JP2013523588A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. シリコンを処理して、処理された表面上に細長い構造を形成する方法であり、
   前記シリコンの表面で金属が堆積される核化ステップと、
   前記堆積された金属の下のシリコンがエッチングされるエッチングステップとを含み、
   （ａ）前記核化ステップは、シリコン含有材料を、５Ｍ未満の濃度のＨＦと、０．００２から０．２Ｍの、前記シリコンの表面上に核化し、原子状金属の領域を含む多孔性層を形成することができる金属イオンとを含む核化溶液に暴露することを含み、
   （ｂ）前記エッチングステップは、
   （ｉ）前記原子状金属の領域を含むシリコンの表面を、５Ｍを超える濃度のＨＦと、０．００１から０．７０Ｍの濃度の、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ_２、ＮＯ_３ ⁻、Ｓ_２Ｏ_８ ^２−、ＮＯ_２ ⁻、Ｂ_４Ｏ_７ ^２−及びＣｌＯ_４ ⁻の酸、アンモニウム塩又はアルカリ金属塩又はこれらの混合物からなる群から選択される酸化剤とを含むエッチング溶液に暴露することと、
   （ｉｉ）エッチングの間に前記酸化剤の濃度が前記の範囲内に維持されるように、前記酸化剤を前記エッチング溶液に添加することとを含む、方法。
2. 前記核化ステップの間に使用されるＨＦの濃度が０．０１から４Ｍの範囲である、請求項１に記載の方法。
3. 前記エッチングステップが、０．１から１０Ｍの範囲のＨＦの濃度で実施される、請求項１又は２に記載の方法。
4. ＨＦの濃度を前記範囲に維持するために、前記エッチング溶液にＨＦがさらに添加される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記エッチング溶液のＨＦの濃度が、前記核化溶液のＨＦの濃度よりも０．５から２Ｍ大きい、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記核化溶液が０．００１から０．７Ｍの酸化剤をさらに含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
7. （ａ）シリコン含有材料を、
   （ｉ）０．０１から４ＭのＨＦと、
   （ｉｉ）銀コーティングシリコン生成物を形成するための０．００２から０．２ＭのＡｇ^＋ とを含む溶液に暴露するステップと、
   （ｂ）前記ステップ（ａ）の銀コーティングシリコン生成物を、ＨＦと混合して、１０Ｍ以下のＨＦを含む溶液を与えるステップ（ただし、ステップ（ｂ）の終点での前記溶液のＨＦの濃度が前記ステップ（ａ）での溶液のＨＦ濃度よりも大きい）と、
   （ｃ）ＮＯ_３ ⁻を、前記ステップ（ｂ）で形成された溶液へ添加して、ＮＯ_３ ⁻の濃度を０．００３から０．７Ｍの濃度の範囲内に維持するステップとを含み、
   前記ＮＯ_３ ⁻イオンが、アルカリ金属硝酸塩、硝酸アンモニウム又は硝酸の形である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記金属イオンが、銀、金、白金、銅、ニッケル、鉛、コバルト、カドミウム、クロム、亜鉛及びスズからなる群から選択される、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記金属イオンが、０．０１から０．１５Ｍの濃度で使用される銀イオンである、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
10. ０から７０℃の温度で実施される、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
11. 前記エッチング溶液へのシリコン負荷が、２から６０ｇ／ｌの範囲である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
12. 前記シリコンが、顆粒形状であり、１μｍから１．５ｍｍの粒子サイズを持つ、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法により製造されている製造物であり、
    前記処理された表面上に形成された細長い構造が、０．０２から０．７μｍの範囲の直径を持つ、製造物。
14. 前記処理された表面上に形成された細長い構造が、５：１から１００：１の範囲のアスペクト比を持つ、請求項１３に記載の製造物。
15. 前記細長い構造が、ロッド、カラム、ナノワイヤ、チューブ、ファイバ、リボン及びフレークの１又はそれ以上から選択される、請求項１３又は１４に記載の製造物。