其他电路的方式连接X与Y的情况)；X与Y在功能上连接的情况(换言之，以中间夹有其他电路的方式在功能上连接X与Y的情况)；以及X与Y直接连接的情况(换言之，以中间不夹有其他元件或其他电路的方式连接X与Y的情况)。换言之，明确记载有“X与Y电连接”与明确简单地记载有“X与Y连接”相同。

例如，下面的表达可以被用于如下情况：在晶体管的源极(或第一端子等)通过Z1(或没有通过Z1)与X电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)通过Z2(或没有通过Z2)与Y电连接的情况；或者在晶体管的源极(或第一端子等)与Z1的一部分直接连接，Z1的另一部分与X直接连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与Z2的一部分直接连接，Z2的另一部分与Y直接连接的情况。

例如，该表达包括“X、Y、晶体管的源极(或第一端子等)及晶体管的漏极(或第二端子等)互相电连接，并按X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)及Y的顺序电连接”、“晶体管的源极(或第一端子等)与X电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与Y电连接，并以X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)、Y的顺序依次电连接”以及“X通过晶体管的源极(或第一端子等)及晶体管的漏极(或第二端子等)与Y电连接，X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)、Y依次设置为相互连接”。在使用与这种例子相同的表达方法规定电路配置中的连接顺序时，可以区别晶体管的源极(或第一端子等)与晶体管的漏极(或第二端子等)而决定技术范围。注意，这些表达方法只是例子而已，不局限于上述表达方法。在此，X、Y、Z1及Z2为对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜或层等)。

即使在电路图上独立的构成要素彼此电连接，也有时一个构成要素具有多个构成要素的功能。例如，在布线的一部分被用作电极时，一个导电膜被用作布线和电极。因此，本说明书中的“电连接”的范畴内包括这种一个导电膜具有多个构成要素的功能的情况。

《平行及垂直》

在本说明书中，“平行”表示两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下。因此也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。“大致平行”表示两条直线形成的角度为-30°以上且30°以下。“垂直”表示两条直线形成的角度为80°以上且100°以下。因此也包括该角度为85°以上且95°以下的状态。“大致垂直”表示两条直线形成的角度为60°以上且120°以下。

(实施方式1)

在本实施方式中，说明本发明的一个实施方式所公开的显示装置。

<结构例子>

图1A、图1B及图1C分别示出本发明的一个实施方式的显示装置所包括的显示单元、驱动电路单元及支撑单元。图1A所示的显示单元80包括发光部81、连接区域82及支撑体83。图1B所示的驱动电路单元90包括驱动电路部91、连接区域92及支撑体93。图1C所示的支撑单元70包括连接区域72及支撑体73。

显示单元80的发光部81包括发光元件及像素电路。发光元件的例子包括透过型液晶元件、有机EL元件、无机EL元件、氮化物半导体发光二极管。可以使用反射型液晶元件或电泳元件等代替发光元件。像素电路是用来使发光元件发光的电路。与该电路电连接的端子包括在连接区域82中。

此外，发光部81也可以是包括多个发光元件的像素。例如，多个发光元件也可以发射红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的三种颜色的光或者红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)、白色(W)的四种颜色的光。此外，多个发光元件也可以根据需要组合地发射红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)、白色(W)、青色(C)、黄色(Y)及品红色(M)等中的几种光。显示单元80的发光部81不需要是包括多个发光元件的像素，而例如可以是包括发射上述颜色中的任一个的光的发光元件的子像素。

驱动电路单元90的驱动电路部91具有驱动显示单元80所包括的像素电路来使发光元件发光的功能。可以将源极驱动器电路或栅极驱动器电路等用于驱动电路部91。与驱动电路部91电连接的端子包括在连接区域92中。

连接区域72、连接区域82、连接区域92设置为使各自电连接到其他单元。注意，后面说明各单元的彼此连接方法。

图1D1示出本发明的一个实施方式的显示装置。显示装置100在功能上分为显示区域101、驱动区域102A及驱动区域102B。

显示区域101包括多个显示单元80。驱动区域102A包括多个驱动电路单元90。驱动区域102B包括与驱动区域102A中的驱动电路单元90不同的多个驱动电路单元90。显示装置100也包括支撑单元70。在图1D1及图1D2中，支撑单元70不包括在显示区域101、驱动区域102A及驱动区域102B中。

单元由穿过单元的连接区域的轴60连接。因此，单元包括用于连接区域中的轴的开口。例如，在区域105a中，一个轴60穿过四个显示单元80的连接区域82，从而四个显示单元80彼此连接。作为其他例子，在区域105b中，一个轴60穿过两个显示单元80的连接区域82和两个驱动电路单元90的连接区域92，从而两个显示单元80和两个驱动电路单元90彼此连接。注意，轴60是用来使单元彼此电连接的结构体，在后面说明轴60的详细内容。

如上所述，可以将源极驱动器电路或栅极驱动器电路等应用于驱动电路单元90所包括的驱动电路部91。因此，驱动区域102A所包括的多个驱动电路单元90可以通过利用轴60彼此电连接来构成源极驱动器电路和栅极驱动器电路中的一个。另外，驱动区域102B所包括的多个驱动电路单元90可以通过由轴60彼此电连接构成源极驱动器电路和栅极驱动器电路中的另一个。

支撑单元70具有维持显示装置100的结构的功能。在图1D1中，支撑单元70的连接区域72的一个与驱动区域102A中的驱动电路单元90的连接区域92由轴60连接，并且支撑单元70的连接区域72的另一个与驱动区域102B的驱动电路单元90的连接区域92由轴60连接。另外，支撑单元70也可以设置有布线、电路或元件等。在此情况下，支撑单元70的连接区域72与驱动电路单元90的连接区域92由轴60电连接。在显示装置100不需要支撑单元70时，可以在显示装置100的构成要素中省略支撑单元70。

另外，显示单元、驱动电路单元和支撑单元都可以在连接区域中绕轴60旋转。例如，虽然在图1D1的显示装置100中虚线X1-X2和虚线X1-X3之间的角度θ为45°，但是如图1D2所示，也可以将单元旋转为使角度θ为30°来改变显示装置100的形状。此时，图1D1中的显示装置100在x方向上伸展约1.2倍，且在y方向上伸展约0.71倍，而具有图1D2的形状。也就是说，通过改变角度θ，可以改变显示装置100的纵横比。在尽量伸展显示装置100时，将显示装置100构成为使单元在大约10°至80°的角度θ的范围内可动。根据显示单元80的形状，角度θ的范围比上述10°至80°的范围窄或宽。

注意，由于显示装置100的结构而驱动区域102A及驱动区域102B所包括的多个驱动电路单元90中的一部分与显示区域101所包括的显示单元80中的一部分平行。

如上所述，使用多个显示单元80、多个驱动电路单元90、支撑单元70形成的图1D1中的显示装置100可以为可伸展的显示装置。

<构成方法>

接着，说明用来形成图1D1中的显示装置100的各单元的连接方法。

图2A至图2C示出各单元彼此连接方法的例子。在本例子中只说明显示单元80，但是根据情况或状况、或者根据需要，驱动电路单元或支撑单元也可以取代于显示单元。

[步骤1]

图2A示出组合四个显示单元80(显示单元80a、显示单元80b、显示单元80c、显示单元80d)的显示单元群85。显示单元80a包括显示单元80a的两个连接区域82中的一个重叠于显示单元80b的两个连接区域82中的一个的区域以及显示单元80a的两个连接区域82中的另一个重叠于显示单元80c的两个连接区域82中的一个的区域。显示单元80d包括显示单元80d的两个连接区域82中的一个重叠于显示单元80b的两个连接区域82中的另一个的区域以及显示单元80d的两个连接区域82中的另一个重叠于显示单元80c的两个连接区域82中的另一个的区域。另外，在图2A至图2C中的显示单元群85中，显示单元80a及显示单元80d设置于下侧，而显示单元80b及显示单元80c设置于上侧。

[步骤2]

接着，将四个显示单元群85设置为使四个显示单元群85的连接区域82重叠于图2A中的显示单元群85的连接区域82(参照图2B)。然后，在重叠的连接区域82中设置轴60来使四个显示单元彼此连接。为了避免复杂说明，以与图2B中的其他显示单元群85不同的阴影线表示图2A中的显示单元群85。

[步骤3]

然后，另四个显示单元群85设置在图2B中的连接区域82a、连接区域82b、连接区域82c、连接区域82d、连接区域82e、连接区域82f、连接区域82g及连接区域82h之下并由轴60与该连接区域电连接。具体而言，四个显示单元群85中之一个设置在连接区域82a及连接区域82b之下并由轴60a及轴60b与它们电连接，剩下三个显示单元群85中之一个设置在连接区域82c及连接区域82d之下并由轴60c及轴60d与它们电连接，剩下两个显示单元群85中之一个设置在连接区域82e及连接区域82f之下并由轴60e及轴60f与它们电连接，并且剩下的显示单元群85设置在连接区域82g及连接区域82h之下并由轴60g及轴60h与它们电连接(参照图2C)。注意，为了避免复杂说明，在图2C中，以与其他显示单元群85不同的阴影线表示图2A的显示单元群85及在步骤3中重新电连接到连接区域的显示单元群85。也就是说，在图2C中，不改变上侧的显示单元群85的阴影线，但是改变下侧的显示单元群85的阴影线。

如上所述，通过以其中一个位于上侧且其中另一个位于下侧的方式连接相邻的显示单元群85，可以构成显示装置。

另外，在不与显示单元群85相邻地设置显示单元群85时(例如，在图2C中的区域106中不重新设置显示单元群85时)，由穿过区域106中的连接区域82的轴61使显示单元彼此电连接。作为其他例子，当在区域106以外的区域中不与显示单元群85相邻地设置显示单元群85时，由穿过该区域中的连接区域的轴61使显示单元彼此电连接。

接着，说明通过上述方法形成的显示装置的截面。

图3A示出图2C中的区域101a。图3B是沿着图3A中的点划线A1-A2的截面图，图3C是沿着图3A的双点划线B1-B2的截面图。图3B及图3C还示出具有使显示单元80彼此连接的功能的轴60e至轴60h、轴60i、轴61。

在区域101a中，以显示单元群85B位于上侧且显示单元群85A及显示单元群85C位于下侧的方式使显示单元群85A、85B、85C彼此电连接。如图3B及图3C所示，显示单元群85B位于显示单元群85A及显示单元群85C的上面。

接着，说明轴60e至轴60i(统称为轴60)及将轴60电连接到显示单元80的方法。在此，例如，详细地说明图3B中的区域101b及轴60h。在下面的详细说明中，例如轴60e、轴60f、轴60g或轴60i可以取代于轴60h。关于轴61，参照下面的轴60h的记载。

图4A示出区域101b的详细内容。图4B是沿着图4A中的点划线C1-C2的轴60h的截面图。

显示单元群85B包括显示单元80[1]及显示单元80[2]。显示单元群85C包括显示单元80[3]及显示单元80[4]。在图4A中，显示单元80[1]包括布线86b，而显示单元80[4]包括布线86c。各布线86b分别电连接到导电体41至导电体44。各布线86c分别电连接到导电体41至导电体44。

轴60h包括导电体41至导电体44以及导电体45至导电体48。

在图4B的截面图中，导电体41位于轴60h的中心。导电体42至导电体48同心地位于导电体41周围(轴60h的中心)。

导电体41具有图5A的透视图所示的结构。导电体41包括圆盘41a、柱子41b及圆盘41c。柱子41b设置于圆盘41a及圆盘41c的中心部分。布线86b中的一个布线通过与圆盘41a的侧面接触来电连接到导电体41。布线86c中的一个通过与圆盘41c的侧面接触来电连接到导电体41。

导电体44具有图5B的透视图所示的结构。导电体44包括具有圆孔的圆盘44a、圆筒44b及具有圆孔的圆盘44c。圆盘44a的圆孔、圆盘44c的圆孔及圆筒44b的空洞具有相同尺寸。圆盘44c以圆筒44b的圆孔与圆盘44c的空洞对准的方式设置在圆筒44b的下基底。圆盘44a以圆盘44a的圆孔与圆筒44b的空洞对准的方式设置在圆筒44b的上基底。布线86b中的一个通过与圆盘44a的侧面接触来电连接到导电体44。布线86c中的一个通过与圆盘44c的侧面接触来电连接到导电体44。

关于导电体42、导电体43、导电体45至导电体48的结构，参照导电体44的记载。

在图4A中，导电体42具有使布线86b中的一个和布线86c中的一个电连接的功能。导电体43具有使布线86b中的另一个和布线86c中的另一个电连接的功能。虽然未图示，但是导电体45至导电体48具有使显示单元80[2]所包括的布线和显示单元80[3]所包括的布线电连接的功能。

当轴60所包括的导电体具有图4A和图4B以及图5A和图5B所示的结构时，各单元可以由轴60彼此电连接。

图4A及图4B示出轴60h的结构的一个例子，本发明的一个实施方式不局限于该例子。例如，除了图4A及图4B的结构之外，轴60h也可以具有图6中的结构。在图6所示的结构中，多个布线86b与导电体41至导电体44的每一个接触，并且多个布线86c与导电体41至导电体44的每一个接触。同样地，显示单元80[2]所包括的布线与导电体45至导电体48的每一个接触，且显示单元80[3]所包括的布线与导电体45至导电体48的每一个接触(图6未图示布线和导电体45至导电体48之间的接触)。注意，在轴60h的上侧导电体位于布线上，并且在轴60h的下侧布线位于导电体上。该结构可以降低显示单元所包括的布线和轴60h所包括的导电体之间的接触电阻。

此外，例如，轴60h也可以包括由橡胶等绝缘体覆盖的具有伸展性及展延性的导电体形成的代码代替导电体41至导电体48。图7A和图7B示出具有该结构的轴作为轴60A。图7A是包括该代码代替导电体41至导电体48的轴60A的透视图。图7B是沿着图7A中的面Y1-Y2的轴60A的截面图。

在图7A中，轴60A包括用来使该代码与显示单元所包括的布线(例如，布线86b及布线86c)连接的开口69b[1]、开口69b[2]、开口69c[1]、开口69c[2]。注意，显示单元的可动范围取决于圆周方向上的开口的长度，圆周方向上的开口的长度越长，显示单元的可动范围越宽。

图7B示出包括图7A中的轴60A的区域101b的结构例子。轴60A包括代码51至代码54。使用代码51至代码54代替图4A及图4B以及图6中的导电体41至导电体44。也就是说，代码51至代码54具有通过开口69b[1]及开口69c[2]使多个布线86b和多个布线86c电连接的功能。代码51至代码54具有伸展性及展延性而耐弯曲性高，因此可以承受互相连接的单元的运动。

上述连接方法可以实现图1D1中的显示装置100。

<变形例子>

本发明的一个实施方式不局限于图1D1中的显示装置100。根据情况或状况，或者根据需要，可以适当地改变显示装置100的构成要素。

例如，也可以使用其发光部比显示单元80的发光部81大的图8A中的显示单元80A代替图1A中的显示单元80。显示单元80A包括发光部81A、连接区域82及支撑体83A。显示单元80A的发光部81A具有比显示单元80的发光部81大的发光面积。随着发光部81A的发光面积的增大，显示单元80A中的支撑体83A的面积增大。

图8B示出包括显示单元80A代替图1D1中的显示装置100的显示单元80的显示装置100A。通过使用显示单元80A，可以使显示装置100A具有大发光面积。因此，显示装置100A可以具有比显示装置100小的非显示区域(发光部81以外的区域)，由此可以提高显示装置100A的发光亮度。

在此，说明尽量增大显示单元80A的支撑体83A的尺寸的情况。图8C1、图8D1、图8E示出组合四个显示单元80的显示单元群86、组合四个显示单元80A的显示单元群86A以及组合显示单元80B的显示单元群86B。在显示单元群86B中，显示单元80B的支撑体很大，以至使得相对的显示单元80B互相接触。

在本说明书等中，作为显示单元的尺寸的指标，将显示单元中的一个连接区域中的轴的中心和另一个连接区域中的轴的中心之间的距离定义为第一方向上的长度。再者，将垂直于显示单元的第一方向的方向上的显示单元的宽度定义为第二方向上的长度。

将图8C1中的显示单元80、图8D1中的显示单元80A及图8E中的显示单元80B的每一个的两个连接区域之间的距离(下面称为第一方向)称为L。将图8C1中的显示单元80、图8D1中的显示单元80A及图8E中的显示单元80B的第二方向上的长度分别称为W₁、W₂及W₃。注意，W₂比W₁长，W₃比W₁长。使显示单元80B的支撑体的尺寸尽量为大，由此W₃是由显示单元80B构成的显示单元群86B中的最大值。

在图8E中的显示单元群86B中，相对的显示单元80B互相接触，因此显示单元80B的第一方向上的长度L与显示单元80B的第二方向上的长度W₃相等。

在图8C1的显示单元80中，将一个连接区域中的轴的中心称为Z1，而将另一个连接区域中的轴的中心称为Z3。在图8C1的显示单元群86中，将Z1的对角的连接区域中的轴的中心称为Z2。同样地，在图8D1的显示单元80A中，将一个连接区域中的轴的中心称为Z1，而将另一个连接区域中的轴的中心称为Z3。在图8D1的显示单元群86A中，将Z1的对角的连接区域中的轴的中心称为Z2。同样地，在图8E的显示单元80B中，将一个连接区域中的轴的中心称为Z1，将另一个连接区域中的轴的中心称为Z3。在图8E的显示单元群86B中，将Z1的对角的连接区域中的轴的中心称为Z2。在图8C1、图8D1及图8E的每一个中，将虚线Z1-Z2和虚线Z1-Z3之间的角度称为θ。

以θ具有最小值的方式改变图8C1中的显示单元群86的形状，因此显示单元群86具有图8C2中的形状。此时，将虚线Z1-Z3和虚线Z1-Z2之间的角度称为φ₁。以θ具有最小值的方式改变图8D1中的显示单元群86A的形状，因此显示单元群86A具有图8D2中的形状。此时，将虚线Z1-Z3和虚线Z1-Z2之间的角度称为φ₂。注意，角度φ₁比角度φ₂小。

注意，在图8C2及图8D2中，为了明确地表示角度φ₁及角度φ₂，延伸虚线Z1-Z3及虚线Z1-Z2。

在增大显示单元群86中的显示单元80的第二方向上的长度W₁时，显示单元群86的形状接近于显示单元群86A的形状。也就是说，通过增大显示单元的第二方向上的长度，角度θ的范围的最小值也增大。由于相同理由，通过增大显示单元的第二方向上的长度，角度θ的范围的最大值减小。换言之，通过增大显示单元的第二方向上的长度，可以是包括显示单元的显示单元群的角度θ的范围变窄。

因为相对的显示单元80B互相接触，所以图8E中的显示单元群86B不能通过减小角度θ改变形状。

由此，在使用其发光部及支撑体比显示单元80的发光部81及支撑体83大的显示单元形成显示装置100A时，显示单元的第二方向上的长度需要比该显示单元的第一方向上的长度短。

例如，使用图9A及图9B中的多个单元代替图1A至图1C中的单元。

图9A中的区域100a包括一个支撑单元70及多个单元30。注意，并非所有单元30具有相同的长度，而单元30的一部分具有不同的长度，并且支撑单元70和多个单元30的每一个彼此平行。单元30各自包括发光部81及连接区域32。单元30的一部分包括一个或两个驱动电路部91，而其他一部分不包括驱动电路部91。

图9B中的区域100b包括多个单元31。注意，并非所有单元31具有相同的长度，而单元31的一部分具有不同的长度，并且多个单元31彼此平行。单元30各自包括驱动电路部91及连接区域32。单元31的一部分包括发光部81，而其他一部分不包括发光部81。

通过将图9B中的单元31的连接区域32与图9A中的支撑单元70及多个单元30的连接区域32重叠地设置并由轴62连接连接区域32，可以得到图9C中的显示装置100B。如图1D1中的显示装置100那样，该结构可以使显示装置100B的形状改变为图1D2中的显示装置100的形状(未图示该改变)。虽然如图3B及图3C所示地图1D1中的显示装置100包括彼此重叠的四个单元，但是显示装置100B包括彼此重叠的两个单元，因此可以容纳在薄型框体等中。

在上述说明中，将支撑单元70说明为显示装置100B的构成要素，但是显示装置100B不需要包括支撑单元70。

注意，本实施方式可以与本说明书中的其他实施方式及/或实施例适当地组合。

(实施方式2)

在本实施方式中，说明各自包括实施方式1中的显示装置100的电子设备的例子。

<应用例子1>

图10A1及图10A2各自示出设置在建筑物6001的屋顶上的告示牌6002。告示牌6002被设置在建筑物6001的屋顶上的铁骨6003支撑。

在此，说明告示牌6002包括实施方式1中的显示装置100的情况。包括显示装置100的图10A1中的告示牌6002可以将其形状改变为图10A2中的告示牌6002A的形状。由此，根据显示于告示牌的内容，可以自由地改变告示牌的纵横比。

<应用例子2>

图10B1及图10B2各自示出可以容易运送的小型数字标牌的例子。图10B1中的数字标牌6100包括显示部6101、结构体6102以及小轮6103。结构体6102具有支撑显示部6101的结构及设置有小轮6103的结构。可以通过旋转小轮6103运送数字标牌6100。

在此，说明显示部6101包括实施方式1中的显示装置100的情况。包括显示装置100的图10B1中的显示部6101可以将其形状改变为图10B2中的告示牌6101A。由此，根据显示于显示部的内容，可以自由地改变显示部的纵横比。

<应用例子3>

图11A和图11B各自示出能够安装在墙上的数字标牌的例子。图11A示出安装在墙壁6201上的数字标牌6200A。

在此，说明数字标牌6200A包括实施方式1中的显示装置100的情况。包括显示装置100的图11A中的数字标牌6200A可以将其形状改变为图11B中的数字标牌6200B的形状。由此，根据显示于数字标牌的内容，可以自由地改变数字标牌的纵横比。

注意，本实施方式可以与本说明书中的其他实施方式及/或实施例适当地组合。

(实施方式3)

在本实施方式中，说明与实施方式1中的显示装置100不同的本发明的一个实施方式的显示装置。

<结构例子>

图12A示出本发明的一个实施方式的显示装置所包括的显示单元的结构例子。显示单元250包括电路251，该电路251包括发光部252。

电路251是用来使发光部252发光的电路。通过布线(图12A未图示)输入到电路251的选择信号或数据信号等可以使发光部252发光。

作为发光部252，可以使用透过型液晶元件、有机EL元件、无机EL元件或氮化物半导体发光二极管等。可以使用反射型液晶元件、电泳元件等代替发光部252。

发光部252也可以包括多种发光元件。例如，多个发光元件也可以发射红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的三种颜色的光或者红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)、白色(W)的四种颜色的光。此外，多个发光元件也可以根据需要组合地发射红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)、白色(W)、青色(C)、黄色(Y)及品红色(M)等中的几种光。显示单元250的发光部252不需要包括多种发光元件，也可以包括一种发光元件。例如，发光部也可以发射上述颜色中的任一种。

图12A、图12B1及图12B2中的显示单元250可以取代于像素。当在本实施方式中使用像素代替显示单元250时，显示单元250、电路251及发光部252也可以分别取代于像素、像素电路及发光元件。

注意，虽然图12A、图12B1及图12B2的显示单元250具有正方形状，但是本发明的一个实施方式不局限于此。例如，显示单元250也可以具有圆形、椭圆形、具有曲线的形状或多角形等。此外，发光部252不需要具有正方形状，而也可以具有圆形、椭圆形、具有曲线的形状或多角形等。

图12B1示出本发明的一个实施方式的显示装置中的显示区域的结构例子。显示区域260A具有各自包括多个显示单元250的两层的叠层结构。在图12B1中，将两层中的上层的多个显示单元250称为显示单元250a，而将两层的下层中的多个显示单元250称为显示单元250b。为了避免复杂说明，图12B1未图示与显示单元250a及显示单元250b连接的布线。

此外，显示区域260A包括具有伸缩性及透光性的绝缘体240。在本说明书等中，具有伸缩性的材料是指能够伸缩并具有高恢复性的材料。此外，透光材料是指具有高透过率的材料。绝缘体240具有上层和下层的两层结构。绝缘体240的上层覆盖显示单元250a整体，而绝缘体240的下层覆盖显示单元250b整体。在绝缘体240中，上层和下层可以使用同一材料或不同材料形成。此外，在绝缘体240中，上层及/或下层也可以组合使用多个材料而形成。或者，绝缘体240也可以使用一种具有伸缩性及透光性的材料形成。

通过伸展具有伸缩性及透光性的绝缘体240，可以增大显示区域260A的面积。例如，通过在箭头的方向上伸展绝缘体240，可以将图12B1中的显示区域260A的形状改变为图12B2中的显示区域260B的形状。

绝缘体240例如可以使用氯乙烯、聚氨酯树脂、硅酮或橡胶形成。

在箭头方向上伸展图12B1中的显示区域260A，从而在显示区域260A的上层中相邻的显示单元250a之间的间隔增大。注意，当将只包括被用作像素的显示单元250a的显示区域260A伸展成显示区域260B时，相邻的显示单元250a之间的间隔增大，因此显示区域260B的分辨率降低。

由此，如图12B1所示，除了显示区域260A的上层的显示单元250a之外，在显示区域260A的下层还设置有多个显示单元250b。通过采用该结构，在将显示区域260A伸展成显示区域260B时，显示单元250b的发光部252呈现在显示区域260B的显示面一侧。也就是说，通过将显示区域260A伸展成显示区域260B，下层中的显示单元250b的发光区域增大，从而避免显示区域260B的显示质量的降低。另外，绝缘体240的上层和下层优选使用伸缩度不同的材料形成。通过使上层及下层所包括的材料的伸缩度最优化，当将显示区域260A伸展成显示区域260B时，显示单元250b的发光部252可以重叠于相邻的显示单元250a之间的间隔。

如图12B1所示，显示区域260A的下层中的显示单元250b的每一个优选与显示区域260A的上层中的四个显示单元250a部分重叠地设置。具有该结构的显示区域260A在将显示区域260A伸展成显示区域260B时可以以上层中的相邻的显示单元250a之间的最大间隔设置显示单元250b的每一个。

另外，显示区域260A的下层中的显示单元250b的位置不局限于图12B1的显示区域260A中的位置。例如，在将显示区域伸展在预定的方向上时，可以采用图13A1中的显示区域261A的结构。显示区域261A具有显示单元250b的每一个与上层中的两个显示单元250a的一部分重叠地设置在显示区域261A的下层中的结构。通过将该结构中的绝缘体240在箭头的方向上伸展，图13A1中的显示区域261A可以成为图13A2中的显示区域261B。

此外，例如，作为设置在显示区域的下层中的像素的每一个，也可以使用图14A中的显示单元255。显示单元255比显示单元250(显示单元250a、250b)小，并包括包含发光部257的电路256。图14B1示出包括下层中的显示单元255的显示区域。显示区域262A具有下层中的多个显示单元255与上层中的显示单元250a的一部分重叠的结构。具体而言，显示区域262A具有一种结构，其中下层中的部分显示单元255与上层中的两个相邻的显示单元250a重叠，且下层中的其他显示单元255与上层中的相邻的两行两列的四个显示单元250a重叠。通过将该结构中的绝缘体240在箭头的方向上伸展，图14B1中的显示区域262A可以成为图14B2中的显示区域262B。此外，由于使用显示单元255，显示区域262A可以在下层中包括比显示区域260A的下层多的像素。因此，使显示区域262A伸展来得到的显示区域262B的发光面积可以比使显示区域260A伸展来得到的显示区域260B的发光面积大。由此，与在显示区域260A中相比，在显示区域262A中较不容易发生因伸展而导致的分辨率的降低。

接着，说明显示区域260A(260B)所包括的多个显示单元250和引线之间的电连接的例子。

图15A示出显示区域260A(260B)中的显示单元250(250a、250b)和布线的电连接的例子。为了明确地示出显示单元250(250a、250b)和布线之间的电连接，在图15A中示出显示区域260B中的布线。

显示区域260A(260B)包括多个信号线及多个栅极线。注意，在图15A中示出信号线SLa[1]、信号线SLa[2]、信号线SLb[1]、信号线SLb[2]、栅极线GLa[1]、栅极线GLa[2]、栅极线GLb[1]及栅极线GLb[2]，并省略其他布线的附图标记。在本说明书中，将信号线SLa[1]及信号线SLa[2]统称为信号线SLa，将信号线SLb[1]及信号线SLb[2]统称为信号线SLb，将栅极线GLa[1]及栅极线GLa[2]统称为栅极线GLa，并且将栅极线GLb[1]及栅极线GLb[2]统称为栅极线GLb。图15A中的信号线SLa、信号线SLb、栅极线GLa及栅极线GLb的每一个也可以包括多个布线。例如，信号线SLa[1]及栅极线GLa[1]不由一个布线构成，而由多个布线构成。有时，被称为信号线的布线可以适当地取代于被称为栅极线的布线。

信号线SLa及栅极线GLa与显示区域260A(260B)的上层所包括的多个显示单元250a电连接。信号线SLb及栅极线GLb与显示区域260A(260B)的下层所包括的多个显示单元250b电连接。

图15B1示出图15A中的显示区域260A的截面图，而图15B2示出图15A中的显示区域260B的截面图。图15B1示出沿着图15A的显示区域260A中的点划线P1-P2及点划线P3-P4的截面图。图15B2示出沿着通过使图15A的显示区域260A伸展来得到的显示区域260B中的点划线P1-P2及点划线P3-P4的截面图。注意，沿着点划线P1-P2的截面图只示出显示区域260A(260B)的上层，而沿着点划线P3-P4的截面图只示出显示区域260A(260B)的下层。

也就是说，信号线SLa与显示单元250a电连接，因此包括在上层中，并且信号线SLb与显示单元250b电连接，因此包括在下层中。再者，信号线SLa及信号线SLb使用具有伸缩性的导电材料形成，从而可以将图15B1中的显示区域260A伸展成图15B2中的显示区域260B。当将图15B1中的显示区域260A伸展成图15B2中的显示区域260B时，相邻的显示单元250a之间的间隔增大，因此与相邻的显示单元250a之间的间隔的一部分重叠的显示单元250b的发光元件的发光面积增大。

同样地，栅极线GLa及栅极线GLb使用具有伸缩性的导电材料形成，从而使显示区域260A伸展成显示区域260B。

显示区域260A(260B)中的引导布线的方法不局限于使用图15A、图15B1及图15B2的显示区域260A(260B)说明的方法。例如，也可以将上层的多个信号线SLa中的一个和下层的多个信号线SLb中的一个组合为一个布线。图16A示出此时的显示区域的例子。在图16A的显示区域260A(260B)中，将信号线SLa[1]和信号线SLb[1]组合为一个信号线SL[1]，并将信号线SLa[2]和信号线SLb[2]组合为信号线SL[2]。注意，在图16A中没有附上符号标记而示出的信号线中，也将上层中的信号线Sla中的一个和下层中的信号线SLb中的一个组合为一个布线。在本说明书中，将图16A、图16B1及图16B2的显示区域260A(260B)中的信号线统称为信号线SL。注意，本段落中的组合的布线是指使用一个布线形成的布线或使用多个布线形成的布线。

图16B1是图16A中的显示区域260A的截面图，而图16B2是图16A中的显示区域260B的截面图。图16B1是沿着图16A的显示区域260A中的点划线Q1-Q2的截面图。图16B2是沿着图16A的通过使显示区域260A伸展来得到的显示区域260B中的点划线Q1-Q2的截面图。

在图16A中，如图16B1及图16B2所示，信号线SL使上层中的显示单元250a电连接到下层中的显示单元250b。

信号线SL使用具有伸缩性的导电材料形成，从而可以使图16B1中的显示区域260A伸展成图16B2中的显示区域260B。当图16B1中的显示区域260A伸展成图16B2中的显示区域260B时，相邻的显示单元250a之间的间隔增大，由此与相邻的显示单元250a之间的间隔的一部分重叠的显示单元250b的发光元件的发光面积增大。

同样地，栅极线GLa及栅极线GLb使用具有伸缩性的导电材料形成，由此可以使显示区域260A伸展成显示区域260B。如信号线SL那样，可以将栅极线GLa和栅极线GLb组合为一个布线(未图示)。

接着，说明用来驱动显示区域260A(260B)的驱动电路的例子。

图17A示出包括显示区域260的显示装置300。显示装置300除了显示区域260之外还包括驱动区域270及驱动区域280。在此，驱动区域270被用作用来驱动显示区域260的源极驱动器，而驱动区域280被用作用来驱动显示区域260的栅极驱动器。

作为其他例子，显示装置300也可以具有一种结构，其中驱动区域270被用作用来驱动显示区域260的栅极驱动器，而驱动区域280被用作用来驱动显示区域260的源极驱动器。

驱动区域270包括多个驱动电路单元271。多个驱动电路单元271的一部分通过信号线SLa与显示单元250a电连接，而其他部分通过信号线SLb与显示单元250b电连接。多个驱动电路单元271具有通过信号线SLa及信号线SLb将显示于显示区域260的图像的信号供应到显示区域260的功能。

多个驱动电路单元271排列地配置，且相邻的驱动电路单元271由布线272彼此电连接。另外，布线272也可以一个或两个以上。

驱动区域280包括多个驱动电路单元281。多个驱动电路单元281的一部分通过栅极线GLa与显示单元250a电连接，而其他部分通过栅极线GLb与显示单元250b电连接。多个驱动电路单元281具有通过栅极线GLa及栅极线GLb将选择信号供应到显示区域260所包括的像素的功能。

多个驱动电路单元281排列地配置，且相邻的驱动电路单元281由布线282彼此电连接。另外，布线282也可以一个或两个以上。

如信号线SLa、信号线SLb、栅极线GLa及栅极线GLb那样，布线272及布线282使用具有伸缩性的导电材料形成。因此，具有伸缩性的布线272及布线282可以增大相邻的驱动电路单元271之间的间隔和相邻的驱动电路单元281之间的间隔。因此，当伸展时，图17A中的显示装置300可以具有图17B中的形状。

虽然在图17A中，驱动区域270包括多个驱动电路单元271，但是本发明的一个实施方式不局限于此。例如，驱动区域270也可以包括一个驱动电路单元271(未图示)。同样地，在图17A中驱动区域280包括多个驱动电路单元281，但是驱动区域280也可以包括一个驱动电路单元281(未图示)。

在驱动电路单元271及/或驱动电路单元281的电路面积变大时，如显示区域260那样，驱动区域270及/或驱动区域280也可以具有两层结构。具体而言，在具有两层结构的驱动区域中，相邻的驱动电路单元部分地互相重叠。

图18A的显示装置300A中的驱动区域270A及驱动区域280A各自具有两层结构。驱动区域270A包括多个驱动电路单元271A，而驱动区域280A包括多个驱动电路单元281A。驱动区域270A的上层中的驱动电路单元271A通过信号线SLa与显示单元250a电连接，而驱动区域270A的下层中的驱动电路单元271A通过信号线SLb与显示单元250b电连接。同样地，驱动区域280A的上层中的驱动电路单元281A通过栅极线GLa与显示单元250a电连接，而驱动区域280A的下层中的驱动电路单元281A通过栅极线GLb与显示单元250b电连接。

图18B1是沿着图18A中的点划线R1-R2的截面图。如上所述，在驱动区域270A中，相邻的驱动电路单元271A部分地互相重叠。再者，相邻的驱动电路单元271A由具有伸缩性的布线272电连接。

注意，当伸展显示装置300A时，沿着点划线R1-R2的截面图从图18B1改变为图18B2。通过使用图18B1所示的具有两层结构的驱动区域270A及具有伸缩性的布线272，即使驱动电路单元271的电路面积大，也可以伸展显示装置300A。

关于驱动区域280A的伸展的说明，参照驱动区域270A的伸展的说明。

在本实施方式中说明的各结构例子可以适当地互相组合。

<制造方法例子>

接着，参照图19A至图19C、图20A和图20B、图21A和图21B、图22以及图23说明显示区域260A的制造方法的例子。

首先，在衬底311上形成绝缘体321(参照图19A)。

衬底311可以使用玻璃、石英、树脂、金属、合金、半导体等各种材料中任一形成。当衬底311使用柔性材料形成时，例如，也可以使用足够薄以使其具有柔性的上述各种材料中任一。

绝缘体321可以被用作防止包含在衬底311中的杂质扩散到在后面形成的晶体管及显示元件中的阻挡层。例如，绝缘体321优选防止在显示区域260A的制造工序的加热工序中包含在衬底311中的水分等扩散到晶体管及显示元件中。因此，绝缘体321优选具有高阻挡性。

作为绝缘体321，例如，可以使用氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜或氮化铝膜等无机绝缘膜。此外，也可以使用氧化铪膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镓膜、氧化钽膜、氧化镁膜、氧化镧膜、氧化铈膜或氧化钕膜等。另外，还可以使用包括两个以上的上述绝缘膜的叠层。特别优选的是，在衬底311上形成氮化硅膜，并在氮化硅膜上形成氧化硅膜。

因为沉积温度越高，其密度及阻挡性越高，无机绝缘膜优选以高温度形成。绝缘体321的沉积温度优选是衬底311的上限温度以下。

在绝缘体321形成在衬底311上之后，在绝缘体321上形成电路、及布线等(参照图19B)。在图19B中，在衬底311上形成晶体管401。

对显示区域260A中的晶体管的结构没有特别的限制。例如，也可以使用平面型晶体管、交错型晶体管或反交错型晶体管。另外，还可以使用顶栅晶体管或底栅晶体管。此外，也可以在沟道的上下设置有栅电极。

在此说明作为晶体管401形成包括金属氧化物350的底栅晶体管的情况。金属氧化物350可以被用作晶体管401的半导体层。注意，在此说明的金属氧化物可以被用作氧化物半导体。

在本实施方式中，氧化物半导体被用作晶体管的半导体。氧化物半导体是具有比硅宽的带隙及比硅低的载流子密度的半导体材料，因此可以减少在沟道形成区域中包括氧化物半导体的晶体管的关态电流。

晶体管401优选在比加热处理的温度低的温度下形成。

在此，说明晶体管401的具体形成方法的例子。

首先，在绝缘体321上形成导电体341。导电体341可以以如下方式形成：形成导电膜，形成抗蚀剂掩模，对导电膜进行蚀刻，且去除抗蚀剂掩模。

导电膜的沉积时的衬底温度优选是室温以上且350℃以下，更优选是室温以上且300℃以下。

显示区域260A所包括的导电体各自可以具有包含铝、钛、铬、镍、铜、钇、锆、钼、银、钽或钨等金属或者以这些金属为主要成分的合金的单层结构或叠层结构。或者，也可以使用氧化铟、铟锡氧化物(ITO)、包含钨的铟氧化物、包含钨的铟锌氧化物、包含钛的铟氧化物、包含钛的ITO、铟锌氧化物、氧化锌(ZnO)、包含镓的ZnO或者包含硅的ITO等透光性导电材料。另外，例如，也可以使用因添加杂质元素等而被低电阻化的氧化物半导体或多晶硅等半导体或者镍硅化物等硅化物。同样地，也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以使包含氧化石墨烯的膜还原形成。可以使用包含杂质元素的氧化物半导体等半导体。或者，也可以使用银、碳或铜等的导电膏或者聚噻吩等导电聚合物形成导电体。导电膏廉价，所以是优选的。导电聚合物容易涂布，所以是优选的。

然后，在导电体341及绝缘体321上形成绝缘体322。关于可用于绝缘体322的材料，可以参照可用于绝缘体321的无机绝缘膜。

接着，绝缘体322在衬底311的上限温度以下的温度下形成。绝缘体322优选在比加热处理的温度低的温度下形成。

接着，在绝缘体322上以与导电体341的一部分重叠的方式形成金属氧化物350。金属氧化物350可以以如下方式形成：形成金属氧化物膜，形成抗蚀剂掩模，对金属氧化物膜进行蚀刻，且去除抗蚀剂掩模。

形成金属氧化物膜时的衬底温度优选为350℃以下，更优选为室温以上且200℃以下，进一步优选为室温以上且130℃以下。

金属氧化物膜可以使用惰性气体和氧气体中的一个或两个形成。此外，对金属氧化物膜的形成步骤中的氧的流量比(氧分压)没有特别的限制。在得到场效应迁移率高的晶体管时，金属氧化物膜的形成步骤中的氧的流量比(氧分压)优选为0％以上且30％以下，更优选为5％以上且30％以下，进一步优选为7％以上且15％以下。

金属氧化物膜优选至少包含铟或锌。尤其优选包含铟及锌。

金属氧化物的能隙优选为2eV以上，更优选为2.5eV以上，进一步优选为3eV以上。通过使用这样的能隙宽的金属氧化物，可以减少晶体管的关态电流。

金属氧化物膜可以通过溅射法形成。或者，还可以利用PLD法、PECVD法、热CVD法、ALD法、真空蒸镀法等。

接着，在绝缘体322及金属氧化物350上形成导电体342a及导电体342b。注意，导电体342a的一部分及/或导电体342b的一部分也可以包括在与金属氧化物350重叠的区域中。导电体342a及导电体342b可以以如下方式形成：形成导电膜，形成抗蚀剂掩模，对导电膜进行蚀刻，并去除抗蚀剂掩模。

注意，在用来形成导电体342a及导电体342b的加工中，有时在没有被抗蚀剂掩模覆盖的区域中，金属氧化物350的一部分被蚀刻而被减薄。

导电膜的形成中的衬底温度优选为室温以上且350℃以下，更优选为室温以上且300℃以下。

可以以如上方式制造晶体管401。在晶体管401中，导电体341的一部分被用作栅极，绝缘体322的一部分被用作栅极绝缘层，导电体342a被用作源极和漏极中的一个，并且导电体342b被用作源极和漏极中的另一个。

在绝缘体322上形成导电体343。导电体343可以与导电体342a及导电体342b同时形成。在使用与导电体342a及导电体342b不同的材料形成导电体343时，与导电体342a及导电体342b独立地形成导电体343。导电体343被用作使显示单元、元件、电路等彼此电连接的布线。导电体343的一部分还被用作与外部进行电信号的收发的端子。

接着，形成覆盖晶体管401的绝缘体323。绝缘体323可以以与绝缘体321同样的方法形成。

优选将在包含氧的气氛下形成的氧化硅膜或氧氮化硅膜等氧化物绝缘膜用于绝缘体323。优选在氧化硅膜或氧氮化硅膜上层叠氮化硅膜等氧扩散性及氧透过性低的绝缘膜。在包含氧的气氛下形成的氧化物绝缘膜可以通过加热容易地释放出大量的氧。当对包括这种释放氧的氧化物绝缘膜及氧扩散性及氧透过性低的绝缘膜的叠层进行加热处理时，可以将氧供应给金属氧化物350。其结果是，可以填充金属氧化物350中的氧空位并修复金属氧化物350与绝缘体323的界面的缺陷，由此可以降低缺陷能级。由此，可以制造可靠性极高的显示装置。

接着，在绝缘体323上形成绝缘体324。在后面的工序中在绝缘体324上形成显示元件，因此绝缘体324优选被用作平坦化层。关于绝缘体324，参照能够用于绝缘体321的有机绝缘膜或无机绝缘膜的记载。

绝缘体324在衬底311的上限温度以下的温度下形成。绝缘体324优选在比加热处理的温度低的温度下形成。

接着，在绝缘体323及绝缘体324中形成到达导电体342b的开口361及到达导电体343的开口362(参照图19C)。

然后，在绝缘体324上及通过开口361的导电体342b上形成导电体344a。导电体344a的一部分被用作下述发光元件370的像素电极。导电体344a可以以如下方式形成：形成导电膜，形成抗蚀剂掩模，对该导电膜进行蚀刻，并去除抗蚀剂掩模。

在与形成导电体344a的同时，通过开口362在导电体343上形成导电体344b。注意，不需要形成导电体344b。

导电膜的形成中的衬底温度优选为室温以上且350℃以下，更优选为室温以上且300℃以下。

形成覆盖导电体344a的端部的绝缘体325。关于绝缘体325，参照能够用于绝缘体321的无机绝缘膜的记载。或者，绝缘体325可以使用有机绝缘膜形成。

绝缘体325在衬底311的上限温度以下的温度下形成。绝缘体325优选在比加热处理的温度低的温度下形成。

接着，在图19C的形成用衬底上形成发光元件370(参照图20A)。

作为发光元件370的形成，首先在导电体344a及绝缘体325上形成EL层371。

EL层371可以利用蒸镀法、涂敷法、印刷法、喷射法等形成。当在每个像素分别形成EL层371时，可以利用使用金属掩模等荫罩的蒸镀法或喷墨法等。当某些像素共用EL层371时，可以利用不使用金属掩模的蒸镀法。

EL层371既可以使用低分子化合物，又可以使用高分子化合物，并且也可以使用无机化合物。

注意，关于EL层371的详细内容，参照实施方式5中的EL层1103的记载。

接着，在绝缘体325及EL层371上形成导电体345。导电体345的一部分被用作发光元件370的公共电极。

导电体345可以利用蒸镀法或溅射法等形成。

导电体345在衬底311的上限温度以下且EL层371的上限温度以下的温度下形成。导电体345优选在比加热处理的温度低的温度下形成。

作为导电体345，使用透光导电体。透光导电体的例子包括金属氧化物诸如铟锡氧化物(ITO)、包含硅或氧化硅的铟锡氧化物、氧化铟-氧化锌、包含钛的氧化铟-锡氧化物、铟-钛氧化物、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟。作为导电体345，铟锡氧化物是特别优选的。

通过上述步骤，可以形成发光元件370。在发光元件370中，层叠有其一部分被用作像素电极的导电体344a、EL层371及其一部分被用作公共电极的导电体345。注意，在此，将顶部发射型发光元件用作发光元件370。

接着，以覆盖导电体345的方式形成绝缘体326。绝缘体326被用作防止水等杂质扩散至发光元件370的保护层。发光元件370被绝缘体326密封。在形成导电体345之后，优选以不暴露于大气的方式形成绝缘体326。

绝缘体326在衬底311的上限温度以下且发光元件370的上限温度以下的温度下形成。绝缘体326优选在比加热处理的温度低的温度下形成。

例如，绝缘体326优选包括能够用于绝缘体321的阻挡性高的无机绝缘膜。此外，还可以使用包括无机绝缘膜和有机绝缘膜的叠层。

绝缘体326可以通过ALD法或溅射法等形成。因为能够以低温进行成膜，所以ALD法及溅射法是优选的。ALD法是优选的，由此可以提高绝缘体326的覆盖性。

到绝缘体326为止的构成要素形成在衬底311上的结构相当于显示单元250。

下面，为了说明具有两层结构的显示区域260A的制造方法的例子，将下层中的显示单元250称为显示单元250b，将上层中的显示单元250称为显示单元250a[1]及显示单元250a[2]。

显示单元250b设置于支撑衬底301上(参照图20B)。优选使用粘合树脂层将衬底311粘合到支撑衬底301。注意，图20B未图示树脂层。支撑衬底301包括在绝缘体240中。

支撑衬底301使用具有伸缩性的材料形成。例如，支撑衬底301可以使用热固化弹性体或热塑性弹性体等形成。

接着，在导电体344b及支撑衬底301上形成导电体380(参照图21A)。导电体380相当于在结构例子中说明的信号线或栅极线等。

导电体380优选具有伸缩性。导电体380例如可以使用银、碳或铜等的导电膏或者聚噻吩等的导电高分子等。

然后，在支撑衬底301及衬底311上的显示单元250b上形成保护层390(参照图21B)。此外，保护层390包括在绝缘体240中。

作为保护层390，使用具有透光性及伸缩性的绝缘体。例如，保护层390可以使用氯乙烯或聚氨酯树脂等。此外，除了具有透光性及伸缩性的绝缘体之外，保护层390优选具有用来粘合支撑衬底301及显示单元250b的密接性。

接着，在保护层390上设置衬底302(参照图22)。衬底302使用具有透光性及伸缩性的材料形成。再者，衬底302的伸缩度和支撑衬底301的伸缩度优选彼此不同。另外，衬底302被包括在绝缘体240中。

接着，在衬底302上形成以与显示单元250b同样的方式形成的显示单元250a[1]及显示单元250a[2](参照图23)。如显示单元250b那样，显示单元250a[1]及显示单元250a[2]各自包括晶体管、发光元件及布线。

显示单元250a[1]及显示单元250a[2]优选形成在衬底302上，以使显示单元250b的发光元件370的一部分与显示单元250a[1]和显示单元250a[2]之间的间隔的一部分重叠。

在形成显示单元250a[1]及显示单元250a[2]后，与电连接到显示单元250b的导电体380同样地，作为布线形成导电体381。关于可以用于导电体381的材料，参照可以用于导电体380的材料的记载。

在形成导电体381之后，与形成在显示单元250b上的保护层390同样地，在显示单元250a[1]及显示单元250a[2]、导电体381以及衬底302上形成保护层391。另外，可以用于保护层391的材料优选具有与可以用于保护层390的材料不同的伸缩度。保护层391被包括在绝缘体240中。

在形成保护层391之后，与设置于保护层390上的衬底302同样地，在保护层391上设置衬底303。衬底303可以使用具有透光性及伸缩性的材料形成。再者，衬底303、支撑衬底301及衬底302的伸缩度优选彼此不同。另外，衬底303被包括在绝缘体240中。在显示区域260A的制造方法例子中，不需要设置衬底303。

通过上述工序，可以制造显示区域260A。

显示区域261A及显示区域262A可以通过参照上述制造方法例子来与显示区域260A同样地制造。

虽然在本制造方法例子中显示单元250形成在支撑衬底301上，但是本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法不局限于此。

例如，在形成晶体管401、发光元件370等之前，在支撑衬底301上设置衬底311。在此情况下，显示单元250所包括的绝缘体、导电体、金属氧化物等的沉积温度及对晶体管401等进行的加热处理的温度优选低于支撑衬底301及衬底311的上限温度。作为其他例子，也可以使用通过溅射法、脉冲激光沉积(PLD)法、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法、热CVD法、原子层沉积(ALD)法、真空蒸镀法等形成的绝缘体代替设置于支撑衬底301上的衬底311。在此情况下，绝缘体既可以使用与绝缘体321不同的材料形成并与绝缘体321层叠，或者该绝缘体也可以使用与绝缘体321同一材料形成并连续形成。

例如，本发明的一个实施方式也可以采用一种制造方法，其中通过作为有机膜涂敷聚酰亚胺等预先在形成于衬底311上的聚酰亚胺膜等上形成显示单元250，并且将显示单元250从聚酰亚胺膜剥离并转置到支撑衬底301。在将显示单元250转置到支撑衬底301之后，也可以形成导电体380及保护层390。除了聚酰亚胺膜等有机膜之外，有时也可以使用钨膜等无机膜。图24A示出将显示单元250设置于支撑衬底301上的工序，该显示单元250从有机膜或无机膜被剥离。有机膜或无机膜的残渣有时附着到从有机膜或无机膜剥离的显示单元250的底面上的绝缘体321。

在通过上述方法剥离显示单元250之后，也可以将显示单元250转置到柔性衬底315上并将衬底315粘合到支撑衬底301(参照图24B)。在此情况下，电路251位于衬底315上，因此衬底315优选使用伸缩性低的材料形成。由此，防止因衬底315伸展而电路251被损坏(例如，裂缝)。

通过采用该方法，显示单元250形成在设置有聚酰亚胺膜等的衬底上，因此不需要对支撑衬底301及显示单元250被转置的衬底315进行用来形成显示单元250的热处理。也就是说，对显示单元250所包括的绝缘体、导电体、金属氧化物进行的热处理的温度不局限于支撑衬底301及显示单元250被转置的衬底315的上限温度。因为支撑衬底301不受到用来形成显示单元250的热处理的影响，支撑衬底301可以使用耐热性低的材料形成。

本实施方式所示的制造方法例子可以实现一种显示装置，其中即使因伸展而显示区域的面积变大，显示质量也不降低。

注意，本实施方式可以与本说明书中的其他实施方式及/或实施例适当地组合。

(实施方式4)

在本实施方式中说明包括实施方式3中的显示装置300的电子设备的例子。

<例子1>

图25A示出包括显示装置300的电子设备。电子设备7000例如可以被用作信息终端或电子纸。电子设备7000包括显示装置300，因此，如图25A所示，可以用手指7001拉伸来使电子设备7000伸展。由于其伸缩性，可以将电子设备7000贴合到具有弯曲面的结构体等。当将作为发光装置包括显示装置300的电子设备7000贴合到具有弯曲面的结构体等时，电子设备7000可以被用作照明装置。

<例子2>

图25B是可穿戴终端之一种的智能手表。智能手表包括框体5901、显示部5902、操作按钮5903、表把5904及表带5905等。可以将显示装置300用于智能手表的显示部5902。例如，当显示部5902具有凸面时，通过将被伸展的显示装置300贴合到该凸面上，可以得到凸型显示部5902。

<例子3>

图25C示出贴合有显示装置300的衣服。衣服5801包括显示部5802等。显示装置300可以用于显示部5802。因为可以伸展显示装置300，所以可以将显示装置300贴合到具有伸缩性的衣服5801。此外，显示部5802还可以被用作照明装置。

图25C示出衣服5801的胸部贴合有显示部5802的例子，但是本发明的一个实施方式不局限于此。例如，也可以将显示部5802贴合到袖子部、肚子部、背部等。虽然图25C中的衣服5801是衬衫，但是衣服5801也可以是夹克、内衣及裤子等衣服以及鞋子、帽子及腕带等装饰等。

<例子4>

图25D示出一种汽车室内的前挡风及其周边。图25D示出显示装置300可以被用于安装在仪表盘的显示面板5701、显示面板5702、显示面板5703以及安装在立柱的显示面板5704等。

显示面板5701至5703可以显示导航信息、速度表、转速计、行驶距离、燃油表、排档指示器、空调设定等其他各种信息。用户可以适当地改变显示面板所显示的显示内容及布置等，可以提高设计性。显示面板5701至5703还可以被用作照明装置。

通过显示由设置在车体的摄像单元拍摄的影像，显示面板5704可以补充被立柱遮挡的视野(死角)。也就是说，通过显示由设置在汽车外侧的摄像单元拍摄的影像，可以补充死角，从而可以提高安全性。另外，通过显示补充驾驶者看不到的部分的影像，驾驶者可以更自然、更舒适地确认安全。显示面板5704可以被用作照明装置。

<例子5>

图26A和图26B各自示出能够安装在墙壁的数字标牌的例子。图26A示出安装在墙壁6301的数字标牌6300A。

在此，说明数字标牌6300A包括实施方式3中的显示装置300的情况。图26A中的包括显示装置300的数字标牌6300A通过伸展将其形状改变为图26B中的数字标牌6300B的形状。实施方式2的图11A及图11B中的数字标牌6200A可以在垂直方向或水平方向上伸展，并且图26A及图26B中的数字标牌6300A(6300B)的纵横比根据显示于数字标牌的内容可以自由地改变。

注意，本实施方式可以与本说明书中的其他实施方式及/或实施例适当地组合。

(实施方式5)

在本实施方式中，参照图27A至图27D说明可以用于实施方式1中的显示单元的发光元件。

<发光元件的基本结构>

将说明发光元件的基本结构。图27A示出在一对电极之间包括具有发光层的EL层的发光元件。具体地说，EL层1103设置在第一电极1101与第二电极1102之间。

图27B示出具有一种叠层结构(串联结构)的发光元件，在该结构中多个EL层(图27B中的两个EL层1103a及1103b)设置在一对电极之间，且电荷产生层104设置在EL层之间。通过使用这种串联发光元件，可以得到能够以低功耗进行低电压驱动的发光装置。

电荷产生层1104具有如下功能：在对第一电极1101及第二电极1102施加电压时，对一个EL层(1103a或1103b)注入电子并对另一个EL层(1103b或1103a)注入空穴的功能。由此，当在图27B中以使第一电极1101的电位比第二电极1102高的方式施加电压时，电子从电荷产生层1104注入到EL层1103a中，空穴注入到EL层103b中。

另外，从光提取效率的观点来看，电荷产生层1104优选具有可见光透过性(具体地说，电荷产生层1104具有40％以上的可见光透过率)。电荷产生层1104即使其电导率比第一电极1101或第二电极1102低也发挥功能。

图27C示出可以用于本发明的一个方式的显示装置中的EL层1103的叠层结构。在此情况下，第一电极1101被用作阳极。EL层1103具有在第一电极1101上依次层叠有空穴注入层1111、空穴传输层1112、发光层1113、电子传输层1114以及电子注入层1115的结构。即使如图27B所示的串联结构所示地设置多个EL层，各EL层中的层也从阳极一侧如上所述地层叠。在第一电极1101为阴极且第二电极1102为阳极的情况下，叠层顺序相反。

包括在EL层(1103、1103a及1103b)中的发光层1113包含适当地组合的发光物质和多个物质，从而能够获得所希望的发光颜色的荧光及磷光的结构。发光层1113也可以具有发光颜色不同的叠层结构。在此情况下，用于层叠的各发光层的发光物质或其他物质可以互不相同。另外，图27B中的多个EL层(1103a及1103b)也可以呈现分别的发光颜色。在此情况下，各发光层的发光物质和其他物质互不相同。

在本发明的一个方式的发光元件中，例如，在图27C中可以采用光学微腔谐振器(微腔)结构，其中第一电极1101为反射电极、第二电极1102为半透射-半反射电极，从而可以使从EL层1103中的发光层1113获得的光在上述电极之间发生谐振，且可以增强从第二电极1102获得的光。

另外，在发光元件的第一电极1101为具有反射导电材料和透光导电材料(透明导电膜)的叠层结构的反射电极的情况下，可以通过控制透明导电膜的厚度来进行光学调整。具体地说，当从发光层1113获得的光的波长为λ时，第一电极1101与第二电极1102之间距离为mλ/2(m为自然数)左右。

为了使从发光层1113获得的所希望的光(波长：λ)放大，从第一电极1101到获得发光层1113的所希望的光的区域(发光区域)的光学距离及从第二电极1102到获得发光层1113的所希望的光的区域(发光区域)的光学距离优选调整为(2m’+1)λ/4(m’为自然数)左右。在此，发光区域是指在发光层1113中空穴与电子再结合的区域。

通过进行光学调整，可以使从发光层1113获得的特定的单色光的光谱变窄，并且获得色纯度高的发光。

在此情况下，严格地说，第一电极1101和第二电极1102之间的光学距离是从第一电极1101中的反射区域到第二电极1102中的反射区域的总厚度。但是，因为难以准确地决定第一电极1101及第二电极1102中的反射区域的位置，所以假定将反射区域设定为第一电极1101及第二电极1102中的任何位置也可以充分得到上述效果。另外，严密地说，第一电极1101和发射所希望的光的发光层1113之间的光学距离是第一电极1101中的反射区域和发射所希望的光的发光层1113中的发光区域之间的光学距离。但是，因为难以准确地决定第一电极1101中的反射区域及发射所希望的光的发光层中的发光区域，所以假定将反射区域及发光区域设定于第一电极1101及发射所希望的光的发光层的任何位置也可以充分得到上述效果。

图27C中的发光元件具有微腔结构，因此即使使用相同的EL层也可以提取不同波长的光(单色光)。由此，为了获得不同的发光颜色不需要分别涂布(例如，R、G、B)。由此，容易实现高分辨率。另外，可以与着色层(滤色片)组合。并且，可以增加具有特定波长的正面方向上的发光强度，从而可以减少功耗。

在本发明的一个方式的发光元件中，第一电极1101和第二电极1102中的至少一个为透光电极(例如，透明电极或半透射-半反射电极)。在透光电极为透明电极的情况下，透明电极的可见光的透过率为40％以上。在透光电极为半透射-半反射电极的情况下，半透射-半反射电极的可见光的反射率为20％以上且80％以下，优选为40％以上且70％以下。这些电极的电阻率优选为1×10^-2Ωcm以下。

另外，在上述本发明的一个方式的发光元件中，在第一电极1101和第二电极1102中的一个为反射电极的情况下，反射电极的可见光反射率为40％以上且100％以下，优选为70％以上且100％以下。该电极的电阻率优选为1×10^-2Ωcm以下。

<发光元件的具体结构及制造方法>

将对本发明的一个方式的发光元件的具体结构及制造方法进行说明。在此，参照图27D说明具有图27B所示的串联结构及微腔结构的发光元件。在图27D所示的发光元件中，作为第一电极1101形成反射电极，作为第二电极1102形成半透射-半反射电极。由此，单层结构或叠层结构可以使用一种以上的所希望的电极材料形成。另外，第二电极1102在形成EL层1103b之后，使用如上所述地选择的材料而形成。作为上述电极的制造，可以利用溅射法或真空蒸镀法。

《第一电极及第二电极》

作为用于第一电极1101及第二电极1102的材料，如果可以满足上述电极的功能则可以适当地组合下述任何材料。例如，可以适当地使用金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。具体而言，可以举出In-Sn氧化物(也称为ITO)、In-Si-Sn氧化物(也称为ITSO)、In-Zn氧化物或In-W-Zn氧化物等。此外，还可以使用铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、镓(Ga)、锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、钯(Pd)、金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、钇(Y)、钕(Nd)等金属或包含适当地组合的上述任何金属的合金。另外，还可以使用属于元素周期表中第1族或第2族的元素(例如，锂(Li)、铯(Cs)、钙(Ca)、锶(Sr))、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属、包含适当地组合的上述任何元素的合金以及石墨烯等。

在图27D所示的发光元件中，第一电极1101为阳极的情况下，通过真空蒸镀法在第一电极1101上依次层叠EL层1103a的空穴注入层1111a及空穴传输层1112a。在形成EL层1103a及电荷产生层1104之后，与上述同样，在电荷产生层1104上依次层叠EL层1103b的空穴注入层1111b及空穴传输层1112b。

《空穴注入层及空穴传输层》

空穴注入层(1111a、1111b)将空穴从阳极的第一电极1101注入到EL层(1103a、1103b)，并包含空穴注入性高的材料。

作为空穴注入性高的材料的例子，可以举出过渡金属氧化物如钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物。此外，可以使用如下任何材料：酞菁类化合物如酞菁(简称：H₂Pc)、铜酞菁(简称：CuPc)；芳香胺化合物如4，4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N，N’-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N，N’-二苯基-(1，1’-联苯)-4，4’-二胺(简称：DNTPD)；及高分子如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(简称：PEDOT/PSS)。

或者，作为空穴注入性高的材料，也可以使用包含空穴传输性材料及受体材料(电子受体材料)的复合材料。在此情况下，由受体材料从空穴传输性材料抽出电子而在空穴注入层(1111a、1111b)中产生空穴，空穴通过空穴传输层(1112a、1112b)注入到发光层(1113a、1113b)中。另外，空穴注入层(1111a、1111b)各自也可以形成为采用具有包含空穴传输性材料及受体材料(电子受体材料)的复合材料的单层结构或采用包括包含空穴传输性材料的层及包含受体材料(电子受体材料)的层的叠层结构。

空穴传输层(1112a、1112b)传输空穴，该空穴从第一电极1101经过空穴注入层(1111a、1111b)注入到发光层(1113a、1113b)中。另外，空穴传输层(1112a、1112b)各自包含空穴传输性材料。包括在空穴传输层(1112a、1112b)中的空穴传输性材料的HOMO能级特别优选与空穴注入层(1111a、1111b)的HOMO能级相同或相近。

用于空穴注入层(1111a、1111b)的受体材料的例子包括属于元素周期表中的第4族至第8族的金属的氧化物。具体地说，可以举出氧化钼、氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钨、氧化锰、氧化铼。其中特别优选使用氧化钼，因为其在大气中也稳定，具有低吸湿性，并容易处理。此外，可以使用醌二甲烷衍生物、四氯苯醌衍生物、六氮杂三亚苯衍生物等有机受体。具体地说，可以使用7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：F₄-TCNQ)、氯醌、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂三亚苯(简称：HAT-CN)等。

用于空穴注入层(1111a、1111b)及空穴传输层(1112a、1112b)的空穴传输性材料优选为具有10^-6cm²/Vs以上的空穴迁移率的物质。另外，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，可以使用其他物质。

优选的空穴传输性材料是富π电子型杂芳族化合物(例如，咔唑衍生物及吲哚衍生物)或芳香胺化合物，其例子包括：4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB或α-NPD)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(简称：TPD)、4，4’-双[N-(螺-9，9’-联芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBA1BP)、3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPPn)、N-(4-联苯)-N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9-苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：PCBiF)、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9II-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9II-芴-2-胺(简称：PCBBiF)、4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔卡唑-3-基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、9，9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9’-联芴-2-胺(简称：PCBASF)、4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(简称：TCTA)、4，4’，4”-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(简称：TDATA)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(简称：MTDATA)等具有芳香胺骨架的化合物；1，3-双(N-咔唑基)苯(简称：mCP)、4，4’-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、3，6-双(3，5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：CzTP)、3，3’-双(9-苯基-9H-咔唑)(简称：PCCP)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA1)、3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCN1)、1，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(简称：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)等具有咔唑骨架的化合物；4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)、2，8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：DBTFLP-IV)等具有噻吩骨架的化合物；4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmDBFFLBi-II)等具有呋喃骨架的化合物。

再者，还可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：PTPDMA)、聚[N，N’-双(4-丁基苯基)-N，N’-双(苯基)联苯胺](简称：Poly-TPD)等高分子化合物。

注意，当用于空穴注入层(1111a、1111b)及空穴传输层(1112a、1112b)时，空穴传输性材料不局限于上述例子而可以是已知的各种各样材料中的一种或其组合。

接着，在图27D所示的发光元件中，通过真空蒸镀法在EL层1103a中的空穴传输层1112a上形成发光层1113a。另外，在形成EL层1103a及电荷产生层1104之后，通过真空蒸镀法在EL层1103b的空穴传输层1112b上形成发光层1113b。

《发光层》

发光层(1113a、1113b)各自包含发光物质。另外，作为发光物质，适当地使用其发光颜色是蓝色、紫色、蓝紫色、绿色、黄绿色、黄色、橙色、红色等的物质。当使用不同的发光物质形成多个发光层(1113a、1113b)时，可以呈现不同的发光颜色(例如，可以组合处于补色关系的发光颜色获得白色发光)。再者，也可以采用一个发光层包含两种以上发光物质的叠层结构。

发光层(1113a、1113b)除了发光物质(客体材料)以外各自还可以包含一种以上的有机化合物(主体材料、辅助材料)。作为一种以上的有机化合物，可以使用在本实施方式中进行说明的空穴传输性材料和电子传输性材料中的一方或双方。

对可用于发光层(1113a、1113b)的发光物质没有特别的限制，可以使用将单重激发能量转换为可见光区域的光的发光物质或将三重激发能量转换为可见光区域的光的发光物质。下面，可以举出该发光物质的例子。

作为将单重激发能量转换成发光的发光物质，可以举出发射荧光的物质(荧光材料)。发射荧光的物质的例子包括芘衍生物、蒽衍生物、三亚苯衍生物、芴衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物、萘衍生物。因为芘衍生物的发光量子产率高，所以是尤其优选的。芘衍生物的具体例子包括N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-双[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mMemFLPAPrn)、N，N’-二苯基-N，N’-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6FLPAPrn)、N，N’-双(二苯并呋喃-2-基)-N，N’-二苯基芘-1，6-二胺(简称：1，6FrAPrn)、N，N’-双(二苯并噻吩-2-基)-N，N’-二苯基芘-1，6-二胺(简称：1，6ThAPrn)、N，N’-(芘-1，6-二基)双[(N-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃)-6-胺](简称：1，6BnfAPrn)、N，N’-(芘-1，6-二基)双[(N-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃)-8-胺](简称：1，6BnfAPrn-02)、N，N’-(芘-1，6-二基)双[(6，N-二苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃)-8-胺](简称：1，6BnfAPrn-03)。

此外，可以使用5，6-双[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2，2’-联吡啶(简称：PAP2BPy)、5，6-双[4’-(10-苯基-9-蒽基)联苯-4-基]-2，2’-联吡啶(简称：PAPP2BPy)、N，N’-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N’-二苯基芪-4，4’-二胺(简称：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称：2YGAPPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPA)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBAPA)、4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBAPBA)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯(简称：TBP)、N，N”-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亚苯基)双[N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺](简称：DPABPA)、N，9-二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9II-咔唑-3-胺(简称：2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPPA)等。

作为将三重激发能量转换成发光的发光物质的例子，可以举出发射磷光的物质(磷光材料)或呈现热活化延迟荧光的热活化延迟荧光(TADF)材料。

磷光材料的例子包括有机金属配合物、金属配合物(铂配合物)、稀土金属配合物。这种物质根据每个物质呈现不同的发光颜色(发光峰值)，因此根据需要适当地选择其中任一。

作为发射蓝色光或绿色光且其发射光谱的峰值波长为450nm以上且570nm以下的磷光材料，可以举出如下物质。

例如，可以举出三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2，6-二甲基苯基)-4H-1，2，4-三唑-3-基-κN2]苯基-κC}铱(III)(简称：[Ir(mpptz-dmp)₃])、三(5-甲基-3，4-二苯基-4H-1，2，4-三唑(triazolato))铱(III)(简称：[Ir(Mptz)₃])、三[4-(3-联苯)-5-异丙基-3-苯基-4H-1，2，4-三唑]铱(III)(简称：[Ir(iPrptz-3b)₃])、三[3-(5-联苯)-5-异丙基-4-苯基-4H-1，2，4-三唑]铱(III)(简称：[Ir(iPr5btz)₃])等具有4H-三唑骨架的有机金属配合物；三[3-甲基-1-(2-甲基苯基)-5-苯基-1H-1，2，4-三唑]铱(III)(简称：[Ir(Mptz1-mp)₃])、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1H-1，2，4-三唑)铱(III)(简称：[Ir(Prptz1-Me)₃])等具有1H-三唑骨架的有机金属配合物；fac-三[1-(2，6-二异丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑]铱(III)(简称：[Ir(iPrpmi)₃])、三[3-(2，6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1，2-f]菲啶根(phenanthridinato)]铱(III)(简称：[Ir(dmpimpt-Me)₃])等具有咪唑骨架的有机金属配合物；以及双[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶根-N，C^2’]铱(III)四(1-吡唑基)硼酸盐(简称：FIr6)、双[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶根-N，C^2’]铱(III)吡啶甲酸盐(简称：FIrpic)、双{2-[3’，5’-双(三氟甲基)苯基]吡啶根-N，C^2’}铱(III)吡啶甲酸盐(简称：[Ir(CF₃ppy)₂(pic)])、双[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶根-N，C^2’]铱(III)乙酰丙酮(简称：FIr(acac))等以具有吸电子基团的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属配合物等。

作为发射绿色光或黄色光且其发射光谱的峰值波长为495nm以上且590nm以下的磷光材料的例子，可以举出如下物质。

例如，可以举出三(4-甲基-6-苯基嘧啶)铱(III)(简称：[Ir(mppm)₃])、三(4-叔丁基-6-苯基嘧啶)铱(III)(简称：[Ir(tBuppm)₃])、(乙酰丙酮根)双(6-甲基-4-苯基嘧啶)铱(III)(简称：[Ir(mppm)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双(6-叔丁基-4-苯基嘧啶)铱(III)(简称：[Ir(tBuppm)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双[6-(2-降莰基)-4-苯基嘧啶]铱(III)(简称：[Ir(nbppm)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶]铱(III)(简称：[Ir(mpmppm)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双{4，6-二甲基-2-[6-(2，6-二甲基苯基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}铱(III)(简称：[Ir(dmppm-dmp)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双(4，6-二苯基嘧啶)铱(III)(简称：[Ir(dppm)₂(acac)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(3，5-二甲基-2-苯基吡嗪)铱(III)(简称：[Ir(mppr-Me)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双(5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪)铱(III)(简称：[Ir(mppr-iPr)₂(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(2-苯基吡啶根-N，C^2’)铱(III)(简称：[Ir(ppy)₃])、双(2-苯基吡啶根-N，C^2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(ppy)₂(acac)])、双(苯并[h]喹啉)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(bzq)₂(acac)])、三(苯并[h]喹啉)铱(III)(简称：[Ir(bzq)₃])、三(2-苯基喹啉-N，C^2′)铱(III)(简称：[Ir(pq)₃])、双(2-苯基喹啉-N，C^2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(pq)₂(acac)])等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；双(2，4-二苯基-1，3-噁唑-N，C^2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(dpo)₂(acac)])、双{2-[4’-(全氟苯基)苯基]吡啶-N，C^2’}铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(p-PF-ph)₂(acac)])、双(2-苯基苯并噻唑-N，C^2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(bt)₂(acac)])等有机金属配合物；三(乙酰丙酮根)(单菲罗啉)铽(III)(简称：[Tb(acac)₃(Phen)])等稀土金属配合物。

作为发射黄色光或红色光且其发射光谱的峰值波长为570nm以上且750nm以下的磷光材料的例子，可以举出如下物质。

例如，可以举出(二异丁酰甲烷根)双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根]铱(III)(简称：[Ir(5mdppm)₂(dibm)])、双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根](二新戊酰甲烷)铱(III)(简称：[Ir(5mdppm)₂(dpm)])、双[4，6-二(萘-1-基)嘧啶根](二新戊酰甲烷)铱(III)(简称：[Ir(d1npm)₂(dpm)])等具有嘧啶骨架的有机金属配合物；(乙酰丙酮)双(2，3，5-三苯基吡嗪)铱(III)(简称：[Ir(tppr)₂(acac)])、双(2，3，5-三苯基吡嗪)(二新戊酰甲烷)铱(III)(简称：[Ir(tppr)₂(dpm)])、双{4，6-二甲基-2-[3-(3，5-二甲基苯基)-5-苯基-2-吡嗪基-κN]苯基-κC}(2，6-二甲基-3，5-庚二酮-κ²O，O’)铱(III)(简称：[Ir(dmdppr-P)₂(dibm)])、双{4，6-二甲基-2-[5-(4-氰基-2，6-二甲基苯基)-3-(3，5-二甲基苯基)-2-吡嗪基-κN]苯基-κC}(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮-κ²O，O’)铱(III)(简称：[Ir(dmdppr-dmCP)₂(dpm)])、(乙酰丙酮)双[2-甲基-3-苯基喹喔啉合(phenylquinoxalinato)]-N，C^2’]铱(III)(简称：[Ir(mpq)₂(acac)])、(乙酰丙酮)双(2，3-二苯基喹喔啉合(diphenylquinoxalinato)-N，C^2’]铱(III)(简称：[Ir(dpq)₂(acac)])、(乙酰丙酮)双[2，3-双(4-氟苯基)喹喔啉合(quinoxalinato)]铱(III)(简称：[Ir(Fdpq)₂(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属配合物；三(1-苯基异喹啉-N，C^2’)铱(III)(简称：[Ir(piq)₃])、双(1-苯基异喹啉-N，C^2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(piq)₂(acac)])等具有吡啶骨架的有机金属配合物；2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉铂(II)(简称：[PtOEP])等铂配合物；以及三(1，3-二苯基-1，3-丙二酮(propanedionato))(单菲罗啉)铕(III)(简称：[Eu(DBM)₃(Phen)])、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](单菲罗啉)铕(III)(简称：[Eu(TTA)₃(Phen)])等稀土金属配合物。

作为用于发光层(1113a、1113b)的有机化合物(主体材料、辅助材料)，使用选择一种以上的其能隙比发光物质(客体材料)大的物质。

当发光物质是荧光材料时，优选使用单重激发态的能级大且三重激发态的能级小的有机化合物。例如，优选使用蒽衍生物或并四苯衍生物。具体例子包括9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：PCzPA)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPN)、9-[4-(10-苯基-9-蒽)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7H-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgDBCzPA)、6-[3-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃(简称：2mBnfPPA)、9-苯基-10-{4-(9-苯基-9H-芴-9-基)联苯-4’-基}蒽(简称：FLPPA)、5，12-二苯基并四苯、5，12-双(联苯-2-基)并四苯。

在发光物质是磷光材料的情况下，优选选择其三重态激发能量比发光物质的三重态激发能量(基态和三重激发态之间的能量差)大的有机化合物。在此情况下，可以使用锌或铝类金属配合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物、菲罗啉衍生物等杂芳族化合物或者芳香胺、咔唑衍生物等。

具体例子包括三(8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Almq₃)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(II)(简称：BeBq₂)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(III)(简称：BAlq)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(简称：Znq)、双[2-(2-苯并恶唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnBTZ)等金属配合物；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称：PBD)、1，3-双[5-(对叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(简称：TAZ)、2，2’，2”-(1，3，5-苯三基)-三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称：TPBI)、红菲绕啉(简称：BPhen)、浴铜灵(简称：BCP)、2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(简称：NBphen)、9-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CO11)等杂环化合物；NPB、TPD、BSPB等芳香胺化合物。

另外，可以使用蒽衍生物、菲衍生物、芘衍生物、

(chrysene)衍生物、二苯并[g，p]

衍生物等稠合多环芳香化合物(condensed polycyclic aromatic compound)。具体地，可以使用9，10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、N，N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：CzA1PA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：DPhPA)、YGAPA、PCAPA、N，9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPBA)、2PCAPA、6，12-二甲氧基-5，11-二苯

DBC1、9-[4-(10-苯基-9-蒽)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、3，6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：DPCzPA)、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：DPPA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、9，9’-联蒽(简称：BANT)、9，9’-(二苯乙烯-3，3’-二基)二菲(简称：DPNS)、9，9’-(二苯乙烯-4，4’-二基)二菲(简称：DPNS2)以及1，3，5-三(1-芘基)苯(简称：TPB3)等。

在将多个有机化合物用于发光层(1113a、1113b)的情况下，优选组合使用形成激基复合物的化合物和发光物质。在此情况下，可以适当地组合使用各种有机化合物，但是为了高效地形成激基复合物，特别优选组合容易接收空穴的化合物(空穴传输性材料)和容易接收电子的化合物(电子传输性材料)。作为空穴传输性材料及电子传输性材料，具体地可以使用本实施方式所示的任何材料。

TADF材料是能够利用微小的热能量将三重激发态上转换(up-convert)为单重激发态(逆系间窜越)并高效率地呈现来自单重激发态的发光(荧光)的材料。可以在如下条件下高效率地获得TADF：三重激发能级和单重激发能级之间的能量差为0eV以上且0.2eV以下，优选为0eV以上且0.1eV以下。TADF材料所呈现的延迟荧光是指其光谱与一般的荧光同样但其寿命非常长的发光。该寿命为10^-6秒以上，优选为10^-3秒以上。

TADF材料的例子可以包括富勒烯或其衍生物、普鲁黄素等吖啶衍生物、伊红。其他例子还可以包括包含镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、铂(Pt)、铟(In)或钯(Pd)等的含金属卟啉。含金属卟啉的例子包括原卟啉-氟化锡配合物(简称：SnF₂(Proto IX))、中卟啉-氟化锡配合物(简称：SnF₂(Meso IX))、血卟啉-氟化锡配合物(简称：SnF₂(Hemato IX))、粪卟啉四甲酯-氟化锡配合物(简称：SnF₂(Copro III-4Me))、八乙基卟啉-氟化锡配合物(简称：SnF₂(OEP))、初卟啉-氟化锡配合物(简称：SnF₂(Etio I))以及八乙基卟啉-氯化铂配合物(简称：PtCl₂OEP)。

另外，还可以使用2-(联苯-4-基)-4，6-双(12-苯基吲哚并[2，3-a]咔唑-11-基)-1，3，5-三嗪(简称：PIC-TRZ)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PCCzPTzn)、2-[4-(10H-吩恶嗪-10-基)苯基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PXZ-TRZ)、3-[4-(5-苯基-5，10-二氢吩嗪-10-基)苯基]-4，5-二苯基-1，2，4-三唑(简称：PPZ-3TPT)、3-(9，9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-9H-氧杂蒽-9-酮(简称：ACRXTN)、双[4-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)苯基]砜(简称：DMAC-DPS)、10-苯基-10H，10’H-螺[吖啶-9，9’-蒽]-10’-酮(简称：ACRSA)等具有富π电子型芳杂环及缺π电子型芳杂环的杂环化合物。另外，在富π电子型芳杂环和缺π电子型芳杂环直接键合的物质中，富π电子型芳杂环的供体性和缺π电子型芳杂环的受体性都提高，且单重激发态与三重激发态之间的能量差变小，所以是尤其优选的。

另外，在使用TADF材料的情况下，TADF材料可以与其他有机化合物组合。

接着，在图27D所示的发光元件中，通过真空蒸镀法在EL层1103a中的发光层1113a上形成电子传输层1114a。另外，在形成EL层1103a及电荷产生层1104之后，通过真空蒸镀法在EL层1103b中的发光层1113b上形成电子传输层1114b。

《电子传输层》

电子传输层(1114a、1114b)将从第二电极1102经过电子注入层(1115a、1115b)注入的电子传输到发光层(1113a、1113b)中。另外，电子传输层(1114a、1114b)各自包含电子传输性材料。包括在电子传输层(1114a、1114b)中的电子传输性材料优选为具有1×10^{- 6}cm²/Vs以上的电子迁移率的物质。另外，只要是电子传输性高于空穴传输性的物质，可以使用上述以外的物质。

电子传输性材料的例子包括具有喹啉配体、苯并喹啉配体、噁唑配体、噻唑配体的金属配合物；噁二唑衍生物；三唑衍生物；菲罗啉衍生物；吡啶衍生物；联吡啶衍生物。此外，也可以使用含氮杂芳族化合物等缺π电子型杂芳族化合物。

具体地说，Alq₃、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(简称：Almq₃)、双(10-羟基苯并[h]-喹啉)铍(简称：BeBq₂)、BAlq、双[2-(2-羟基苯基)-苯并恶唑]锌(II)(简称：Zn(BOX)₂)、双[2-(2-羟基苯基)-苯并噻唑]锌(简称：Zn(BTZ)₂)等金属配合物、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称：PBD)、OXD-7、3-(4’-联苯基)-4-苯基-5-(4”-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(简称：TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(简称：p-EtTAZ)、红菲咯啉(简称：BPhen)、浴铜灵(简称：BCP)、4，4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)二苯乙烯(简称：BzOs)等杂芳族化合物、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、2-[4-(3，6-二苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2CzPDBq-III)、7-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：7mDBTPDBq-II)和6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：6mDBTPDBq-II)等喹喔啉衍生物及二苯并喹喔啉衍生物。

另外，还可以使用聚(2，5-吡啶二基)(简称：PPy)、聚[(9，9-二己基芴-2，7-二基)-共-(吡啶-3，5-二基)](简称：PF-Py)、聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-共-(2，2’-联吡啶-6，6’-二基)](简称：PF-BPy)等高分子化合物。

另外，电子传输层(1114a、1114b)不局限于单层，也可以是各自包含上述任何物质中的两个以上的层。

接着，在图27D所示的发光元件中，通过真空蒸镀法在EL层1103a中的电子传输层1114a上形成电子注入层1115a。接着，形成EL层1103a及电荷产生层1104，形成到EL层1103b的电子传输层1114b为止的构成要素，然后在它们上通过真空蒸镀法形成电子注入层1115b。

《电子注入层》

电子注入层(1115a、1115b)各自包含电子注入性高的物质。电子注入层(1115a、1115b)可以使用氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF₂)及锂氧化物(LiO_x)等碱金属、碱土金属或这些金属的化合物形成。可以使用氟化铒(ErF₃)等稀土金属化合物。此外，也可以将电子盐用于电子注入层(1115a、1115b)。电子盐的例子包括对钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等。另外，也可以使用如上所述的形成电子传输层(1114a、1114b)的任何物质。

此外，也可以将混合有机化合物与电子给体(供体)而成的复合材料用于电子注入层(1115a、1115b)。这种复合材料因为通过电子给体在有机化合物中产生电子而具有优异的电子注入性和电子传输性。在此情况下，有机化合物优选是在传输所产生的电子方面性能优异的材料，具体而言，例如，可以使用用于如上所述的电子传输层(1114a、1114b)的电子传输性材料(金属配合物、杂芳族化合物等)。作为电子给体，只要是对有机化合物呈现电子供给性的物质即可。优选的例子是碱金属、碱土金属和稀土金属。具体而言，可以举出锂、铯、镁、钙、铒、镱等。另外，优选使用碱金属氧化物或碱土金属氧化物，可以举出锂氧化物、钙氧化物、钡氧化物等。此外，还可以使用氧化镁等路易斯碱。另外，也可以使用四硫富瓦烯(简称：TTF)等有机化合物。

例如，在使从发光层1113b获得的光放大的情况下，第二电极1102与发光层1113b之间的光学距离优选小于发光层1113b所发射的光的波长λ的四分之一。在此情况下，通过改变电子传输层1114b或电子注入层1115b的厚度，可以调整光学距离。

《电荷产生层》

电荷产生层1104具有如下功能：在对第一电极1101(阳极)及第二电极1102(阴极)施加电压时，对EL层1103a注入电子且对EL层1103b注入空穴的功能。电荷产生层1104既可以具有对空穴传输性材料添加有电子受体(受体)的结构，也可以具有对电子传输性材料添加有电子给体(供体)的结构。或者，也可以层叠有这两种结构。另外，通过使用上述材料形成电荷产生层1104，可以抑制在层叠EL层时的驱动电压的增大。

在电荷产生层1104具有对空穴传输性材料添加有电子受体的结构的情况下，作为空穴传输性材料可以使用本实施方式所示的任何材料。作为电子受体，可以使用7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：F₄-TCNQ)、氯醌等。另外，可以举出属于元素周期表中第4族至第8族的元素的金属的氧化物。具体地说，可以使用氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、氧化铼等。

在电荷产生层1104具有对电子传输性材料添加有电子供体的结构的情况下，作为电子传输性材料可以使用本实施方式所示的任何材料。作为电子给体，可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属或属于元素周期表中第2族及第13族的金属及它们的氧化物或碳酸盐。具体而言，优选使用锂(Li)、铯(Cs)、镁(Mg)、钙(Ca)、镱(Yb)、铟(In)、氧化锂、碳酸铯等。此外，也可以将如四硫萘并萘(tetrathianaphthacene)等有机化合物用作电子给体。

《衬底》

本实施方式中的发光元件可以形成在各种衬底上。该衬底的例子包括半导体衬底(例如，单晶衬底或硅衬底)、SOI衬底、玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底、金属衬底、不锈钢衬底、包含不锈钢箔的衬底、钨衬底、包含钨箔的衬底、柔性衬底、贴合薄膜、包含纤维状材料的纸或基材薄膜。

玻璃衬底的例子包括钡硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃等。柔性衬底、贴合薄膜、基材薄膜等的例子包括以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)为代表的塑料；聚丙烯等合成树脂；聚丙烯；聚酯；聚氟化乙烯；聚氯乙烯；聚酰胺；聚酰亚胺；芳族聚酰胺；环氧；无机蒸镀薄膜；纸类。

可以将蒸镀法等真空工序或旋涂法、喷墨法等溶液工序用于本实施方式所示的发光元件的制造。当使用蒸镀法时，可以利用溅射法、离子镀法、离子束蒸镀法、分子束蒸镀法、真空蒸镀法等物理蒸镀法(PVD法)或化学气相沉积法(CVD法)等。尤其是，可以利用蒸镀法(例如，真空蒸镀法)、涂敷法(例如，浸涂法、染料涂布法、棒式涂布法、旋涂法、喷涂法)、印刷法(例如，喷墨法、丝网印刷(孔版印刷)法、胶版印刷(平版印刷)法、柔版印刷(凸版印刷)法、照相凹版印刷法、微接触印刷法等)等形成包括在发光元件的EL层中的功能层(空穴注入层(1111a、1111b)、空穴传输层(1112a、1112b)、发光层(1113a、1113b)、电子传输层(1114a、1114b)、电子注入层(1115a、1115b))以及电荷产生层1104。

另外，本实施方式所示的包括在发光元件中的EL层(1103a、1103b)的各功能层(空穴注入层(1111a、1111b)、空穴传输层(1112a、1112b)、发光层(1113a、1113b)、电子传输层(1114a、1114b)、电子注入层(1115a、1115b))以及电荷产生层1104的材料不局限于上述材料，只要为可以满足各层的功能的材料就可以组合地使用。例如，可以使用高分子化合物(例如，低聚物、树枝状聚合物、聚合物)、中分子化合物(介于低分子与高分子之间的化合物：分子量为400至4000)、无机化合物(例如，量子点材料)等。量子点材料可以是胶状量子点材料、合金型量子点材料、核壳(core-shell)型量子点材料、核型量子点材料等。

本实施方式所示的结构可以适当地与本说明书中的其他实施方式或实施例所示的任何结构组合。

(实施方式6)

在本实施方式中，说明本发明的一个方式的发光装置。图28A所示的发光装置是在第一衬底1201上晶体管(FET)1202和发光元件(1203R、1203G、1203B、1203W)电连接的有源矩阵型发光装置。发光元件(1203R、1203G、1203B、1203W)包括共同的EL层1204，并各自采用根据各发光元件的发光颜色调整电极之间的光学距离的微腔结构。该发光装置是从EL层1204穿过形成在第二衬底1205上的滤色片(1206R、1206G、1206B)发射光的顶部发射型发光装置。

图28A所示的发光装置以将第一电极1207用作反射电极，并将第二电极1208用作半透射-半反射电极的方式制造。另外，关于用于第一电极1207及第二电极1208的电极材料，可以适当地参照其他实施方式中任一。

在图28A中，例如，在将发光元件1203R用作红色发光元件，将发光元件1203G用作绿色发光元件，将发光元件1203B用作蓝色发光元件，并将发光元件1203W用作白色发光元件的情况下，如图28B所示，将发光元件1203R中的第一电极1207与第二电极1208之间的间隔调整为光学距离1211R，将发光元件1203G中的第一电极1207与第二电极1208之间的间隔调整为光学距离1211G，并且将发光元件1203B中的第一电极1207与第二电极1208之间的间隔调整为光学距离1211B。另外，如图28B所示，可以通过将导电层1207R层叠在发光元件1203R的第一电极1207上，并将导电层1207G层叠在发光元件1203G的第一电极1207上进行光学调整。

在第二衬底1205上形成有滤色片(1206R、1206G、1206B)。滤色片透射可见光中的特定区域的波长并遮阻特定区域的波长。因此，如图28A所示，通过在与发光元件1203R重叠的位置上设置只透射红色的波长区域的滤色片1206R，可以从发光元件1203R得到红色光。另外，通过在与发光元件1203G重叠的位置上设置只透射绿色的波长区域的滤色片1206G，可以从发光元件1203G得到绿色光。另外，通过在与发光元件1203B重叠的位置上设置只透射蓝色的波长区域的滤色片1206B，可以从发光元件1203B得到蓝色光。注意，发光元件1203W可以发射白色光而不设置滤光片。另外，黑色层(黑矩阵)1209也可以设置在各滤色片的端部。滤色片(1206R、1206G、1206B)及黑色层1209也可以被使用透明材料形成的保护层覆盖。

虽然图28A中的发光装置具有在第二衬底1205一侧取出光的结构(顶部发射型结构)，但是也可以如图28C所示那样采用在形成有FET1202的第一衬底1201一侧取出光的结构(底部发射型结构)。在是底部发射型发光装置的情况下，将第一电极1207用作半透射-半反射电极，并将第二电极1208用作反射电极。作为第一衬底1201，使用至少具有透光性的衬底。如图28C所示，将滤色片(1206R’、1206G’、1206B’)设置为比发光元件(1203R、12036、1203B)更靠近第一衬底1201。

在图28A中，发光元件为红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件以及白色发光元件，但是可以用于本发明的一个方式的显示装置的发光元件不局限于上述记载，而也可以使用黄色发光元件或橙色发光元件。关于用来制造各发光元件的EL层(发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电荷产生层等)的材料，可以适当地参照任何其他实施方式中的记载。在此情况下，需要根据发光元件的发光颜色而适当地选择滤色片。

通过采用上述结构，可以制造包括呈现多个发光颜色的发光元件的发光装置。

本实施方式可以与本说明书中的其他实施方式及实施例中任一适当地组合而实施。

[实施例1]

在本实施例中，说明包括具有伸缩性的支撑衬底上的玻璃衬底的样品。

图29示意性地示出在支撑衬底501上以间隔MMT设置衬底503的样品。注意，支撑衬底501及衬底503的每一个分别相当于参照图20B在实施方式3中说明的制造方法例子中的支撑衬底301及显示单元250b。

粘合剂502位于衬底503与支撑衬底501重叠的区域中。粘合剂502被用来将衬底503粘合到支撑衬底501上。

图30A是一种样品的照片，在该样品中将硅酮橡胶薄片(由共和工业株式会社制造的KS05000)用作支撑衬底501，将Super X No.8008(由CEMEDINE株式会社制造)用作粘合剂502，并将玻璃衬底(AN100，由旭硝子株式会社制造)用作衬底503的样品的照片。衬底503的每一个在支撑衬底501上以10mm的间隔MMT加工为10mm×10mm的正方形并设置为四行三列的矩阵。

图30B是在s方向上伸展的图30A中的样品的图像。图30C是在t方向上伸展的图30A中的样品的图像。图30D是在u方向上伸展的图30A中的样品的图像。注意，图30B至图30D各自表示由实验者的手伸展10mm以上且20mm以下的样品。

如图30B至图30D所示，以不使衬底503从支撑衬底501分离的方式伸展使用上述材料形成的图30A中的样品。

另外，本实施例所示的结构可以与其他实施方式所示的任何结构适当地组合。

符号说明

SLa[1]：信号线，SLa[2]：信号线，SLb[1]：信号线，SLb[2]：信号线，SL[1]：信号线，SL[2]：信号线，GLa[1]：栅极线，GLa[2]：栅极线，GLb[1]：栅极线，GLb[2]：栅极线，30：单元，31：单元，32：连接区域，41：导电体，41a：圆盘，41b：柱子，41c：圆盘，42：导电体，43：导电体，44：导电体，44a：圆盘，44b：圆筒，44c：圆盘，45：导电体，46：导电体，47：导电体，48：导电体，51：代码，52：代码，53：代码，54：代码，60：轴，60A：轴，60a：轴，60b：轴，60c：轴，60d：轴，60e：轴，60f：轴，60g：轴，60h：轴，60i：轴，61：轴，62：轴，69b[1]：开口，69b[2]：开口，69c[1]：开口，69c[2]：开口，70：支撑单元，72：连接区域，73：支撑体，80：显示单元，80A：显示单元，80B：显示单元，80a：显示单元，80b：显示单元，80c：显示单元，80d：显示单元，81：显示部，81A：显示部，82：连接区域，82a：连接区域，82b：连接区域，82c：连接区域，82d：连接区域，82e：连接区域，82f：连接区域，82g：连接区域，82h：连接区域，83：支撑体，83A：支撑体，85：显示单元群，85A：显示单元群，85B：显示单元群，85C：显示单元群，86：显示单元群，86A：显示单元群，86B：显示单元群，80[1]：显示单元，80[2]：显示单元，80[3]：显示单元，80[4]：显示单元，86b：布线，86c：布线，90：驱动电路单元，91：驱动电路部，92：连接区域，93：支撑体，100：显示装置，100a：区域，100b：区域，100A：显示装置，100B：显示装置，101：显示区域，101a：区域，101b：区域，102A：驱动区域，102B：驱动区域，105a：区域，105b：区域，106：区域，240：绝缘体，250：显示单元，250a：显示单元，250a[1]：显示单元，250a[2]：显示单元，250b：显示单元，251：电路，252：发光部，255：显示单元，256：电路，260：显示区域，260A：显示区域，260B：显示区域，261A：显示区域，261B：显示区域，262A：显示区域，262B：显示区域，270：驱动区域，270A：驱动区域，271：驱动电路单元，272：布线，280：驱动区域，280A：驱动区域，281：驱动电路单元，282：布线，301：支撑衬底，302：衬底，303：衬底，311：衬底，315：衬底，321：绝缘体，322：绝缘体，323：绝缘体，324：绝缘体，325：绝缘体，326：绝缘体，341：导电体，342a：导电体，342b：导电体，343：导电体，344a：导电体，344b：导电体，345：导电体，350：金属氧化物，361：开口，362：开口，370：发光元件，380：导电体，381：导电体，390：保护层，391：保护层，401：晶体管，501：支撑衬底，502：粘合剂，503：衬底，1101：电极，1102：电极，1103：EL层，1103a：EL层，1103b：EL层，1104：电荷产生层，1111：空穴注入层，1111a：空穴注入层，1111b：空穴注入层，1112：空穴传输层，1112a：空穴传输层，1112b：空穴传输层，1113：发光层，1113a：发光层，1113b：发光层，1114：电子传输层，1114a：电子传输层，1114b：电子传输层，1115：电子注入层，1115a：电子注入层，1115b：电子注入层，1201：衬底，1202：FET，1203R：发光元件，1203G：发光元件，1203B：发光元件，1203W：发光元件，1204：EL层，1205：衬底，1206R：滤色片，1206R’：滤色片，1206G：滤色片，1206G’：滤色片，1206B：滤色片，1206B’：滤色片，1207：电极，1208：电极，1209：黑色层，1210R：导电层，1210G：导电层，1211R：光学距离，1211G：光学距离，1211B：光学距离，5701：显示面板，5702：显示面板，5703：显示面板，5704：显示面板，5801：衣服，5802：显示部，5901：框体，5902：显示部，5903：操作按钮，5904：表把，5905：表带，6001：建筑物，6002：告示牌，6002A：告示牌，6003：铁骨，6100：数字标牌，6101：显示部，6102：结构体，6103：小轮，6200A：数字标牌，6200B：数字标牌，6201：墙壁，6300A：数字标牌，6300B：数字标牌，6301：墙壁，7000：电子设备，7001：手指。

本申请基于2016年12月22日提交到日本专利局的日本专利申请No.2016-248914及2017年8月23日提交到日本专利局的日本专利申请No.2017-159979，通过引用将其完整内容并入在此。

Claims (18)

1.一种显示装置，包括：

多个第一单元，布置成彼此平行；以及

多个第二单元，布置成彼此平行；

其中，所述第一单元的每个第一单元包括至少一个发光部和多个连接区域，

其中，在所述第一单元的每个第一单元中，所述连接区域和所述发光部交替被布置以形成直线，

其中，所述第二单元的每个第二单元包括至少一个发光部和多个连接区域，

其中，在所述第二单元的每个第二单元中，所述连接区域和所述发光部交替被布置以形成直线，

其中，所述第二单元的所述连接区域与所述第一单元的所述连接区域重叠并电连接，使得所述第一单元与所述第二单元彼此交叉，

其中，所述第一单元和所述第二单元被配置成形成显示区域，以及

其中，所述显示装置的纵横比是可变的。

2. 根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述第一单元中的一些第一单元包括至少一个驱动电路部，并且

其中，所述第二单元的每个第二单元包括至少一个驱动电路部。

3.根据权利要求2所述的显示装置，还包括第三单元，所述第三单元包括两个连接区域和一个驱动电路部。

4. 根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述第一单元的长度彼此不同，并且

其中，所述第二单元的长度彼此不同。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光部包括发光元件。

6.一种显示装置，包括：

多个显示单元，所述多个显示单元包括第一显示单元、第二显示单元、第三显示单元、第四显示单元、第五显示单元、第六显示单元和第七显示单元，

其中，所述多个显示单元配置成形成显示区域，

其中，所述多个显示单元的每个显示单元包括：

发光部；

第一连接区域，包括开口；以及

第二连接区域，包括开口，

其中，所述第一连接区域位于所述显示单元的第一端部，以及

其中，所述第二连接区域位于所述显示单元的与所述第一端部相对的第二端部，

其中，所述第一显示单元的所述第一端部与所述第二显示单元、所述第三显示单元和所述第四显示单元重叠，

其中，所述第一显示单元的所述第二端部与所述第五显示单元、所述第六显示单元和所述第七显示单元重叠，

其中，所述第一显示单元的所述第一连接区域配置成，通过穿过所述第一连接区域的所述开口的第一轴，使所述第一显示单元电连接到所述第二显示单元、所述第三显示单元和所述第四显示单元，以及

其中，所述第一显示单元的所述第二连接区域配置成，通过穿过所述第二连接区域的所述开口的第二轴，使所述第一显示单元电连接到所述第五显示单元、所述第六显示单元和所述第七显示单元。

7. 根据权利要求6所述的显示装置，

其中，所述第一显示单元和所述第三显示单元被布置在直线上，并且

其中，所述第一显示单元和所述第二显示单元未被布置在直线上。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二显示单元和所述第四显示单元被布置在直线上。

9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一显示单元、所述第三显示单元和所述第六显示单元被布置在直线上。

10.根据权利要求7所述的显示装置，

其中，所述第一显示单元和所述第二显示单元之间的角度配置成是改变的，并且

其中，所述显示装置的纵横比可根据所述角度的改变而改变。

11.根据权利要求6所述的显示装置，还包括多个驱动单元，

其中，所述多个驱动单元的每个驱动单元包括驱动电路部和第三连接区域，

其中，所述驱动电路部配置成驱动所述显示区域，并且

其中，所述驱动单元的每个驱动单元的所述第三连接区域配置成使该驱动单元电连接到所述显示单元的任一个。

12.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述发光部包括发光元件。

13.一种显示装置，包括：

多个显示单元；和

多个轴，

其中，所述多个显示单元配置成形成显示区域，

其中，所述多个显示单元的每个显示单元包括：

发光部；以及

连接区域，包括开口，

其中，所述显示单元的第一显示单元的所述连接区域通过所述轴的第一轴而电连接到所述显示单元的第二显示单元的所述连接区域，

其中，所述轴的所述第一轴穿过所述显示单元的所述第一显示单元和所述显示单元的所述第二显示单元的所述连接区域中的所述开口，

其中，所述显示单元的所述第一显示单元和所述显示单元的所述第二显示单元的所述连接区域配置成彼此重叠，

其中，所述轴的每个轴包括导电体，

其中，所述轴的所述第一轴中的所述导电体电连接到所述显示单元的所述第一显示单元中的布线和所述显示单元的所述第二显示单元中的布线，

其中，所述显示单元的所述第一显示单元和所述显示单元的所述第二显示单元之间的角度配置成是改变的，以及

其中，所述显示装置的纵横比可根据所述角度的改变而改变。

14.根据权利要求13所述的显示装置，

其中，所述轴包括多个开口，

其中，所述导电体和所述布线通过所述轴的所述开口而连接，并且

其中，所述角度中的改变的范围取决于所述轴的所述开口的长度。

15.根据权利要求13所述的显示装置，

其中，所述导电体具有伸展性及展延性，并且

其中，所述导电体被绝缘体覆盖。

16.根据权利要求13所述的显示装置，还包括多个驱动单元，

其中，所述多个驱动单元的每个驱动单元包括驱动电路部和连接区域，

其中，所述驱动电路部配置成驱动所述显示区域，

其中，所述驱动单元的第一驱动单元的所述连接区域电连接到所述显示单元的第三显示单元的所述连接区域，以及

其中，所述驱动单元的所述第一驱动单元和所述显示单元的所述第三显示单元之间的所述电连接是通过所述多个轴的第二轴做出的。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述驱动单元的所述第一驱动单元和所述显示单元的所述第三显示单元之间的角度配置成是改变的。

18.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述发光部包括发光元件。

Images