JP7430836B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、表示装置、及び電子機器に関する。
なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
技術分野は、物、方法、又は、製造方法に関するものである。又は、本発明の一態様は、
プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）
に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術
分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、蓄電装置、撮像装置、
記憶装置、プロセッサ、電子機器、システムそれらの駆動方法、それらの製造方法、又は
それらの検査方法を一例として挙げることができる。
近年、表示装置の表示領域に用いる表示素子として、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ
）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。該発光素子の基本的な構成は、
一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。該発光素子に電圧を印加する
ことにより、発光性の物質からの発光が得られる。
特に、上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた表示装置は、視認性に優れ
バックライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作
製でき、応答速度が高いなどの利点も有する。
また、上述の発光素子を有する表示装置としては、可撓性が図れることから、可撓性を
有する基板の採用が検討されている。
可撓性を有する基板を用いた表示装置の作製方法としては、基板と半導体素子との間に
酸化物層および金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面における密着性が低いことを
利用して基板を分離した後に他の基板（例えば可撓性を有する基板）へと半導体素子を転
置する技術が開発されている（特許文献１）。
可撓性を有する基板上に形成された発光素子は、発光素子表面の保護や外部からの水分
や不純物の浸入を防ぐため、発光素子上にさらに可撓性を有する基板を設けることがある
。
また、可撓性を有する基板を用いた表示装置は、フレキシブル性を有することができる
。そのため、当該基板としては、弾性率が低い、伸張時の伸びが大きい、伸張後の復元性
が高い、などの材料を用いるのが好ましい。特許文献２には、引張応力緩和性が高く、伸
張後の復元性に優れた樹脂組成物を有するエレクトロニクス用の構造体の発明が開示され
ている。
特開２００３－１７４１５３号公報 特開２０１６－１０２６６９号公報
可撓性を有する基板上に発光素子を設けた表示装置の場合、該基板の材料によっては、
表示装置の引き伸ばしが可能な場合がある。表示装置を引き伸ばすことによって、通常の
サイズとは異なる表示装置を作製することができる場合がある。
ただし、可撓性を有する基板の伸縮には限界があり、過度に伸縮を行うと該基板にダメ
ージが生じる場合がある。また、該基板にダメージが生じなくても、該基板上に設けてい
る発光素子、回路素子、配線などに対して、ダメージが生じる場合がある。
また、可撓性を有する基板を有する表示装置に対して引き伸ばしを行うと、表示装置の
単位面積当たりの光の強さが低下する恐れがある。これは、表示装置を引き伸ばすことに
より、単位面積当たりに対する表示装置の画素数（解像度と呼ぶ場合がある。）が低くな
るからである。そのため、表示装置を引き伸ばして使用するとき、表示装置に映る画像の
品質が低下する場合がある。
本発明の一態様は、形状の変化が可能な新規な表示装置を提供することを課題の一つと
する。又は、本発明の一態様は、形状が変化しても表示品位の高い新規な表示装置を提供
することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、上述の表示装置を有する電子機
器を提供することを課題の一つとする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
（１）
本発明の一態様は、縦横比の変更が可能な表示装置であって、表示領域を有し、表示領
域は、第１ユニットと、第２ユニットを有し、第１ユニットと第２ユニットとのそれぞれ
は、発光部と、接続領域と、を有し、第１ユニットの接続領域は、第２ユニットの接続領
域に電気的に接続され、表示領域は、第１ユニットと第２ユニットとのなす角度を変更で
きる構造を有することを特徴とする表示装置である。
（２）
又は、本発明の一態様は、前記（１）において、ドライバ領域を有し、ドライバ領域は
、第３ユニットを有し、第３ユニットは、駆動回路部を有し、駆動回路部は、第１ユニッ
トの発光部及び第２ユニットの発光部を駆動する機能を有し、ドライバ領域は、第３ユニ
ットが、第１ユニット又は第２ユニットのどちらか一方と平行となる構造を有することを
特徴とする表示装置である。
（３）
又は、本発明の一態様は、前記（１）、又は前記（２）において、第１ユニットの第１
方向の長さは、第１ユニットの第２方向の長さよりも長いことを特徴とする表示装置であ
る。
（４）
又は、本発明の一態様は、縦横比の変更が可能な表示装置であって、表示領域と、ドラ
イバ領域と、を有し、表示領域は、複数の第１ユニットを有し、ドライバ領域は、複数の
第２ユニットを有し、複数の第１ユニットと複数の第２ユニットのそれぞれは、接続領域
を有し、第１ユニットの接続領域は、第２ユニットの接続領域に電気的に接続され、表示
領域は、複数の第１ユニットのそれぞれが平行となる構造を有し、ドライバ領域は、複数
の第２ユニットのそれぞれが平行となる構造を有し、第１ユニットと第２ユニットとのな
す角度を変更できる構造を有することを特徴とする表示装置である。
（５）
又は、本発明の一態様は、前記（４）において、複数の第１ユニットのそれぞれは、発
光部を有し、複数の第１ユニットのうちの一部は、駆動回路部を有し、複数の第２ユニッ
トのそれぞれは、駆動回路部を有し、複数の第２ユニットのうちの一部は、発光部を有す
ることを特徴とする表示装置である。
（６）
又は、本発明の一態様は、縦横比の変更が可能な表示装置であり、表示領域を有し、表
示領域は、第１ユニットと、第２ユニットと、を有し、第１ユニット及び第２ユニットは
、それぞれ発光部を有し、第２ユニットは、第１ユニットの第１領域と重畳し、表示領域
は、第１領域の面積を変更できる構造を有することを特徴とする表示装置である。
（７）
又は、本発明の一態様は、前記（６）において、ドライバ領域を有し、ドライバ領域は
、第３ユニットと、第４ユニットと、を有し、第３ユニットは、第１ユニットの発光部を
駆動する機能を有し、第４ユニットは、第２ユニットの発光部を駆動する機能を有し、第
４ユニットは、第３ユニットの第１領域と重畳し、ドライバ領域は、第３ユニットの第１
領域の面積を変更できる構造を有することを特徴とする表示装置である。
（８）
又は、本発明の一態様は、前記（７）において、第１絶縁体と、第２絶縁体と、を有し
、第１ユニットと、第３ユニットと、は、第１絶縁体に覆われ、第２ユニットと、第４ユ
ニットと、は、第２絶縁体に覆われ、第２絶縁体は、第１絶縁体の上方に位置し、第１絶
縁体、第２絶縁体のそれぞれは、伸縮性を有することを特徴とする表示装置である。
（９）
又は、本発明の一態様は、前記（６）において、第３ユニットと、第１絶縁体と、を有
し、第３ユニットは、第１ユニットと、第２ユニットと、のそれぞれの発光部を駆動する
機能を有し、第１ユニットと、第２ユニットと、第３ユニットと、は第１絶縁体に覆われ
、第１絶縁体は、伸縮性を有することを特徴とする表示装置である。
（１０）
前記（１）乃至（３）、前記（５）乃至（９）のいずれか一において、前記発光部は、
発光素子を有することを特徴とする表示装置。
（１１）
又は、本発明の一態様は、前記（１）乃至（１０）のいずれか一に記載の表示装置を有
する電子機器である。
本発明の一態様によって、形状の変化が可能な新規な表示装置を提供することができる
。又は、本発明の一態様によって、形状が変化しても表示品位の高い新規な表示装置を提
供することができる。又は、本発明の一態様によって、上述の表示装置を有する電子機器
を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項
などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
表示装置の一例を説明する図。 図１の表示装置の構成方法の例を説明する図。 表示装置の一部の領域の上面図と断面図。 軸の一例を示す断面図。 軸が有する導電体の一例を示す斜視図。 軸の一例を示す断面図。 軸の一例を示す斜視図と断面図。 表示装置の一例を説明する図。 表示装置の一例とその構成方法の一例を説明する図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 表示領域の一例を示す模式図。 表示領域の一例を示す模式図。 表示領域の一例を示す模式図。 表示領域の一例を示す模式図及び断面図。 表示領域の一例を示す模式図及び断面図。 表示装置の一例を示す模式図。 表示装置の一例を示す模式図及び断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 発光素子の構造について説明する図。 発光装置について説明する図。 サンプルの一例を示す断面図。 サンプルを示す写真。
（本明細書等の記載に関する付記）
初めに、下記に述べる実施の形態、実施例における各構成の説明について、以下に付記
する。
＜実施の形態、及び実施例で述べた本発明の一態様に関する付記＞
各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、実施例に示す構成と適宜組み合わせて、
本発明の一態様とすることができる。また、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示
される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせることが可能である。
なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の
形態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）と、一つ若しくは複数の別の実施の形態で
述べる内容（一部の内容でもよい）との少なくとも一つの内容に対して、適用、組み合わ
せ、又は置き換えなどを行うことができる。
なお、実施の形態、及び実施例の中で述べる内容とは、各々の実施の形態、及び実施例
において、様々な図を用いて述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内
容のことである。
なお、ある一つの実施の形態、又は実施例において述べる図（一部でもよい）は、その
図の別の部分、その実施の形態、又は実施例において述べる別の図（一部でもよい）と、
一つ若しくは複数の別の実施の形態、又は実施例において述べる図（一部でもよい）との
少なくとも一つの図に対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とができる。
＜序数詞に関する付記＞
本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同
を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また
、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一に
おいて「第１」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲にお
いて「第２」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実
施の形態の一において「第１」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許
請求の範囲において省略することもありうる。
＜図面を説明する記載に関する付記＞
実施の形態、及び実施例について図面を参照しながら説明している。但し、実施の形態
、及び実施例は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸
脱することなく、それらの形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に
理解される。従って、本発明は、実施の形態、及び実施例の記載内容に限定して解釈され
るものではない。なお、実施の形態、及び実施例の発明の構成において、同一部分又は同
様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説
明は省略する。
また、本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の
位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。構成同士の位置関係は
、各構成を描写する方向に応じて適宜変化する。そのため、配置を示す語句は、明細書で
説明した記載に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
また、「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上又は直下で、かつ、直接接
していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極Ｂ」の表現であれば
、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶縁層Ａと電極Ｂとの
間に他の構成要素を含むものを除外しない。
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、説明の便宜上任意の大きさに示
したものである。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は明確性を期
すために模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば
、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信
号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
また、図面において、斜視図などにおいて、図面の明確性を期すために、一部の構成要
素の記載を省略している場合がある。
また、図面において、同一の要素又は同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あ
るいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は
省略する場合がある。
＜言い換え可能な記載に関する付記＞
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一
方を、「ソース又はドレインの一方」（又は第１電極、又は第１端子）と表記し、ソース
とドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」（又は第２電極、又は第２端子）と
表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動
作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称につい
ては、ソース（ドレイン）端子や、ソース（ドレイン）電極等、状況に応じて適切に言い
換えることができる。また、本明細書等では、ゲート以外の２つの端子を第１端子、第２
端子と呼ぶ場合や、第３端子、第４端子と呼ぶ場合がある。また、本明細書等に記載する
トランジスタが２つ以上のゲートを有するとき（この構成をマルチゲート構造という場合
がある）、それらのゲートを第１ゲート、第２ゲートと呼ぶ場合がある。なお、ボトムゲ
ートとは、トランジスタの作製時において、チャネル形成領域よりも先に形成される端子
のことをいい、「トップゲート」とは、トランジスタの作製時において、チャネル形成領
域よりも後に形成される端子のことをいう。
また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に
限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり
、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「
配線」が一体となって形成されている場合なども含む。
また、本明細書等において、電圧と電位は、適宜言い換えることができる。電圧は、基
準となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電位（接地
電位）とすると、電圧を電位に言い換えることができる。グラウンド電位は必ずしも０Ｖ
を意味するとは限らない。なお電位は相対的なものであり、基準となる電位によっては、
配線等に与える電位を変化させる場合がある。
なお本明細書等において、「膜」、「層」などの語句は、場合によっては、又は、状況
に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導
電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁膜」という
用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、場合によって
は、又は、状況に応じて、「膜」、「層」などの語句を使わずに、別の用語に入れ替える
ことが可能である。例えば、「導電層」又は「導電膜」という用語を、「導電体」という
用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁層」「絶縁膜」という用
語を、「絶縁体」という用語に変更することが可能な場合がある。
なお本明細書等において、「配線」、「信号線」、「電源線」などの用語は、場合によ
っては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「配線」と
いう用語を、「信号線」という用語に変更することが可能な場合がある。また、例えば、
「配線」という用語を、「電源線」などの用語に変更することが可能な場合がある。また
、その逆も同様で、「信号線」「電源線」などの用語を、「配線」という用語に変更する
ことが可能な場合がある。「電源線」などの用語は、「信号線」などの用語に変更するこ
とが可能な場合がある。また、その逆も同様で「信号線」などの用語は、「電源線」など
の用語に変更することが可能な場合がある。また、配線に印加されている「電位」という
用語を、場合によっては、又は、状況に応じて、「信号」などという用語に変更すること
が可能な場合がある。また、その逆も同様で、「信号」などの用語は、「電位」という用
語に変更することが可能な場合がある。
＜語句の定義に関する付記＞
以下では、下記実施の形態、及び実施例中で言及する語句の定義について説明する。
＜＜半導体の不純物について＞＞
半導体の不純物とは、例えば、半導体層を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が
０．１原子％未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導体
にＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅｓ）が形成されることや、キャリア移動度
が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導
体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族
元素、第１３族元素、第１４族元素、第１５族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、
特に、例えば、水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リ
ン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によっ
て酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコン層である場合、半導体の特性
を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素、第１
３族元素、第１５族元素などがある。
＜＜トランジスタについて＞＞
本明細書において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なく
とも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域又
はドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域又はソース電極）の間にチャネル形
成領域を有しており、ゲート‐ソース間に電圧を与えることによって、ソース‐ドレイン
間に電流を流すことができる。
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路
動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明
細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとす
る。
＜＜スイッチについて＞＞
本明細書等において、スイッチとは、導通状態（オン状態）、又は、非導通状態（オフ
状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイ
ッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
一例としては、電気的スイッチ又は機械的なスイッチなどを用いることができる。つま
り、スイッチは、電流を制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。
電気的なスイッチの一例としては、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、
ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、
ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）ダイ
オード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイ
オード、ダイオード接続のトランジスタなど）、又はこれらを組み合わせた論理回路など
がある。
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、トランジスタの「導通状態」とは、
トランジスタのソース電極とドレイン電極が電気的に短絡されているとみなせる状態をい
う。また、トランジスタの「非導通状態」とは、トランジスタのソース電極とドレイン電
極が電気的に遮断されているとみなせる状態をいう。なおトランジスタを単なるスイッチ
として動作させる場合には、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。
機械的なスイッチの一例としては、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）のよう
に、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）技術を用いたスイッチが
ある。そのスイッチは、機械的に動かすことが可能な電極を有し、その電極が動くことに
よって、導通と非導通とを制御して動作する。
＜＜接続について＞＞
本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と記載する場合は、ＸとＹとが電気
的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接
接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は
文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも含む
ものとする。
ここで使用するＸ、Ｙなどは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子
、導電膜、層、など）であるとする。
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可
能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されること
が可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、ス
イッチは、導通状態（オン状態）、又は、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可
能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号
変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（
電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など
）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅又は電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電
気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続
されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に
別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合
（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含
むものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接
続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は
介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、
Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソー
ス（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直
接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接
的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表
現することが出来る。
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第
２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は
第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的
に接続されている。」と表現することができる。又は、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。又は、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など
）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）
、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な
表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別し
て、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、これ
らの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、
素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されて
いる場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も
ある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及
び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における
電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている
場合も、その範疇に含める。
＜＜平行、垂直について＞＞
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が－１０°以上１０°以下の角度で配置
されている状態をいう。したがって、－５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略
平行」とは、二つの直線が－３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。
また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態
をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、
二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
（実施の形態１）
本実施の形態では、開示する本発明の一態様の表示装置について説明する。
＜構成例＞
図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）のそれぞれに、本発明の一態様の表示装置が有する、表示ユニ
ットと駆動回路ユニットと支持ユニットを示す。図１（Ａ）に示す表示ユニット８０は、
発光部８１と、接続領域８２と、支持体８３と、を有し、図１（Ｂ）に示す駆動回路ユニ
ット９０は、駆動回路部９１と、接続領域９２と、支持体９３と、を有し、図１（Ｃ）に
示す支持ユニット７０は、接続領域７２と、支持体７３と、を有する。
表示ユニット８０において、発光部８１は、発光素子と、画素回路と、を有する。発光
素子としては、例えば、透過型液晶素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、窒化物半導体発
光ダイオードなどを適用することができる。また、発光素子の代わりとして、反射型液晶
素子、電気泳動素子などを適用することができる。画素回路は、発光素子を光らせるため
の回路であり、該回路と電気的に接続される端子は、接続領域８２に含まれる。
なお、発光部８１は、複数の発光素子を有する画素としてもよい。例えば、複数の発光
素子は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色としてもよいし、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）、白（Ｗ）の４色としてもよい。また、上述の色に限定せず、必要に応じて、上述
の色も含めてシアン（Ｃ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）などの色を組み合わせても
よい。なお、表示ユニット８０が有する発光部８１は、複数の発光素子を有する画素でな
く、一の発光素子を有する副画素としてもよく、例えば、上述のいずれか一の色を発光す
る発光素子であってもよい。
駆動回路ユニット９０において、駆動回路部９１は、表示ユニット８０が有する画素回
路を駆動して、発光素子を光らせる機能を有する。駆動回路部９１は、例えば、ソースド
ライバ回路、ゲートドライバ回路などを適用することができる。駆動回路部９１と電気的
に接続される端子は、接続領域９２に含まれる。
接続領域７２、接続領域８２、接続領域９２は、別のユニットと電気的に接続するため
の領域である。なお、ユニット同士の接続方法については、後述する。
図１（Ｄ１）に本発明の一態様の表示装置を示す。表示装置１００は、機能的に、表示
領域１０１と、ドライバ領域１０２Ａと、ドライバ領域１０２Ｂと、に分けられる。
表示領域１０１は、複数の表示ユニット８０を有する。加えて、ドライバ領域１０２Ａ
は、複数の駆動回路ユニット９０を有し、ドライバ領域１０２Ｂは、ドライバ領域１０２
Ａが有する駆動回路ユニット９０とは異なる、複数の駆動回路ユニット９０を有する。ま
た、表示装置１００は、支持ユニット７０を有し、図１では、支持ユニット７０を、表示
領域１０１、ドライバ領域１０２Ａ、ドライバ領域１０２Ｂのいずれの領域にも含めずに
図示している。
上述したユニット同士の接続は、それぞれのユニットが有する接続領域に軸６０を通す
ことによって、行われる。つまり、それぞれのユニットは、接続領域において、軸６０を
通すための開口部を有する。例えば、領域１０５ａでは、４個の表示ユニット８０のそれ
ぞれの接続領域８２に１本の軸６０を通すことで、４個の表示ユニット８０を接続してい
る。また、例えば、領域１０５ｂでは、２個の表示ユニット８０のそれぞれの接続領域８
２と、２個の駆動回路ユニット９０のそれぞれの接続領域９２と、に１本の軸６０を通す
ことで、２個の表示ユニット８０と２個の駆動回路ユニット９０とを接続している。なお
、軸６０は、ユニット同士を電気的に接続する構造体であるとし、軸６０の詳細について
は後述する。
駆動回路ユニット９０に含まれる駆動回路部９１は、上述したとおり、ソースドライバ
回路、ゲートドライバ回路などを適用することができる。そのため、ドライバ領域１０２
Ａが有する複数の駆動回路ユニット９０は、軸６０によって電気的に接続することで、１
つのソースドライバ回路又はゲートドライバ回路の一方を構成することができる。そして
、ドライバ領域１０２Ｂが有する複数の駆動回路ユニット９０は、軸６０によって電気的
に接続することで、１つのソースドライバ回路又はゲートドライバ回路の他方を構成する
ことができる。
支持ユニット７０は、表示装置１００の構造を維持する機能を有する。図１（Ｄ１）で
は、支持ユニット７０の接続領域７２の一方と、ドライバ領域１０２Ａの駆動回路ユニッ
ト９０の接続領域９２と、が軸６０によって接続され、支持ユニット７０の接続領域７２
の他方と、ドライバ領域１０２Ｂの駆動回路ユニット９０の接続領域９２と、が軸６０に
よって接続されている。なお、支持ユニット７０は、配線、回路、素子などを設けてもよ
く、この場合、支持ユニット７０の接続領域７２と、駆動回路ユニット９０の接続領域９
２と、が軸６０によって電気的に接続される構成とすればよい。逆に、表示装置１００に
おいて、支持ユニット７０を必要としない場合、支持ユニット７０は、表示装置１００の
構成要素から除かれてもよい。
ここで、表示ユニット、駆動回路ユニット、及び支持ユニットは、それぞれの接続領域
に有する軸６０を中心として回転することができるものとする。例えば、図１（Ｄ１）の
表示装置１００は、点線Ｘ１－Ｘ２と点線Ｘ１－Ｘ３の角度θが４５度となる状態を示し
ているが、図１（Ｄ２）に示すとおり、それぞれのユニットを回転して、点線Ｘ１－Ｘ２
と点線Ｘ１－Ｘ３の角度θが３０度となるように、表示装置１００の形状を変化してもよ
い。この場合、図１（Ｄ１）に示す表示装置１００は、ｘ方向に約１．２倍に伸張し、ｙ
方向に約０．７１倍に伸張して、図１（Ｄ２）の表示装置１００の形状となる。つまり、
角度θを変更することにより、表示装置１００の縦横の長さの比を変更できる。なお、表
示装置１００をできる限り伸張したい場合、角度θが概ね１０度以上８０度以下の範囲で
可動するように表示装置１００を構成すればよい。また、表示ユニット８０の形状によっ
ては、角度θの可動範囲は上述した１０度以上８０度以下の範囲よりも狭くなる、又は広
くなる場合がある。
なお、表示装置１００の構造上、ドライバ領域１０２Ａ及びドライバ領域１０２Ｂの有
する複数の駆動回路ユニット９０の一部は、表示領域１０１の有する表示ユニット８０の
一部と、平行となる。
上述の通り、複数の表示ユニット８０、複数の駆動回路ユニット９０、支持ユニット７
０を用いて、図１（Ｄ１）に示す表示装置１００を構成することによって、伸張が可能な
表示装置を実現することができる。
＜構成方法＞
次に、図１（Ｄ１）に示す表示装置１００を構成するための各ユニット同士の接続方法
について説明する。
図２（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、各ユニットの接続方法の一例を説明するための図である。
なお、本一例では、表示ユニット８０のみを扱っているが、場合によって、状況に応じて
、又は、必要に応じて、接続する表示ユニットを駆動回路ユニット、又は支持ユニットに
換えてもよい。
〔ステップ１〕
図２（Ａ）は、表示ユニット８０を４つ組み合わせた表示ユニット群８５であり、表示
ユニット群８５は、表示ユニット８０ａ、表示ユニット８０ｂ、表示ユニット８０ｃ、表
示ユニット８０ｄを有している。表示ユニット８０ａは、表示ユニット８０ａの２つある
接続領域８２の一方と表示ユニット８０ｂの２つある接続領域８２の一方が重なる領域と
、表示ユニット８０ａの２つある接続領域８２の他方と表示ユニット８０ｃの２つある接
続領域８２の一方が重なる領域と、を有する。表示ユニット８０ｄは、表示ユニット８０
ｄの２つある接続領域８２の一方と表示ユニット８０ｂの２つある接続領域８２の他方が
重なる領域と、表示ユニット８０ｄの２つある接続領域８２の他方と表示ユニット８０ｃ
の２つある接続領域８２の他方が重なる領域と、を有する。なお、図２に示す表示ユニッ
ト群８５において、表示ユニット８０ａ及び表示ユニット８０ｄは下側に設けられ、表示
ユニット８０ｂ及び表示ユニット８０ｃは上側に設けられている。
〔ステップ２〕
次に、表示ユニット群８５と同じもの４個を図２（Ａ）の表示ユニット群８５のそれぞ
れの接続領域８２の上側に重なるように設ける（図２（Ｂ））。そして、その重なった接
続領域８２のそれぞれに軸６０を通すことで、表示ユニット同士の接続を行う。なお、説
明の煩雑さを避けるため、図２（Ｂ）では、図２（Ａ）の表示ユニット群８５のハッチン
グを変更して図示している。
〔ステップ３〕
そして、図２（Ｂ）に示した接続領域８２ａ、接続領域８２ｂ、接続領域８２ｃ、接続
領域８２ｄ、接続領域８２ｅ、接続領域８２ｆ、接続領域８２ｇ、接続領域８２ｈの下側
に表示ユニット群８５と同じもの４つを軸６０によって電気的に接続する。具体的には、
接続領域８２ａ及び接続領域８２ｂの下側に４つのうち１つの表示ユニット群８５を軸６
０ａ及び軸６０ｂによって電気的に接続し、接続領域８２ｃ及び接続領域８２ｄの下側に
残り３つのうち１つの表示ユニット群８５を軸６０ｃ及び軸６０ｄによって電気的に接続
し、接続領域８２ｅ及び接続領域８２ｆの下側に残り２つのうち１つの表示ユニット群８
５を軸６０ｅ及び軸６０ｆによって電気的に接続し、接続領域８２ｇ及び接続領域８２ｈ
の下側に残りの１つの表示ユニット群８５を軸６０ｇ及び軸６０ｈによって電気的に接続
する（図２（Ｃ））。なお、説明の煩雑さを避けるため、図２（Ｃ）では、図２（Ａ）の
表示ユニット群８５、及びステップ３で新たに電気的に接続した表示ユニット群８５のハ
ッチングを変更して図示している。つまり、図２（Ｃ）は、上側に位置する表示ユニット
群８５のハッチングを変更せず、下側に位置する表示ユニット群８５のハッチングを変更
して、図示している。
このように、隣り合う表示ユニット群８５の一方が上側、他方が下側となるように接続
することによって、表示装置を構成することができる。
なお、表示ユニット群８５の隣に別の表示ユニット群８５を設けない場合、例えば、図
２（Ｃ）に示す領域１０６に新たに表示ユニット群８５を設けない場合は、領域１０６が
有する接続領域８２に軸６１を通すことで、表示ユニット同士を電気的に接続する。なお
、領域１０６以外の領域でも、表示ユニット群８５の隣に別の表示ユニット群８５を設け
ない領域がある場合は、その領域が有する接続領域に軸６１を通すことで、表示ユニット
同士を電気的に接続する。
次に、上述の方法によって構成した表示装置の断面について説明する。
図３（Ａ）は、図２（Ｃ）に示す領域１０１ａを図示している。図３（Ｂ）は、図３（
Ａ）に示す一点鎖線Ａ１－Ａ２における断面図であり、図３（Ｃ）は、図３（Ａ）に示す
二点差線Ｂ１－Ｂ２における断面図である。なお、図３（Ｂ）（Ｃ）には、表示ユニット
８０同士を接続する機能を有する軸６０ｅ、軸６０ｆ、軸６０ｇ、軸６０ｈ、軸６０ｉ、
複数の軸６１も図示している。
領域１０１ａにおいて、表示ユニット群８５Ｂは上側となるように、かつ表示ユニット
群８５Ａ、及び表示ユニット群８５Ｃは下側となるように互いに電気的に接続されている
。図３（Ｂ）（Ｃ）に示すとおり、表示ユニット群８５Ｂは、表示ユニット群８５Ａ、及
び表示ユニット群８５Ｃよりも上側に設けられていることが分かる。
次に、軸６０ｅ、軸６０ｆ、軸６０ｇ、軸６０ｈ、軸６０ｉ（まとめて軸６０と呼称す
る。）と、表示ユニット８０と軸６０の電気的な接続方法について説明する。ここでは、
一例として、図３（Ｂ）に示す領域１０１ｂ及び軸６０ｈの詳細について説明する。その
ため、下記の詳細な説明において、軸６０ｈは、他の軸６０ｅ、軸６０ｆ、軸６０ｇ、軸
６０ｉなどに置き換えることができる。また、軸６１については、下記の軸６０ｈの説明
を参酌する。
図４（Ａ）は、領域１０１ｂの詳細を図示し、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す一点鎖
線Ｃ１－Ｃ２における軸６０ｈの断面図を示している。
表示ユニット群８５Ｂは、表示ユニット８０［１］、表示ユニット８０［２］を有し、
表示ユニット群８５Ｃは、表示ユニット８０［３］、表示ユニット８０［４］を有する。
図４（Ａ）において、表示ユニット８０［１］は複数の配線８６ｂを有し、表示ユニット
８０［４］は複数の配線８６ｃを有する。複数の配線８６ｂのそれぞれは、導電体４１乃
至導電体４４と電気的に接続されている。複数の配線８６ｃのそれぞれは、導電体４１乃
至導電体４４と電気的に接続されている。
軸６０ｈは、導電体４１、導電体４２、導電体４３、導電体４４、導電体４５、導電体
４６、導電体４７、導電体４８を有している。
図４（Ｂ）に示す断面図において、導電体４１は、軸６０ｈの中心に位置し、導電体４
２乃至導電体４８のそれぞれは、導電体４１（軸６０ｈの中心）を中心とする同心円状に
位置する。
また、導電体４１は、図５（Ａ）の斜視図に示すような構造体を有する。導電体４１は
、円板４１ａと、柱４１ｂと、円板４１ｃと、を有し、円板４１ａの中心部分と、円板４
１ｃの中心部分と、に、柱４１ｂが設けられている。配線８６ｂの一の配線は、円板４１
ａの側面と接することで、導電体４１と電気的に接続され、配線８６ｃの一の配線は、円
板４１ｃの側面と接することで、導電体４１と電気的に接続される。
加えて、導電体４４は、図５（Ｂ）の斜視図に示すような構造体を有する。導電体４４
は、円形の穴の空いた円板４４ａと、円筒４４ｂと、円形の穴の空いた円板４４ｃと、を
有する。円板４４ａの円形の穴は、円板４４ｃの円形の穴の大きさと等しく、円筒４４ｂ
の開口している底面の大きさと等しい。円筒４４ｂの下底の面には、円筒４４ｂの開口部
と円板４４ｃの円形の穴とが合うように、円板４４ｃが設けられ、円筒４４ｂの上底の面
には、円筒４４ｂの開口部と円板４４ａの円形の穴とが合うように、円板４４ａが設けら
れる。配線８６ｂの配線の一は、円板４４ａの側面と接することで、導電体４４と電気的
に接続され、配線８６ｃの配線の一は、円板４４ｃの側面と接することで、導電体４４と
電気的に接続される。
また、導電体４２、導電体４３、導電体４５乃至導電体４８の構造体については、上述
の導電体４４の記載を参酌する。
図４（Ａ）において、導電体４２は、配線８６ｂの一と配線８６ｃの一とを電気的に接
続する機能を有し、導電体４３は、配線８６ｂの別の一と配線８６ｃの別の一とを電気的
に接続する機能を有する。また、導電体４５乃至導電体４８は、図示していないが、表示
ユニット８０［２］が有する配線、及び表示ユニット８０［３］が有する配線と、電気的
に接続する機能を有する。
軸６０が有する導電体を図４（Ａ）（Ｂ）、図５に示す構成にすることによって、軸６
０によるユニット同士の電気的な接続を実現することができる。
図４（Ａ）（Ｂ）に示す軸６０ｈの構成は一例であり、本発明の一態様は、この一例に
限定されない。例えば、図４（Ａ）（Ｂ）と異なる構成として、軸６０ｈを図６に示す構
成としてもよい。図６に示す構成は、複数の配線８６ｂと導電体４１乃至導電体４４との
それぞれが上下で接触し、複数の配線８６ｃと導電体４１乃至導電体４４とのそれぞれが
上下で接触する構成となっている（導電体４５乃至導電体４８は、同様に、表示ユニット
８０［２］に含まれる配線、及び表示ユニット８０［３］に含まれる配線と上下で接触し
ているが、図６に図示しない。）。この構成にすることによって、表示ユニットが有する
配線と軸６０ｈが有する導電体との間の接触抵抗を低くすることができる。
また、例えば、軸６０ｈは、導電体４１乃至導電体４８の代わりとして、展性、延性を
有する導電体をゴムなどの絶縁体で被覆したコードを有してもよい。その場合の軸の構成
を、軸６０Ａとして図７（Ａ）（Ｂ）に示す。図７（Ａ）は、導電体４１乃至導電体４８
の代わりとして、該コードを有する軸６０Ａの斜視図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）
に示す軸６０Ａの面Ｙ１－Ｙ２の断面図を示している。
図７（Ａ）において、軸６０Ａは、該コードと各表示ユニットが有する配線（例えば、
配線８６ｂ、配線８６ｃ）とを接続するための開口部６９ｂ［１］、開口部６９ｂ［２］
、開口部６９ｃ［１］、開口部６９ｃ［２］を有する。なお、表示ユニットの可動範囲は
、それぞれの開口部の円周方向の長さで決まり、開口部の円周方向の長さが長いほど、表
示ユニットの可動範囲は大きくなる。
図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の軸６０Ａを適用した場合の領域１０１ｂの構成例を示して
いる。軸６０Ａは、コード５１、コード５２、コード５３、コード５４を有する。コード
５１乃至コード５４は、図４、図６における導電体４１乃至導電体４４の代わりとして用
いている。つまり、コード５１乃至コード５４は、開口部６９ｂ［１］と開口部６９ｃ［
２］とを介して、複数の配線８６ｂと複数の配線８６ｃとを電気的に接続する機能を有す
る。コード５１乃至コード５４は、展性、延性を有するため、曲げに強く、互いに接続さ
れているユニット同士の可動に耐えることができる。
上述した接続方法を適用することによって、図１（Ｄ１）に示す表示装置１００を実現
することができる。
＜変更例＞
なお、本発明の一態様は、図１（Ｄ１）に示した表示装置１００に限定されない。場合
によって、状況に応じて、又は必要に応じて、表示装置１００の構成要素を適宜変更する
ことができる。
例えば、図１（Ａ）に示す表示ユニット８０の代わりに、図８（Ａ）に示す表示ユニッ
ト８０の発光部８１を大きくした表示ユニット８０Ａを適用してもよい。表示ユニット８
０Ａは、発光部８１Ａと、接続領域８２と、支持体８３Ａと、を有する。表示ユニット８
０Ａの発光部８１Ａは、表示ユニット８０の発光部８１よりも発光面積が大きく、加えて
、表示ユニット８０Ａの支持体８３Ａも発光部８１Ａに合わせて面積を大きくしている。
図８（Ｂ）は、図１（Ｄ１）の表示装置１００において、表示ユニット８０の代わりに
、表示ユニット８０Ａを適用した表示装置１００Ａを示している。表示ユニット８０Ａを
適用することによって、表示装置１００Ａの発光面積を大きくすることができる。そのた
め、表示装置１００Ａは、表示装置１００よりも非表示領域（発光部８１以外の領域）の
面積を低減することができるので、表示装置１００Ａの発光輝度を高めることができる。
ここで、表示ユニット８０Ａの支持体８３Ａを可能な限り大きくする場合を考える。図
８（Ｃ１）（Ｄ１）（Ｅ）は、それぞれ表示ユニット８０を４つ組み合わせた表示ユニッ
ト群８６、表示ユニット８０Ａを４つ組み合わせた表示ユニット群８６Ａ、表示ユニット
８０Ｂを４つ組み合わせた表示ユニット群８６Ｂを示している。特に、表示ユニット８０
Ｂの支持体は、表示ユニット群８６Ｂにおいて、対辺の関係にある表示ユニット８０Ｂが
互いに接するほどの大きさとなっている。
本明細書等において、表示ユニットの大きさを表す指標として、表示ユニットの一方の
接続領域に有する軸の中心と、他方の接続領域に有する軸の中心と、の間の距離を、表示
ユニットの第１方向の長さと定義する。加えて、表示ユニットの大きさを表す指標として
、表示ユニットの第１方向に垂直な方向の、表示ユニットの幅の距離を、表示ユニットの
第２方向の長さと定義する。
図８（Ｃ１）に示す表示ユニット８０、図８（Ｄ１）に示す表示ユニット８０Ａ、図８
（Ｅ）に示す表示ユニット８０Ｂのそれぞれが有する２つの接続領域の間（以後、第１方
向と記載する。）の長さをＬとする。また、図８（Ｃ１）に示す表示ユニット８０の第２
方向の長さをＷ１とし、図８（Ｄ１）に示す表示ユニット８０Ａの第２方向の長さをＷ２
とし、図８（Ｅ）に示す表示ユニット８０Ｂの第２方向の長さをＷ３とする。なお、Ｗ２
はＷ１よりも長く、Ｗ３はＷ２よりも長いものする。特に、表示ユニット８０Ｂの支持体
は可能な限り大きくした形状としているため、Ｗ３は、表示ユニット８０Ｂで構成した表
示ユニット群８６Ｂにおける最大値としている。
また、図８（Ｅ）に示す表示ユニット群８６Ｂにおいて、対辺の関係にある表示ユニッ
ト８０Ｂは互いに接しているので、表示ユニット８０Ｂの第１方向の長さＬは、表示ユニ
ット８０Ｂの第２方向の長さＷ３と等しくなる。
図８（Ｃ１）に示す表示ユニット８０において、一方の接続領域が有する軸の中心をＺ
１とし、他方の接続領域が有する軸の中心をＺ３とする。また、図８（Ｃ１）に示す表示
ユニット群８６において、Ｚ１の対角に位置する接続領域が有する軸の中心をＺ２とする
。同様に、図８（Ｄ１）に示す表示ユニット８０Ａにおいて、一方の接続領域が有する軸
の中心をＺ１とし、他方の接続領域が有する軸の中心をＺ３とする。また、図８（Ｄ１）
に示す表示ユニット群８６Ａにおいて、Ｚ１の対角に位置する接続領域が有する軸の中心
をＺ２とする。また、同様に、図８（Ｅ）に示す表示ユニット８０Ｂにおいて、一方の接
続領域が有する軸の中心をＺ１とし、他方の接続領域が有する軸の中心をＺ３とする。ま
た、図８（Ｅ）に示す表示ユニット群８６Ｂにおいて、Ｚ１の対角に位置する接続領域が
有する軸の中心をＺ２とする。図８（Ｃ１）（Ｄ１）（Ｅ）のそれぞれにおいて、点線Ｚ
１－Ｚ２と点線Ｚ１－Ｚ３のなす角度をθとする。
図８（Ｃ１）の表示ユニット群８６を、θが最小となるように変形すると、図８（Ｃ２
）に示す形状となる。このとき、点線Ｚ１－Ｚ３と点線Ｚ１－Ｚ２とのなす角度をφ１と
する。また、図８（Ｄ１）の表示ユニット群８６Ａを、θが小さくなるように変形すると
、図８（Ｄ２）に示す形状となる。このとき、点線Ｚ１－Ｚ３と点線Ｚ１－Ｚ２とのなす
角度をφ２とする。なお、角度φ１は、角度φ２よりも小さくなる。
なお、図８（Ｃ２）（Ｄ２）では、角度φ１及び角度φ２を明瞭に記載するため、それ
ぞれの図において点線Ｚ１－Ｚ３及び点線Ｚ１－Ｚ２を延長して図示している。
ところで、表示ユニット群８６の表示ユニット８０の第２方向の長さＷ１を大きくする
ことによって、表示ユニット群８６は表示ユニット群８６Ａの形状に近づく。つまり、表
示ユニットの第２方向の長さを大きくすることによって、角度θの可動範囲の最小値が大
きくなる。また、同様の理由により、表示ユニットの第２方向の長さを大きくすることで
、角度θの可動範囲の最大値が小さくなる。換言すると、表示ユニットの第２方向の長さ
を大きくすることによって、該表示ユニットを有する表示ユニット群の角度θの可動範囲
が狭くなる。
図８（Ｅ）に示す表示ユニット群８６Ｂの場合、対辺の関係にある表示ユニット８０Ｂ
が互いに接しているため、表示ユニット群８６Ｂは、角度θを小さくして変形することが
できない。
上述より、表示ユニット８０が有する発光部８１と支持体８３を大きくした表示ユニッ
トを用いて表示装置１００Ａを構成する場合、該表示ユニットの第２方向の長さは、該表
示ユニットの第１方向の長さよりも短くする必要がある。
また、例えば、図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示す各ユニットを使用せず、代わりに図９（
Ａ）（Ｂ）に示す複数のユニットを用いてもよい。
図９（Ａ）に示す領域１００ａは、１個の支持ユニット７０と、複数個のユニット３０
を有している。なお、ユニット３０の長さは、全て同一ではなく一部異なっており、かつ
、１個の支持ユニット７０及び複数個のユニット３０のそれぞれは平行となっている。ユ
ニット３０は、発光部８１と、接続領域３２と、を有する。加えて、ユニット３０の一部
は、駆動回路部９１を１個又は２個有し、ユニット３０の残りは、駆動回路部９１を有さ
ない。
図９（Ｂ）に示す領域１００ｂは、複数個のユニット３１を有している。なお、ユニッ
ト３１の長さは、全て同一ではなく一部異なっており、かつ、複数個のユニット３１のそ
れぞれは平行となっている。ユニット３１は、駆動回路部９１と、接続領域３２を有する
。加えて、ユニット３１の一部は、発光部８１を有し、ユニット３１の残りは、発光部８
１を有さない。
図９（Ａ）に示した支持ユニット７０、複数のユニット３０のそれぞれの接続領域３２
に、図９（Ｂ）に示したユニット３１のそれぞれの接続領域３２を重ねて、軸６２によっ
て接続することで、図９（Ｃ）に示す表示装置１００Ｂを構成することができる。この構
成によって、表示装置１００Ｂは、図１（Ｄ１）に示した表示装置１００と同様に、図１
（Ｄ２）の表示装置１００のように形状を変化することができる（図示しない。）。また
、図１（Ｄ１）に示す表示装置１００は、図３（Ｂ）（Ｃ）に示すとおり４個のユニット
を重ね合わせているのに対し、表示装置１００Ｂは２個のユニットを重ね合わせることで
実現できるため、薄型の筐体などに収めることができる。
なお、上述では、支持ユニット７０を表示装置１００Ｂの構成要素として説明している
が、支持ユニット７０は表示装置１００Ｂの構成要素から除かれてもよい。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態及び／又は実施例と適宜組み合
わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に示した表示装置１００を用いた電子機器の例につい
て説明する。
＜応用例１＞
図１０（Ａ１）（Ａ２）は、建造物６００１の屋上に設けられた看板６００２を示して
いる。看板６００２は、建造物６００１の屋上に設置されている鉄骨６００３によって支
持されている。
ここで、看板６００２に実施の形態１で説明した表示装置１００を適用した場合を考え
る。図１０（Ａ１）に示す看板６００２に表示装置１００を適用することによって、看板
６００２の形状を、図１０（Ａ２）に示す看板６００２Ａの形状に変化することができる
。これによって、看板に表示する内容に応じて、看板の縦と横の比を自由に変更すること
ができる。
＜応用例２＞
図１０（Ｂ１）（Ｂ２）は、移動が容易な小型の電子看板の例を示している。図１０（
Ｂ１）に示す電子看板６１００は、表示部６１０１と、構造体６１０２と、キャスター６
１０３と、を有する。構造体６１０２は、表示部６１０１を支持する構造と、キャスター
６１０３が取り付けられる構造を有する。電子看板６１００は、キャスター６１０３によ
って、転がして運ぶことができる。
ここで、表示部６１０１に実施の形態１で説明した表示装置１００を適用した場合を考
える。図１０（Ｂ１）に示す表示部６１０１に表示装置１００を適用することによって、
図１０（Ｂ１）に示す表示部６１０１の形状を図１０（Ｂ２）に示す表示部６１０１Ａの
形状に変化することができる。これによって、表示部に表示する内容に応じて、表示部の
縦と横の比を自由に変更することができる。
＜応用例３＞
図１１（Ａ）（Ｂ）は、壁に取り付けが可能な電子看板の例を示している。図１１（Ａ
）は、電子看板６２００Ａが壁６２０１に取り付けられている様子を示している。
ここで、電子看板６２００Ａに実施の形態１で説明した表示装置１００を適用した場合
を考える。図１１（Ａ）に示す電子看板６２００Ａに表示装置１００を適用することによ
って、電子看板６２００Ａの形状を図１１（Ｂ）に示す電子看板６２００Ｂの形状に変化
することができる。これによって、電子看板に表示する内容に応じて、電子看板の縦と横
の比を自由に変更することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態及び／又は実施例と適宜組み合
わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１に説明した表示装置１００とは異なる、本発明の一態
様の表示装置について説明する。
＜構成例＞
図１２（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置が有する表示ユニットの構成例を示してい
る。表示ユニット２５０は、回路２５１を有し、回路２５１は、発光部２５２を有する。
回路２５１は、発光部２５２を光らせるための回路であり、図１２（Ａ）には配線を図
示していないが、当該配線を介して回路２５１に入力される選択信号、データ信号などに
よって発光部２５２を光らせることができる。
発光部２５２としては、例えば、透過型液晶素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、窒化
物半導体発光ダイオードなどを適用することができる。また、例えば、発光部２５２の代
わりとして、反射型液晶素子、電気泳動素子などを適用することができる。
また、発光部２５２は、複数種類の発光素子を有する構成としてもよい。例えば、複数
の発光素子は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色としてもよいし、赤（Ｒ）、緑（Ｇ
）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の４色としてもよい。また、上述の色に限定せず、必要に応じて
、上述の色も含めてシアン（Ｃ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）などの色を組み合わ
せてもよい。なお、表示ユニット２５０が有する発光部２５２は、複数種類の発光素子を
有する構成でなく、一種類の発光素子を有する発光部としてもよく、例えば、上述のいず
れか一の色を発光する発光部であってもよい。
なお、図１２（Ａ）（Ｂ１）（Ｂ２）に示す表示ユニット２５０は、代替として一の画
素としてもよい。表示ユニット２５０の代わりとして一つの画素を適用する場合、本実施
の形態において、表示ユニット２５０を画素に置き換えて、且つ回路２５１を画素回路に
置き換えて、且つ発光部２５２を一つの発光素子に置き換えて、説明することができる。
なお、表示ユニット２５０は、図１２（Ａ）（Ｂ１）（Ｂ２）では、正方形の形状とし
て図示しているが、本発明の一態様は、この形状に限定されない。例えば、表示ユニット
２５０は、円、楕円、曲線を含む図形、多角形などの形状としてもよい。また、発光部２
５２においても、正方形の形状に限定せず、円、楕円、曲線を含む図形、多角形などの形
状としてもよい。
図１２（Ｂ１）は、本発明の一態様の表示装置の表示領域の構成例を示している。表示
領域２６０Ａは、２層構造を有し、それぞれの層に複数の表示ユニット２５０が配置され
た構成を有する。特に、図１２（Ｂ１）では、２層構造のうち上層に配置された複数の表
示ユニット２５０を表示ユニット２５０ａと記載し、２層構造のうち下層に配置された複
数の表示ユニット２５０を表示ユニット２５０ｂと記載している。なお、図１２（Ｂ１）
は、説明の煩雑さを避けるため、表示ユニット２５０ａ、表示ユニット２５０ｂに接続さ
れている配線を省略している。
なお、表示領域２６０Ａは、伸縮性及び透光性を有する絶縁体２４０を含んでいる。本
明細書等では、伸縮性を有する材料とは、伸び縮みが可能であり、かつ復元性の高い材料
を指すものとする。また、透光性を有する材料とは、透過率の高い材料を指すものとする
。絶縁体２４０は、上層と下層との２層構造となっており、絶縁体２４０の上層は表示ユ
ニット２５０ａ全体を覆い、絶縁体２４０の下層は表示ユニット２５０ｂ全体を覆う構成
となっている。絶縁体２４０において、上層と下層のそれぞれは、互いに同一の材料で構
成されていてもよく、又は、互いに異なる材料で構成されていてもよい。また、絶縁体２
４０において、上層及び／又は下層は、複数の材料を組み合わせた構成としてもよい。ま
た、絶縁体２４０は、伸縮性及び透光性を有する、一つの材料としてもよい。
伸縮性及び透光性を有する絶縁体２４０を伸ばすことによって、表示領域２６０Ａの面
積を広げることができる。例えば、図１２（Ｂ１）において、絶縁体２４０を矢印の方向
に引っ張ることによって、図１２（Ｂ１）に示す表示領域２６０Ａは、図１２（Ｂ２）に
示す表示領域２６０Ｂにすることができる。
絶縁体２４０として、例えば、塩化ビニル、ポリウレタン樹脂、シリコーン、ゴムなど
を適用することができる。
図１２（Ｂ１）に示す表示領域２６０Ａを矢印の方向に引っ張ることで、表示領域２６
０Ａの上層において、隣り合う表示ユニット２５０ａの間隔は大きくなる。ここで、表示
領域２６０Ａが有する画素が表示ユニット２５０ａのみとした場合、表示領域２６０Ａを
表示領域２６０Ｂに広げることによって隣り合う表示ユニット２５０ａの間隔は大きくな
るため、表示領域２６０Ｂの解像度が低下する。
そこで、表示領域２６０Ａは、図１２（Ｂ１）に示すとおり、上層に有する表示ユニッ
ト２５０ａに加えて、表示領域２６０Ａの下層に複数の表示ユニット２５０ｂを配置する
構成にする。このような構成にすることよって、表示領域２６０Ａを表示領域２６０Ｂに
広げたとき、表示ユニット２５０ｂの発光部２５２が表示領域２６０Ｂの表示面側に生じ
る。つまり、表示領域２６０Ａを表示領域２６０Ｂに広げることで、下層に設けられてい
る表示ユニット２５０ｂの光射出領域が大きくなるため、表示領域２６０Ｂの表示品質の
低下を防ぐことができる。なお、絶縁体２４０は、上層と下層とで、伸縮率の異なる材料
を有するのが好ましい。上層と下層との材料のそれぞれの伸縮率を最適となるようにする
ことによって、表示領域２６０Ａを表示領域２６０Ｂに広げたとき、隣り合う表示ユニッ
ト２５０ａの間の広がった領域に、表示ユニット２５０ｂの発光部２５２が重なるように
することができる。
表示領域２６０Ａの下層の表示ユニット２５０ｂは、図１２（Ｂ１）に示すとおり、表
示領域２６０Ａの上層の異なる４個の表示ユニット２５０ａのそれぞれの一部の領域と重
畳するように設けられるのが好ましい。このように表示領域２６０Ａを構成することによ
って、表示領域２６０Ａを表示領域２６０Ｂに広げたとき、表示ユニット２５０ｂは、上
層の隣り合う表示ユニット２５０ａの間隔が最も広い領域に位置する構成となる。
なお、表示領域２６０Ａの下層に表示ユニット２５０ｂを配置する領域は、図１２（Ｂ
１）に示す表示領域２６０Ａの構成に限定されない。例えば、表示領域を伸ばす方向が決
まっている場合、表示領域は図１３（Ａ１）に示す表示領域２６１Ａの構成とすればよい
。表示領域２６１Ａは、表示領域２６１Ａの下層に表示ユニット２５０ｂを配置する領域
が、上層の異なる２個の表示ユニット２５０ａのそれぞれの一部の領域と重畳する構成を
有している。このように表示領域２６１Ａを構成することによって、図１３（Ａ１）に示
す表示領域２６１Ａは、絶縁体２４０を矢印の方向に引っ張ることで、図１３（Ａ２）に
示す表示領域２６１Ｂにすることができる。
また、例えば、表示領域の下層に配置する画素として、図１４（Ａ）に示す表示ユニッ
ト２５５を適用してもよい。表示ユニット２５５は、表示ユニット２５０（２５０ａ、２
５０ｂ）より小さい表示ユニットであるとし、表示ユニット２５５は、回路２５６を有し
、回路２５６は、発光部２５７を有する。表示領域の下層に表示ユニット２５５を配置し
た表示領域を図１４（Ｂ１）に示す。表示領域２６２Ａは、表示領域２６２Ａの下層に複
数の表示ユニット２５５が、上層の異なる表示ユニット２５０ａのそれぞれの一部の領域
と重畳する構成となっている。具体的には、表示領域２６２Ａは、上層の隣接する２個の
表示ユニット２５０ａに下層の１個の表示ユニット２５５が重畳し、かつ上層の隣接する
２行２列（合計４個）の表示ユニット２５０ａに下層の１個の表示ユニット２５５が重畳
する構成となっている。このように表示領域２６２Ａを構成することによって、図１４（
Ｂ１）に示す表示領域２６２Ａは、絶縁体２４０を矢印の方向に引っ張ることで、図１４
（Ｂ２）に示す表示領域２６２Ｂにすることができる。なお、表示領域２６２Ａの下層に
は表示ユニット２５５を適用しているため、表示領域２６０Ａの下層よりも多く画素を配
置することができる。そのため、表示領域２６２Ａを広げた表示領域２６２Ｂは、表示領
域２６０Ａを広げた表示領域２６０Ｂよりも、発光面積を広くすることができる。したが
って、表示領域２６２Ａは、表示領域２６０Ａよりも、広げたときに生じる解像度の低下
をより抑えることができる。
次に、表示領域２６０Ａ（２６０Ｂ）が有する複数の表示ユニット２５０と引き回す配
線との電気的な接続の例について説明する。
図１５（Ａ）は、表示領域２６０Ａ（２６０Ｂ）において、表示ユニット２５０（２５
０ａ、２５０ｂ）と配線の電気的な接続の例を示している。なお、図１５（Ａ）では、表
示ユニット２５０（２５０ａ、２５０ｂ）と配線との電気的な接続を明瞭に示すため、表
示領域２６０Ｂの形状で配線を図示している。
表示領域２６０Ａ（２６０Ｂ）は、複数の信号線と複数のゲート線を有している。なお
、図１５（Ａ）では、信号線ＳＬａ［１］、信号線ＳＬａ［２］、信号線ＳＬｂ［１］、
信号線ＳＬｂ［２］、ゲート線ＧＬａ［１］、ゲート線ＧＬａ［２］、ゲート線ＧＬｂ［
１］、ゲート線ＧＬｂ［２］のみ図示しており、それ以外の配線の符号は省略している。
また、本明細書では、信号線ＳＬａ［１］、信号線ＳＬａ［２］をまとめて信号線ＳＬａ
と呼称し、信号線ＳＬｂ［１］、信号線ＳＬｂ［２］をまとめて信号線ＳＬｂと呼称し、
ゲート線ＧＬａ［１］、ゲート線ＧＬａ［２］をまとめてゲート線ＧＬａと呼称し、ゲー
ト線ＧＬｂ［１］、ゲート線ＧＬｂ［２］をまとめてゲート線ＧＬｂと呼称する。また、
図１５（Ａ）に示す信号線ＳＬａ、信号線ＳＬｂ、ゲート線ＧＬａ、ゲート線ＧＬｂのそ
れぞれは、複数の配線によって構成されていてもよい。例えば、信号線ＳＬａ［１］は、
１本の配線ではなく、複数本の配線で構成されていてもよく、また、ゲート線ＧＬａ［１
］は、１本の配線ではなく、複数本の配線で構成されていてもよい。また、信号線と呼称
する配線は、ゲート線と呼称する配線と適宜入れ替えることができる場合がある。
信号線ＳＬａ、及びゲート線ＧＬａは、表示領域２６０Ａ（２６０Ｂ）の上層に含まれ
る複数の表示ユニット２５０ａと電気的に接続されている。また、信号線ＳＬｂ、及びゲ
ート線ＧＬｂは、表示領域２６０Ａ（２６０Ｂ）の下層に含まれる複数の表示ユニット２
５０ｂと電気的に接続されている。
図１５（Ａ）に示す表示領域２６０Ａ（２６０Ｂ）の断面図を図１５（Ｂ１）（Ｂ２）
に示す。図１５（Ｂ１）は、表示領域２６０Ａの形状での、図１５（Ａ）の一点鎖線Ｐ１
－Ｐ２における断面図と一点鎖線Ｐ３－Ｐ４における断面図を重ねた図となっている。そ
して、図１５（Ｂ２）は、表示領域２６０Ａを伸張した表示領域２６０Ｂの形状での、図
１５（Ａ）の一点鎖線Ｐ１－Ｐ２における断面図と一点鎖線Ｐ３－Ｐ４における断面図を
重ねた図となっている。なお、一点鎖線Ｐ１－Ｐ２における断面図は、表示領域２６０Ａ
（２６０Ｂ）の上層のみを図示し、一点鎖線Ｐ３－Ｐ４における断面図は、表示領域２６
０Ａ（２６０Ｂ）の下層のみを図示している。
つまり、信号線ＳＬａは、表示ユニット２５０ａと電気的に接続されているため、上層
に含まれ、信号線ＳＬｂは、表示ユニット２５０ｂと電気的に接続されているため、下層
に含まれている。加えて、信号線ＳＬａ及び信号線ＳＬｂとして、伸縮性を有する導電材
料を用いることによって、図１５（Ｂ１）に示す表示領域２６０Ａを伸張して、図１５（
Ｂ２）に示す表示領域２６０Ｂの形状にすることができる。そして、図１５（Ｂ１）に示
す表示領域２６０Ａの形状から図１５（Ｂ２）に示す表示領域２６０Ｂの形状に引き伸ば
すことによって、隣り合う表示ユニット２５０ａの間の領域が大きくなり、隣り合う表示
ユニット２５０ａの間の領域の一部と重畳する表示ユニット２５０ｂの発光素子の光を射
出する面積が大きくなる。
同様に、ゲート線ＧＬａ及びゲート線ＧＬｂとして、伸縮性を有する導電材料を用いる
ことによって、表示領域２６０Ａを伸張して、表示領域２６０Ｂの形状にすることができ
る。
なお、表示領域２６０Ａ（２６０Ｂ）における配線の引き回し方法は、図１５（Ａ）（
Ｂ１）（Ｂ２）に示す表示領域２６０Ａ（２６０Ｂ）に限定されない。例えば、上層に含
まれる複数の信号線ＳＬａの一と下層に含まれる複数の信号線ＳＬｂの一とをまとめて、
１本の配線としてもよい。その場合の表示領域の例を図１６（Ａ）に示す。図１６（Ａ）
に示す表示領域２６０Ａ（２６０Ｂ）は、信号線ＳＬａ［１］と信号線ＳＬｂ［１］を１
本の信号線ＳＬ［１］にまとめ、かつ信号線ＳＬａ［２］と信号線ＳＬｂ［２］を１本の
信号線ＳＬ［２］にまとめた構成となっている。なお、図１６（Ａ）に図示していない符
号の信号線についても、上層に含まれる信号線ＳＬａの一と下層に含まれる信号線ＳＬｂ
の一とがまとまって一本の配線となっている。また、本明細書では、図１６において、表
示領域２６０Ａ（２６０Ｂ）に有する信号線を、まとめて信号線ＳＬと呼称する。なお、
本段落で記載している１本にまとめた配線とは、１本のみで構成した配線を意味し、又は
、複数本束ねた配線を意味するものとする。
また、図１６（Ａ）に示す表示領域２６０Ａ（２６０Ｂ）の断面図を図１６（Ｂ１）（
Ｂ２）に示す。図１６（Ｂ１）は、表示領域２６０Ａの形状での、図１６（Ａ）の一点鎖
線Ｑ１－Ｑ２における断面図を示している。そして、図１６（Ｂ２）は、表示領域２６０
Ａを伸張した表示領域２６０Ｂの形状での、図１６（Ａ）の一点鎖線Ｑ１－Ｑ２における
断面図を示している。
図１６（Ａ）において、信号線ＳＬは、図１６（Ｂ１）（Ｂ２）に図示するとおり、上
層の表示ユニット２５０ａと下層の表示ユニット２５０ｂと電気的に接続するように構成
されている。
信号線ＳＬとして、伸縮性を有する導電材料を用いることによって、図１６（Ｂ１）に
示す表示領域２６０Ａを伸張して、図１６（Ｂ２）に示す表示領域２６０Ｂの形状にする
ことができる。そして、図１６（Ｂ１）に示す表示領域２６０Ａの形状から図１６（Ｂ２
）に示す表示領域２６０Ｂの形状に引き伸ばすことによって、隣り合う表示ユニット２５
０ａの間の領域が大きくなり、隣り合う表示ユニット２５０ａの間の領域の一部と重畳す
る表示ユニット２５０ｂの発光素子の光を射出する面積が大きくなる。
同様に、ゲート線ＧＬａ及びゲート線ＧＬｂとして、伸縮性を有する導電材料を用いる
ことによって、表示領域２６０Ａを伸張して、表示領域２６０Ｂの形状にすることができ
る。また、ゲート線ＧＬａ及びゲート線ＧＬｂを、信号線ＳＬと同様に、１本の配線にま
とめることができる（図示しない。）。
次に、表示領域２６０Ａ（２６０Ｂ）を駆動するための駆動回路の一例について説明す
る。
図１７（Ａ）は、表示領域２６０を有する表示装置３００を示している。表示装置３０
０は、表示領域２６０に加えて、ドライバ領域２７０と、ドライバ領域２８０と、を有す
る。ここでは、ドライバ領域２７０は、表示領域２６０を駆動するためのソースドライバ
として機能し、ドライバ領域２８０は、表示領域２６０を駆動するためのゲートドライバ
として機能するものとする。
なお、上記とは別の一例として、表示装置３００は、ドライバ領域２７０が表示領域２
６０を駆動するためのゲートドライバとして機能し、ドライバ領域２８０が表示領域２６
０を駆動するためのソースドライバとして機能する構成としてもよい。
ドライバ領域２７０は、複数の駆動回路ユニット２７１を有する。複数の駆動回路ユニ
ット２７１の一部は、信号線ＳＬａを介して、表示ユニット２５０ａと電気的に接続され
、複数の駆動回路ユニット２７１の残りは、信号線ＳＬｂを介して、表示ユニット２５０
ｂと電気的に接続されている。複数の駆動回路ユニット２７１は、信号線ＳＬａ及び信号
線ＳＬｂを介して、表示領域２６０に表示する画像の信号を、表示領域２６０に供給する
機能を有する。
複数の駆動回路ユニット２７１は並んで配置され、隣り合う駆動回路ユニット２７１同
士は配線２７２によって、電気的に接続されている。なお、配線２７２は、１本ではなく
、複数本としてもよい。
ドライバ領域２８０は、複数の駆動回路ユニット２８１を有する。複数の駆動回路ユニ
ット２８１の一部は、ゲート線ＧＬａを介して、表示ユニット２５０ａと電気的に接続さ
れ、複数の駆動回路ユニット２８１の残りは、ゲート線ＧＬｂを介して、表示ユニット２
５０ｂと電気的に接続されている。複数の駆動回路ユニット２８１は、ゲート線ＧＬａ及
びゲート線ＧＬｂを介して、表示領域２６０が有する画素に、選択信号を供給する機能を
有する。
複数の駆動回路ユニット２８１は並んで配置され、隣り合う駆動回路ユニット２８１同
士は配線２８２によって、電気的に接続されている。なお、配線２８２は、１本ではなく
、複数本としてもよい。
配線２７２及び配線２８２として、信号線ＳＬａ、信号線ＳＬｂ、ゲート線ＧＬａ、及
びゲート線ＧＬｂと同様に、伸縮性を有する導電材料を用いる。これにより、配線２７２
及び配線２８２のそれぞれが伸縮性を有するため、隣り合う駆動回路ユニット２７１の間
隔と、隣り合う駆動回路ユニット２８１の間隔と、を広げることができる。したがって、
図１７（Ａ）に示す表示装置３００を引き伸ばすことによって、図１７（Ｂ）に示す表示
装置３００の形状にすることができる。
なお、図１７（Ａ）では、ドライバ領域２７０は駆動回路ユニット２７１を複数有する
構成を図示しているが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、ドライバ領域
２７０は一つの駆動回路ユニット２７１を有する構成としてもよい（図示しない。）。ま
た、同様に、図１７（Ａ）では、ドライバ領域２８０は駆動回路ユニット２８１を複数有
する構成を図示しているが、ドライバ領域２８０は一つの駆動回路ユニット２８１を有す
る構成としてもよい（図示しない。）。
ところで、駆動回路ユニット２７１及び／又は駆動回路ユニット２８１の回路面積が大
きくなる場合、表示領域２６０と同様に、ドライバ領域２７０及び／又はドライバ領域２
８０を２層構造とすればよい。具体的には、２層構造としたドライバ領域の隣り合う駆動
回路ユニットにおいて、一方の駆動回路ユニットの一部は、他方の駆動回路ユニットの一
部と、重畳するように、ドライバ領域を構成すればよい。
図１８（Ａ）に示す表示装置３００Ａのドライバ領域２７０Ａ及びドライバ領域２８０
Ａは、２層構造を有している。ドライバ領域２７０Ａは、駆動回路ユニット２７１Ａを複
数有し、ドライバ領域２８０Ａは、駆動回路ユニット２８１Ａを複数有する。ドライバ領
域２７０Ａの上層に有する駆動回路ユニット２７１Ａは、信号線ＳＬａを介して、表示ユ
ニット２５０ａと電気的に接続され、ドライバ領域２７０Ａの下層に有する駆動回路ユニ
ット２７１Ａは、信号線ＳＬｂを介して、表示ユニット２５０ｂと電気的に接続されてい
る。同様に、ドライバ領域２８０Ａの上層に有する駆動回路ユニット２８１Ａは、ゲート
線ＧＬａを介して、表示ユニット２５０ａと電気的に接続され、ドライバ領域２８０Ａの
下層に有する駆動回路ユニット２８１Ａは、ゲート線ＧＬｂを介して、表示ユニット２５
０ｂと電気的に接続されている。
図１８（Ａ）に図示している一点鎖線Ｒ１－Ｒ２における断面図を、図１８（Ｂ１）に
示す。上述したとおり、ドライバ領域２７０Ａは、隣り合う駆動回路ユニット２７１Ａに
おいて、一方の駆動回路ユニット２７１Ａの一部が他方の駆動回路ユニット２７１Ａの一
部と重畳するように構成されている。加えて、隣り合う駆動回路ユニット２７１Ａは、伸
縮性を有する配線２７２によって電気的に接続されている。
ここで、表示装置３００Ａを引き伸ばしたとき、一点鎖線Ｒ１－Ｒ２における断面図は
、図１８（Ｂ１）から図１８（Ｂ２）に変化する。図１８（Ｂ１）に示すとおり、ドライ
バ領域２７０Ａを２層構造とし、伸縮性を有する配線２７２を用いることによって、駆動
回路ユニット２７１の回路面積が大きい場合でも、表示装置３００Ａの引き伸ばしが可能
となる。
ドライバ領域２８０Ａの引き伸ばしの説明は、ドライバ領域２７０Ａの引き伸ばしの記
載を参酌することができる。
本実施の形態で説明した各構成例は、適宜、互いに組み合わることができる。
＜作製方法例＞
次に、表示領域２６０Ａの作製方法の一例を、図１９乃至図２３を用いて説明する。
初めに、基板３１１上に絶縁体３２１を形成する（図１９（Ａ）参照）。
基板３１１としては、例えば、ガラス、石英、樹脂、金属、合金、半導体等の各種材料
を用いることができる。なお、基板３１１として、可撓性を有する材料を適用したい場合
、例えば、上述の各種材料を、可撓性を有する程度の厚さにして適用すればよい。
絶縁体３２１は、基板３１１に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや表示素
子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。例えば、絶縁体３２１は、
表示領域２６０Ａの作製工程に含まれる加熱工程により、基板３１１に含まれる水分など
がトランジスタや表示素子に拡散することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁体３２
１は、バリア性が高いことが好ましい。
絶縁体３２１としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン
膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を
用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム
膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリ
ウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用
いてもよい。特に、基板３１１上に窒化シリコン膜を形成し、窒化シリコン膜上に酸化シ
リコン膜を形成することが好ましい。
また、上述した無機絶縁膜は、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜となるため
、高温で形成することが好ましい。また、絶縁体３２１の成膜温度は、基板３１１の耐熱
温度以下であることが好ましい。
絶縁体３２１を基板３１１上に設けた後は、絶縁体３２１上に回路、及び配線などを形
成する（図１９（Ｂ）参照）。特に、図１９（Ｂ）では、基板３１１上にトランジスタ４
０１が形成されている。
表示領域２６０Ａが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ
型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型
のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造のいずれ
のトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられてい
てもよい。
ここではトランジスタ４０１として、金属酸化物３５０を有する、ボトムゲート構造の
トランジスタを作製する場合を示す。金属酸化物３５０は、トランジスタ４０１の半導体
層として機能することができる。なお、ここでの金属酸化物は、酸化物半導体として機能
することができる。
本実施の形態において、トランジスタの半導体には、酸化物半導体を用いる。酸化物半
導体は、シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料で
あるため、酸化物半導体をチャネル形成領域に含まれるトランジスタにおいて、オフ電流
を低減することができる。
トランジスタ４０１は、加熱処理の温度より低い温度で形成することが好ましい。
ここで、トランジスタ４０１の具体的な形成方法の例について説明する。
初めに、絶縁体３２１上に導電体３４１を形成する。導電体３４１は、導電膜を成膜し
た後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去
することで形成できる。
導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以
下がさらに好ましい。
表示領域２６０Ａが有する導電体には、それぞれ、アルミニウム、チタン、クロム、ニ
ッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタング
ステン等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いる
ことができる。または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、タングステン
を含むインジウム酸化物、タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、チタンを含むイン
ジウム酸化物、チタンを含むＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリ
ウムを含むＺｎＯ、またはシリコンを含むＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料を用いて
もよい。また、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは
酸化物半導体等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。ま
た、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば酸化グラ
フェンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた酸化物
半導体等の半導体を用いてもよい。または、銀、カーボン、銅等の導電性ペースト、また
はポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導電性ペーストは、安価
であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。
続いて、導電体３４１上、及び絶縁体３２１上に絶縁体３２２を形成する。絶縁体３２
２に適用できる材料は、絶縁体３２１に用いることができる無機絶縁膜を援用できる。
絶縁体３２２は、基板３１１の耐熱温度以下で形成する。絶縁体３２２は、加熱処理の
温度より低い温度で形成することが好ましい。
次に、絶縁体３２２上に、導電体３４１の一部と重畳する領域を有するように金属酸化
物３５０を形成する。金属酸化物３５０は、金属酸化物膜を成膜した後、レジストマスク
を形成し、当該金属酸化物膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成
できる。
金属酸化物膜の成膜時の基板温度は、３５０℃以下が好ましく、室温以上２００℃以下
がより好ましく、室温以上１３０℃以下がさらに好ましい。
金属酸化物膜は、不活性ガス及び酸素ガスのいずれか一方または双方を用いて成膜する
ことができる。なお、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）に、特に
限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場合においては、金属酸
化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）は、０％以上３０％以下が好ましく、
５％以上３０％以下がより好ましく、７％以上１５％以下がさらに好ましい。
金属酸化物膜は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジ
ウム及び亜鉛を含むことが好ましい。
金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上であることが好ましく、２．５ｅＶ以
上であることがより好ましく、３ｅＶ以上であることがさらに好ましい。このように、エ
ネルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減する
ことができる。
金属酸化物膜は、スパッタリング法により形成することができる。そのほか、ＰＬＤ法
、ＰＥＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、真空蒸着法などを用いてもよい。
続いて、絶縁体３２２上、及び金属酸化物３５０上に導電体３４２ａ及び導電体３４２
ｂを形成する。なお、導電体３４２ａ及び／又は導電体３４２ｂの一部は、金属酸化物３
５０と重畳する領域に含まれてもよい。導電体３４２ａ及び導電体３４２ｂは、導電膜を
成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスク
を除去することにより形成できる。
なお、導電体３４２ａ及び導電体３４２ｂの加工の際に、レジストマスクに覆われてい
ない金属酸化物３５０の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。
導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以
下がさらに好ましい。
以上のようにして、トランジスタ４０１を作製できる。トランジスタ４０１において、
導電体３４１の一部はゲートとして機能し、絶縁体３２２の一部はゲート絶縁層として機
能し、導電体３４２ａは、ソースまたはドレインの一方として機能し、導電体３４２ｂは
、ソースまたはドレインの他方として機能する。
また、絶縁体３２２上に導電体３４３を形成する。導電体３４３は、導電体３４２ａ及
び導電体３４２ｂと同時に形成することができる。また、導電体３４３は、導電体３４２
ａ及び導電体３４２ｂと異なる材料とする場合、導電体３４２ａ及び導電体３４２ｂとは
別に形成すればよい。導電体３４３は、表示ユニット、素子、回路などを電気的に接続す
る配線として機能する。また、導電体３４３の一部は、外部との電気信号の授受を行う端
子としても機能する。
次に、トランジスタ４０１を覆う絶縁体３２３を形成する。絶縁体３２３は、絶縁体３
２１と同様の方法により形成することができる。
また、絶縁体３２３として、酸素を含む雰囲気下で成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化
シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。さらに、当該酸化シリコン膜や酸
化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層する
ことが好ましい。酸素を含む雰囲気下で形成した酸化物絶縁膜は、加熱により多くの酸素
を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放出する酸化物絶縁膜と、
酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を行うことにより、金属酸
化物３５０に酸素を供給することができる。その結果、金属酸化物３５０中の酸素欠損、
及び金属酸化物３５０と絶縁体３２３の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することが
できる。これにより、極めて信頼性の高い表示装置を実現できる。
次に、絶縁体３２３上に絶縁体３２４を形成する。絶縁体３２４は、後に形成する表示
素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能することが好ましい。絶縁体
３２４は、絶縁体３２１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる
。
絶縁体３２４は、基板３１１の耐熱温度以下で形成する。絶縁体３２４は、加熱処理の
温度より低い温度で形成することが好ましい。
次に、絶縁体３２３及び絶縁体３２４に、導電体３４２ｂに達する開口部３６１と、導
電体３４３に達する開口部３６２と、を形成する（図１９（Ｃ）参照）。
その後、絶縁体３２４上に、かつ開口部３６１において導電体３４２ｂ上に、導電体３
４４ａを形成する。導電体３４４ａは、その一部が後述する発光素子３７０の画素電極と
して機能する。導電体３４４ａは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該
導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
一方、導電体３４４ａの形成と同時に、開口部３６２において導電体３４３上に、導電
体３４４ｂを形成する。なお、導電体３４４ｂを設ける必要が無い場合、形成しなくても
よい。
導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以
下がさらに好ましい。
導電体３４４ａの端部を覆う絶縁体３２５を形成する。絶縁体３２５は、絶縁体３２１
に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。又は、絶縁体３２５は、有機絶縁膜を適
用することができる。
絶縁体３２５は、基板３１１の耐熱温度以下で形成する。絶縁体３２５は、加熱処理の
温度より低い温度で形成することが好ましい。
次に、図１９（Ｃ）に示した作製基板に発光素子３７０を形成する（図２０（Ａ）参照
）。
発光素子３７０の形成として、初めに、導電体３４４ａ上、及び絶縁体３２５上に、Ｅ
Ｌ層３７１を形成する。
ＥＬ層３７１は、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法などの方法で形成することができる
。ＥＬ層３７１を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いた
蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。ＥＬ層３７１を画素毎
に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。
ＥＬ層３７１には、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、
無機化合物を含んでいてもよい。
なお、ＥＬ層３７１の詳細は、実施の形態５で説明するＥＬ層１１０３の記載を参酌す
る。
次に、絶縁体３２５上、及びＥＬ層３７１上に、導電体３４５を形成する。導電体３４
５は、その一部が発光素子３７０の共通電極として機能する。
導電体３４５は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。
導電体３４５は、基板３１１の耐熱温度以下かつＥＬ層３７１の耐熱温度以下で形成す
る。また、加熱処理の温度より低い温度で形成することが好ましい。
導電体３４５としては、透光性を有する導電体を適用する。透光性を有する導電体とし
ては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、珪素または酸化珪素を含むインジウム錫
酸化物、酸化インジウム－酸化亜鉛、チタンを含有した酸化インジウム－錫酸化物、イン
ジウム－チタン酸化物、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどの
金属酸化物が挙げられる。特に、導電体３４５としては、インジウム錫酸化物を適用する
のが好ましい。
以上のようにして、発光素子３７０を形成することができる。発光素子３７０は、一部
が画素電極として機能する導電体３４４ａ、ＥＬ層３７１、及び一部が共通電極として機
能する導電体３４５が積層された構成を有する。なお、ここでは、発光素子３７０として
、トップエミッション型の発光素子を作製する例を示した。
次に、導電体３４５を覆って絶縁体３２６を形成する。絶縁体３２６は、発光素子３７
０に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。発光素子３７０は
、絶縁体３２６によって封止される。導電体３４５を形成した後、大気に曝すことなく、
絶縁体３２６を形成することが好ましい。
絶縁体３２６は、基板３１１の耐熱温度以下かつ発光素子３７０の耐熱温度以下で形成
する。絶縁体３２６は、加熱処理の温度より低い温度で形成することが好ましい。
絶縁体３２６は、例えば、上述した絶縁体３２１に用いることのできるバリア性の高い
無機絶縁膜が含まれる構成とすることが好ましい。また、無機絶縁膜と有機絶縁膜を積層
して用いてもよい。
絶縁体３２６は、ＡＬＤ法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。ＡＬ
Ｄ法及びスパッタリング法は低温成膜が可能であるため好ましい。ＡＬＤ法を用いると絶
縁体３２６のカバレッジが良好となり好ましい。
基板３１１から絶縁体３２６までに形成された構造は、表示ユニット２５０に相当する
。
なお、以下では、２層構造の表示領域２６０Ａの作製方法の例を説明するため、下層に
有する表示ユニット２５０を表示ユニット２５０ｂと記載し、上層に有する表示ユニット
２５０を表示ユニット２５０ａ［１］、表示ユニット２５０ａ［２］と記載する。
表示ユニット２５０ｂを支持基板３０１上に設ける（図２０（Ｂ）参照）。支持基板３
０１と基板３１１との間には、接着性を有する樹脂層などを用いるのが好ましい。なお、
該樹脂層は図２０（Ｂ）に図示していない。なお、支持基板３０１は、前述した絶縁体２
４０に含まれるものとする。
支持基板３０１としては、伸縮性を有する材料を用いる。例えば、熱硬化性エラストマ
ー、熱可塑性エラストマーなどを支持基板３０１に適用することができる。
次に、導電体３４４ｂ上に、かつ支持基板３０１上に、導電体３８０を形成する（図２
１（Ａ）参照）。なお、導電体３８０は、構成例で説明した信号線、ゲート線などに相当
する。
導電体３８０は、伸縮性を有する導電体であることが好ましい。導電体３８０としては
、例えば、銀、カーボン、銅等の導電性ペースト、又はポリチオフェン等の導電性ポリマ
ーなどを用いることができる。
次に、支持基板３０１上、及び基板３１１上に形成された表示ユニット２５０ｂ上に保
護層３９０を形成する（図２１（Ｂ）参照）。なお、保護層３９０は、前述した絶縁体２
４０に含まれるものとする。
保護層３９０としては、透光性と伸縮性とを有する絶縁体を適用する。例えば、保護層
３９０としては、塩化ビニル、ポリウレタン樹脂などを用いることができる。また、保護
層３９０は、上記に加えて、保護層３９０と、支持基板３０１及び表示ユニット２５０ｂ
と、を接合する用途として、接着性を有するのが好ましい。
次に、保護層３９０上に、基板３０２を設ける（図２２参照）。基板３０２に適用でき
る材料は、透光性、伸縮性を有する材料とする。加えて、基板３０２は、支持基板３０１
の伸縮率と異なる基板を用いることが好ましい。なお、基板３０２は、前述した絶縁体２
４０に含まれるものとする。
次に、基板３０２上に、表示ユニット２５０ｂと同様に作製することができる表示ユニ
ット２５０ａ［１］、表示ユニット２５０ａ［２］を形成する（図２３参照）。表示ユニ
ット２５０ａ［１］と表示ユニット２５０ａ［２］のそれぞれは、表示ユニット２５０ｂ
と同様に、トランジスタ、発光素子、配線を有する。
なお、表示ユニット２５０ａ［１］、及び表示ユニット２５０ａ［２］は、表示ユニッ
ト２５０ｂが有する発光素子３７０の一部の領域が、表示ユニット２５０ａ［１］と表示
ユニット２５０ａ［２］の間に有する一部の領域と重畳するように、基板３０２上に形成
されるのが好ましい。
表示ユニット２５０ａ［１］、及び表示ユニット２５０ａ［２］の形成後は、表示ユニ
ット２５０ｂに電気的に接続されている導電体３８０と同様に、配線として導電体３８１
を形成する。なお、導電体３８１に適用できる材料は、導電体３８０に用いることができ
る材料を援用することができる。
導電体３８１の形成後は、表示ユニット２５０ｂ上に形成された保護層３９０と同様に
、表示ユニット２５０ａ［１］上、表示ユニット２５０ａ［２］上、導電体３８１上、及
び基板３０２上に保護層３９１を形成する。なお、保護層３９１に適用できる材料は、保
護層３９０の伸縮率と異なる材料を用いることが好ましい。なお、保護層３９１は、前述
した絶縁体２４０に含まれるものとする。
保護層３９１の形成後は、保護層３９０上に設けた基板３０２と同様に、保護層３９１
上に、基板３０３を設ける。基板３０３に適用できる材料は、透光性、伸縮性を有する材
料とする。加えて、基板３０３は、支持基板３０１、及び基板３０２のそれぞれの伸縮率
と異なる基板を用いることが好ましい。なお、基板３０３は、前述した絶縁体２４０に含
まれるものとする。また、表示領域２６０Ａの作製方法例において、基板３０３は必ずし
も設けなくてもよい。
以上の工程により、表示領域２６０Ａを作製することができる。
また、表示領域２６１Ａ、表示領域２６２Ａについても、上述した表示領域２６０Ａの
作製方法例を参酌することによって、同様に作製することができる。
なお、本作製例では、表示ユニット２５０を作製して、表示ユニット２５０を支持基板
３０１上に設けているが、本発明の一態様の表示装置の作製方法は、これに限定されない
。
例えば、支持基板３０１上に基板３１１を設けて、その後にトランジスタ４０１、発光
素子３７０などを形成してもよい。この場合、表示ユニット２５０を構成する絶縁体、導
電体、金属酸化物などの成膜温度、及びトランジスタ４０１などに対する加熱処理の温度
を、支持基板３０１及び基板３１１の耐熱温度よりも低くするのが好ましい。また、例え
ば、支持基板３０１上に設ける基板３１１の代替として、スパッタリング法、ＰＬＤ（Ｐ
ｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ‐Ｅｎ
ｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、熱ＣＶＤ法
、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法などを用
いて形成される絶縁体であってもよい。また、この場合、該絶縁体は前述した絶縁体３２
１と異なる材料として、絶縁体３２１と積層してもよいし、又は該絶縁体は絶縁体３２１
と同一の材料として、連続して形成してもよい。
また、例えば、本発明の一態様の作製手順は、あらかじめ基板３１１上にポリイミドな
どの有機膜を塗布及び形成し、該ポリイミド上に表示ユニット２５０を形成し、表示ユニ
ット２５０をポリイミドから剥離して、支持基板３０１に表示ユニット２５０を転置する
方法としてもよい。表示ユニット２５０を支持基板３０１に転置した後は、導電体３８０
と保護層３９０を形成すればよい。なお、ポリイミドなどの有機膜以外としては、タング
ステンなどの無機膜を代替として使用できる場合がある。図２４（Ａ）では、当該有機膜
、又は当該無機膜から剥離した表示ユニット２５０を支持基板３０１上に設ける工程を示
している。なお、当該有機膜、又は当該無機膜から剥離した表示ユニット２５０の下部の
絶縁体３２１には、当該有機膜、又は当該無機膜の残物が付着している場合がある。
また表示ユニット２５０を上述した方法によって剥離した後において、表示ユニット２
５０を可撓性有する基板３１５上に転置し、表示ユニット２５０を転置した基板３１５を
支持基板３０１に接着する方法としてもよい（図２４（Ｂ）参照）。この場合、基板３１
５上に回路２５１が有する構成となるので、基板３１５は、伸縮率の小さい材料を用いる
のが好ましい。これは、基板３１５の伸びによって回路２５１にクラックなどの破損が起
きないようにするためである。
この方法を適用することによって、表示ユニット２５０が剥離する前の基板（ポリイミ
ドなどが形成された基板）に形成されるため、表示ユニット２５０を形成するための熱処
理を支持基板３０１、及び転置された基板３１５に施さずに済む。つまり、表示ユニット
２５０を構成する絶縁体、導電体、金属酸化物に施す熱処理に対して、支持基板３０１、
及び転置された基板３１５の耐熱性による制限を受けなくすることができる。一方、支持
基板３０１は、表示ユニット２５０を形成するための熱処理の影響が無いため、耐熱性の
低い材料を用いることができる。
本実施の形態で示した作製方法例によって、伸縮によって表示領域の面積を大きくして
も、表示品質が低下しない、表示装置を実現することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態及び／又は実施例と適宜組み合
わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態３で示した表示装置３００を用いた電子機器の例につい
て説明する。
＜例１＞
図２５（Ａ）は、表示装置３００を備えた電子機器である。電子機器７０００は、例え
ば、情報端末や電子ペーパーなどとして使用することができる。電子機器７０００は、表
示装置３００を備えているため、図２５（Ａ）のとおり、指７００１などで引っ張ること
によって伸長することができる。伸長が可能な特性を利用して、電子機器７０００を、曲
面を有する構造体などに貼り付けて利用することができる。また、表示装置３００を発光
装置の用途として、曲面を有する構造体などに貼り付けることによって、電子機器７００
０を照明装置として利用することができる。
＜例２＞
図２５（Ｂ）は、ウェアラブル端末の一種であるスマートウォッチであり、筐体５９０
１、表示部５９０２、操作ボタン５９０３、操作子５９０４、バンド５９０５などを有す
る。表示装置３００は、スマートウォッチの表示部５９０２に適用することができる。例
えば、表示部５９０２が凸型の曲面を有している場合、該曲面上に表示装置３００を伸長
して貼り合わせることで、凸型の表示部５９０２を実現することができる。
＜例３＞
図２５（Ｃ）は、表示装置３００を備えた衣類であり、衣服５８０１、表示部５８０２
などを有する。表示装置３００は、表示部５８０２に適用することができる。表示装置３
００は伸長が可能であるため、表示装置３００は伸縮する衣服５８０１に貼り合わせて使
用することができる。また、表示部５８０２は照明装置として用いることもできる。
また図２５（Ｃ）は、衣服５８０１の胸部に表示部５８０２を設けた例を示しているが
、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、袖部、腹部、背部などに表示部５８
０２を設けてもよい。また、図２５（Ｃ）に示す衣服５８０１は、シャツを例として示し
ているが、上着、下着、ズボンなどの衣類、靴、帽子やリストバンドなどのアクセサリー
などにも適用することができる。
＜例４＞
図２５（Ｄ）は、移動体である自動車の室内におけるフロントガラス周辺を表す図であ
る。表示装置３００は、図２５（Ｄ）に示している、ダッシュボードに取り付けられた表
示パネル５７０１、表示パネル５７０２、表示パネル５７０３の他、ピラーに取り付けら
れた表示パネル５７０４などに適用することができる。
表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、ナビゲーション情報、スピードメータ
ーやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情
報を提供することができる。また、表示パネルに表示される表示項目やレイアウトなどは
、ユーザの好みに合わせて適宜変更することができ、デザイン性を高めることが可能であ
る。表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、照明装置として用いることも可能で
ある。
表示パネル５７０４には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによっ
て、ピラーで遮られた視界（死角）を補完することができる。すなわち、自動車の外側に
設けられた撮像手段からの画像を表示することによって、死角を補い、安全性を高めるこ
とができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感
なく安全確認を行うことができる。表示パネル５７０４は、照明装置として用いることも
できる。
＜例５＞
図２６（Ａ）（Ｂ）は、壁に取り付けが可能な電子看板の例を示している。図２６（Ａ
）は、電子看板６３００Ａが壁６３０１に取り付けられている様子を示している。
ここで、電子看板６３００Ａに実施の形態３で説明した表示装置３００を適用した場合
を考える。図２６（Ａ）に示す電子看板６３００Ａに表示装置３００を適用することによ
って、電子看板６３００Ａを伸長して、図２６（Ｂ）に示す電子看板６３００Ｂの形状に
変化することができる。実施の形態２で説明した図１１の電子看板６２００Ａでは、縦方
向又は横方向に伸長することができるが、図２６（Ａ）（Ｂ）に示す電子看板６３００Ａ
（６３００Ｂ）では、電子看板に表示する内容に応じて、電子看板６３００Ａ（６３００
Ｂ）の縦と横の比を自由に変更することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態及び／又は実施例と適宜組み合
わせることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した表示ユニットに用いることができる発光素
子について図２７を用いて説明する。
＜発光素子の基本的な構造＞
まず、発光素子の基本的な構造について説明する。図２７（Ａ）には、一対の電極間に
発光層を含むＥＬ層を有する発光素子を示す。具体的には、第１の電極１１０１と第２の
電極１１０２との間にＥＬ層１１０３が挟まれた構造を有する。
また、図２７（Ｂ）には、一対の電極間に複数（図２７（Ｂ）では、２層）のＥＬ層（
１１０３ａ、１１０３ｂ）を有し、ＥＬ層の間に電荷発生層１１０４を有する積層構造（
タンデム構造）の発光素子を示す。タンデム構造の発光素子は、低電圧駆動が可能で消費
電力が低い発光装置を実現することができる。
電荷発生層１１０４は、第１の電極１１０１と第２の電極１１０２に電圧を印加したと
きに、一方のＥＬ層（１１０３ａまたは１１０３ｂ）に電子を注入し、他方のＥＬ層（１
１０３ｂまたは１１０３ａ）に正孔を注入する機能を有する。従って、図２７（Ｂ）にお
いて、第１の電極１１０１に第２の電極１１０２よりも電位が高くなるように電圧を印加
すると、電荷発生層１１０４からＥＬ層１１０３ａに電子が注入され、ＥＬ層１１０３ｂ
に正孔が注入されることとなる。
なお、電荷発生層１１０４は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有
する（具体的には、電荷発生層１１０４に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが
好ましい。また、電荷発生層１１０４は、第１の電極１１０１や第２の電極１１０２より
も低い導電率であっても機能する。
また、図２７（Ｃ）には、本発明の一態様の表示装置に適用できる発光素子のＥＬ層１
１０３の積層構造を示す。但し、この場合、第１の電極１１０１は陽極として機能するも
のとする。ＥＬ層１１０３は、第１の電極１１０１上に、正孔（ホール）注入層１１１１
、正孔（ホール）輸送層１１１２、発光層１１１３、電子輸送層１１１４、電子注入層１
１１５が順次積層された構造を有する。なお、図２７（Ｂ）に示すタンデム構造のように
複数のＥＬ層を有する場合であっても、各ＥＬ層が、陽極側から上記のように順次積層さ
れる構造とする。また、第１の電極１１０１が陰極で、第２の電極１１０２が陽極の場合
は、積層順は逆になる。
ＥＬ層（１１０３、１１０３ａ、１１０３ｂ）に含まれる発光層１１１３は、それぞれ
発光物質や複数の物質を適宜組み合わせて有しており、所望の発光色を呈する蛍光発光や
燐光発光が得られる構成とすることができる。また、発光層１１１３を発光色の異なる積
層構造としてもよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質やその他の
物質は、それぞれ異なる材料を用いればよい。また、図２７（Ｂ）に示す複数のＥＬ層（
１１０３ａ、１１０３ｂ）から、それぞれ異なる発光色が得られる構成としても良い。こ
の場合も各発光層に用いる発光物質やその他の物質を異なる材料とすればよい。
また、本発明の一態様である発光素子において、例えば、図２７（Ｃ）に示す第１の電
極１１０１を反射電極とし、第２の電極１１０２を半透過・半反射電極とし、微小光共振
器（マイクロキャビティ）構造とすることにより、ＥＬ層１１０３に含まれる発光層１１
１３から得られる発光を両電極間で共振させ、第２の電極１１０２から得られる発光を強
めることができる。
なお、発光素子の第１の電極１１０１が、反射性を有する導電性材料と透光性を有する
導電性材料（透明導電膜）との積層構造からなる反射電極である場合、透明導電膜の膜厚
を制御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層１１１３から得
られる光の波長λに対して、第１の電極１１０１と、第２の電極１１０２との電極間距離
がｍλ／２（ただし、ｍは自然数）近傍となるように調整するのが好ましい。
また、発光層１１１３から得られる所望の光（波長：λ）を増幅させるために、第１の
電極１１０１から発光層１１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離
と、第２の電極１１０２から発光層１１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）まで
の光学距離と、をそれぞれ（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は自然数）近傍となるよ
うに調節するのが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層１１１３における正
孔（ホール）と電子との再結合領域を示す。
このような光学調整を行うことにより、発光層１１１３から得られる特定の単色光のス
ペクトルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。
但し、上記の場合、第１の電極１１０１と第２の電極１１０２との光学距離は、厳密に
は第１の電極１１０１における反射領域から第２の電極１１０２における反射領域までの
総厚ということができる。しかし、第１の電極１１０１や第２の電極１１０２における反
射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１１０１と第２の電極１１０
２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものと
する。また、第１の電極１１０１と、所望の光が得られる発光層１１１３との光学距離は
、厳密には第１の電極１１０１における反射領域と、所望の光が得られる発光層１１１３
における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の電極１１０１
における反射領域や、所望の光が得られる発光層における発光領域を厳密に決定すること
は困難であるため、第１の電極１１０１の任意の位置を反射領域、所望の光が得られる発
光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるもの
とする。
図２７（Ｃ）に示す発光素子は、マイクロキャビティ構造を有するため、同じＥＬ層を
有していても異なる波長の光（単色光）を取り出すことができる。従って、異なる発光色
を得るための塗り分け（例えば、ＲＧＢ）が不要となる。従って、高精細化を実現するこ
とが容易である。また、着色層（カラーフィルタ）との組み合わせも可能である。さらに
、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図るこ
とができる。
なお、上述した本発明の一態様である発光素子において、第１の電極１１０１と第２の
電極１１０２の少なくとも一方は、透光性を有する電極（透明電極、半透過・半反射電極
など）とする。透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、４
０％以上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射
率は、２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。また、これらの
電極は、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
また、上述した本発明の一態様である発光素子において、第１の電極１１０１と第２の
電極１１０２の一方が、反射性を有する電極（反射電極）である場合、反射性を有する電
極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下と
する。また、この電極は、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
＜発光素子の具体的な構造および作製方法＞
次に、本発明の一態様である発光素子の具体的な構造および作製方法について説明する
。ここでは、図２７（Ｂ）に示すタンデム構造を有し、マイクロキャビティ構造を備えた
発光素子について図２７（Ｄ）を用いて説明する。図２７（Ｄ）に示す発光素子は、第１
の電極１１０１を反射電極として形成し、第２の電極１１０２を半透過・半反射電極とし
て形成する。従って、所望の電極材料を単数または複数用い、単層または積層して形成す
ることができる。なお、第２の電極１１０２は、ＥＬ層１１０３ｂを形成した後、上記と
同様に材料を選択して形成する。また、これらの電極の作製には、スパッタ法や真空蒸着
法を用いることができる。
＜＜第１の電極および第２の電極＞＞
第１の電極１１０１および第２の電極１１０２を形成する材料としては、上述した両電
極の機能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる
。例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いること
ができる。具体的には、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｓｉ－Ｓｎ酸化物
（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ酸化物が挙げられる。その他
、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆ
ｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タ
ングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イッ
トリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合
金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属
する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロ
ンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属
およびこれらを適宜組み合わせて含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。
図２７（Ｄ）に示す発光素子において、第１の電極１１０１が陽極である場合、第１の
電極１１０１上にＥＬ層１１０３ａの正孔注入層１１１１ａおよび正孔輸送層１１１２ａ
が真空蒸着法により順次積層形成される。ＥＬ層１１０３ａおよび電荷発生層１１０４が
形成された後、電荷発生層１１０４上にＥＬ層１１０３ｂの正孔注入層１１１１ｂおよび
正孔輸送層１１１２ｂが同様に順次積層形成される。
＜＜正孔注入層および正孔輸送層＞＞
正孔注入層（１１１１ａ、１１１１ｂ）は、陽極である第１の電極１１０１からＥＬ層
（１１０３ａ、１１０３ｂ）に正孔（ホール）を注入する層であり、正孔注入性の高い材
料を含む層である。
正孔注入性の高い材料としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸
化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物が挙げられる。この他、
フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰＣ）等のフタロシ
アニン系の化合物、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェ
ニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチル
フェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４
，４’－ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、またはポリ（３，４－
エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳ
Ｓ）等の高分子等を用いることができる。
また、正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受
容性材料）を含む複合材料を用いることもできる。この場合、アクセプター性材料により
正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層（１１１１ａ、１１１１ｂ）で正孔が
発生し、正孔輸送層（１１１２ａ、１１１２ｂ）を介して発光層（１１１３ａ、１１１３
ｂ）に正孔が注入される。なお、正孔注入層（１１１１ａ、１１１１ｂ）は、正孔輸送性
材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）を含む複合材料からなる単層で形成しても
良いが、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とをそれぞれ別の層で
積層して形成しても良い。
正孔輸送層（１１１２ａ、１１１２ｂ）は、正孔注入層（１１１１ａ、１１１１ｂ）に
よって、第１の電極１１０１から注入された正孔を発光層（１１１３ａ、１１１３ｂ）に
輸送する層である。なお、正孔輸送層（１１１２ａ、１１１２ｂ）は、正孔輸送性材料を
含む層である。正孔輸送層（１１１２ａ、１１１２ｂ）に用いる正孔輸送性材料は、特に
正孔注入層（１１１１ａ、１１１１ｂ）のＨＯＭＯ準位と同じ、あるいは近いＨＯＭＯ準
位を有するものを用いることが好ましい。
正孔注入層（１１１１ａ、１１１１ｂ）に用いるアクセプター性材料としては、元素周
期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には
、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タン
グステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大
気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。その他、キノジメタン誘
導体やクロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプターを用
いることができる。具体的には、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テト
ラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０
，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：
ＨＡＴ－ＣＮ）等を用いることができる。
正孔注入層（１１１１ａ、１１１１ｂ）および正孔輸送層（１１１２ａ、１１１２ｂ）
に用いる正孔輸送性材料としては、１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質
が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用
いることができる。
正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体
やインドール誘導体）や芳香族アミン化合物が好ましく、具体例としては、４，４’－ビ
ス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－
ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’
－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ
－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳ
ＰＢ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル
）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル
－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、３－
［４－（９－フェナントリル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称
：ＰＣＰＰｎ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン
－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、
Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾ
ール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称
：ＰＣＢＢｉＦ）４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール
－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－
４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：Ｐ
ＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバ
ゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９－ジメチル－Ｎ
－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フ
ルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル
－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－ア
ミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）ト
リフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニル
アミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（
３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ
）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン
（略称：ｍＣＰ）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３
，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴ
Ｐ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、３－
［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニル
カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾー
ル－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣ
Ａ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）ア
ミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、１，３，５－トリス［４
－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フ
ェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）など
のカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリ
イル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－
４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェ
ン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９
－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）な
どのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリ
イル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、４－｛３－［３－（９－フ
ェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍ
ｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。
さらに、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフ
ェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニ
ルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］
（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビ
ス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いるこ
ともできる。
但し、正孔輸送性材料は、上記に限られることなく公知の様々な材料を１種または複数
種組み合わせて正孔輸送性材料として正孔注入層（１１１１ａ、１１１１ｂ）および正孔
輸送層（１１１２ａ、１１１２ｂ）に用いることができる。
次に、図２７（Ｄ）に示す発光素子において、ＥＬ層１１０３ａの正孔輸送層１１１２
ａ上に発光層１１１３ａが真空蒸着法により形成される。また、ＥＬ層１１０３ａおよび
電荷発生層１１０４が形成された後、ＥＬ層１１０３ｂの正孔輸送層１１１２ｂ上に発光
層１１１３ｂが真空蒸着法により形成される。
＜＜発光層＞＞
発光層（１１１３ａ、１１１３ｂ）は、発光物質を含む層である。なお、発光物質とし
ては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質
を適宜用いる。また、複数の発光層（１１１３ａ、１１１３ｂ）に異なる発光物質を用い
ることにより異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせ
て得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有
する積層構造であっても良い。
また、発光層（１１１３ａ、１１１３ｂ）は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種
または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）を有していても良い。また、１
種または複数種の有機化合物としては、本実施の形態で説明する正孔輸送性材料や電子輸
送性材料の一方または両方を用いることができる。
発光層（１１１３ａ、１１１３ｂ）に用いることができる発光物質としては、特に限定
は無く、一重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質、または三重項励起
エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質を用いることができる。なお、上記発光
物質としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。
一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料
）が挙げられ、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フ
ルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導
体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘
導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は
発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’－ビス（３
－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス〔３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イ
ル）フェニル〕ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ
，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イ
ル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－
ビス（ジベンゾフラン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（
略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ジベンゾチオフェン－２－イル）－Ｎ，
Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－
（ピレン－１，６－ジイル）ビス［（Ｎ－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フ
ラン）－６－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－
ジイル）ビス［（Ｎ－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン
］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０２）、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジイル）ビス
［（６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略
称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）などが挙げられる。
その他にも、５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２
，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル
－９－アントリル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２
ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ
’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カ
ルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－
ジフェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－
ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバ
ゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－
４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：Ｐ
ＣＢＡＰＡ）、４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－４’－（９
－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢ
Ａ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ
）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４，１－
フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン］（略
称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－ア
ントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ
－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリ
フェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）等を用いることができ
る。
また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する
物質（燐光材料）や熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａ
ｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げ
られる。
燐光材料としては、有機金属錯体、金属錯体（白金錯体）、希土類金属錯体等が挙げら
れる。これらは、物質ごとに異なる発光色（発光ピーク）を示すため、必要に応じて適宜
選択して用いる。
青色または緑色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下
である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
例えば、トリス｛２－［５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニ
ル）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３］）、トリス（５－メチル－３，
４－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（Ｍｐｔｚ）３］）、トリス［４－（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェ
ニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒ
ｐｔｚ－３ｂ）３］）、トリス［３－（５－ビフェニル）－５－イソプロピル－４－フェ
ニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒ
５ｂｔｚ）３］）、のような４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、トリス［３
－メチル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラ
ト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３］）、トリス（１－メ
チル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）３］）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を
有する有機金属錯体、ｆａｃ－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－
フェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）
３］）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ
］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）
３］）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属錯体、ビス［２－（４’，６’－ジフ
ルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラ
ゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）
ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、
ビス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２
’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ）］
）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウ
ム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）のように電子吸引基を有す
るフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。
緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下
である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
例えば、トリス（４－メチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３］）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３］）、（アセチルアセトナト）
ビス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（
ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－
４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（
ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６－（２－ノルボルニル）－４－フェニ
ルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］
）、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェ
ニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ
）］）、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチル－２－［６－（２，６－ジメチ
ルフェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：［Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（
４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２
（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチル
アセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（
５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金
属イリジウム錯体、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリ
ジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）］）、
ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［
Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）３］）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’
）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）３］）、ビス（２－フェニルキノリナト
－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）２（
ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４－
ジフェニル－１，３－オキサゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２－［４’－（パーフルオ
ロフェニル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：［Ｉｒ（ｐ－ＰＦ－ｐｈ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２－フェニルベン
ゾチアゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ
（ｂｔ）２（ａｃａｃ）］）などの有機金属錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（
モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ
）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。
黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下
である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリ
ミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ）］）、
ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６－
ジ（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有
機金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５－
トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）、ビス｛４，６－ジメチル－２－［３－（３，５－ジメ
チルフェニル）－５－フェニル－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，６－ジ
メチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビス｛４，６－ジメチル－２－［５－（４
－シアノ－２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジメチルフェニル）－２－ピラ
ジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジ
オナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ
）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２－メチル－３－フェニルキノキサ
リナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｑ）２（ａｃａｃ）］
）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３－ジフェニルキノキサリナト－Ｎ，Ｃ２’）イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナ
ト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金
属錯体や、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）３］）、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリ
ジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）の
ようなピリジン骨格を有する有機金属錯体、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－
オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：［ＰｔＯＥＰ］）の
ような白金錯体、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェ
ナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）］）、
トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナン
トロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ）］）のよう
な希土類金属錯体が挙げられる。
発光層（１１１３ａ、１１１３ｂ）に用いる有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）
としては、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップ
を有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。
発光物質が蛍光材料である場合、一重項励起状態のエネルギー準位が大きく、三重項励
起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物を用いるのが好ましい。例えば、アントラセ
ン誘導体やテトラセン誘導体を用いるのが好ましい。具体的には、９－フェニル－３－［
４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣ
ｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾー
ル（略称：ＰＣＰＮ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］
－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７－［４－（１０－フェニル－９－アントリ
ル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、
６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－ベンゾ［ｂ］ナフト
［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－フェニル－１０－｛４－（９－
フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）－ビフェニル－４’－イル｝－アントラセン（
略称：ＦＬＰＰＡ）、５，１２－ジフェニルテトラセン、５，１２－ビス（ビフェニル－
２－イル）テトラセンなどが挙げられる。
発光物質が燐光材料である場合、発光物質の三重項励起エネルギー（基底状態と三重項
励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい有機化合物を選択すれ
ば良い。なお、この場合には、亜鉛やアルミニウム系金属錯体の他、オキサジアゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾ
キノキサリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ピリミジン誘
導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体
等の他、芳香族アミンやカルバゾール誘導体等を用いることができる。
具体的には、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、
トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）
、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢ
ｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウ
ム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ
ｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰ
ＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢ
ＴＺ）などの金属錯体、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニ
ル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅ
ｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：
ＯＸＤ－７）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチル
フェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’－（１，３
，５－ベンゼントリイル）－トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称
：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：
ＢＣＰ）、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フ
ェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキ
サジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複
素環化合物、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。
また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、
ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、
９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ－ジフェニル－９－
［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミ
ン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＤＰｈＰＡ）、ＹＧＡＰＡ、ＰＣＡＰＡ、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－｛４－［
４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］フェニル｝－９Ｈ－カルバゾール－
３－アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）２ＰＣＡＰＡ、６，１２－ジメトキシ－５，１１－ジ
フェニルクリセン、ＤＢＣ１、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェ
ニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６－ジフェニル－９－［４－（１
０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ
）、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、
９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－
９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９，９’－ビア
ントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’－（スチルベン－３，３’－ジイル）ジフェナン
トレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’－（スチルベン－４，４’－ジイル）ジフェナント
レン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５－トリ（１－ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ
３）などを用いることができる。
また発光層（１１１３ａ、１１１３ｂ）に有機化合物を複数用いる場合、励起錯体を形
成する化合物を組み合わせて用いることが好ましい。この場合、様々な有機化合物を適宜
組み合わせて用いることができるが、効率よく励起錯体を形成するためには、正孔を受け
取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料
）とを組み合わせることが特に好ましい。なお、正孔輸送性材料および電子輸送性材料の
具体例については、本実施の形態で示す材料を用いることができる。
ＴＡＤＦ材料とは、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態に
アップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よ
く呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、
三重項励起準位と一重項励起準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましく
は０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。また、ＴＡＤＦ材料における遅延
蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。
その寿命は、１０－６秒以上、好ましくは１０－３秒以上である。
ＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジ
ン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カド
ミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウ
ム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては
、例えば、プロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ）
）、メソポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマト
ポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポル
フィリンテトラメチルエステル－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ
－４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（ＯＥＰ）
）、エチオポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタ
エチルポルフィリン－塩化白金錯体（略称：ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等が挙げられる。
その他にも、２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ
［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－
ＴＲＺ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－
カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（
略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニ
ル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［
４－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５
－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－
ジメチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣ
ＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル
］スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［
アクリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等のπ電
子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いることがで
きる。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は
、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に
強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差が小さくなるため、特に好ま
しい。
なお、ＴＡＤＦ材料を用いる場合、他の有機化合物と組み合わせて用いることもできる
。
次に、図２７（Ｄ）に示す発光素子において、ＥＬ層１１０３ａの発光層１１１３ａ上
に電子輸送層１１１４ａが真空蒸着法により形成される。また、ＥＬ層１１０３ａおよび
電荷発生層１１０４が形成された後、ＥＬ層１１０３ｂの発光層１１１３ｂ上に電子輸送
層１１１４ｂが真空蒸着法により形成される。
＜＜電子輸送層＞＞
電子輸送層（１１１４ａ、１１１４ｂ）は、電子注入層（１１１５ａ、１１１５ｂ）に
よって、第２の電極１１０２から注入された電子を発光層（１１１３ａ、１１１３ｂ）に
輸送する層である。なお、電子輸送層（１１１４ａ、１１１４ｂ）は、電子輸送性材料を
含む層である。電子輸送層（１１１４ａ、１１１４ｂ）に用いる電子輸送性材料は、１×
１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子
の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。
電子輸送性材料としては、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位
子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾー
ル誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体などが挙げられ
る。その他、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物を用いるこ
ともできる。
具体的には、Ａｌｑ３、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称
：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：
ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］
亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベン
ゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体、２－（４－ビフェニリ
ル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：
ＰＢＤ）、ＯＸＤ－７、３－（４’－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－
（４’’－ビフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅ
ｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１
，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰ
ｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキ
サゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物、２－［３
－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称
：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェ
ニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ
）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベ
ンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾ
チオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴ
ＰＤＢｑ－ＩＩ）、６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［
ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）等のキノキサリンないしはジ
ベンゾキノキサリン誘導体を用いることができる。
また、ポリ（２，５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシ
ルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ
－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２
’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を
用いることもできる。
また、電子輸送層（１１１４ａ、１１１４ｂ）は、単層のものだけでなく、上記物質か
らなる層が２層以上積層した構造であってもよい。
次に、図２７（Ｄ）に示す発光素子において、ＥＬ層１１０３ａの電子輸送層１１１４
ａ上に電子注入層１１１５ａが真空蒸着法により形成される。その後、ＥＬ層１１０３ａ
および電荷発生層１１０４が形成され、ＥＬ層１１０３ｂの電子輸送層１１１４ｂまで形
成された後、上に電子注入層１１１５ｂが真空蒸着法により形成される。
＜＜電子注入層＞＞
電子注入層（１１１５ａ、１１１５ｂ）は、電子注入性の高い物質を含む層である。電
子注入層（１１１５ａ、１１１５ｂ）には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム
（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなア
ルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フ
ッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電
子注入層（１１１５ａ、１１１５ｂ）にエレクトライドを用いてもよい。エレクトライド
としては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質
等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層（１１１４ａ、１１１４ｂ）を構成する物質
を用いることもできる。
また、電子注入層（１１１５ａ、１１１５ｂ）に、有機化合物と電子供与体（ドナー）
とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって
有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合
、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的
には、例えば上述した電子輸送層（１１１４ａ、１１１４ｂ）に用いる電子輸送性材料（
金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合
物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類
金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビ
ウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸
化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。
また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフ
ルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
なお、例えば、発光層１１１３ｂから得られる光を増幅させる場合には、第２の電極１
１０２と、発光層１１１３ｂとの光学距離が、発光層１１１３ｂが呈する光の波長に対し
てλ／４未満となるように形成するのが好ましい。この場合、電子輸送層１１１４ｂまた
は電子注入層１１１５ｂの膜厚を変えることにより、調整することができる。
＜＜電荷発生層＞＞
電荷発生層１１０４は、第１の電極（陽極）１１０１と第２の電極（陰極）１１０２と
の間に電圧を印加したときに、ＥＬ層１１０３ａに電子を注入し、ＥＬ層１１０３ｂに正
孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層１１０４は、正孔輸送性材料に電子受容体
（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）
が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
なお、上述した材料を用いて電荷発生層１１０４を形成することにより、ＥＬ層が積層さ
れた場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
電荷発生層１１０４において、正孔輸送性材料に電子受容体が添加された構成とする場
合、正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、
電子受容体としては、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロ
キノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素
周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的に
は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タ
ングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。
電荷発生層１１０４において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成とする場
合、電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、
電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素
周期表における第２、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることがで
きる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カル
シウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セ
シウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を
電子供与体として用いてもよい。
＜＜基板＞＞
本実施の形態で示した発光素子は、様々な基板上に形成することができる。なお、基板
の種類は、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板（例え
ば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基
板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タ
ングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム
、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。
なお、ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガ
ラス、又はソーダライムガラスなどが挙げられる。また、可撓性基板、貼り合わせフィル
ム、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエ
チレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラス
チック、アクリル等の合成樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又
はポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、
又は紙類などが挙げられる。
なお、本実施の形態で示す発光素子の作製には、蒸着法などの真空プロセスや、スピン
コート法やインクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法を用いる
場合には、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、
真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）や、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等を用いることが
できる。特に発光素子のＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層（１１１１ａ、１１１１ｂ
）、正孔輸送層（１１１２ａ、１１１２ｂ）、発光層（１１１３ａ、１１１３ｂ）、電子
輸送層（１１１４ａ、１１１４ｂ）、電子注入層（１１１５ａ、１１１５ｂ））、および
電荷発生層１１０４については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、
ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インク
ジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印
刷）法、グラビア法、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる
。
なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層（１１０３ａ、１１０３ｂ）を構成する各
機能層（正孔注入層（１１１１ａ、１１１１ｂ）、正孔輸送層（１１１２ａ、１１１２ｂ
）、発光層（１１１３ａ、１１１３ｂ）、電子輸送層（１１１４ａ、１１１４ｂ）、電子
注入層（１１１５ａ、１１１５ｂ））や電荷発生層１１０４は、上述した材料に限られる
ことはなく、それ以外の材料であっても各層の機能を満たせるものであれば組み合わせて
用いることができる。一例としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマ
ー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００以上４０００
以下）、無機化合物（量子ドット材料等）等を用いることができる。なお、量子ドット材
料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ド
ット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。
本実施の形態に示す構成は、本明細書に示す他の実施の形態、及び／又は実施例に示す
構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る発光装置について説明する。なお、図２８（
Ａ）に示す発光装置は、第１の基板１２０１上のトランジスタ（ＦＥＴ）１２０２と発光
素子（１２０３Ｒ、１２０３Ｇ、１２０３Ｂ、１２０３Ｗ）が電気的に接続されてなるア
クティブマトリクス型の発光装置であり、複数の発光素子（１２０３Ｒ、１２０３Ｇ、１
２０３Ｂ、１２０３Ｗ）は、共通のＥＬ層１２０４を有し、また、各発光素子の発光色に
応じて、各発光素子の電極間の光学距離が調整されたマイクロキャビティ構造を有する。
また、ＥＬ層１２０４から得られた発光が第２の基板１２０５に形成されたカラーフィル
タ（１２０６Ｒ、１２０６Ｇ、１２０６Ｂ）を介して射出されるトップエミッション型の
発光装置である。
図２８（Ａ）に示す発光装置は、第１の電極１２０７を反射電極として機能するように
形成する。また、第２の電極１２０８を半透過・半反射電極として機能するように形成す
る。なお、第１の電極１２０７および第２の電極１２０８を形成する電極材料としては、
他の実施の形態の記載を参照し、適宜用いればよい。
また、図２８（Ａ）において、例えば、発光素子１２０３Ｒを赤色発光素子、発光素子
１２０３Ｇを緑色発光素子、発光素子１２０３Ｂを青色発光素子、発光素子１２０３Ｗを
白色発光素子とする場合、図２８（Ｂ）に示すように発光素子１２０３Ｒは、第１の電極
１２０７と第２の電極１２０８との間が光学距離１２１１Ｒとなるように調整し、発光素
子１２０３Ｇは、第１の電極１２０７と第２の電極１２０８との間が光学距離１２１１Ｇ
となるように調整し、発光素子１２０３Ｂは、第１の電極１２０７と第２の電極１２０８
との間が光学距離１２１１Ｂとなるように調整する。なお、図２８（Ｂ）に示すように、
発光素子１２０３Ｒにおいて導電層１２１０Ｒを第１の電極１２０７に積層し、発光素子
１２０３Ｇにおいて導電層１２１０Ｇを積層することにより、光学調整を行うことができ
る。
第２の基板１２０５には、カラーフィルタ（１２０６Ｒ、１２０６Ｇ、１２０６Ｂ）が
形成されている。なお、カラーフィルタは、特定の波長域の可視光を通過させ、当該波長
域以外の可視光を阻止するフィルタである。従って、図２８（Ａ）に示すように、発光素
子１２０３Ｒと重なる位置に赤の波長域のみを通過させるカラーフィルタ１２０６Ｒを設
けることにより、発光素子１２０３Ｒから赤色発光を得ることができる。また、発光素子
１２０３Ｇと重なる位置に緑の波長域のみを通過させるカラーフィルタ１２０６Ｇを設け
ることにより、発光素子１２０３Ｇから緑色発光を得ることができる。また、発光素子１
２０３Ｂと重なる位置に青の波長域のみを通過させるカラーフィルタ１２０６Ｂを設ける
ことにより、発光素子１２０３Ｂから青色発光を得ることができる。但し、発光素子１２
０３Ｗは、カラーフィルタを設けることなく白色発光を得ることができる。なお、１種の
カラーフィルタの端部には、黒色層（ブラックマトリックス）１２０９が設けられていて
もよい。さらに、カラーフィルタ（１２０６Ｒ、１２０６Ｇ、１２０６Ｂ）や黒色層１２
０９は、透明な材料を用いたオーバーコート層で覆われていても良い。
図２８（Ａ）では、第２の基板１２０５側に発光を取り出す構造（トップエミッション
型）の発光装置を示したが、図２８（Ｃ）に示すようにＦＥＴ１２０２が形成されている
第１の基板１２０１側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としても
良い。なお、ボトムエミッション型の発光装置の場合には、第１の電極１２０７を半透過
・半反射電極として機能するように形成し、第２の電極１２０８を反射電極として機能す
るように形成する。また、第１の基板１２０１は、少なくとも透光性の基板を用いる。ま
た、カラーフィルタ（１２０６Ｒ’、１２０６Ｇ’、１２０６Ｂ’）は、図２８（Ｃ）に
示すように発光素子（１２０３Ｒ、１２０３Ｇ、１２０３Ｂ）よりも第１の基板１２０１
側に設ければよい。
また、図２８（Ａ）において、発光素子が、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素
子、白色発光素子の場合について示したが、本発明の一態様の表示装置に適用できる発光
素子はその構成に限られることはなく、黄色の発光素子や橙色の発光素子を有する構成で
あっても良い。なお、これらの発光素子を作製するためにＥＬ層（発光層、正孔注入層、
正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層など）に用いる材料としては、他の実
施の形態の記載を参照し、適宜用いればよい。なお、その場合には、また、発光素子の発
光色に応じてカラーフィルタを適宜選択する必要がある。
以上のような構成とすることにより、複数の発光色を呈する発光素子を備えた発光装置
を得ることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態及び／又は実施例と適宜組み合
わせて用いることができる。
本実施例では、伸縮性を有する支持基板上にガラス基板を設けたサンプルについて説明
する。
図２９は、支持基板５０１上に基板５０３を距離ＭＭＴの間隔毎に設けたサンプルを模
式的に示している。なお、支持基板５０１、及び基板５０３のそれぞれは、実施の形態３
の作製方法例で説明した図２０（Ｂ）における、支持基板３０１、及び表示ユニット２５
０ｂに相当する。
接着剤５０２は、支持基板５０１と基板５０３とが重畳する領域に有する。接着剤５０
２は、支持基板５０１上に基板５０３を接着する用途として用いられる。
ここで、支持基板５０１を共和工業株式会社製のシリコーンゴムシート「ＫＳ０５００
０」、接着剤５０２をセメダイン社製「スーパーＸ８００８」、基板５０３を旭硝子株式
会社製のＡＮ１００（ガラス基板）とした場合のサンプルの写真を図３０（Ａ）に示す。
なお、複数の基板５０３のそれぞれは１０ｍｍ×１０ｍｍの正方形に加工されており、４
×３のマトリックス、かつ隣り合う基板５０３の間の距離ＭＭＴが１０ｍｍとなるように
支持基板５０１上に設けられている。
図３０（Ｂ）は、図３０（Ａ）に示すサンプルをｓ方向に伸ばした様子の画像を示して
いる。また、図３０（Ｃ）は、図３０（Ａ）に示すサンプルをｔ方向に伸ばした様子の画
像を示している。そして、図３０（Ｄ）は、図３０（Ａ）に示すサンプルをｕ方向に伸ば
した様子の画像を示している。なお、図３０（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）のそれぞれのサンプ
ルは、実験者の手によって、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下の長さ分引き伸ばされている。
図３０（Ｂ）乃至図３０（Ｄ）に示すとおり、上述の材料を用いて図３０（Ａ）に示す
サンプルを作製することによって、支持基板５０１から基板５０３が剥がれることなく、
当該サンプルを伸ばすことができる。
なお、本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いるこ
とができる。
ＳＬａ［１］ 信号線、ＳＬａ［２］ 信号線、ＳＬｂ［１］ 信号線、ＳＬｂ［
２］ 信号線、ＳＬ［１］ 信号線、ＳＬ［２］ 信号線、ＧＬａ［１］ ゲー
ト線、ＧＬａ［２］ ゲート線、ＧＬｂ［１］ ゲート線、ＧＬｂ［２］ ゲート
線、３０ ユニット、３１ ユニット、３２ 接続領域、４１ 導電体、４１ａ
円板、４１ｂ 柱、４１ｃ 円板、４２ 導電体、４３ 導電体、４４
導電体、４４ａ 円板、４４ｂ 円筒、４４ｃ 円板、４５ 導電体、４６
導電体、４７ 導電体、４８ 導電体、５１ コード、５２ コード、５３
コード、５４ コード、６０ 軸、６０Ａ 軸、６０ａ 軸、６０ｂ 軸、６
０ｃ 軸、６０ｄ 軸、６０ｅ 軸、６０ｆ 軸、６０ｇ 軸、６０ｈ 軸
、６０ｉ 軸、６１ 軸、６２ 軸、６９ｂ［１］ 開口部、６９ｂ［２］
開口部、６９ｃ［１］ 開口部、６９ｃ［２］ 開口部、７０ 支持ユニット、７
２ 接続領域、７３ 支持体、８０ 表示ユニット、８０Ａ 表示ユニット、８
０Ｂ 表示ユニット、８０ａ 表示ユニット、８０ｂ 表示ユニット、８０ｃ
表示ユニット、８０ｄ 表示ユニット、８１ 表示部、８１Ａ 表示部、８２
接続領域、８２ａ 接続領域、８２ｂ 接続領域、８２ｃ 接続領域、８２ｄ
接続領域、８２ｅ 接続領域、８２ｆ 接続領域、８２ｇ 接続領域、８２ｈ
接続領域、８３ 支持体、８３Ａ 支持体、８５ 表示ユニット群、８５Ａ 表
示ユニット群、８５Ｂ 表示ユニット群、８５Ｃ 表示ユニット群、８６ 表示ユ
ニット群、８６Ａ 表示ユニット群、８６Ｂ 表示ユニット群、８０［１］ 表示
ユニット、８０［２］ 表示ユニット、８０［３］ 表示ユニット、８０［４］
表示ユニット、８６ｂ 配線、８６ｃ 配線、９０ 駆動回路ユニット、９１
駆動回路部、９２ 接続領域、９３ 支持体、１００ 表示装置、１００ａ 領
域、１００ｂ 領域、１００Ａ 表示装置、１００Ｂ 表示装置、１０１ 表示
領域、１０１ａ 領域、１０１ｂ 領域、１０２Ａ ドライバ領域、１０２Ｂ
ドライバ領域、１０５ａ 領域、１０５ｂ 領域、１０６ 領域、２４０ 絶縁
体、２５０ 表示ユニット、２５０ａ 表示ユニット、２５０ａ［１］ 表示ユニ
ット、２５０ａ［２］ 表示ユニット、２５０ｂ 表示ユニット、２５１ 回路、
２５２ 発光部、２５５ 表示ユニット、２５６ 回路、２６０ 表示領域、２
６０Ａ 表示領域、２６０Ｂ 表示領域、２６１Ａ 表示領域、２６１Ｂ 表示
領域、２６２Ａ 表示領域、２６２Ｂ 表示領域、２７０ ドライバ領域、２７０
Ａ ドライバ領域、２７１ 駆動回路ユニット、２７２ 配線、２８０ ドライ
バ領域、２８０Ａ ドライバ領域、２８１ 駆動回路ユニット、２８２ 配線、３
０１ 支持基板、３０２ 基板、３０３ 基板、３１１ 基板、３１５ 基板
、３２１ 絶縁体、３２２ 絶縁体、３２３ 絶縁体、３２４ 絶縁体、３２５
絶縁体、３２６ 絶縁体、３４１ 導電体、３４２ａ 導電体、３４２ｂ
導電体、３４３ 導電体、３４４ａ 導電体、３４４ｂ 導電体、３４５ 導電
体、３５０ 金属酸化物、３６１ 開口部、３６２ 開口部、３７０ 発光素子
、３８０ 導電体、３８１ 導電体、３９０ 保護層、３９１ 保護層、４０１
トランジスタ、５０１ 支持基板、５０２ 接着剤、５０３ 基板、１１０１
電極、１１０２ 電極、１１０３ ＥＬ層、１１０３ａ ＥＬ層、１１０３ｂ
ＥＬ層、１１０４ 電荷発生層、１１１１ 正孔注入層、１１１１ａ 正孔注
入層、１１１１ｂ 正孔注入層、１１１２ 正孔輸送層、１１１２ａ 正孔輸送層
、１１１２ｂ 正孔輸送層、１１１３ 発光層、１１１３ａ 発光層、１１１３ｂ
発光層、１１１４ 電子輸送層、１１１４ａ 電子輸送層、１１１４ｂ 電子
輸送層、１１１５ 電子注入層、１１１５ａ 電子注入層、１１１５ｂ 電子注入
層、１２０１ 基板、１２０２ ＦＥＴ、１２０３Ｒ 発光素子、１２０３Ｇ
発光素子、１２０３Ｂ 発光素子、１２０３Ｗ 発光素子、１２０４ ＥＬ層、１
２０５ 基板、１２０６Ｒ カラーフィルタ、１２０６Ｒ’ カラーフィルタ、１
２０６Ｇ カラーフィルタ、１２０６Ｇ’ カラーフィルタ、１２０６Ｂ カラー
フィルタ、１２０６Ｂ’ カラーフィルタ、１２０７ 電極、１２０８ 電極、１
２０９ 黒色層、１２１０Ｒ 導電層、１２１０Ｇ 導電層、１２１１Ｒ 光学
距離、１２１１Ｇ 光学距離、１２１１Ｂ 光学距離、５７０１ 表示パネル、５
７０２ 表示パネル、５７０３ 表示パネル、５７０４ 表示パネル、５８０１
衣服、５８０２ 表示部、５９０１ 筐体、５９０２ 表示部、５９０３ 操
作ボタン、５９０４ 操作子、５９０５ バンド、６００１ 建造物、６００２
看板、６００２Ａ 看板、６００３ 鉄骨、６１００ 電子看板、６１０１
表示部、６１０２ 構造体、６１０３ キャスター、６２００Ａ 電子看板、６２
００Ｂ 電子看板、６２０１ 壁、６３００Ａ 電子看板、６３００Ｂ 電子看
板、６３０１ 壁、７０００ 電子機器、７００１ 指

Claims (2)

  1. 縦横比の変更が可能な表示装置であって、
    第１乃至第４ユニットを備えた表示領域を有し、
    前記第１乃至第４ユニットのそれぞれは、発光部と、第１接続領域と、第２接続領域と、を有し、
    前記第１乃至第４ユニットは、それぞれの長辺方向において、前記発光部が前記第１接続領域と前記第２接続領域との間に位置し、
    前記第１ユニットの長辺方向と前記第４ユニットの長辺方向とは平行であり、
    前記第２ユニットの長辺方向と前記第３ユニットの長辺方向とは平行であり、
    前記第１ユニットの前記第１接続領域は、前記第３ユニットの前記第１接続領域上に位置し、第１の軸によって、前記第３ユニットの前記第１接続領域と電気的に接続され、
    前記第１ユニットの前記第２接続領域は、前記第２ユニットの前記第１接続領域上に位置し、第２の軸によって、前記第２ユニットの前記第１接続領域と電気的に接続され、
    前記第４ユニットの前記第１接続領域は、前記第３ユニットの前記第２接続領域上に位置し、第３の軸によって、前記第３ユニットの前記第２接続領域と電気的に接続され、
    前記第４ユニットの前記第２接続領域は、前記第２ユニットの前記第２接続領域上に位置し、第４の軸によって、前記第２ユニットの前記第２接続領域と電気的に接続され、
    前記表示領域は、前記第１ユニットと前記第２ユニットとのなす角度および前記第１ユニットと前記第３ユニットとのなす角度を変更できる、表示装置。
  2. 請求項１において、
    前記発光部は、発光素子を有する表示装置。
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