SU544019A1 - Травитель дл полупроводниковых материалов - Google Patents

Description

(54) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

1

Изобретение относитс  к обработке полупроводниковых материалов преимущественно дл  травлени  кремни .

Известен травитель дл  получени  углублений на вскрытой поверхности кремни  на глубину 90О-10ООА , содержащий HNOj : HF : ;CHjCODH 6;l:2 ij.

Однадо этот травитель содержит фтористовод (Ч одную кислоту, поэтому нельз  получить углублени  более 4ООО А, т.е. одновременно полностью стравливаетс  защитный слой ,.

Наиболее близким по техническому решению к предлагаемому  вл етс  травитель дл  полупроводниковых материалов, например кремни , содержащий фтористоводородную кислоту , азотную кислоту и азотнокислое серебро 2.

Однако этот травитель не позвол ет получить полировашгую поверхность, и кроме того , растравливание в стороны (увеличение диаметра) составл ет пор дка 1О%,

Цель изобретени  - уменьшение растра&ливани  углублений.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что компоненты травител  вз ты в следующем

соотношении, вес.НГ; , 1:(5-7): :(0,1-2,5).

Пример. Вскрытие окон диаметром 60 мкм в защитном слое S-tOg осуществл ют методом контактной фотолитографии. Дл  эт-ого на поверхность нанос т слой позитивного фоторезистора на основе нафтохинонди- азида методом центрофугировани . Далее образцы подвергают сушке при комнатной температуре в течение 20 мин., в сушильном шкафу при 85 С в течение 15 мин. Э спонирование осуществл ют при освещс :ности 600О лк в течение 1,5 мин. Про вление провод т в 0,125%-ном растворе NaOHB течение ЗО-40 сек. Процесс задубливани  фоторезиста осуществл ют при 70°С в течение 30 мин. с постепенным повышением температуры до 170 С и выдерживают при этой температуре в течение 35 мин. Вскрытие окон провод т в травителр следующего состава:

9:1:0

ЩРHFНгО

при 6 С в течение 35 мин. После вскрыти  окон защитный слой фоторезистора удал ют в в концентированнойНгЗО при 50 С. После уд лени  сло  фоторезиста тщательно промывают , сушат и провод т контроль геометрических размеров отверстий, полученных в окис - ном слое с помощью микроскопа ММУ-3, Диаметр отверстий, полученных ,6O мкм,

Дл  получени  углублений на поверхности кремни  образцы подвергают травлению в

травителе следующего состава;

HF :HN03:AgN03 l : 5 - 7 : 0,1 - 2,5

Claims (2)

1. (все компоненты марри ОСЧ или ХЧ). ГлуПолучение выпр мл ющего контакта в уг- зо лублени х рекомендуетс  наносить сразу после вытравливани . Формула изобретени  Травитель дл  полупроводниковых материалов , например, кремни , содержащий фтористоводородную кислоту, азотную кислоту и азотнокислое серебро, отличающий -40

   бину вытравливани  углублений контролируют с помощью микроскопа МИИ-4, Также с помощью этого микроскопа провод т контроль толщины защитной пленки , оставщейс  после травлени .

   Как видно из представленной таблицы, наибольща  глубина углублений 10 мкм, при этом заиштный слой5102практически, не стравливаетс , что получаетс  при использовании травител  следующего состава: HFHNO.AgN05 1:6:0,3. с   тем, что, с целью уменьшени  растравливани , компоненты травител  вз ты в следующих соотношени х, вес.ч: HF . Ag NO| l:{5-7) : (0,1-2,5) Источники инфор 1ади:И| прин тые во внимание при экспертизе: 1.Патент Японии № 48-2511, 99 (5) А, опубл. 1973 г.
2. 2.Фотолитографи  в производстве полупроводниковых приборов Энерги  М. 1968г, стр. 86 (прототип).