JP5039956B2 - 負極活物質、負極およびリチウム二次電池 - Google Patents
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Description
まず、本発明の負極活物質について説明する。本発明の負極活物質は、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属部を有することを特徴とするものである。
本態様の負極活物質は、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属部を有する負極活物質であって、上記金属部が、金属薄膜であることを特徴とするものである。
本態様の負極活物質は、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属部を有する負極活物質であって、上記金属部が、金属薄片であることを特徴とするものである。
本態様の負極活物質は、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属部を有する負極活物質であって、上記金属部と炭素皮膜とが積層された薄片状物質であることを特徴とするものである。
本態様の負極活物質は、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属部を有する負極活物質であって、上記金属部が、炭素粒子の表面を覆うように形成されていることを特徴とするものである。
次に、本発明の負極について説明する。本発明の負極は、上記負極活物質を用いたことを特徴とするものである。本発明によれば、上記負極活物質を用いることにより、急速充電に適した負極とすることができる。
上述した第一態様の負極活物質を用いる場合は、負極活物質が金属薄膜であることから、負極集電体上に直接金属薄膜を形成することによって、負極を得ることができる。
次に、本発明のリチウム二次電池について説明する。本発明のリチウム二次電池は、上記負極を用いたことを特徴とするものである。本発明によれば、上記負極を用いることにより、急速充電に適したリチウム二次電池とすることができる。
次に、本発明の負極活物質の製造方法について説明する。本発明の負極活物質の製造方法は、以下の三態様(第五態様〜第七態様)に大別することができる。以下、態様ごとに説明する。
本態様の負極活物質の製造方法は、基材上に、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、上記金属薄膜を上記基材から剥離し粉砕する粉砕工程と、を有することを特徴とするものである。
以下、本態様の負極活物質の製造方法について、工程ごとに説明する。
本態様における金属薄膜形成工程は、基材上に、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属薄膜を形成する工程である。
本態様に用いられる基材としては、金属薄膜を形成することができるものであれば特に限定されるものではないが、具体的にはガラス基材等を挙げることができる。
本態様における粉砕工程は、金属薄膜を基材から剥離し粉砕する工程である。
基材から剥離した金属薄膜を粉砕する方法としては、所望の大きさの金属薄片を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、具体的には、超音波を用いる方法、ボールミル等の粉砕装置を用いて粉砕する方法等を挙げることができる。なお、本態様の製造方法により得られる負極活物質については、上記「A.負極活物質 2.第二態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
本態様の負極活物質の製造方法は、基材上に、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程、および炭素皮膜を形成する炭素皮膜形成工程を行うことにより、上記基材上に、金属−炭素積層体を形成する金属−炭素積層体形成工程と、上記金属−炭素積層体を上記基材から剥離し粉砕する粉砕工程と、を有することを特徴とするものである。
以下、本態様の負極活物質の製造方法について、工程ごとに説明する。
本態様における金属−炭素積層体形成工程は、基材上に、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程、および炭素皮膜を形成する炭素皮膜形成工程を行うことにより、上記基材上に、金属−炭素積層体を形成する工程である。
本態様における粉砕工程は、上記金属−炭素積層体を上記基材から剥離し粉砕する工程である。本態様における粉砕工程については、上記「1.第五態様」と同様であるので、ここでの説明は省略する。なお、本態様の製造方法により得られる負極活物質については、上記「A.負極活物質 3.第三態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
本態様の負極活物質の製造方法は、炭素粒子の表面上に、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程を有することを特徴とするものである。
以下、本態様の負極活物質の製造方法について、工程ごとに説明する。
本態様における金属薄膜形成工程は、炭素粒子の表面上に、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属薄膜を形成する工程である。
本態様に用いられる炭素粒子については、上記「A.負極活物質 4.第四態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
次に、本発明の負極の製造方法について説明する。本発明の負極の製造方法は、負極集電体上に、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程を有することを特徴とするものである。
(負極の作製)
まず、ガラス基材上に、負極集電体として用意した圧延銅箔(日本製箔製)を配置した。次に、スパッタリングターゲットとしてスズ単体またはシリコン単体を用い、真空度1.7×10−2Pa、210sccmのアルゴンガス雰囲気にて、圧延銅箔上に膜厚0.01μmのスズ薄膜またはシリコン単体を形成した。次に、得られた金属薄膜および圧延銅箔をガラス基材より剥がし、直径16mmの円形に打抜き、コインセル用の負極を得た。
コインセルを用いて薄膜電極の充放電特性を評価するため、対極としては金属リチウムを使用した。金属リチウムをコインセルサイズの直径19mmの円形に打抜き、コインセル用の対極を得た。
ケース缶(負極缶)の底面に、上記の対極(金属リチウム)を配置し、セパレータを配置した。次に、電解液をセパレータの上に滴下した。電解液は、EC(エチレンカーボネート)、DMC(ジメチルカーボネート)を体積比率3:7で混合したものに、支持塩として六フッ化リン酸リチウム(LiPF6)を濃度1mol/Lとなるように溶解させたものを用いた。次に、セパレータの上にパッキンを配置し、パッキンの内側に、上記の正極を配置し、正極上にスペーサおよびウェーブワッシャを配置し、ウェーブワッシャ上にキャップ缶(正極缶)を配置し、キャップ缶をケース缶にかしめることにより、コインセルを得た。
金属薄膜の膜厚を0.05μmとしたこと以外は、実施例1−1と同様にしてコインセルを得た。
金属薄膜の膜厚を0.1μmとしたこと以外は、実施例1−1と同様にしてコインセルを得た。
実施例1−1、実施例1−2、および比較例1−1で得られたコインセルを用いて充放電特性を評価した。充電容量については、得られたコインセルを各種電流値にて定電流放電(スズ、シリコンにLiイオンを挿入することを意味し、一般的なリチウム二次電池では充電に相当する。)し、10mVに到達するまでの容量を算出した。一方、放電容量については、得られたコインセルをC/2の電流値にて10mVまで完全放電させ、これを各種電流値にて定電流充電(スズ、シリコンからLiイオンを脱離することを意味し、一般的なリチウム二次電池では放電に相当する。)し、3Vに到達するまでの容量を算出した。得られた結果を図8および図9に示す。図8は充電容量について示すグラフであり、図9は放電容量を示すグラフである。
(負極活物質の作製)
厚さ20μmのPETフィルム表面に、離型材としてステアリン酸ナトリウムの水/エタノール分散液(80:20)を塗布し、これを乾燥させたものを基材として使用した。この基材にスズ薄膜またはシリコン薄膜をスパッタリング法にて成膜した。スパッタリングターゲットとしてはスズ単体またはシリコン単体を用い、真空度1.7×10−2Pa、210sccmのアルゴンガス雰囲気にて、基材上に膜厚0.01μmのスズ薄膜またはシリコン薄膜を形成した。その後、スパッタリングターゲットとしてカーボン単体を用い、真空度1.7×10−2Pa、210sccmのアルゴンガス雰囲気にて、上記のスズ薄膜またはシリコン薄膜の上に膜厚0.05μmの炭素皮膜を形成した。さらにその後、炭素皮膜上に、上記と同様の方法により膜厚0.01μmのスズ薄膜またはシリコン薄膜を形成し、金属薄膜/炭素皮膜/金属薄膜の3層構成の積層体を得た。なお、炭素皮膜の両面に形成された金属薄膜には同一の金属を用いた。
その後、得られた積層体を基材ごと、水で満たした超音波洗浄器に入れ、超音波振動により剥離と粉砕を同時に行った。粉砕後、60℃で真空乾燥することによって、薄片状の負極活物質を得た。
得られた負極活物質と、結着材として用意したPVDF(KFポリマー、L#1120、呉羽化学工業社製)と、を負極活物質:PVDF=92.5:7.5の割合で混合しペーストを作製した。次に、このペーストを銅箔に1mg/cm2の目付量で塗布し、120℃で1時間乾燥し、その後、直径16mmの円形に打抜き、コインセル用の負極を得た。
上記の方法で得られた負極を用いたことを以外は、実施例1−1と同様にしてコインセルを得た。
積層体の各層の膜厚を、表1に記載した値としたこと以外は、実施例2−1と同様にしてコインセルを得た。
(負極活物質の作製)
基材上に、金属薄膜/炭素皮膜の2層構成の積層体を形成したこと、および積層体の各層の膜厚を、表1に記載した値としたこと以外は、実施例2−1と同様にしてコインセルを得た。
実施例2−1から実施例2−4まで、並びに比較例2−1および比較例2−2で得られたコインセルを用いて充放電特性を評価した。充電容量については、得られたコインセルを10C相当の電流値にて定電流放電(スズ、シリコンにLiイオンを挿入することを意味し、一般的なリチウム二次電池では充電に相当する。)し、10mVに到達するまでの容量を算出した。一方、放電容量については、得られたコインセルをC/2の電流値にて10mVまで完全放電させ、これを10C相当の電流値にて定電流充電(スズ、シリコンからLiイオンを脱離することを意味し、一般的なリチウム二次電池では放電に相当する。)し、3Vに到達するまでの容量を算出した。得られた結果を表1に示す。
(負極活物質の作製)
スパッタリング処理する基材として粉末状のアモルファスカーボン(Aldrich社製ナノパウダー)を用いた。この基材にスズ薄膜またはシリコン薄膜をスパッタリング法にて成膜した。スパッタリングターゲットとしてはスズ単体またはシリコン単体を用い、真空度1.7×10−2Pa、210sccmのアルゴンガス雰囲気にて、アモルファスカーボンの表面に膜厚0.01μmのスズ薄膜またはシリコン薄膜を形成し、粉末状の負極活物質を得た。
上記の方法で得られた負極活物質を用いたことを以外は、実施例2−1と同様にしてコインセルを得た。
金属薄膜の膜厚を、表2に記載した値としたこと以外は、実施例3−1と同様にしてコインセルを得た。
スパッタリング処理する基材として、粉末状のアモルファスカーボンの代わりに、粉末状のアモルファス二酸化ケイ素(高純度化学社製)を用いたこと、および金属薄膜の膜厚を0.05μmとしたこと以外は、実施例3−1と同様にしてコインセルを得た。
実施例3−1から実施例3−3まで、並びに比較例3−1および比較例3−2で得られたコインセルを用いて充放電特性を評価した。評価方法については、上述した実施例2−1等で作製したコインセルの評価方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。得られた結果を表2に示す。
(負極活物質の作製)
厚さ20μmのPETフィルム表面に、離型材としてステアリン酸ナトリウムの水/エタノール分散液(80:20)を塗布し、これを乾燥させたものを基材として使用した。この基材にスズ薄膜またはシリコン薄膜をスパッタリング法にて成膜した。スパッタリングターゲットとしてはスズ単体またはシリコン単体を用い、真空度1.7×10−2Pa、210sccmのアルゴンガス雰囲気にて、基材上に膜厚0.01μmのスズ薄膜またはシリコン薄膜を形成した。
その後、得られた金属薄膜を基材ごと、水で満たした超音波洗浄器に入れ、超音波振動により剥離と粉砕を同時に行った。粉砕後、60℃で真空乾燥することによって、薄片状の負極活物質を得た。
得られた負極活物質と、導電化材として用意したHS100(電気化学工業社製)と、結着材として用意したPVDF(KFポリマー、L#1120、呉羽化学工業社製)と、を負極活物質:導電化材:PVDF=85:10:5の割合で混合しペーストを作製した。次に、このペーストを銅箔に1mg/cm2の目付量で塗布し、120℃で1時間乾燥し、その後、直径16mmの円形に打抜き、コインセル用の負極を得た。
上記の方法で得られた負極を用いたことを以外は、実施例2−1と同様にしてコインセルを得た。
金属薄膜の膜厚を、表3に記載した値としたこと以外は、実施例4−1と同様にしてコインセルを得た。
実施例4−1から実施例4−3まで、並びに比較例4−1および比較例4−2で得られたコインセルを用いて充放電特性を評価した。評価方法については、上述した実施例2−1等で作製したコインセルの評価方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。得られた結果を表3に示す。
1´ … 金属薄膜
2 … 負極集電体
3 … 炭素皮膜
4 … 炭素粒子
6 … 金属−炭素積層体
10 … 負極活物質
Claims (6)
- SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属部を有し、前記金属部が、金属薄膜を粉砕した金属薄片であることを特徴とする負極活物質。
- SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属部を有し、前記金属部と炭素皮膜とが積層された薄片状物質であることを特徴とする記載の負極活物質。
- 請求項1または請求項2に記載の負極活物質を用いたことを特徴とする負極。
- 請求項3に記載の負極を用いたことを特徴とするリチウム二次電池。
- 基材上に、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、
前記金属薄膜を前記基材から剥離し粉砕する粉砕工程と、
を有することを特徴とする負極活物質の製造方法。 - 基材上に、SnまたはSiからなり、かつ膜厚が0.05μm以下である金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程、および炭素皮膜を形成する炭素皮膜形成工程を行うことにより、前記基材上に、金属−炭素積層体を形成する金属−炭素積層体形成工程と、
前記金属−炭素積層体を前記基材から剥離し粉砕する粉砕工程と、
を有することを特徴とする負極活物質の製造方法。
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