JP2011066392A5 - Ｓｏｉ基板の作製方法 - Google Patents
Ｓｏｉ基板の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011066392A5 JP2011066392A5 JP2010143072A JP2010143072A JP2011066392A5 JP 2011066392 A5 JP2011066392 A5 JP 2011066392A5 JP 2010143072 A JP2010143072 A JP 2010143072A JP 2010143072 A JP2010143072 A JP 2010143072A JP 2011066392 A5 JP2011066392 A5 JP 2011066392A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- substance
- mixed solution
- substrate
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 27
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Natural products CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 1
Claims (7)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成し、
前記半導体基板に脆化層を形成し、
前記脆化層において前記半導体基板から半導体膜を分離し、
第１のエッチング処理により、前記分離後の半導体基板に残存した絶縁膜を除去し、
半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液をエッチャントとする第２のエッチング処理により、前記分離後の半導体基板に残存した脆化層及び半導体膜を除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 半導体基板上に絶縁膜を形成し、
前記半導体基板に脆化層を形成し、
前記脆化層において前記半導体基板から半導体膜を分離し、
第１のエッチング処理により、前記分離後の半導体基板に残存した絶縁膜を除去し、
半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液をエッチャントとする第２のエッチング処理により、前記分離後の半導体基板に残存した脆化層及び半導体膜を除去し、
前記分離後の半導体基板の研磨の行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１又は２において、
フッ酸を含む溶液をエッチャントとして、前記第１のエッチング処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記脆化層は、Ｈ ３ ＋ イオンを含むイオンを照射することにより形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記半導体を酸化する酸化剤として機能する物質は、硝酸であり、
前記半導体の酸化物を溶解する物質は、フッ酸であり、
前記半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質は、酢酸であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項５において、
前記混合溶液の硝酸の体積は、前記混合溶液の酢酸の体積の０．０１倍より大きく、且つ１倍未満であり、
前記混合溶液の硝酸の体積は、前記混合溶液のフッ酸の体積の０．１倍より大きく、且つ１００倍未満であり、
前記混合溶液のフッ酸の体積は、前記混合溶液の酢酸の体積の０．０１倍より大きく、且つ０．３倍未満であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項６において、
前記混合溶液のフッ酸と硝酸と酢酸の体積比は、１：３：１０、１：２：１０、１．５：３：１０、２：２：１０、１：１０：２０、又は１：１：１０であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010143072A JP2011066392A (ja) | 2009-06-24 | 2010-06-23 | 半導体基板の再生処理方法及びｓｏｉ基板の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009149409 | 2009-06-24 | ||
| JP2009189103 | 2009-08-18 | ||
| JP2010143072A JP2011066392A (ja) | 2009-06-24 | 2010-06-23 | 半導体基板の再生処理方法及びｓｏｉ基板の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011066392A JP2011066392A (ja) | 2011-03-31 |
| JP2011066392A5 true JP2011066392A5 (ja) | 2013-07-25 |
Family
ID=43381206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010143072A Withdrawn JP2011066392A (ja) | 2009-06-24 | 2010-06-23 | 半導体基板の再生処理方法及びｓｏｉ基板の作製方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8278187B2 (ja) |
| JP (1) | JP2011066392A (ja) |
| KR (1) | KR20100138844A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120032487A (ko) * | 2009-06-24 | 2012-04-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기판의 재생 처리 및 ｓｏｉ 기판의 제작 방법 |
| US8318588B2 (en) | 2009-08-25 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing SOI substrate |
| KR101752901B1 (ko) * | 2009-08-25 | 2017-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기판의 재생 방법, 재생 반도체 기판의 제작 방법, 및 ｓｏｉ 기판의 제작 방법 |
| WO2011043178A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reprocessing method of semiconductor substrate, manufacturing method of reprocessed semiconductor substrate, and manufacturing method of soi substrate |
| US8735263B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US9123529B2 (en) | 2011-06-21 | 2015-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing SOI substrate |
| US10020222B2 (en) * | 2013-05-15 | 2018-07-10 | Canon, Inc. | Method for processing an inner wall surface of a micro vacancy |
| DE102015000451A1 (de) * | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Siltectra Gmbh | Unebener Wafer und Verfahren zum Herstellen eines unebenen Wafers |
| JP6416140B2 (ja) * | 2016-02-12 | 2018-10-31 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒および多結晶シリコン棒の選別方法 |
| JP6772820B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2020-10-21 | 日亜化学工業株式会社 | 再生基板の製造方法及び発光素子の製造方法 |
| JP2019062039A (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-18 | 株式会社東芝 | エッチング装置及び方法、処理システム、並びに、物品、半導体装置及び半導体チップの製造方法 |
Family Cites Families (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4936792B1 (ja) * | 1970-10-15 | 1974-10-03 | ||
| US4517106A (en) * | 1984-04-26 | 1985-05-14 | Allied Corporation | Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions |
| JPS6286709A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5843322A (en) * | 1996-12-23 | 1998-12-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers |
| JPH10284431A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Sharp Corp | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| US6013563A (en) * | 1997-05-12 | 2000-01-11 | Silicon Genesis Corporation | Controlled cleaning process |
| US6548382B1 (en) * | 1997-07-18 | 2003-04-15 | Silicon Genesis Corporation | Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process |
| JPH1154451A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2000012864A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP3395661B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2003-04-14 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
| JP3358550B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2002-12-24 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるｓｏｉウエーハ |
| US6271101B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device |
| JP4476390B2 (ja) * | 1998-09-04 | 2010-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2000223682A (ja) | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Canon Inc | 基体の処理方法及び半導体基板の製造方法 |
| JP2001085648A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法および貼り合わせウエーハ |
| WO2001006564A1 (en) * | 1999-07-15 | 2001-01-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing bonded wafer and bonded wafer |
| JP3943782B2 (ja) | 1999-11-29 | 2007-07-11 | 信越半導体株式会社 | 剥離ウエーハの再生処理方法及び再生処理された剥離ウエーハ |
| US6902987B1 (en) * | 2000-02-16 | 2005-06-07 | Ziptronix, Inc. | Method for low temperature bonding and bonded structure |
| JP2001274368A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法およびこの方法で製造された貼り合わせウエーハ |
| US6521492B2 (en) * | 2000-06-12 | 2003-02-18 | Seiko Epson Corporation | Thin-film semiconductor device fabrication method |
| US7183177B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement |
| FR2894990B1 (fr) * | 2005-12-21 | 2008-02-22 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de substrats, notamment pour l'optique,l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu selon ledit procede |
| US7052974B2 (en) * | 2001-12-04 | 2006-05-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Bonded wafer and method of producing bonded wafer |
| JP4772258B2 (ja) | 2002-08-23 | 2011-09-14 | シャープ株式会社 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| US7119365B2 (en) * | 2002-03-26 | 2006-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof, SOI substrate and display device using the same, and manufacturing method of the SOI substrate |
| JP4289837B2 (ja) * | 2002-07-15 | 2009-07-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法及びｓｏｉウエハの製造方法 |
| JP4328067B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2009-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法及びｓｏｉウエハの製造方法、並びにイオン注入装置 |
| RU2217842C1 (ru) * | 2003-01-14 | 2003-11-27 | Институт физики полупроводников - Объединенного института физики полупроводников СО РАН | Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе |
| EP1962340A3 (en) * | 2004-11-09 | 2009-12-23 | S.O.I. TEC Silicon | Method for manufacturing compound material wafers |
| JP4934966B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2012-05-23 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| JP4977999B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2012-07-18 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 貼合せ基板の製造方法及びその方法で製造された貼合せ基板 |
| US7829436B2 (en) * | 2005-12-22 | 2010-11-09 | Sumco Corporation | Process for regeneration of a layer transferred wafer and regenerated layer transferred wafer |
| US7781309B2 (en) * | 2005-12-22 | 2010-08-24 | Sumco Corporation | Method for manufacturing direct bonded SOI wafer and direct bonded SOI wafer manufactured by the method |
| US7608521B2 (en) * | 2006-05-31 | 2009-10-27 | Corning Incorporated | Producing SOI structure using high-purity ion shower |
| US7579654B2 (en) * | 2006-05-31 | 2009-08-25 | Corning Incorporated | Semiconductor on insulator structure made using radiation annealing |
| EP1926132A1 (en) * | 2006-11-23 | 2008-05-28 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Chromium-free etching solution for Si-substrates and SiGe-substrates, method for revealing defects using the etching solution and process for treating Si-substrates and SiGe-substrates using the etching solution |
| JP2008153411A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| US7759233B2 (en) * | 2007-03-23 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Methods for stressing semiconductor material structures to improve electron and/or hole mobility of transistor channels fabricated therefrom, and semiconductor devices including such structures |
| JP5289805B2 (ja) * | 2007-05-10 | 2013-09-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置製造用基板の作製方法 |
| US7939424B2 (en) * | 2007-09-21 | 2011-05-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer bonding activated by ion implantation |
| KR101499175B1 (ko) * | 2007-10-04 | 2015-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기판의 제조방법 |
| US7799658B2 (en) * | 2007-10-10 | 2010-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device |
| JP5522917B2 (ja) * | 2007-10-10 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| JP2009272471A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| US20100022070A1 (en) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing soi substrate |
-
2010
- 2010-06-10 US US12/797,650 patent/US8278187B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-23 JP JP2010143072A patent/JP2011066392A/ja not_active Withdrawn
- 2010-06-24 KR KR1020100060158A patent/KR20100138844A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011066392A5 (ja) | Ｓｏｉ基板の作製方法 | |
| JP2011029619A5 (ja) | 基板の処理方法 | |
| JP2015514310A5 (ja) | ||
| JP2011100977A5 (ja) | 半導体基板の作製方法 | |
| JP2013110397A5 (ja) | ||
| JP2013102154A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2010272851A5 (ja) | ||
| TW201538696A (zh) | 強化玻璃的組合物和用其製造觸摸屏玻璃的方法 | |
| JP2011096646A5 (ja) | ||
| TW200509187A (en) | Substrate manufacturing method and substrate processing apparatus | |
| JP2011071493A5 (ja) | 半導体基板の再生方法 | |
| JP2010034523A5 (ja) | ||
| JP2011071494A5 (ja) | 半導体基板の再生方法 | |
| JP2015509283A5 (ja) | ||
| TW200618101A (en) | Etching solution and method for removing low-k dielectric layer | |
| TW201246320A (en) | Method for cleaning silicon substrate, and method for producing solar cell | |
| JP2012160714A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2015133481A5 (ja) | 剥離方法 | |
| TW201434085A (zh) | 多晶矽片植絨清洗製程方法 | |
| JP2011251872A5 (ja) | ||
| JP2012004269A5 (ja) | ||
| JP2010041044A5 (ja) | ||
| JP2016066792A5 (ja) | ||
| JP2016046530A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012004275A5 (ja) |