JPH08186166A - 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法 - Google Patents
張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法Info
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- JPH08186166A JPH08186166A JP34032694A JP34032694A JPH08186166A JP H08186166 A JPH08186166 A JP H08186166A JP 34032694 A JP34032694 A JP 34032694A JP 34032694 A JP34032694 A JP 34032694A JP H08186166 A JPH08186166 A JP H08186166A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来と同等以上の平坦性を持つ張り合わせ面
を、従来よりもきわめて簡単な方法で得る。張り合わせ
誘電体分離ウェーハを短時間に製造する方法を提供す
る。 【構成】 シリコンウェーハ２１の鏡面に誘電体分離用
のＶ字溝２３を、さらに酸化膜２４を形成する。高温Ｃ
ＶＤ法でポリシリコン膜２５を成長させ、その表面を研
削する。研削面にＳＯＧ２６をスピンコーティングし、
アニールする。ＳＯＧによる酸化膜２６の表面の粗さを
ＴＴＶで１.６〜２.２μｍ、ＬＴＶで０.４〜１.０μｍ
程度とする。酸化膜２６の表面を鏡面研磨してもよい。
酸化膜２６と支持ウェーハ２２の鏡面とを室温で重ね合
わせて密着させ、シリコンウェーハ２１を支持ウェーハ
２２に張り合わせた後、張り合わせ熱処理を行う。さら
に、シリコンウェーハの裏面を研削、研磨して酸化膜２
４の一部を露出させ、単結晶シリコン層を絶縁分離す
る。
を、従来よりもきわめて簡単な方法で得る。張り合わせ
誘電体分離ウェーハを短時間に製造する方法を提供す
る。 【構成】 シリコンウェーハ２１の鏡面に誘電体分離用
のＶ字溝２３を、さらに酸化膜２４を形成する。高温Ｃ
ＶＤ法でポリシリコン膜２５を成長させ、その表面を研
削する。研削面にＳＯＧ２６をスピンコーティングし、
アニールする。ＳＯＧによる酸化膜２６の表面の粗さを
ＴＴＶで１.６〜２.２μｍ、ＬＴＶで０.４〜１.０μｍ
程度とする。酸化膜２６の表面を鏡面研磨してもよい。
酸化膜２６と支持ウェーハ２２の鏡面とを室温で重ね合
わせて密着させ、シリコンウェーハ２１を支持ウェーハ
２２に張り合わせた後、張り合わせ熱処理を行う。さら
に、シリコンウェーハの裏面を研削、研磨して酸化膜２
４の一部を露出させ、単結晶シリコン層を絶縁分離す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は張り合わせ誘電体分離
ウェーハ（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｉｓｏｌａｔｅｄ
Ｗａｆｅｒ）の製造方法、詳しくは高温成長させたポリ
シリコン膜の研削面にＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａ
ｓｓ）膜等を回転塗布した張り合わせ誘電体分離ウェー
ハの製造方法に関する。
ウェーハ（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｉｓｏｌａｔｅｄ
Ｗａｆｅｒ）の製造方法、詳しくは高温成長させたポリ
シリコン膜の研削面にＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａ
ｓｓ）膜等を回転塗布した張り合わせ誘電体分離ウェー
ハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電体分離ウェーハでは、シリコンウェ
ーハの表面に、誘電体分離用のＶ字形状の溝を形成した
後にドーパントの注入や拡散を行い、その後に酸化膜
（絶縁膜）を成膜し、この酸化膜上に低温ＣＶＤ法また
は高温ＣＶＤ法によってポリシリコン膜を堆積してい
る。そして、シリコンウェーハをその裏面側から研削、
研磨して上記酸化膜の一部を露出させ、これにより単結
晶シリコン層を絶縁分離している。
ーハの表面に、誘電体分離用のＶ字形状の溝を形成した
後にドーパントの注入や拡散を行い、その後に酸化膜
（絶縁膜）を成膜し、この酸化膜上に低温ＣＶＤ法また
は高温ＣＶＤ法によってポリシリコン膜を堆積してい
る。そして、シリコンウェーハをその裏面側から研削、
研磨して上記酸化膜の一部を露出させ、これにより単結
晶シリコン層を絶縁分離している。
【０００３】従来より、誘電体分離ウェーハを製造する
以下の方法が知られている。この方法では、誘電体分離
ウェーハにおいて、誘電体分離島を形成する目的で掘ら
れるＶ溝エッチングは、ウェーハ面内で高密度な２０〜
１００μｍに及ぶ段差となる。この段差上にＣＶＤ成膜
されたポリシリコン膜は、通常６０〜３００μｍの厚み
となる。こうして形成された高温ＣＶＤによるポリシリ
コン膜は、１０〜２３０μｍ程度の適当な厚さに研削さ
れる。この研削面には、凹凸（０．１μｍ程度の研削
痕）が残っており、このままでは張り合わせには適さな
い。そこで、この研削面をさらに研磨し、凹凸のない張
り合わせに適した表面を作製する必要がある。しかし、
Ｖ溝による段差上に形成された高温ＣＶＤによるポリシ
リコン層のポリシリコンは粒径が大きく、また、結晶方
位の異なる粒界が不規則に並んでいる。このため、研磨
面の凹凸は、張り合わせに適するまでには緩和されな
い。
以下の方法が知られている。この方法では、誘電体分離
ウェーハにおいて、誘電体分離島を形成する目的で掘ら
れるＶ溝エッチングは、ウェーハ面内で高密度な２０〜
１００μｍに及ぶ段差となる。この段差上にＣＶＤ成膜
されたポリシリコン膜は、通常６０〜３００μｍの厚み
となる。こうして形成された高温ＣＶＤによるポリシリ
コン膜は、１０〜２３０μｍ程度の適当な厚さに研削さ
れる。この研削面には、凹凸（０．１μｍ程度の研削
痕）が残っており、このままでは張り合わせには適さな
い。そこで、この研削面をさらに研磨し、凹凸のない張
り合わせに適した表面を作製する必要がある。しかし、
Ｖ溝による段差上に形成された高温ＣＶＤによるポリシ
リコン層のポリシリコンは粒径が大きく、また、結晶方
位の異なる粒界が不規則に並んでいる。このため、研磨
面の凹凸は、張り合わせに適するまでには緩和されな
い。
【０００４】そこで、この欠点を解決する方法として、
誘電体分離ウェーハを張り合わせで製造する方法が、特
開平５−２２６４６３号公報に示されている。この方法
は、図２に示すように、シリコンウェーハ１１の表面１
１ａに所定の溝加工を施した後、加工面に熱酸化膜１２
を形成する。次に、高温ＣＶＤ法（トリクロロシラン、
常圧、１２００℃）により、酸化膜１２上に高温ポリシ
リコン層１３を溝深さの３倍の厚さに堆積する。その
後、高温ポリシリコン層１３を研削加工し、さらに、鏡
面研磨加工を施す。次いで、低温ＣＶＤ法（１Ｔｏｒ
ｒ、６００℃）により、高温ポリシリコン膜１４上に低
温ポリシリコン膜１５を成膜し、これに鏡面研磨加工を
施す。そして、支持ウェーハであるシリコンウェーハ１
７の表面酸化膜１７ａ（１００〜６００μｍ）にこの低
温ポリシリコン膜１６を重ね合わせて密着させ、その後
所定の熱処理を経てシリコンウェーハ同士を張り合わせ
る。
誘電体分離ウェーハを張り合わせで製造する方法が、特
開平５−２２６４６３号公報に示されている。この方法
は、図２に示すように、シリコンウェーハ１１の表面１
１ａに所定の溝加工を施した後、加工面に熱酸化膜１２
を形成する。次に、高温ＣＶＤ法（トリクロロシラン、
常圧、１２００℃）により、酸化膜１２上に高温ポリシ
リコン層１３を溝深さの３倍の厚さに堆積する。その
後、高温ポリシリコン層１３を研削加工し、さらに、鏡
面研磨加工を施す。次いで、低温ＣＶＤ法（１Ｔｏｒ
ｒ、６００℃）により、高温ポリシリコン膜１４上に低
温ポリシリコン膜１５を成膜し、これに鏡面研磨加工を
施す。そして、支持ウェーハであるシリコンウェーハ１
７の表面酸化膜１７ａ（１００〜６００μｍ）にこの低
温ポリシリコン膜１６を重ね合わせて密着させ、その後
所定の熱処理を経てシリコンウェーハ同士を張り合わせ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の張り合わせ面の形成プロセスは、高温ＣＶＤ
によるポリシリコン膜の成膜後の低温ＣＶＤによるポリ
シリコン膜の成膜、研削、研磨等の工程が必要で、大変
複雑であり、かつ、長時間を要する工程となっていた。
このため、張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造に長い
時間を要するという課題が生じていた。
うな従来の張り合わせ面の形成プロセスは、高温ＣＶＤ
によるポリシリコン膜の成膜後の低温ＣＶＤによるポリ
シリコン膜の成膜、研削、研磨等の工程が必要で、大変
複雑であり、かつ、長時間を要する工程となっていた。
このため、張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造に長い
時間を要するという課題が生じていた。
【０００６】
【発明の目的】そこで、この発明は、従来方法による場
合と同等以上の品質を持つ張り合わせ面を、従来よりも
きわめて簡単な方法で得ることができる張り合わせ誘電
体分離ウェーハの製造方法を提供することを、その目的
としている。また、この発明は、張り合わせ誘電体分離
ウェーハを短時間に製造することができる製造方法を提
供することを、その目的としている。
合と同等以上の品質を持つ張り合わせ面を、従来よりも
きわめて簡単な方法で得ることができる張り合わせ誘電
体分離ウェーハの製造方法を提供することを、その目的
としている。また、この発明は、張り合わせ誘電体分離
ウェーハを短時間に製造することができる製造方法を提
供することを、その目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明
は、誘電体分離島を有するシリコンウェーハと支持ウェ
ーハとを張り合わせることにより、誘電体分離ウェーハ
を製造する張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法に
おいて、誘電体分離用の溝を形成したシリコンウェーハ
の表面に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上に高温
ＣＶＤ法によりポリシリコン膜を形成する工程と、この
ポリシリコン膜を研削加工する工程と、このポリシリコ
ン膜の研削面上に絶縁物を含む流動体をスピン塗布する
工程と、この塗布した絶縁物表面を支持ウェーハ表面に
重ね合わせることにより、シリコンウェーハと支持ウェ
ーハとを張り合わせる工程とを備えた張り合わせ誘電体
分離ウェーハの製造方法である。
は、誘電体分離島を有するシリコンウェーハと支持ウェ
ーハとを張り合わせることにより、誘電体分離ウェーハ
を製造する張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法に
おいて、誘電体分離用の溝を形成したシリコンウェーハ
の表面に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上に高温
ＣＶＤ法によりポリシリコン膜を形成する工程と、この
ポリシリコン膜を研削加工する工程と、このポリシリコ
ン膜の研削面上に絶縁物を含む流動体をスピン塗布する
工程と、この塗布した絶縁物表面を支持ウェーハ表面に
重ね合わせることにより、シリコンウェーハと支持ウェ
ーハとを張り合わせる工程とを備えた張り合わせ誘電体
分離ウェーハの製造方法である。
【０００８】請求項２に記載の発明は、上記流動体膜の
表面を研磨する工程を含む請求項１に記載の張り合わせ
誘電体分離ウェーハの製造方法である。
表面を研磨する工程を含む請求項１に記載の張り合わせ
誘電体分離ウェーハの製造方法である。
【０００９】請求項３に記載の発明は、上記流動体とし
てＳＯＧを塗布する請求項１または請求項２に記載の張
り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法である。
てＳＯＧを塗布する請求項１または請求項２に記載の張
り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法である。
【００１０】請求項４に記載の発明は、上記ＳＯＧの塗
布後、アニールを行う請求項３に記載の張り合わせ誘電
体分離ウェーハの製造方法である。
布後、アニールを行う請求項３に記載の張り合わせ誘電
体分離ウェーハの製造方法である。
【００１１】
【作用】この発明に係る製造方法によれば、高温ＣＶＤ
法により形成したポリシリコン膜を研削し、この研削面
に例えばＳＯＧ、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｏｘｙ
Ｓｉｌａｎｅ）をスピン塗布し、平坦度の高い張り合わ
せ面を得る。このＳＯＧ塗布後には、アニール（６００
℃程度）を行う。この結果、ポリシリコン膜の研磨工程
等を省略することができる。また、このＳＯＧ表面を研
磨すれば、より良好な張り合わせ表面を得ることができ
る。また、従来の支持ウェーハの表面には酸化膜を１０
０〜５００μｍ形成しておくが、この酸化膜に代えてＳ
ＯＧ膜を用いることが出来る。よって、支持ウェーハ側
でもこの表面酸化工程を省略することができる。
法により形成したポリシリコン膜を研削し、この研削面
に例えばＳＯＧ、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｏｘｙ
Ｓｉｌａｎｅ）をスピン塗布し、平坦度の高い張り合わ
せ面を得る。このＳＯＧ塗布後には、アニール（６００
℃程度）を行う。この結果、ポリシリコン膜の研磨工程
等を省略することができる。また、このＳＯＧ表面を研
磨すれば、より良好な張り合わせ表面を得ることができ
る。また、従来の支持ウェーハの表面には酸化膜を１０
０〜５００μｍ形成しておくが、この酸化膜に代えてＳ
ＯＧ膜を用いることが出来る。よって、支持ウェーハ側
でもこの表面酸化工程を省略することができる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図１の（ａ）、（ｆ）は張り合わせ用のシリコ
ンウェーハ２１と支持ウェーハ２２とを示している。こ
れらのウェーハ２１、２２はいずれも鏡面研磨が施され
たポリッシュドウェーハＰＷである。
明する。図１の（ａ）、（ｆ）は張り合わせ用のシリコ
ンウェーハ２１と支持ウェーハ２２とを示している。こ
れらのウェーハ２１、２２はいずれも鏡面研磨が施され
たポリッシュドウェーハＰＷである。
【００１３】このシリコンウェーハ２１の研磨面（鏡
面）に深さ２０〜１００μｍの誘電体分離用のＶ字形状
の溝２３を形成する。例えば公知のフォトリソグラフィ
工程を用いてパターニングを施して形成する。そして、
その表面に厚さ０.５〜７.０μｍの酸化膜２４を熱酸化
法または高圧酸化法で形成する（ｂ）。
面）に深さ２０〜１００μｍの誘電体分離用のＶ字形状
の溝２３を形成する。例えば公知のフォトリソグラフィ
工程を用いてパターニングを施して形成する。そして、
その表面に厚さ０.５〜７.０μｍの酸化膜２４を熱酸化
法または高圧酸化法で形成する（ｂ）。
【００１４】続いて、高温ＣＶＤ法によりポリシリコン
膜２５を厚さ６０〜３００μｍだけ高温ＣＶＤ成長させ
る（ｃ）。詳しくは、１１００℃〜１２００℃でトリク
ロルシラン、水素、塩化水素を用いて、または、１１５
０℃〜１３００℃でテトラクロルシラン、水素、塩化水
素を用いて行う。なお、この後、シリコンウェーハ２
１，２２については所定の面取りを行う。
膜２５を厚さ６０〜３００μｍだけ高温ＣＶＤ成長させ
る（ｃ）。詳しくは、１１００℃〜１２００℃でトリク
ロルシラン、水素、塩化水素を用いて、または、１１５
０℃〜１３００℃でテトラクロルシラン、水素、塩化水
素を用いて行う。なお、この後、シリコンウェーハ２
１，２２については所定の面取りを行う。
【００１５】さらに、このポリシリコン膜２５の表面を
研削加工する（ｄ）。例えば＃３００〜＃２０００の砥
石を用いてポリシリコン膜２５を１０〜２３０μｍの厚
さにする。
研削加工する（ｄ）。例えば＃３００〜＃２０００の砥
石を用いてポリシリコン膜２５を１０〜２３０μｍの厚
さにする。
【００１６】ここで、スピンコーティング法によりこの
研削面にＳＯＧ２６を０.１〜２.５μｍの厚さに塗布す
る（ｅ）。具体的には、シリコンウェーハ２１を１００
０〜４０００ｒｐｍの速度で回転させ、この表面に、珪
化物を有機溶剤や非有機溶剤で溶解した溶液（Ｓｉを含
む分子の含有濃度：２〜２０％）を塗布する。そして、
約４００〜６００℃で所定時間アニールする。または、
酸素と水素の混合雰囲気、水蒸気を含む雰囲中で約９０
０〜１２００℃で所定時間熱酸化する。この結果、ＳＯ
Ｇによる酸化膜２６が形成されＭ，その表面の粗さはＴ
ＴＶで１.６〜２.２μｍ、ＬＴＶで０.４〜１.０μｍ程
度となる。なお、このＳＯＧ膜による酸化膜２６の表面
を鏡面研磨してもよい。
研削面にＳＯＧ２６を０.１〜２.５μｍの厚さに塗布す
る（ｅ）。具体的には、シリコンウェーハ２１を１００
０〜４０００ｒｐｍの速度で回転させ、この表面に、珪
化物を有機溶剤や非有機溶剤で溶解した溶液（Ｓｉを含
む分子の含有濃度：２〜２０％）を塗布する。そして、
約４００〜６００℃で所定時間アニールする。または、
酸素と水素の混合雰囲気、水蒸気を含む雰囲中で約９０
０〜１２００℃で所定時間熱酸化する。この結果、ＳＯ
Ｇによる酸化膜２６が形成されＭ，その表面の粗さはＴ
ＴＶで１.６〜２.２μｍ、ＬＴＶで０.４〜１.０μｍ程
度となる。なお、このＳＯＧ膜による酸化膜２６の表面
を鏡面研磨してもよい。
【００１７】そして、この酸化膜２６と上記支持ウェー
ハ２２の鏡面とを室温で重ね合わせて密着させる。その
結果、シリコンウェーハ２１は支持ウェーハ２２に張り
合わされる（ｇ）。そして、この張り合わされたウェー
ハに対しては、例えば所定時間、１０００℃〜１２００
℃で張り合わせ熱処理が行われる。
ハ２２の鏡面とを室温で重ね合わせて密着させる。その
結果、シリコンウェーハ２１は支持ウェーハ２２に張り
合わされる（ｇ）。そして、この張り合わされたウェー
ハに対しては、例えば所定時間、１０００℃〜１２００
℃で張り合わせ熱処理が行われる。
【００１８】最後に、張り合わせウェーハの片面（ウェ
ーハ２１側表面）を研削、研磨して誘電体分離ウェーハ
を得る（ｈ）。すなわち、シリコンウェーハをその裏面
側から研削、研磨して酸化膜２４の一部を露出させ、こ
れにより単結晶シリコン層を絶縁分離する。
ーハ２１側表面）を研削、研磨して誘電体分離ウェーハ
を得る（ｈ）。すなわち、シリコンウェーハをその裏面
側から研削、研磨して酸化膜２４の一部を露出させ、こ
れにより単結晶シリコン層を絶縁分離する。
【００１９】
【発明の効果】この発明に係る製造方法によれば、従来
と同等以上の品質を持つ張り合わせ面を有する張り合わ
せ誘電体分離ウェーハを簡単な方法で得ることができ
る。
と同等以上の品質を持つ張り合わせ面を有する張り合わ
せ誘電体分離ウェーハを簡単な方法で得ることができ
る。
【図１】本発明の一実施例に係る一連の張り合わせ工程
を示す流れ図である。
を示す流れ図である。
【図２】従来の張り合わせ方法に係る一連の張り合わせ
工程を示す流れ図である。
工程を示す流れ図である。
２１ シリコンウェーハ ２２ 支持ウェーハ ２４ 絶縁膜 ２５ 高温ポリシリコン膜 ２６ ＳＯＧ（酸化膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 俊文 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体分離島を有するシリコンウェーハ
と支持ウェーハとを張り合わせることにより、誘電体分
離ウェーハを製造する張り合わせ誘電体分離ウェーハの
製造方法において、 誘電体分離用の溝を形成したシリコンウェーハの表面に
絶縁膜を形成する工程と、 この絶縁膜上に高温ＣＶＤ法によりポリシリコン膜を形
成する工程と、 このポリシリコン膜を研削加工する工程と、 このポリシリコン膜の研削面上に絶縁物を含む流動体を
スピン塗布する工程と、 この塗布した絶縁物表面を支持ウェーハ表面に重ね合わ
せることにより、シリコンウェーハと支持ウェーハとを
張り合わせる工程とを備えた張り合わせ誘電体分離ウェ
ーハの製造方法。 - 【請求項２】 上記流動体膜の表面を研磨する工程を含
む請求項１に記載の張り合わせ誘電体分離ウェーハの製
造方法。 - 【請求項３】 上記流動体としてＳＯＧを塗布する請求
項１または請求項２に記載の張り合わせ誘電体分離ウェ
ーハの製造方法。 - 【請求項４】 上記ＳＯＧの塗布後、アニールを行う請
求項３に記載の張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34032694A JPH08186166A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34032694A JPH08186166A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186166A true JPH08186166A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18335878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34032694A Pending JPH08186166A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08186166A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08340046A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004513517A (ja) * | 2000-11-06 | 2004-04-30 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | ターゲット基板に結合される少なくとも一の薄層を備えた積層構造の作製方法 |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP34032694A patent/JPH08186166A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08340046A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004513517A (ja) * | 2000-11-06 | 2004-04-30 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | ターゲット基板に結合される少なくとも一の薄層を備えた積層構造の作製方法 |
| US8481409B2 (en) | 2000-11-06 | 2013-07-09 | Commissariat A L'energie Atomique | Manufacturing process for a stacked structure comprising a thin layer bonding to a target substrate |
| US8679946B2 (en) | 2000-11-06 | 2014-03-25 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Manufacturing process for a stacked structure comprising a thin layer bonding to a target substrate |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010206 |