JP2017212437A - 剥離方法、表示装置、モジュール、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】作製基板上14に、感光性を有する材料を用いて、第1の層を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、第1の層に、第1の領域と、第1の領域よりも厚さの薄い第2の領域と、を形成することで、第1の領域及び第2の領域を有する樹脂層23を形成し、樹脂層の第1の領域上に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタ40を形成し、樹脂層の第2の領域上に、導電層43cを形成し、レーザを用いて樹脂層に光65を照射し、トランジスタと作製基板とを分離する。
【選択図】図4
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法及び表示装置の作製方法について図1〜図18を用いて説明する。
まず、作製基板14上に、感光性を有する材料を用いて、第1の層24を形成する(図1(A))。
以降の作製方法例では、先に説明した作製方法例と同様の部分については、説明を省略することがある。
まず、作製方法例1Aと同様に、作製基板14上に、樹脂層23から絶縁層35までを順に形成する(図11(A))。なお、作製方法例3Aでは、酸化物導電層44b上に、導電層43cを設けない例を示す。
まず、作製基板14上に、感光性を有する材料を用いて、第1の層24を形成する(図12(A))。そして、作製方法例1Aと同様に、フォトリソグラフィ法を用いて、凹部を有する樹脂層23を形成する(図12(B))。
本発明の一態様を適用して、ボトムエミッション型の表示装置を作製することができる。
図18(B)に示す表示装置は、トランジスタ80が、導電層81及び絶縁層82を有さない点で、図17(B)に示す表示装置と異なる。図18(B)に示すトランジスタは、酸化物半導体層83a、絶縁層84、導電層85、導電層86a、及び導電層86bを有する。図18(B)に示す接続部383には、酸化物導電層83bと導電層86cが設けられている。
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法及び表示装置の作製方法について図19〜図32を用いて説明する。なお、実施の形態1と重複する部分については説明を省略することがある。
まず、作製基板14上に、感光性を有する材料を用いて、第1の層24を形成し(図19(A))、フォトリソグラフィ法を用いて、所望の形状の樹脂層23を形成する(図19(B))。図19(B)では、樹脂層23に、第1の領域と、第1の領域よりも厚さの薄い第2の領域(凹部ともいう)を設ける例を示す。
まず、作製基板14上に、感光性を有する材料を用いて、第1の層24を形成する(図26(A))。そして、作製方法例1Bと同様に、フォトリソグラフィ法を用いて、凹部を有する樹脂層23を形成する(図26(B))。
本発明の一態様を適用して、ボトムエミッション型の表示装置を作製することができる。
図32(B)に示す表示装置は、トランジスタ80が、導電層81及び絶縁層82を有さない点で、図31(B)に示す表示装置と異なる。図32(B)に示すトランジスタは、酸化物半導体層83a、絶縁層84、導電層85、導電層86a、及び導電層86bを有する。図32(B)に示す接続部383には、導電層86cが設けられている。導電層86cは、絶縁層31及び絶縁層33を介して、樹脂層23の側面と重なる。
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法について、図33〜図35を用いて説明する。
まず、図33(A)に示すように、作製基板14上に感光性の材料を用いて第1の層24を形成する。ここでは、ポジ型の材料を用いる例を示す。つまり、第1の層24は、光が照射された部分がエッチャントに溶解し、光が照射されていない部分が残存する層である。
まず、図34(A)に示すように、作製基板14上に感光性の材料を用いて第1の層24を形成する。ここでは、ポジ型の材料を用いる例を示す。
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュール及び電子機器について、図36及び図37を用いて説明する。
13 接着層
14 作製基板
22 基板
23 樹脂層
23a 樹脂層
24 第1の層
25 導電層
26 接着層
27 フィルム
28 接着層
29 基板
31 絶縁層
32 絶縁層
33 絶縁層
34 絶縁層
35 絶縁層
40 トランジスタ
41 導電層
41a 導電層
41b 導電層
43a 導電層
43b 導電層
43c 導電層
44 酸化物半導体層
44a 酸化物半導体層
44b 酸化物導電層
45a 導電層
45b 導電層
50 トランジスタ
54 切り込み
60 表示素子
61 導電層
62 EL層
63 導電層
64 刃物
64a 刃物
64b 刃物
64c 光
65 レーザ光
66 光
67 グレートーンマスク
68a 遮光膜
68b 半透過膜
69 起点
71 保護層
74 絶縁層
75 保護層
75a 基板
75b 接着層
76 接続体
77 FPC
80 トランジスタ
81 導電層
82 絶縁層
83 酸化物半導体層
83a 酸化物半導体層
83b 酸化物導電層
84 絶縁層
85 導電層
86a 導電層
86b 導電層
86c 導電層
91 作製基板
93 樹脂層
95 絶縁層
97 着色層
98 遮光層
99 接着層
381 表示部
382 駆動回路部
383 接続部
385A 領域
385B 領域
385C 領域
7000 表示部
7001 表示部
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7107 カメラ
7110 携帯電話機
7201 筐体
7202 操作ボタン
7203 情報
7210 携帯情報端末
7300 テレビジョン装置
7301 筐体
7303 スタンド
7311 リモコン操作機
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
Claims (20)
- 作製基板上に、感光性を有する材料を用いて、第1の層を形成し、
フォトリソグラフィ法を用いて、前記第1の層に、第1の領域と、前記第1の領域よりも厚さの薄い第2の領域と、を形成することで、前記第1の領域及び前記第2の領域を有する樹脂層を形成し、
前記樹脂層の前記第1の領域上に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを形成し、
前記樹脂層の前記第2の領域上に、導電層を形成し、
レーザを用いて、前記樹脂層に光を照射し、
前記トランジスタと前記作製基板とを分離する、剥離方法。 - 請求項1において、
多階調マスクを用いて、前記第1の領域及び前記第2の領域を有する前記樹脂層を島状に形成する、剥離方法。 - 請求項1において、
多階調マスクを用いて、前記第1の領域、前記第2の領域、及び開口を有する前記樹脂層を形成する、剥離方法。 - 作製基板上に、感光性を有する材料を用いて、第1の層を形成し、
フォトリソグラフィ法を用いて、前記第1の層に凹部を形成することで、凹部を有する樹脂層を形成し、
前記樹脂層上に、前記樹脂層の前記凹部の底面と重なる開口を有し、かつ、前記樹脂層の前記凹部の側面を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを形成し、
前記絶縁層の前記開口を介して前記樹脂層の前記凹部の底面と重なる導電層を形成し、
レーザを用いて、前記樹脂層に光を照射し、
前記トランジスタと前記作製基板とを分離する、剥離方法。 - 作製基板上に、感光性を有する材料を用いて、第1の層を形成し、
フォトリソグラフィ法を用いて、前記第1の層に凹部を形成することで、凹部を有する樹脂層を形成し、
前記樹脂層上に、前記樹脂層の前記凹部の側面及び底面を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを形成し、
前記絶縁層を介して前記樹脂層の前記凹部の底面と重なる導電層を形成し、
レーザを用いて、前記樹脂層に光を照射し、
前記トランジスタと前記作製基板とを分離する、剥離方法。 - 請求項5において、
前記トランジスタと前記作製基板とを分離した後、
前記樹脂層をアッシングし、かつ、前記絶縁層の前記導電層と重なる部分を除去することで、前記導電層を露出する、剥離方法。 - 請求項4乃至6のいずれか一において、
多階調マスクを用いて、前記凹部を有する前記樹脂層を島状に形成する、剥離方法。 - 請求項4乃至6のいずれか一において、
多階調マスクを用いて、前記凹部及び開口を有する前記樹脂層を形成する、剥離方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
前記トランジスタと前記作製基板とを分離した後、
前記樹脂層をアッシングすることで、前記導電層を露出する、剥離方法。 - 請求項1乃至9のいずれか一において、
前記導電層として、酸化物導電層を形成する、剥離方法。 - 請求項1乃至10のいずれか一において、
前記導電層を、前記トランジスタが有する電極または前記酸化物半導体と同一の材料及び同一の工程で形成する、剥離方法。 - 請求項1乃至11のいずれか一において、
前記レーザを用いて、前記作製基板側から、前記樹脂層に光を照射する、剥離方法。 - 樹脂層と、
前記樹脂層上の導電層と、
前記樹脂層上のトランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続される表示素子と、を有し、
前記樹脂層は、開口を有し、
前記開口では、前記導電層の少なくとも一部が露出し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、表示装置。 - 樹脂層と、
前記樹脂層上の絶縁層と、
前記絶縁層上の導電層と、
前記絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続される表示素子と、を有し、
前記樹脂層は、開口を有し、
前記絶縁層は、前記樹脂層の前記開口と重なる開口を有し、
前記樹脂層の前記開口では、前記導電層の少なくとも一部が露出し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、表示装置。 - 樹脂層と、
前記樹脂層上の絶縁層と、
前記絶縁層上の導電層と、
前記絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続される表示素子と、を有し、
前記樹脂層は、開口を有し、
前記絶縁層は、前記樹脂層の前記開口の周縁を覆い、かつ、前記樹脂層の前記開口と重なる開口を有し、
前記樹脂層の前記開口では、前記導電層の少なくとも一部が露出し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、表示装置。 - 請求項13乃至15のいずれか一において、
前記樹脂層の厚さは、0.1μm以上3μm以下である、表示装置。 - 請求項13乃至16のいずれか一において、
前記樹脂層の5%重量減少温度は、400℃未満である、表示装置。 - 請求項13乃至17のいずれか一において、
前記導電層の露出している面は、前記樹脂層の露出している面よりも突出した部分を有する、表示装置。 - 請求項13乃至18のいずれか一に記載の表示装置と、回路基板と、を有し、
前記導電層は、前記樹脂層の前記開口を介して、前記回路基板と電気的に接続される、モジュール。 - 請求項19に記載のモジュールと、
アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、又は操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、電子機器。
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