JP2015514310A5 - - Google Patents

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  1. 粉末シリコンをエッチングする方法であって、前記方法は、前記シリコン粉末のシリコン表面を元素金属で部分的に覆い、次いでエッチング組成物に前記部分的に覆われたシリコン表面を曝露することにより前記シリコンの金属補助化学エッチングを行うステップを含み、ここで、前記金属補助化学エッチングのために、少なくとも一部の前記元素金属を、以下
    属イオンを含む組成物に、前記シリコン表面を曝露することであって、ここで、前記元素金属は、前記金属イオンの還元により形成され、およびここで、金属イオンを含む前記組成物は、実質的にHFを含まないこと
    より形成する、方法。
  2. 金属イオンを含む前記組成物が、アルデヒド還元剤およびアルカリを含む、請求項に記載の方法。
  3. 前記シリコンの前記表面上に形成された前記金属を、銀、銅、白金および金から選択する、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記エッチング組成物が、フッ化物イオンおよび酸化剤を含む水性エッチング組成物である、請求項1〜のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記酸化剤が、O;O;過酸化水素;およびNO 、S 2−、NO 、B 2−またはClO の酸または塩あるいはそれらの混合物からなる群から選択される、請求項に記載の方法。
  6. 前記エッチングされたシリコンが、前記エッチングされたシリコン表面中に伸びる孔を含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記エッチングされたシリコンが、前記シリコン表面をエッチングすることにより形成されたエッチングされた表面から伸びるピラーを含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記粉末の合計体積の少なくとも50%が、25ミクロン以下の粒径を有する出発材料粒子で構成されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記粉末が、1m/gより大きい単位重量毎の表面積を有する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
  10. エッチングされる前記シリコンが、複数の面を含み、1個の面より多い前記表面がエッチングされる、請求項1〜のいずれか一項に記載の方法。
  11. 前記シリコン粉末が、本質的に、少なくとも90%の純度を有するシリコンからなる、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
  12. 前記シリコン粉末のシリコン表面を元素金属で部分的に覆うステップが、金属イオンを含む複数種の組成物に前記シリコン粉末を曝露することを含み、ここで、前記元素金属が、各組成物からの前記金属イオンの還元により前記シリコン表面上に形成される、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
  13. 実質的に、前記金属補助化学エッチングのための前記元素金属の全てが、金属イオンを含む組成物に、前記シリコン表面を曝露することにより形成され、ここで、前記元素金属は、前記金属イオンの還元により形成され、およびここで、金属イオンを含む前記組成物は、実質的にHFを含まない、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
  14. 前記金属イオンが、金属錯体イオンである、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
  15. リコン粉末をエッチングする方法であって、前記方法は、前記シリコン粉末のシリコン表面を元素金属で部分的に覆い、次いでエッチング組成物に前記部分的に覆われたシリコン表面を曝露することにより前記シリコンの金属補助化学エッチングを行うステップを含み、ここで、前記金属補助化学エッチングのための前記元素金属の少なくとも一部を、金属イオンを含む組成物に前記シリコン表面を曝露することにより形成し、ここで、前記元素金属は、前記金属イオンの還元により形成され、およびここで、金属イオンを含む前記組成物は、アルデヒド還元剤およびアルカリを含む、方法。
  16. リコン粉末をエッチングする方法であって、前記方法は、前記シリコン粉末のシリコン表面を元素金属で部分的に覆い、次いでエッチング組成物に前記部分的に覆われたシリコン表面を曝露することにより前記シリコンの金属補助化学エッチングを行うステップを含み、ここで、前記金属補助化学エッチングのための前記元素金属の少なくとも一部は、金属イオンを含む組成物に前記シリコン表面を曝露することにより形成され、ここで、前記元素金属は、前記金属イオンの還元により形成され、およびここで、金属イオンを含む前記組成物は、金属クエン酸塩、金属ホウ化水素、ヒドラジンまたは金属次亜リン酸塩を含む、方法。
  17. リコン粉末をエッチングする方法であって、前記方法は、前記シリコン粉末のシリコン表面を元素金属で部分的に覆い、次いでエッチング組成物に前記部分的に覆われたシリコン表面を曝露することにより前記シリコンの金属補助化学エッチングを行うステップを含み、ここで、前記金属補助化学エッチングのための前記元素金属の少なくとも一部は、金属イオンを含む組成物に前記シリコン表面を曝露することにより形成され、ここで、前記元素金属は、前記金属イオンの還元により形成され、およびここで、金属イオンを含む前記組成物は、アルコールおよび金属水酸化物を含む、方法。
  18. 前記金属水酸化物が、アルカリ水酸化物である、請求項17に記載の方法。
  19. リコン粉末をエッチングする方法であって、前記方法は、前記シリコン粉末のシリコン表面を元素金属で部分的に覆い、次いでエッチング組成物に前記部分的に覆われたシリコン表面を曝露することにより前記シリコンの金属補助化学エッチングを行うステップであって、ここで、前記元素金属は、金属イオンを含む第1組成物に前記シリコン表面を曝露することにより形成され、前記第1組成物の前記金属イオンの還元により、前記シリコン表面上で前記元素金属の第1部分を形成し、前記第1組成物は、実質的にHFを含まないステップ;前記第1組成物から前記材料を除去するステップ;および、前記シリコン表面を、金属イオンを含む第2組成物に曝露して、前記第2組成物の前記金属イオンの還元により、前記シリコン表面上で前記元素金属の第2部分を形成するステップであって、ここで、前記第2組成物は、前記第1組成物とは異なるステップ、を含む方法。
  20. 前記第1および第2組成物の少なくとも1つが、還元剤を含む、請求項19に記載の方法。
  21. 前記第1および第2組成物の両方が、還元剤を含む、請求項20に記載の方法。
  22. 前記第1および/または第2組成物の前記還元剤が、独立して、アルコール、アルデヒド、金属ホウ化水素、ヒドラジン、酸、金属水酸化物、金属クエン酸塩、金属次亜リン酸塩からなる群から選択され、前記第1組成物の前記還元剤がHFではないという条件である、請求項20または21に記載の方法。
  23. 前記第2組成物の前記酸還元剤が、HFである、請求項22に記載の方法。


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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2492167C (en) 2011-06-24 2018-12-05 Nexeon Ltd Structured particles
GB201122315D0 (en) * 2011-12-23 2012-02-01 Nexeon Ltd Etched silicon structures, method of forming etched silicon structures and uses thereof
EP2810321A1 (en) 2012-01-30 2014-12-10 Nexeon Limited Composition of si/c electro active material
GB2499984B (en) 2012-02-28 2014-08-06 Nexeon Ltd Composite particles comprising a removable filler
GB2502625B (en) 2012-06-06 2015-07-29 Nexeon Ltd Method of forming silicon
GB2507535B (en) 2012-11-02 2015-07-15 Nexeon Ltd Multilayer electrode
EP3062918B1 (en) * 2013-10-30 2021-03-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nonparallel island etching
EP3062907A4 (en) * 2013-10-30 2017-08-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Island etched filter passages
KR101567203B1 (ko) 2014-04-09 2015-11-09 (주)오렌지파워 이차 전지용 음극 활물질 및 이의 방법
KR101604352B1 (ko) 2014-04-22 2016-03-18 (주)오렌지파워 음극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지
KR101550781B1 (ko) 2014-07-23 2015-09-08 (주)오렌지파워 2 차 전지용 실리콘계 활물질 입자의 제조 방법
GB2529411A (en) * 2014-08-18 2016-02-24 Nexeon Ltd Electroactive materials for metal-ion batteries
JP6121959B2 (ja) * 2014-09-11 2017-04-26 株式会社東芝 エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液
KR101620981B1 (ko) * 2014-11-11 2016-05-16 연세대학교 산학협력단 기판 식각 방법
KR101823069B1 (ko) * 2014-11-19 2018-01-30 연세대학교 산학협력단 구형의 실리카 표면에 나노선 형태로 음각화되어 있는 이산화탄소 건식흡착제용 담체 및 이의 제조방법
GB2533161C (en) 2014-12-12 2019-07-24 Nexeon Ltd Electrodes for metal-ion batteries
JP6667173B2 (ja) * 2015-08-10 2020-03-18 国立大学法人信州大学 銀担持シリコンの製造方法
EP3141522B1 (fr) * 2015-09-08 2018-05-02 Nivarox-FAR S.A. Pièce micromécanique horlogère comprenant une surface lubrifiée et procédé de réalisation d'une telle pièce micromécanique horlogère
EP3141966B1 (fr) * 2015-09-08 2018-05-09 Nivarox-FAR S.A. Procede de formation d'une surface decorative sur une piece micromecanique horlogere et ladite piece micromecanique horlogere
EP3141520B1 (fr) * 2015-09-08 2018-03-14 Nivarox-FAR S.A. Procédé de fabrication d'une pièce micromécanique horlogère et ladite pièce micromécanique horlogère
EP3141519B1 (fr) * 2015-09-08 2018-03-14 Nivarox-FAR S.A. Procédé de fabrication d'une pièce micromécanique horlogère
CN105177537B (zh) * 2015-09-16 2018-02-23 东莞深圳清华大学研究院创新中心 一种铜包覆单晶蓝宝石纤维的制备方法
CN105271236B (zh) * 2015-10-13 2017-11-21 苏州大学 一种制备梭形硅纳米材料的方法
CN105349785A (zh) * 2015-10-28 2016-02-24 江苏辉伦太阳能科技有限公司 一种硅纳米绒面上金属催化剂去除和回收的方法
EP3295499B1 (en) * 2015-11-17 2018-10-24 Nexeon Limited Functionalised electrochemically active material and method of functionalisation
EP3176650B1 (fr) * 2015-12-02 2019-02-06 Nivarox-FAR S.A. Protection d'un composant d'horlogerie en materiau micro-usinable
TW201725385A (zh) 2016-01-05 2017-07-16 財團法人工業技術研究院 具有薄層層析之拉曼檢測晶片及分離檢測分析物之方法
CN105810761B (zh) * 2016-04-29 2018-07-27 南京工业大学 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法
DE102016218501A1 (de) 2016-09-27 2018-03-29 Robert Bosch Gmbh Ätzverfahren zur Herstellung von porösen Siliciumpartikeln
SG11202005030XA (en) * 2017-11-28 2020-06-29 Univ Texas Catalyst influenced pattern transfer technology
US10833311B2 (en) * 2018-07-03 2020-11-10 International Business Machines Corporation Method of making an anode structure containing a porous region
GB2587585B (en) * 2018-07-03 2021-08-25 Ibm Rechargeable lithium-ion battery with an anode structure containing a porous region
CN109490218A (zh) * 2018-10-11 2019-03-19 湖北兴福电子材料有限公司 一种金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用
CN109728309B (zh) * 2019-01-05 2021-04-27 湖南科技大学 一种钯纳米线修饰的氮掺杂碳空心球复合材料的制备方法及产品和应用
CN110350181B (zh) * 2019-07-16 2021-08-24 昆明理工大学 一种锂离子电池纳米多孔硅负极材料的制备方法
US20210035811A1 (en) * 2019-08-01 2021-02-04 West Chester University Injection metal assisted catalytic etching
CN110684535B (zh) * 2019-09-26 2021-04-13 长江存储科技有限责任公司 磷酸刻蚀溶液
DE102020103469A1 (de) * 2020-02-11 2021-08-12 Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel Verfahren zur Herstellung einer zyklenstabilen Silizium-Anode für Sekundärbatterien
EP4109639A1 (en) * 2020-02-20 2022-12-28 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University ERICA Campus Metal negative electrode, secondary battery comprising same, and method for producing same
CN111504976B (zh) * 2020-04-29 2021-12-28 深圳米瑞科信息技术有限公司 石墨烯/Cu-Cu2S复合材料及其制备方法
CN114164456B (zh) * 2021-12-08 2023-08-08 昆明理工大学 一种利用工业废硅粉制备复合硅纳米结构催化剂的方法及应用
CN113991095B (zh) * 2021-12-28 2022-04-01 安普瑞斯(南京)有限公司 负极活性材料及其制备方法、电极、电池
KR102525342B1 (ko) * 2022-11-22 2023-04-26 (주)성원피앤에스 복합 필러를 포함하는 실리콘 고무용 안료 조성물 및 이의 제조방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6790785B1 (en) * 2000-09-15 2004-09-14 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Metal-assisted chemical etch porous silicon formation method
US6762134B2 (en) * 2000-11-27 2004-07-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Metal-assisted chemical etch to produce porous group III-V materials
DE10392752T5 (de) * 2002-06-06 2005-06-02 Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung eines multikristallinen Siliziumsubstrats für Solarzellen
TW200620451A (en) * 2004-11-09 2006-06-16 Univ Osaka Method for forming hole in crystal substrate, and crystal substrate having hole formed by the method
US8178165B2 (en) * 2005-01-21 2012-05-15 The Regents Of The University Of California Method for fabricating a long-range ordered periodic array of nano-features, and articles comprising same
DE102005041877A1 (de) * 2005-09-02 2007-03-08 Koynov, Svetoslav, Dr. Verfahren zur Herstellung siliziumhaltiger Oberflächen und optoelektronische Bauelemente
JP2007194485A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Osaka Univ 太陽電池用シリコン基板の製造方法
GB0601318D0 (en) * 2006-01-23 2006-03-01 Imp Innovations Ltd Method of etching a silicon-based material
KR100971658B1 (ko) * 2008-01-03 2010-07-22 엘지전자 주식회사 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
US8278191B2 (en) * 2009-03-31 2012-10-02 Georgia Tech Research Corporation Methods and systems for metal-assisted chemical etching of substrates
TWI472477B (zh) * 2010-03-02 2015-02-11 Univ Nat Taiwan 矽奈米結構與其製造方法及應用
TWI505348B (zh) * 2010-10-08 2015-10-21 Wakom Semiconductor Corp And a method of forming a microporous structure or a groove structure on the surface of the silicon substrate
JP5467697B2 (ja) * 2011-10-07 2014-04-09 株式会社ジェイ・イー・ティ 太陽電池の製造方法
GB201122315D0 (en) * 2011-12-23 2012-02-01 Nexeon Ltd Etched silicon structures, method of forming etched silicon structures and uses thereof

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