SU544019A1 - Травитель дл полупроводниковых материалов - Google Patents

Травитель дл полупроводниковых материалов

Info

Publication number
SU544019A1
SU544019A1 SU2158793A SU2158793A SU544019A1 SU 544019 A1 SU544019 A1 SU 544019A1 SU 2158793 A SU2158793 A SU 2158793A SU 2158793 A SU2158793 A SU 2158793A SU 544019 A1 SU544019 A1 SU 544019A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
etching
etchant
semiconductor materials
microscope
monitored
Prior art date
Application number
SU2158793A
Other languages
English (en)
Inventor
Виктор Алексеевич Преснов
Олег Петрович Канчуковский
Лидия Васильевна Мороз
Александр Леонидович Шенкевич
Original Assignee
Одесский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.И.И.Мечникова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Одесский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.И.И.Мечникова filed Critical Одесский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.И.И.Мечникова
Priority to SU2158793A priority Critical patent/SU544019A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU544019A1 publication Critical patent/SU544019A1/ru

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

(54) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
1
Изобретение относитс  к обработке полупроводниковых материалов преимущественно дл  травлени  кремни .
Известен травитель дл  получени  углублений на вскрытой поверхности кремни  на глубину 90О-10ООА , содержащий HNOj : HF : ;CHjCODH 6;l:2 ij.
Однадо этот травитель содержит фтористовод (Ч одную кислоту, поэтому нельз  получить углублени  более 4ООО А, т.е. одновременно полностью стравливаетс  защитный слой ,.
Наиболее близким по техническому решению к предлагаемому  вл етс  травитель дл  полупроводниковых материалов, например кремни , содержащий фтористоводородную кислоту , азотную кислоту и азотнокислое серебро 2.
Однако этот травитель не позвол ет получить полировашгую поверхность, и кроме того , растравливание в стороны (увеличение диаметра) составл ет пор дка 1О%,
Цель изобретени  - уменьшение растра&ливани  углублений.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что компоненты травител  вз ты в следующем
соотношении, вес.НГ; , 1:(5-7): :(0,1-2,5).
Пример. Вскрытие окон диаметром 60 мкм в защитном слое S-tOg осуществл ют методом контактной фотолитографии. Дл  эт-ого на поверхность нанос т слой позитивного фоторезистора на основе нафтохинонди- азида методом центрофугировани . Далее образцы подвергают сушке при комнатной температуре в течение 20 мин., в сушильном шкафу при 85 С в течение 15 мин. Э спонирование осуществл ют при освещс :ности 600О лк в течение 1,5 мин. Про вление провод т в 0,125%-ном растворе NaOHB течение ЗО-40 сек. Процесс задубливани  фоторезиста осуществл ют при 70°С в течение 30 мин. с постепенным повышением температуры до 170 С и выдерживают при этой температуре в течение 35 мин. Вскрытие окон провод т в травителр следующего состава:
9:1:0
ЩРHFНгО
при 6 С в течение 35 мин. После вскрыти  окон защитный слой фоторезистора удал ют в в концентированнойНгЗО при 50 С. После уд лени  сло  фоторезиста тщательно промывают , сушат и провод т контроль геометрических размеров отверстий, полученных в окис - ном слое с помощью микроскопа ММУ-3, Диаметр отверстий, полученных ,6O мкм,
Дл  получени  углублений на поверхности кремни  образцы подвергают травлению в
травителе следующего состава;
HF :HN03:AgN03 l : 5 - 7 : 0,1 - 2,5

Claims (2)

  1. (все компоненты марри ОСЧ или ХЧ). ГлуПолучение выпр мл ющего контакта в уг- зо лублени х рекомендуетс  наносить сразу после вытравливани . Формула изобретени  Травитель дл  полупроводниковых материалов , например, кремни , содержащий фтористоводородную кислоту, азотную кислоту и азотнокислое серебро, отличающий -40
    бину вытравливани  углублений контролируют с помощью микроскопа МИИ-4, Также с помощью этого микроскопа провод т контроль толщины защитной пленки , оставщейс  после травлени .
    Как видно из представленной таблицы, наибольща  глубина углублений 10 мкм, при этом заиштный слой5102практически, не стравливаетс , что получаетс  при использовании травител  следующего состава: HFHNO.AgN05 1:6:0,3. с   тем, что, с целью уменьшени  растравливани , компоненты травител  вз ты в следующих соотношени х, вес.ч: HF . Ag NO| l:{5-7) : (0,1-2,5) Источники инфор 1ади:И| прин тые во внимание при экспертизе: 1.Патент Японии № 48-2511, 99 (5) А, опубл. 1973 г.
  2. 2.Фотолитографи  в производстве полупроводниковых приборов Энерги  М. 1968г, стр. 86 (прототип).
SU2158793A 1975-07-22 1975-07-22 Травитель дл полупроводниковых материалов SU544019A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2158793A SU544019A1 (ru) 1975-07-22 1975-07-22 Травитель дл полупроводниковых материалов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2158793A SU544019A1 (ru) 1975-07-22 1975-07-22 Травитель дл полупроводниковых материалов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU544019A1 true SU544019A1 (ru) 1977-01-25

Family

ID=20627450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2158793A SU544019A1 (ru) 1975-07-22 1975-07-22 Травитель дл полупроводниковых материалов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU544019A1 (ru)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2464158A (en) * 2008-10-10 2010-04-14 Nexion Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon base material and their use in lithium rechargeable batteries
US8101298B2 (en) 2006-01-23 2012-01-24 Nexeon Ltd. Method of fabricating fibres composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
US8384058B2 (en) 2002-11-05 2013-02-26 Nexeon Ltd. Structured silicon anode
US8585918B2 (en) 2006-01-23 2013-11-19 Nexeon Ltd. Method of etching a silicon-based material
US8642211B2 (en) 2007-07-17 2014-02-04 Nexeon Limited Electrode including silicon-comprising fibres and electrochemical cells including the same
US8772174B2 (en) 2010-04-09 2014-07-08 Nexeon Ltd. Method of fabricating structured particles composed of silicon or silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
US8870975B2 (en) 2007-07-17 2014-10-28 Nexeon Ltd. Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
US8932759B2 (en) 2008-10-10 2015-01-13 Nexeon Ltd. Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material
US8945774B2 (en) 2010-06-07 2015-02-03 Nexeon Ltd. Additive for lithium ion rechageable battery cells
US8962183B2 (en) 2009-05-07 2015-02-24 Nexeon Limited Method of making silicon anode material for rechargeable cells
US9012079B2 (en) 2007-07-17 2015-04-21 Nexeon Ltd Electrode comprising structured silicon-based material
US9252426B2 (en) 2007-05-11 2016-02-02 Nexeon Limited Silicon anode for a rechargeable battery
US9548489B2 (en) 2012-01-30 2017-01-17 Nexeon Ltd. Composition of SI/C electro active material
US9608272B2 (en) 2009-05-11 2017-03-28 Nexeon Limited Composition for a secondary battery cell
US9647263B2 (en) 2010-09-03 2017-05-09 Nexeon Limited Electroactive material
US9853292B2 (en) 2009-05-11 2017-12-26 Nexeon Limited Electrode composition for a secondary battery cell
US9871248B2 (en) 2010-09-03 2018-01-16 Nexeon Limited Porous electroactive material
US10077506B2 (en) 2011-06-24 2018-09-18 Nexeon Limited Structured particles
US10090513B2 (en) 2012-06-01 2018-10-02 Nexeon Limited Method of forming silicon
US10103379B2 (en) 2012-02-28 2018-10-16 Nexeon Limited Structured silicon particles
US10396355B2 (en) 2014-04-09 2019-08-27 Nexeon Ltd. Negative electrode active material for secondary battery and method for manufacturing same
US10476072B2 (en) 2014-12-12 2019-11-12 Nexeon Limited Electrodes for metal-ion batteries

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8384058B2 (en) 2002-11-05 2013-02-26 Nexeon Ltd. Structured silicon anode
US8101298B2 (en) 2006-01-23 2012-01-24 Nexeon Ltd. Method of fabricating fibres composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
US8585918B2 (en) 2006-01-23 2013-11-19 Nexeon Ltd. Method of etching a silicon-based material
US8597831B2 (en) 2006-01-23 2013-12-03 Nexeon Ltd. Method of fabricating fibres composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
US9583762B2 (en) 2006-01-23 2017-02-28 Nexeon Limited Method of fabricating fibres composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
US9252426B2 (en) 2007-05-11 2016-02-02 Nexeon Limited Silicon anode for a rechargeable battery
US9871249B2 (en) 2007-05-11 2018-01-16 Nexeon Limited Silicon anode for a rechargeable battery
US8870975B2 (en) 2007-07-17 2014-10-28 Nexeon Ltd. Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
US8940437B2 (en) 2007-07-17 2015-01-27 Nexeon Limited Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
US9012079B2 (en) 2007-07-17 2015-04-21 Nexeon Ltd Electrode comprising structured silicon-based material
US9871244B2 (en) 2007-07-17 2018-01-16 Nexeon Limited Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
US8642211B2 (en) 2007-07-17 2014-02-04 Nexeon Limited Electrode including silicon-comprising fibres and electrochemical cells including the same
US8932759B2 (en) 2008-10-10 2015-01-13 Nexeon Ltd. Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material
GB2464158B (en) * 2008-10-10 2011-04-20 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
US9184438B2 (en) 2008-10-10 2015-11-10 Nexeon Ltd. Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
GB2464158A (en) * 2008-10-10 2010-04-14 Nexion Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon base material and their use in lithium rechargeable batteries
US9553304B2 (en) 2009-05-07 2017-01-24 Nexeon Limited Method of making silicon anode material for rechargeable cells
US8962183B2 (en) 2009-05-07 2015-02-24 Nexeon Limited Method of making silicon anode material for rechargeable cells
US9608272B2 (en) 2009-05-11 2017-03-28 Nexeon Limited Composition for a secondary battery cell
US9853292B2 (en) 2009-05-11 2017-12-26 Nexeon Limited Electrode composition for a secondary battery cell
US10050275B2 (en) 2009-05-11 2018-08-14 Nexeon Limited Binder for lithium ion rechargeable battery cells
US8772174B2 (en) 2010-04-09 2014-07-08 Nexeon Ltd. Method of fabricating structured particles composed of silicon or silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
US9368836B2 (en) 2010-06-07 2016-06-14 Nexeon Ltd. Additive for lithium ion rechargeable battery cells
US8945774B2 (en) 2010-06-07 2015-02-03 Nexeon Ltd. Additive for lithium ion rechageable battery cells
US9647263B2 (en) 2010-09-03 2017-05-09 Nexeon Limited Electroactive material
US9871248B2 (en) 2010-09-03 2018-01-16 Nexeon Limited Porous electroactive material
US9947920B2 (en) 2010-09-03 2018-04-17 Nexeon Limited Electroactive material
US10077506B2 (en) 2011-06-24 2018-09-18 Nexeon Limited Structured particles
US10822713B2 (en) 2011-06-24 2020-11-03 Nexeon Limited Structured particles
US9548489B2 (en) 2012-01-30 2017-01-17 Nexeon Ltd. Composition of SI/C electro active material
US10388948B2 (en) 2012-01-30 2019-08-20 Nexeon Limited Composition of SI/C electro active material
US10103379B2 (en) 2012-02-28 2018-10-16 Nexeon Limited Structured silicon particles
US10090513B2 (en) 2012-06-01 2018-10-02 Nexeon Limited Method of forming silicon
US10396355B2 (en) 2014-04-09 2019-08-27 Nexeon Ltd. Negative electrode active material for secondary battery and method for manufacturing same
US10476072B2 (en) 2014-12-12 2019-11-12 Nexeon Limited Electrodes for metal-ion batteries

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU544019A1 (ru) Травитель дл полупроводниковых материалов
US4015986A (en) Method of developing and stripping positive photoresist
US3158517A (en) Process for forming recesses in semiconductor bodies
US4322264A (en) Method for selective etching of titaniumdioxide relative to aluminum
JPS55113335A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS55127016A (en) Manufacturing of semiconductor device
JP3109083B2 (ja) シリコン酸化膜のエッチング液およびシリコン酸化膜のエッチング方法
US3471291A (en) Protective plating of oxide-free silicon surfaces
JPS53109487A (en) Manufacture for semiconductor device
JPS51129173A (en) Semi conductor with high voltage proof schottky electrode and it's man uacturing method.
KR940010245A (ko) 반도체소자의 콘택홀 및 그 제조방법
JPS5715423A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS51114875A (en) Semiconductor device manufacturing method
JPS55138236A (en) Manufacture of semiconductor device
SU391613A1 (ru) Травитель для снятия пленок титана
SU526221A1 (ru) Способ изготовлени транзисторных структур
SU1486851A1 (ru) Реактив для выявления микроструктуры свинца и его сплавов 2
JPS5626434A (en) Forming method for pattern of semiconductor substrate
JPS5478659A (en) Menufacture of semiconductor device
JPS5339873A (en) Etching method of silicon semiconductor substrate containing gold
JPS60217636A (ja) 透明導電膜のエツチング方法
JPS5635437A (en) Manufacturing of semiconductor device
JPS5575236A (en) Method of fabricating semiconductor device
JPS5456763A (en) Resistivity measuring method for semiconductor silicon single-crystal
JPS5548933A (en) Forming of mesa groove