JPH04370932A - シリコンの異方性エッチング液 - Google Patents
シリコンの異方性エッチング液Info
- Publication number
- JPH04370932A JPH04370932A JP17596191A JP17596191A JPH04370932A JP H04370932 A JPH04370932 A JP H04370932A JP 17596191 A JP17596191 A JP 17596191A JP 17596191 A JP17596191 A JP 17596191A JP H04370932 A JPH04370932 A JP H04370932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- etching
- weight
- solution
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 72
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 72
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 71
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 6
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 103
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 38
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 34
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 43
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 14
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 1
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004400 mucous membrane Anatomy 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000000241 respiratory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンの微細加工等
に好適に使用される異方性エッチング液に関する。
に好適に使用される異方性エッチング液に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、シリコン単結晶基板を異方性エ
ッチングにより微細加工してシリコンセンサを作製する
場合には、シリコンウエハにあらかじめトランジスタや
歪みゲージ等の素子を形成し、続いてこれらの素子と外
部との電気的接続を行うためのボンディングパッドをア
ルミニウム薄膜によって形成し、最後にシリコン基板表
面の一部を異方性エッチングにより除去する方法が採用
されている。ところが、多くのシリコンの異方性エッチ
ング液は、シリコンより速いエッチング速度でアルミニ
ウムをエッチングしてしまうため、アルミニウム薄膜の
エッチングを防止する手段を講じる必要があった。
ッチングにより微細加工してシリコンセンサを作製する
場合には、シリコンウエハにあらかじめトランジスタや
歪みゲージ等の素子を形成し、続いてこれらの素子と外
部との電気的接続を行うためのボンディングパッドをア
ルミニウム薄膜によって形成し、最後にシリコン基板表
面の一部を異方性エッチングにより除去する方法が採用
されている。ところが、多くのシリコンの異方性エッチ
ング液は、シリコンより速いエッチング速度でアルミニ
ウムをエッチングしてしまうため、アルミニウム薄膜の
エッチングを防止する手段を講じる必要があった。
【0003】そのひとつの手段として、シリコンウエハ
の表面にトランジスタや歪みゲージ等の素子を作製し、
それらを互いにアルミニウム薄膜により接続した後、こ
のアルミニウム薄膜を保護するためにウエハの表面全体
を保護膜により覆い、その後異方性エッチング液により
表面からのエッチングを行い、最後にフォトリソグラフ
ィによって外部端子とアルミニウム薄膜との接続を行う
ためのボンディングパッドを形成する方法が提案された
。しかし、この方法においては、エッチング加工を行っ
た後に、フォトリソグラフィ工程を実施することは技術
的に困難であり、また生産性が低くコスト高となる問題
があった。
の表面にトランジスタや歪みゲージ等の素子を作製し、
それらを互いにアルミニウム薄膜により接続した後、こ
のアルミニウム薄膜を保護するためにウエハの表面全体
を保護膜により覆い、その後異方性エッチング液により
表面からのエッチングを行い、最後にフォトリソグラフ
ィによって外部端子とアルミニウム薄膜との接続を行う
ためのボンディングパッドを形成する方法が提案された
。しかし、この方法においては、エッチング加工を行っ
た後に、フォトリソグラフィ工程を実施することは技術
的に困難であり、また生産性が低くコスト高となる問題
があった。
【0004】さらに、他の手段として、アルミニウムの
エッチングを阻止するために、アルミニウム薄膜の表面
に無機あるいは有機の保護膜を形成することも試られて
いる。しかし、シリコンの異方性エッチング液は通常p
Hが12以上と高く、エッチング温度も70℃以上と高
いため、このような過酷な条件下において前記保護膜は
十分に機能することが困難であった。
エッチングを阻止するために、アルミニウム薄膜の表面
に無機あるいは有機の保護膜を形成することも試られて
いる。しかし、シリコンの異方性エッチング液は通常p
Hが12以上と高く、エッチング温度も70℃以上と高
いため、このような過酷な条件下において前記保護膜は
十分に機能することが困難であった。
【0005】そこで、アルミニウムをエッチングするこ
となくシリコンのみを選択的にエッチングすることがで
きる異方性エッチング液の開発が要求されている。
となくシリコンのみを選択的にエッチングすることがで
きる異方性エッチング液の開発が要求されている。
【0006】ところで、単結晶シリコンに微細なパター
ンを形成する等の微細加工を施す手段としては、結晶面
方位に依存して選択的にエッチングができる異方性エッ
チングが有効である。このような異方性エッチングにお
いて用いられるエッチング液としては、従来、水酸化ナ
トリウム水溶液,水酸化カリウム水溶液等の金属含有ア
ルカリ溶液、およびアンモニア水溶液,ヒドラジン水溶
液などの非金属アルカリ溶液が用いられていた。
ンを形成する等の微細加工を施す手段としては、結晶面
方位に依存して選択的にエッチングができる異方性エッ
チングが有効である。このような異方性エッチングにお
いて用いられるエッチング液としては、従来、水酸化ナ
トリウム水溶液,水酸化カリウム水溶液等の金属含有ア
ルカリ溶液、およびアンモニア水溶液,ヒドラジン水溶
液などの非金属アルカリ溶液が用いられていた。
【0007】かかる異方性エッチング液を半導体製造工
程で使用するという観点からは、エッチング液としては
前者の金属含有アルカリ溶液よりも後者の非金属アルカ
リ溶液が適している。これは、前者の金属含有アルカリ
溶液はナトリウムやカリウム等のいわゆるアルカリ金属
イオンを含み、これらのアルカリ金属イオンは半導体基
体表面に強く吸着し、また絶縁膜として用いられるシリ
コン酸化膜の内部にも浸入することから、洗浄処理,加
熱処理等の後処理によっても取り除くことが困難である
ことによる。特に、これらのアルカリ金属イオンがFE
Tのゲート酸化膜に浸入した場合には、スレッシュホー
ルド電圧等のテバイス特性や信頼性に大きな悪影響を及
ぼす。また、これらのアルカリ金属イオンが吸着した基
板をICやLSIの半導体製造工程で処理すると、製造
設備がこれらのアルカリ金属イオンによって汚染され、
製造設備としての機能を果し得ない程度のダメージを受
けることになる。
程で使用するという観点からは、エッチング液としては
前者の金属含有アルカリ溶液よりも後者の非金属アルカ
リ溶液が適している。これは、前者の金属含有アルカリ
溶液はナトリウムやカリウム等のいわゆるアルカリ金属
イオンを含み、これらのアルカリ金属イオンは半導体基
体表面に強く吸着し、また絶縁膜として用いられるシリ
コン酸化膜の内部にも浸入することから、洗浄処理,加
熱処理等の後処理によっても取り除くことが困難である
ことによる。特に、これらのアルカリ金属イオンがFE
Tのゲート酸化膜に浸入した場合には、スレッシュホー
ルド電圧等のテバイス特性や信頼性に大きな悪影響を及
ぼす。また、これらのアルカリ金属イオンが吸着した基
板をICやLSIの半導体製造工程で処理すると、製造
設備がこれらのアルカリ金属イオンによって汚染され、
製造設備としての機能を果し得ない程度のダメージを受
けることになる。
【0008】一方、アルカリ金属イオンを含まない非金
属アルカリ溶液をエッチング液として用いる場合には、
上述なような問題点を有さない点で有利であるが、これ
らのエッチング液においても以下に示すような問題点が
ある。
属アルカリ溶液をエッチング液として用いる場合には、
上述なような問題点を有さない点で有利であるが、これ
らのエッチング液においても以下に示すような問題点が
ある。
【0009】すなわち、例えばヒドラジン水溶液は、ア
ルミニウムをエッチングせずにシリコンのみを選択的に
エッチングする異方性エッチング液として知られている
。しかし、ヒドラジンは皮膚,粘膜,呼吸器官および酵
素系に対する悪影響が大きく、人体に対し極めて有害で
ある。このため、ヒドラジンを使用するためには、細心
の注意と十分な排気設備が必要であり、結局大がかりな
装置を必要とし、生産性が悪くコスト高となってしまう
問題があった。
ルミニウムをエッチングせずにシリコンのみを選択的に
エッチングする異方性エッチング液として知られている
。しかし、ヒドラジンは皮膚,粘膜,呼吸器官および酵
素系に対する悪影響が大きく、人体に対し極めて有害で
ある。このため、ヒドラジンを使用するためには、細心
の注意と十分な排気設備が必要であり、結局大がかりな
装置を必要とし、生産性が悪くコスト高となってしまう
問題があった。
【0010】また、アンモニア水溶液も、アルミニウム
をエッチングせずシリコンのみをエッチングする異方性
エッチング液であり、しかも標準的なICプロセスの中
で使用できるため作業性が高い点で優れている。しかし
、アンモニウム水溶液は、エッチング面の荒れが大きく
、しかもアンモニアの塩基性が低いことおよびアンモニ
ア自体が揮発性であることから、アンモニアの濃度変化
に伴なうエッチング速度の変動が大きく、加工精度が悪
いという問題があった。
をエッチングせずシリコンのみをエッチングする異方性
エッチング液であり、しかも標準的なICプロセスの中
で使用できるため作業性が高い点で優れている。しかし
、アンモニウム水溶液は、エッチング面の荒れが大きく
、しかもアンモニアの塩基性が低いことおよびアンモニ
ア自体が揮発性であることから、アンモニアの濃度変化
に伴なうエッチング速度の変動が大きく、加工精度が悪
いという問題があった。
【0011】
【発明の目的】本発明は、このような従来の問題点を解
決するものであり、その目的は、安全性,生産性に優れ
、エッチング速度が安定で加工精度がよく、かつ平滑な
エッチング面が得られるだけでなく、シリコンを選択的
にエッチングすることができるシリコンの異方性エッチ
ング液を提供することにある。
決するものであり、その目的は、安全性,生産性に優れ
、エッチング速度が安定で加工精度がよく、かつ平滑な
エッチング面が得られるだけでなく、シリコンを選択的
にエッチングすることができるシリコンの異方性エッチ
ング液を提供することにある。
【0012】
【発明の構成】本発明のシリコンの異方性エッチング液
は、第4級アンモニウム化合物の水酸化物(以下、これ
を単に「水酸化第4級アンモニウム」という)を溶質と
して含む溶液に、前記溶質の22重量%以上に相当する
シリコンを溶解したことを特徴とする。
は、第4級アンモニウム化合物の水酸化物(以下、これ
を単に「水酸化第4級アンモニウム」という)を溶質と
して含む溶液に、前記溶質の22重量%以上に相当する
シリコンを溶解したことを特徴とする。
【0013】
【作用】本発明の水酸化第4級アンモニウムは、水溶液
中で高解離度,強塩基性を有することからエッチング速
度が大きい。また、本発明の水酸化第4級アンモニウム
は不揮発性であるため、エッチング速度に影響を与える
濃度変化が小さく、これにより長時間のエッチングに対
してもほぼ一定のエッチング速度を保つことができる。
中で高解離度,強塩基性を有することからエッチング速
度が大きい。また、本発明の水酸化第4級アンモニウム
は不揮発性であるため、エッチング速度に影響を与える
濃度変化が小さく、これにより長時間のエッチングに対
してもほぼ一定のエッチング速度を保つことができる。
【0014】また、本発明のエッチング液は、特定量の
シリコンを含むことによって、アルミニウムをほとんど
エッチングせずにシリコンのみを選択的にエッチングす
ることができるという性質を有する。すなわち、水酸化
第4級アンモニウム水溶液に、該溶液中に含まれる溶質
の22重量%以上、好ましくは25重量%以上、さらに
好ましくは27重量%以上に相当するシリコンを溶解す
ることにより、シリコンに対するアルミニウムのエッチ
ング速度を例えば1/10以下と大幅に小さくすること
が可能である。
シリコンを含むことによって、アルミニウムをほとんど
エッチングせずにシリコンのみを選択的にエッチングす
ることができるという性質を有する。すなわち、水酸化
第4級アンモニウム水溶液に、該溶液中に含まれる溶質
の22重量%以上、好ましくは25重量%以上、さらに
好ましくは27重量%以上に相当するシリコンを溶解す
ることにより、シリコンに対するアルミニウムのエッチ
ング速度を例えば1/10以下と大幅に小さくすること
が可能である。
【0015】すなわち、図3および図4に示すように、
シリコンに対するアルミニウムのエッチング速度の抑制
度合は、水酸化第4級アンモニウムの濃度によって多少
異なるが、基本的にはシリコンの添加量に依存する。こ
の抑制度合は、シリコンの添加割合が溶質たる水酸化第
4級アンモニウムに対して22〜25重量%を越えると
急激に増加し、シリコンの添加割合が35〜40重量%
でほぼ測定限界に達し、このときシリコンに対するアル
ミニウムのエッチング速度は約1/10,000〜1/
1,000以下となる。同時にシリコンの添加割合の増
加に伴い、シリコンのエッチング速度も低下する。そし
て、適切な抑制度合は、エッチングすべきシリコン基板
の厚さ,アルミニウム層の厚さ,要求されるエッチング
層の深さ,デバイス部保護膜のエッチング速度,シリコ
ンのエッチング速度等の条件に応じて選択されるが、実
用上、シリコンに対するアルミニウムのエッチング速度
は、1/10以下となるのが好ましい。そのためには、
シリコンのエッチング速度は0.1μm/分以上、かつ
溶液中の溶質に対するシリコンの含有割合は、通常25
〜40重量%であることが好ましい。
シリコンに対するアルミニウムのエッチング速度の抑制
度合は、水酸化第4級アンモニウムの濃度によって多少
異なるが、基本的にはシリコンの添加量に依存する。こ
の抑制度合は、シリコンの添加割合が溶質たる水酸化第
4級アンモニウムに対して22〜25重量%を越えると
急激に増加し、シリコンの添加割合が35〜40重量%
でほぼ測定限界に達し、このときシリコンに対するアル
ミニウムのエッチング速度は約1/10,000〜1/
1,000以下となる。同時にシリコンの添加割合の増
加に伴い、シリコンのエッチング速度も低下する。そし
て、適切な抑制度合は、エッチングすべきシリコン基板
の厚さ,アルミニウム層の厚さ,要求されるエッチング
層の深さ,デバイス部保護膜のエッチング速度,シリコ
ンのエッチング速度等の条件に応じて選択されるが、実
用上、シリコンに対するアルミニウムのエッチング速度
は、1/10以下となるのが好ましい。そのためには、
シリコンのエッチング速度は0.1μm/分以上、かつ
溶液中の溶質に対するシリコンの含有割合は、通常25
〜40重量%であることが好ましい。
【0016】このように本発明のエッチング液によれば
、シリコンを選択的にエッチングすることが可能である
ため、アルミニウムによる配線やボンディングパッドが
形成されたシリコン基板表面にアルミニウムのエッチン
グを阻止する保護膜を形成することなく、簡易なプロセ
スによってエッチングを行うことができる。
、シリコンを選択的にエッチングすることが可能である
ため、アルミニウムによる配線やボンディングパッドが
形成されたシリコン基板表面にアルミニウムのエッチン
グを阻止する保護膜を形成することなく、簡易なプロセ
スによってエッチングを行うことができる。
【0017】また、本発明のエッチング液は窒化シリコ
ン,酸化シリコンに対してほとんどエッチング作用を示
さないことから、これら窒化物,酸化物は本発明のエッ
チング液の良好なエッチングマスクとして機能すること
ができる。
ン,酸化シリコンに対してほとんどエッチング作用を示
さないことから、これら窒化物,酸化物は本発明のエッ
チング液の良好なエッチングマスクとして機能すること
ができる。
【0018】さらに、本発明の異方性エッチング液は、
エッチング処理後の基板の洗浄が極めて容易であるとい
う特徴を有する。これは、本発明のエッチング液にはア
ルカリ金属イオンが含まれておらず、130℃以上の熱
処理によって容易に分解除去することができ、ICプロ
セスとの適合性に優れている。
エッチング処理後の基板の洗浄が極めて容易であるとい
う特徴を有する。これは、本発明のエッチング液にはア
ルカリ金属イオンが含まれておらず、130℃以上の熱
処理によって容易に分解除去することができ、ICプロ
セスとの適合性に優れている。
【0019】
【発明の効果】本発明の異方性エッチング液は、強塩基
,高解離度および不揮発性を有する水酸化第4級アンモ
ニウムを主成分としていることから、長時間の使用でも
安定したエッチング速度で平滑な異方性エッチングを行
うことができる。そして、本発明のエッチング液は特定
量のシリコンを含有することから、シリコンのエッチン
グ速度に対するアルミニウムのエッチング速度を例えば
1/10以下に低下させることが可能となり、アルミニ
ウム部分を含む基板に対して特に好適に使用することが
できる。
,高解離度および不揮発性を有する水酸化第4級アンモ
ニウムを主成分としていることから、長時間の使用でも
安定したエッチング速度で平滑な異方性エッチングを行
うことができる。そして、本発明のエッチング液は特定
量のシリコンを含有することから、シリコンのエッチン
グ速度に対するアルミニウムのエッチング速度を例えば
1/10以下に低下させることが可能となり、アルミニ
ウム部分を含む基板に対して特に好適に使用することが
できる。
【0020】
【その他の発明の説明】本発明のエッチング液を構成す
る水酸化第4級アンモニウムは、水酸化アンモニウム(
NH4 OH)の4つの水素をアルキル基で置換した水
酸化テトラアルキルアンモニウム(TAAH)を好まし
く用いることができる。このTAAHのアルキル置換基
としては、炭素数が1〜10のものが好適であり、特に
メチル基およびエチル基が好ましい。例えば、水酸化第
4級アンモニウムとして水酸化テトラメチルアンモニウ
ムを用いることにより、高いエッチング速度でマイクロ
ピラミッドの少ないエッチングが可能となる。
る水酸化第4級アンモニウムは、水酸化アンモニウム(
NH4 OH)の4つの水素をアルキル基で置換した水
酸化テトラアルキルアンモニウム(TAAH)を好まし
く用いることができる。このTAAHのアルキル置換基
としては、炭素数が1〜10のものが好適であり、特に
メチル基およびエチル基が好ましい。例えば、水酸化第
4級アンモニウムとして水酸化テトラメチルアンモニウ
ムを用いることにより、高いエッチング速度でマイクロ
ピラミッドの少ないエッチングが可能となる。
【0021】また、水酸化第4級アンモニウムの濃度は
、20〜50重量%が好適である。この濃度が20重量
%より小さい場合には、エッチング面にマイクロピラミ
ッドが発生し、エッチング面の凹凸が大きくなるため良
好なエッチング加工精度が得られない。また、濃度が5
0重量%より大きい場合には、溶液中のOHイオン濃度
が低くなりエッチング速度が著しく低下するとともに、
室温で溶液中に沈澱物が生じ溶液の取扱いが困難となる
。
、20〜50重量%が好適である。この濃度が20重量
%より小さい場合には、エッチング面にマイクロピラミ
ッドが発生し、エッチング面の凹凸が大きくなるため良
好なエッチング加工精度が得られない。また、濃度が5
0重量%より大きい場合には、溶液中のOHイオン濃度
が低くなりエッチング速度が著しく低下するとともに、
室温で溶液中に沈澱物が生じ溶液の取扱いが困難となる
。
【0022】さらに、本発明のエッチング液は、50℃
以上の温度で使用されることが好ましい。エッチング液
の温度を高くすることにより、溶解反応の反応速度が上
昇し、シリコン単結晶の(100)面の溶解量が増加す
る。エッチング液の温度が50℃未満の場合には、実用
的なエッチング速度が得られず、またエッチング面の鏡
面性も低下する。
以上の温度で使用されることが好ましい。エッチング液
の温度を高くすることにより、溶解反応の反応速度が上
昇し、シリコン単結晶の(100)面の溶解量が増加す
る。エッチング液の温度が50℃未満の場合には、実用
的なエッチング速度が得られず、またエッチング面の鏡
面性も低下する。
【0023】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【0024】本実施例においては、水酸化第4級アンモ
ニウムとして水酸化テトラメチルアンモニウム(TMA
H)を用い、エッチング温度を90℃に設定してエッチ
ングを行った。
ニウムとして水酸化テトラメチルアンモニウム(TMA
H)を用い、エッチング温度を90℃に設定してエッチ
ングを行った。
【0025】まず、エッチング液に溶解したシリコンの
重量の変化に伴うシリコン単結晶の(100)面のエッ
チング速度の変化およびアルミニウムのエッチング速度
の変化を求めた。その結果を図1および図2に示す。図
1および図2において、横軸はシリコン溶解量(g/L
)、縦軸はエッチング速度(μm/分)を示す。
重量の変化に伴うシリコン単結晶の(100)面のエッ
チング速度の変化およびアルミニウムのエッチング速度
の変化を求めた。その結果を図1および図2に示す。図
1および図2において、横軸はシリコン溶解量(g/L
)、縦軸はエッチング速度(μm/分)を示す。
【0026】図1は、TMAHの濃度が5重量%、図2
は、TMAHの濃度が22重量%の場合の測定結果であ
る。なお、シリコンを含まないときのシリコン単結晶(
100)面のエッチング速度は、TMAHが5重量%の
ときには1.4μm/分、TMAHが22重量%のとき
は1.0μm/分である。また、シリコンを含まないと
きのアルミニウムのエッチング速度は、TMAHが5重
量%および22重量%のいずれの場合にもほぼ1.0μ
m/分である。
は、TMAHの濃度が22重量%の場合の測定結果であ
る。なお、シリコンを含まないときのシリコン単結晶(
100)面のエッチング速度は、TMAHが5重量%の
ときには1.4μm/分、TMAHが22重量%のとき
は1.0μm/分である。また、シリコンを含まないと
きのアルミニウムのエッチング速度は、TMAHが5重
量%および22重量%のいずれの場合にもほぼ1.0μ
m/分である。
【0027】図3および図4は、横軸にTMAHの重量
に対するシリコンの重量割合(%)、縦軸にエッチング
速度(μm/分)をとり、図1および図2に示すデータ
を再プロットしたものである。図3および図4より明ら
かなように、シリコンのエッチング溶液への添加による
アルミニウムのエッチング抑制効果はTMAHの濃度に
よって多少異なるが、溶質(TMAH)の25〜27重
量%以上に相当するシリコンを溶解したときに、シリコ
ンのエッチング速度に対するアルミニウムのエッチング
速度を1/10以下に低下させることが可能となる。
に対するシリコンの重量割合(%)、縦軸にエッチング
速度(μm/分)をとり、図1および図2に示すデータ
を再プロットしたものである。図3および図4より明ら
かなように、シリコンのエッチング溶液への添加による
アルミニウムのエッチング抑制効果はTMAHの濃度に
よって多少異なるが、溶質(TMAH)の25〜27重
量%以上に相当するシリコンを溶解したときに、シリコ
ンのエッチング速度に対するアルミニウムのエッチング
速度を1/10以下に低下させることが可能となる。
【0028】このように、本実施例のエッチング液は、
アルミニウムに対するエッチング作用が小さく、シリコ
ンのみを選択的にエッチングすることができる。したが
って、このエッチング液によれば、アルミニウムによる
配線やボンディングパッドが形成されたシリコン基板表
面を該アルミニウム層に保護膜を形成することなくエッ
チングすることが可能となり、ICプロセスにおける異
方性エッチング液として優れた機能を有している。
アルミニウムに対するエッチング作用が小さく、シリコ
ンのみを選択的にエッチングすることができる。したが
って、このエッチング液によれば、アルミニウムによる
配線やボンディングパッドが形成されたシリコン基板表
面を該アルミニウム層に保護膜を形成することなくエッ
チングすることが可能となり、ICプロセスにおける異
方性エッチング液として優れた機能を有している。
【0029】次に、本発明の異方性エッチング液の適用
例として、これを用いてシリコン加速度センサを作製す
る場合のプロセスについて説明する。
例として、これを用いてシリコン加速度センサを作製す
る場合のプロセスについて説明する。
【0030】図5(A)〜(C)は、このプロセスを概
念的に示す説明図である。 (A) まず、シリコン基板10の所定部分に拡散型
歪みゲージ12を形成した後、シリコン基板10の両面
に二酸化シリコンからなる絶縁層14を形成する。この
絶縁層14にリソグラフィによって所定のパターンを形
成し、さらに蒸着等により前記拡散型歪みゲージ12に
電気的に接続されるアルミニウム層16を形成し、リソ
グラフィによって所定のパターンを形成する。 (B) 上記(A)で得られた基板の表面および裏面
にマスク18を形成し、リソグラフィにより所定のパタ
ーンでボンディングパッド用窓20およびエッチング用
窓22を形成する。 (C) 上記(B)で得られた基板を本発明の異方性
エッチング液を用いてエッチングし、貫通孔24および
孔26を形成して加速度センサのカンチレバーを形成す
る。
念的に示す説明図である。 (A) まず、シリコン基板10の所定部分に拡散型
歪みゲージ12を形成した後、シリコン基板10の両面
に二酸化シリコンからなる絶縁層14を形成する。この
絶縁層14にリソグラフィによって所定のパターンを形
成し、さらに蒸着等により前記拡散型歪みゲージ12に
電気的に接続されるアルミニウム層16を形成し、リソ
グラフィによって所定のパターンを形成する。 (B) 上記(A)で得られた基板の表面および裏面
にマスク18を形成し、リソグラフィにより所定のパタ
ーンでボンディングパッド用窓20およびエッチング用
窓22を形成する。 (C) 上記(B)で得られた基板を本発明の異方性
エッチング液を用いてエッチングし、貫通孔24および
孔26を形成して加速度センサのカンチレバーを形成す
る。
【0031】このとき、異方性エッチング液に含まれる
水酸化第4級アンモニウムおよびシリコンの含有量は、
エッチングすべきシリコン基板10の厚さ,アルミニウ
ム層16の厚さ,孔26の深さ,これら各層におけるエ
ッチング速度等を考慮して決定される。
水酸化第4級アンモニウムおよびシリコンの含有量は、
エッチングすべきシリコン基板10の厚さ,アルミニウ
ム層16の厚さ,孔26の深さ,これら各層におけるエ
ッチング速度等を考慮して決定される。
【0032】例えば、このプロセスにおいて、シリコン
基板10の厚さが100μm,アルミニウム層16の厚
さが1.5μm,孔26の深さが80μmのとき、90
℃,22重量%のTMAH水溶液に、TMAHに対し3
5重量%のシリコンを溶解したエッチング液を用いると
、エッチングに必要に時間は、約160分となる。この
とき、エッチングされるアルミニウム層16の厚みは0
.16μmであり、これは本来のアルミニウム層16の
厚さの約10%に相当する。
基板10の厚さが100μm,アルミニウム層16の厚
さが1.5μm,孔26の深さが80μmのとき、90
℃,22重量%のTMAH水溶液に、TMAHに対し3
5重量%のシリコンを溶解したエッチング液を用いると
、エッチングに必要に時間は、約160分となる。この
とき、エッチングされるアルミニウム層16の厚みは0
.16μmであり、これは本来のアルミニウム層16の
厚さの約10%に相当する。
【図1】TMAHの濃度が5重量%のときの、シリコン
溶解量とエッチング速度との関係を示す図である。
溶解量とエッチング速度との関係を示す図である。
【図2】TMAHの濃度が22重量%のときにおける、
シリコン溶解量とエッチング速度との関係を示す図であ
る。
シリコン溶解量とエッチング速度との関係を示す図であ
る。
【図3】TMAHの濃度が5重量%の場合における、T
MAH重量に対する溶解シリコン重量の割合とエッチン
グ速度との関係を示す図である。
MAH重量に対する溶解シリコン重量の割合とエッチン
グ速度との関係を示す図である。
【図4】TMAHの濃度が22重量%の場合における、
TMAH重量に対する溶解シリコン重量の割合とエッチ
ング速度との関係を示す図である。
TMAH重量に対する溶解シリコン重量の割合とエッチ
ング速度との関係を示す図である。
【図5】本発明の異方性エッチング液をシリコン加速度
センサの製作に応用した場合のプロセスを概念的に示す
説明図である。
センサの製作に応用した場合のプロセスを概念的に示す
説明図である。
10 シリコン基板
12 拡散型歪みゲージ
16 アルミニウム層
TC00650
1
TC00650
1
Claims (3)
- 【請求項1】 第4級アンモニウム化合物の水酸化物
を溶質として含む溶液に、前記溶質の22重量%以上に
相当するシリコンを溶解したことを特徴とするシリコン
の異方性エッチング液。 - 【請求項2】 請求項1において、前記第4級アンモ
ニウム化合物の水酸化物は、その濃度が20〜50重量
%であることを特徴とするシリコンの異方性エッチング
液。 - 【請求項3】 請求項1において、前記第4級アンモ
ニウム化合物の水酸化物として水酸化テトラメチルアン
モニウムを用いたことを特徴とするシリコンの異方性エ
ッチング液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3175961A JP3027030B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | シリコンの異方性エッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3175961A JP3027030B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | シリコンの異方性エッチング液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04370932A true JPH04370932A (ja) | 1992-12-24 |
JP3027030B2 JP3027030B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=16005288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3175961A Expired - Lifetime JP3027030B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | シリコンの異方性エッチング液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3027030B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206335A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Hayashi Junyaku Kogyo Kk | シリコン異方性エッチング液組成物 |
WO2012023387A1 (ja) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | トランジスタの製造方法 |
WO2012029450A1 (ja) | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコンエッチング液及びそれを用いたトランジスタの製造方法 |
JP2012232571A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-29 | Canon Inc | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7994062B2 (en) | 2009-10-30 | 2011-08-09 | Sachem, Inc. | Selective silicon etch process |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP3175961A patent/JP3027030B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206335A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Hayashi Junyaku Kogyo Kk | シリコン異方性エッチング液組成物 |
WO2012023387A1 (ja) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | トランジスタの製造方法 |
US8859411B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-10-14 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method for producing transistor |
WO2012029450A1 (ja) | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコンエッチング液及びそれを用いたトランジスタの製造方法 |
JP2012232571A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-29 | Canon Inc | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3027030B2 (ja) | 2000-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4264374A (en) | Cleaning process for p-type silicon surface | |
US4113551A (en) | Polycrystalline silicon etching with tetramethylammonium hydroxide | |
US4814293A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
TWI430353B (zh) | 用於製造矽之微結構之各向異性蝕刻劑組成物及蝕刻方法 | |
CN105887089B (zh) | 蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法 | |
US3867218A (en) | Method of etching a pattern in a silicon nitride layer | |
JP2007214456A (ja) | シリコン微細加工に用いるシリコン異方性エッチング剤組成物、シリコンエッチング方法及びそのエッチングを施されたシリコン基板を有する電子機器 | |
EP3389083B1 (en) | Use of wet etching composition for wet etching of semiconductor substrate having si layer and sin layer | |
KR20170084008A (ko) | 탄탈을 포함하는 재료의 데미지를 억제한 반도체소자의 세정액, 및 이를 이용한 세정방법 | |
US4915779A (en) | Residue-free plasma etch of high temperature AlCu | |
JPH04370932A (ja) | シリコンの異方性エッチング液 | |
JP6670917B1 (ja) | エッチング液、被処理体の処理方法、及び半導体素子の製造方法。 | |
IE53902B1 (en) | Process for fabricating a semiconductor device having a phosphosilicate glass layer | |
US4040893A (en) | Method of selective etching of materials utilizing masks of binary silicate glasses | |
JPH01309329A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JPH07247498A (ja) | 半導体装置用洗浄剤及び配線パターンの形成方法 | |
JP2839615B2 (ja) | 半導体基板の洗浄液及び半導体装置の製造方法 | |
JPH0513534B2 (ja) | ||
NL176412C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
JPH03201533A (ja) | シリコンの異方性エッチング液 | |
US3549437A (en) | Method of producing metal structures on semiconductor surfaces | |
JPS5855323A (ja) | シリコン及びシリコン酸化膜の腐食液 | |
US7078160B2 (en) | Selective surface exposure, cleans, and conditioning of the germanium film in a Ge photodetector | |
JPS58101428A (ja) | シリコン窒化膜のエツチング方法 | |
US20070105324A1 (en) | Removing silicon nano-crystals |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000104 |