SU391613A1 - Травитель для снятия пленок титана - Google Patents
Травитель для снятия пленок титанаInfo
- Publication number
- SU391613A1 SU391613A1 SU1452268A SU1452268A SU391613A1 SU 391613 A1 SU391613 A1 SU 391613A1 SU 1452268 A SU1452268 A SU 1452268A SU 1452268 A SU1452268 A SU 1452268A SU 391613 A1 SU391613 A1 SU 391613A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- titanium
- traveler
- removal
- titanium films
- etching
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
1
Изобретение относитс ,к технологии изготовлени нолуп-роводникавых лрибо;рОВ.
В .процессе п.роизводства планариых полупроводниковых приборов дл защиты напыленных алюминиевых контактов от потемнени под пленку алюмини предварительно нанос т слой титана толщиной 0,1-0,3 мкм. Способом фотолитографии на слое титана создают необходимый рисунок контактов. Части пленки тита«а, не защищенные фоторезистором , стравливают.
Известные составы дл травлени титана, содержащие сильные кислоты, либо омес сильных кислот (серной, азотной, сол ной; плавиковой и азотной), непригодны дл такого стравлива-ни , так как пр.и этом трав т и пленку фоторезистора и слой, тем самым разруща полупроводниковые структуры .
Цель изобретени - разработка такого состава дл травлени титана, который обеспечивал бы полное сн тие напыленного сло титана без травлени окисла и резиста.
Это достигаетс .тем, -что в состав, представл ющий собой сол нокислый, раствор, дополнительно введены аммонийные соли плавиковой и сол ной кислот, образующие буферную смесь с рН 4-5. В растворе содержатс следующие компоненты: NH4C1- 10-15 г; NH4F- 1-1,5 г; HCl -0,2-0,5 мл; НгО - 90-100 мл; ТС - 65-70.
Травитель состава: аммоний хлористый- 10 г; аммоний фтористый - 1 г; сол на кислота - 0,2 мл; вода - 90 мл был опробован на приборах ГТ 328. Стравливали участки пленки титана толщиной 0,2-0,27 мкм при 60°С±5°С в течение 1,5-2 мин. При травлении титана пленка фоторезиста не разрушалась и титан под резистом не подтравливалс . Поверхность сло окисла в местах травлени титана чиста , без п тен. Элементы полупроводниковых структур четкие.
Предмет изобретени
Claims (2)
1.Травитель дл сн ти пленок титана, наносимых под алюминиевые контакты в планарных полупроводниковых приборах, содержащий сол ную кислоту, отличающийс тем, что, с целью повышени селективных свойств травител , он содержит аммониевые соли сол ной и плавиковой кислот.
2.Травитель ,по п. 1, отличающийс тем, что он содержит 10-15 вес. ч. хлористого аммони , 1,0-1,5 вес. ч. фтористого аммони на мл раствора.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1452268A SU391613A1 (ru) | 1970-06-15 | 1970-06-15 | Травитель для снятия пленок титана |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1452268A SU391613A1 (ru) | 1970-06-15 | 1970-06-15 | Травитель для снятия пленок титана |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU391613A1 true SU391613A1 (ru) | 1973-10-26 |
Family
ID=20454408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1452268A SU391613A1 (ru) | 1970-06-15 | 1970-06-15 | Травитель для снятия пленок титана |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU391613A1 (ru) |
-
1970
- 1970-06-15 SU SU1452268A patent/SU391613A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU544019A1 (ru) | Травитель дл полупроводниковых материалов | |
| US4814293A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| US3867218A (en) | Method of etching a pattern in a silicon nitride layer | |
| US5045150A (en) | Plasma etching using a bilayer mask | |
| JPH01214074A (ja) | 超伝導性酸化物材料薄膜の製造方法 | |
| SU391613A1 (ru) | Травитель для снятия пленок титана | |
| KR960005829A (ko) | 강유전체막의 에칭방법 | |
| EP0278996A1 (de) | Verfahren zur Verbesserung der Haftung von Photoresistmaterialien | |
| US4588471A (en) | Process for etching composite chrome layers | |
| US3994817A (en) | Etchant for etching silicon | |
| US3607477A (en) | Etchants,the treatment of moncrystalline semiconductor wafers therewith and semiconductor devices incorporating such wafers | |
| KR970017207A (ko) | 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법 | |
| GB1294585A (en) | Improved photomasks and method of fabrication thereof | |
| IT994153B (it) | Mordenzatura di semiconduttori del gruppo iii v | |
| JPS6317773B2 (ru) | ||
| JPH0513534B2 (ru) | ||
| JPS62104037A (ja) | アルミナ層中に貫通孔を形成する方法 | |
| US3520687A (en) | Etching of silicon dioxide by photosensitive solutions | |
| JPH04370932A (ja) | シリコンの異方性エッチング液 | |
| KR100196523B1 (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| DE2529865C2 (de) | Wäßrige Ätzlösung zum selektiven Ätzen von Siliciumdioxidschichten auf Halbleiterkörpern | |
| JPH0416012B2 (ru) | ||
| US4004957A (en) | Method for etching silicon | |
| JPS614233A (ja) | 透明導電膜のエツチング方法 | |
| SU653647A1 (ru) | Способ формировани источника базы при изготовлении транзисторных структур |