JPS60217636A - 透明導電膜のエツチング方法 - Google Patents
透明導電膜のエツチング方法Info
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- JPS60217636A JPS60217636A JP7291984A JP7291984A JPS60217636A JP S60217636 A JPS60217636 A JP S60217636A JP 7291984 A JP7291984 A JP 7291984A JP 7291984 A JP7291984 A JP 7291984A JP S60217636 A JPS60217636 A JP S60217636A
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は透明導電膜を任意のパターンにエツチング加工
する方法に関する。
する方法に関する。
従来の透明導電膜〔工ｎ２０３ ： ８ｎ （５重量％
）〕のエツチング方法を、第１図により具体的に説明す
る。第１図において、符号１は基板、２は透明導電膜、
６は亜鉛、アルミニウム等の金属層、４は希塩酸等の酸
性溶液を意味する。第１図に示したように、金属層のつ
いた透明導電膜を酸性溶液中に浸す従来方法では、金属
層が酸性溶液と反応することによって発生した活性水素
が、透明導電膜の主要成分である酸化インジウム（Ｉｎ
ｌｌｏＢ ）を還元し、それによって生成したＩｎ、工
ｎｏ及びＩｎ２Ｏ等が、酸性浴液によって爵解あるいは
はく離されるという作用機構であった。
）〕のエツチング方法を、第１図により具体的に説明す
る。第１図において、符号１は基板、２は透明導電膜、
６は亜鉛、アルミニウム等の金属層、４は希塩酸等の酸
性溶液を意味する。第１図に示したように、金属層のつ
いた透明導電膜を酸性溶液中に浸す従来方法では、金属
層が酸性溶液と反応することによって発生した活性水素
が、透明導電膜の主要成分である酸化インジウム（Ｉｎ
ｌｌｏＢ ）を還元し、それによって生成したＩｎ、工
ｎｏ及びＩｎ２Ｏ等が、酸性浴液によって爵解あるいは
はく離されるという作用機構であった。
しかして、透明導電膜を任意のパターンにエツチング加
工する場合には、残しておくべき部分にレジスト材料を
形成する必要があり、このレジスト材料には、酸性溶液
に対する十分なエツチング耐性と、工ｎ２０３との十分
な密着性とが要求される。
工する場合には、残しておくべき部分にレジスト材料を
形成する必要があり、このレジスト材料には、酸性溶液
に対する十分なエツチング耐性と、工ｎ２０３との十分
な密着性とが要求される。
しかし、従来の方法でハ、レジストとして例えばシプレ
ー社製のマイクロポジット１４００−２７を用いた場合
には、２５％の希塩酸溶液へのエツチング耐性とｘ ｎ
、ｏｓとの十分な密着性を得るためＶＣ２００℃以上の
レジストボストベーク温度が必要となる。通常のボスト
ベーク温度は約１４０℃であるから、２００℃の条件で
ボストベークしたレジスト材料は、透明導電膜のエツチ
ング加工後、レジストを除去しようとじで５０℃に保っ
たレジスト除去溶液（シプレー社製、リムーバー１１１
２Ａ：水＝１：１）に浸しても、完全にはく離させるこ
とかできず、レジスト残りを生じてしまう。以上述べた
ように、従来のエツチング方法では、希塩酸浴液に浸し
ても十分な耐性があるような強固なレジスト材料を用い
る必要があること、それでもエツチング時間のマージン
が小さいこと（２ｏ秒〜４０秒）、及びレジスト残りを
除去するために加工の工程が複雑になること等の欠点が
あった。
ー社製のマイクロポジット１４００−２７を用いた場合
には、２５％の希塩酸溶液へのエツチング耐性とｘ ｎ
、ｏｓとの十分な密着性を得るためＶＣ２００℃以上の
レジストボストベーク温度が必要となる。通常のボスト
ベーク温度は約１４０℃であるから、２００℃の条件で
ボストベークしたレジスト材料は、透明導電膜のエツチ
ング加工後、レジストを除去しようとじで５０℃に保っ
たレジスト除去溶液（シプレー社製、リムーバー１１１
２Ａ：水＝１：１）に浸しても、完全にはく離させるこ
とかできず、レジスト残りを生じてしまう。以上述べた
ように、従来のエツチング方法では、希塩酸浴液に浸し
ても十分な耐性があるような強固なレジスト材料を用い
る必要があること、それでもエツチング時間のマージン
が小さいこと（２ｏ秒〜４０秒）、及びレジスト残りを
除去するために加工の工程が複雑になること等の欠点が
あった。
不発Ｅ！Ａはこれらの欠点を解決するためになされたも
のであり、その目的は透明導電膜（工ｎ２ｏ３二Ｅｌｎ
）ノｚッチング金容易に行うことができるエツチング方
法を提供することに６る。
のであり、その目的は透明導電膜（工ｎ２ｏ３二Ｅｌｎ
）ノｚッチング金容易に行うことができるエツチング方
法を提供することに６る。
本発明を概説すれば、本発明は透明導電膜のエツチング
方法に関する発明であって、酸性浴液と反応して水素を
発生する金属物質を含んだ酸性溶液の蒸気に、酸化イン
ジウムにスズ’ｉｆ” Ｕｍ加した透明導電膜をさらす
ことを特徴とする。
方法に関する発明であって、酸性浴液と反応して水素を
発生する金属物質を含んだ酸性溶液の蒸気に、酸化イン
ジウムにスズ’ｉｆ” Ｕｍ加した透明導電膜をさらす
ことを特徴とする。
本発明で使用する金属物質の例には、アルミニウム、亜
鉛及び鉛よりなる群から選択した少なくとも１種がある
。また酸性浴液の例には、塩酸、硫酸及び硝酸がある。
鉛及び鉛よりなる群から選択した少なくとも１種がある
。また酸性浴液の例には、塩酸、硫酸及び硝酸がある。
本発明で使用する金属物質の量、酸性浴液の濃度、処理
の温度及び時間等の条件は、除去すべき透明導電膜の量
に応じて適宜決定することができる。
の温度及び時間等の条件は、除去すべき透明導電膜の量
に応じて適宜決定することができる。
本発明方法により、従来方法に比較して高精度なエツチ
ングが可能になったのは、従来方法のエツチング浴液の
替９にエッチ／り蒸気を用いたために、レジストと透明
導電膜との密着性を強くする必要がなく、エツチング後
のレジスト除去が容易になったためと推定される。
ングが可能になったのは、従来方法のエツチング浴液の
替９にエッチ／り蒸気を用いたために、レジストと透明
導電膜との密着性を強くする必要がなく、エツチング後
のレジスト除去が容易になったためと推定される。
以下、不発８Ａを実施例によって更に具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例１
第２図は本発明の１実施例の説明図であって、符号１は
基板、２は透明導電膜、４は濃塩酸（３６チ）、５はア
ルミニウム＜Ａｔ） １１７１％である。第２図に示す
ように、Ａｔ薄膜を含んだ塩酸を入れた容器の上部に、
工ｎ２ｏ３ ： Ｓｎ 透明導電膜をさらすように設置
する。Ａｔ薄膜が塩酸と反応して発生した活性水素が酸
化インジウム（工ｎ４０３ ）を還元して、水分（Ｈｚ
Ｏ）と工ｎ２工ｎ。
基板、２は透明導電膜、４は濃塩酸（３６チ）、５はア
ルミニウム＜Ａｔ） １１７１％である。第２図に示す
ように、Ａｔ薄膜を含んだ塩酸を入れた容器の上部に、
工ｎ２ｏ３ ： Ｓｎ 透明導電膜をさらすように設置
する。Ａｔ薄膜が塩酸と反応して発生した活性水素が酸
化インジウム（工ｎ４０３ ）を還元して、水分（Ｈｚ
Ｏ）と工ｎ２工ｎ。
及びＩｎ、Ｏ等にする。これらは、塩酸の蒸気によって
溶解してしまう。なお、２分間この状態を続けると、酸
化インジウム光面に、活性水素によって酸化インジウム
が還元された時に発生した水分あるいは蒸発してきた塩
酸が結露してしまい、活性水素や塩酸蒸気が酸化インジ
ウムの表面に到達できない状態となる。この時点で基板
を純水洗浄し、乾燥後透明導電膜両端での抵抗を測定す
ると、初期値より増大しており、透明導電膜の膜厚を測
定すると初期値エリ薄くなっていた。その後、再び、第
２図に示を方法を続けて２分間行った場合には、酸化イ
ンジウム透明導電膜は完全に除去された。
溶解してしまう。なお、２分間この状態を続けると、酸
化インジウム光面に、活性水素によって酸化インジウム
が還元された時に発生した水分あるいは蒸発してきた塩
酸が結露してしまい、活性水素や塩酸蒸気が酸化インジ
ウムの表面に到達できない状態となる。この時点で基板
を純水洗浄し、乾燥後透明導電膜両端での抵抗を測定す
ると、初期値より増大しており、透明導電膜の膜厚を測
定すると初期値エリ薄くなっていた。その後、再び、第
２図に示を方法を続けて２分間行った場合には、酸化イ
ンジウム透明導電膜は完全に除去された。
実施例２及び６
酸性溶液と反応して水素を発生する金属物質として亜鉛
（実施例２）及び鉛（実施例６）を用い、他の条件は実
施例１と同様にして透明導電膜をエツチングした。それ
ぞれの場合の透明導電膜を完全に除去するのに要したエ
ツチング時間を表１に示す。
（実施例２）及び鉛（実施例６）を用い、他の条件は実
施例１と同様にして透明導電膜をエツチングした。それ
ぞれの場合の透明導電膜を完全に除去するのに要したエ
ツチング時間を表１に示す。
表 １
実施例４及び５
酸性溶液として３２％濃硫歳（実施例４）及び５０％濃
硝酸（実施例５）を用い、他の条件は実施例１と同様に
して透明導電膜をエツチングした。それぞれの場合の透
明導電膜を完全に除去するのに要したエツチング時間を
表２に示す。
硝酸（実施例５）を用い、他の条件は実施例１と同様に
して透明導電膜をエツチングした。それぞれの場合の透
明導電膜を完全に除去するのに要したエツチング時間を
表２に示す。
表 ２
実施例６
第３図は本発明の１′実施例の説明図であり、符号１は
基板、２は透明導電膜、４は塩酸（５６％）、５はＡｔ
Ｈ膜、６は任意のパターンのレジストである。なお、レ
ジストとしては、シプレー社製のマイクロポジット１４
００−２７ｉ１．８μｍ塗付し、ホトリソグラフィーで
任意のパターンに加工した後、１４０℃でポストベーク
したものである。レジストの付いた透明導電膜を２分間
、実施例１と同様の方法で塩酸の蒸気にさらした後、純
水で洗浄し乾燥させ、その後再び２分間塩酸の蒸気にさ
らした。その後レジストを除、去するため、５０℃に保
ったレジスト除去液（シプレー社製のリムーバー１１１
２Ａ：水＝１：１）に２分間浸した。以上の工程によっ
て、厚さ約２００ＯＡの酸化インジウム（工ｎｘＯｓ：
Ｓｎ） Ｍ明導電膜の４μｍφの残しパターン、４μｍ
φの抜きパターンをレジスト残りがなく高精度に形成す
ることができた。
基板、２は透明導電膜、４は塩酸（５６％）、５はＡｔ
Ｈ膜、６は任意のパターンのレジストである。なお、レ
ジストとしては、シプレー社製のマイクロポジット１４
００−２７ｉ１．８μｍ塗付し、ホトリソグラフィーで
任意のパターンに加工した後、１４０℃でポストベーク
したものである。レジストの付いた透明導電膜を２分間
、実施例１と同様の方法で塩酸の蒸気にさらした後、純
水で洗浄し乾燥させ、その後再び２分間塩酸の蒸気にさ
らした。その後レジストを除、去するため、５０℃に保
ったレジスト除去液（シプレー社製のリムーバー１１１
２Ａ：水＝１：１）に２分間浸した。以上の工程によっ
て、厚さ約２００ＯＡの酸化インジウム（工ｎｘＯｓ：
Ｓｎ） Ｍ明導電膜の４μｍφの残しパターン、４μｍ
φの抜きパターンをレジスト残りがなく高精度に形成す
ることができた。
なお、エツチング時間、２分間の繰返しを６回行っても
、レジストにパターンくずれは生じなかった。そのため
、エツチング時間のマージンは、（２分×２回ン〜（２
分×６回）で充分であった。また酸性浴液と反応して水
素を発生する金属物質として亜鉛あるいは鉛を使用した
場合、及び酸性浴液として硫酸あるいは硝酸を用いた場
合にも、実施例６と同様な結果を得た。
、レジストにパターンくずれは生じなかった。そのため
、エツチング時間のマージンは、（２分×２回ン〜（２
分×６回）で充分であった。また酸性浴液と反応して水
素を発生する金属物質として亜鉛あるいは鉛を使用した
場合、及び酸性浴液として硫酸あるいは硝酸を用いた場
合にも、実施例６と同様な結果を得た。
以上説明したように、本発明方法によれば、ＬＳＩのプ
ロセス等で用いられている通常のレジスト・ワークが適
用可能であるから、酸化インジウムのパターニングが容
易にかつ高精度に行えるという利点がある。また、透明
導電膜上に金属層を形成する工程を省略することができ
るほかにも、エツチングによって取除いた透明導電膜の
下に何らかの膜が着いた多層構成基板であっても、希塩
酸溶液に浸す従来法では下地層へのダメー外トけること
は不可能であったが、本発明方法ではそのダメージも最
小限に抑えることができるという利点がある。
ロセス等で用いられている通常のレジスト・ワークが適
用可能であるから、酸化インジウムのパターニングが容
易にかつ高精度に行えるという利点がある。また、透明
導電膜上に金属層を形成する工程を省略することができ
るほかにも、エツチングによって取除いた透明導電膜の
下に何らかの膜が着いた多層構成基板であっても、希塩
酸溶液に浸す従来法では下地層へのダメー外トけること
は不可能であったが、本発明方法ではそのダメージも最
小限に抑えることができるという利点がある。
第１図は従来の透明導電膜のエツチング方法の説明図、
第２図及び第６図は、本発明方法の１実施例の説明図で
ある。 １：基板、２：透明導電膜、６：金属層、４：酸性溶液
、５ニアルミニウム薄膜、６：レジスト
第２図及び第６図は、本発明方法の１実施例の説明図で
ある。 １：基板、２：透明導電膜、６：金属層、４：酸性溶液
、５ニアルミニウム薄膜、６：レジスト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ９性浴液と反応して水素を発生する金属物質を含
んだ酸性溶液の蒸気に、酸化インジウムにスズを添加し
た透明導電膜をさらすことｅ［、徴とする透明導電膜の
エツチング方法。 Ｚ 該金属物質が、アルミニウム、亜鉛及び鉛工りなる
群から選択した少な−ぐとも１種であり、該酸性浴液が
塩酸、硫酸及び硝酸のうちのいずれか１種である特許請
求の範囲第１項記載の透明導電膜のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7291984A JPS60217636A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7291984A JPS60217636A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217636A true JPS60217636A (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=13503239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7291984A Pending JPS60217636A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217636A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8168544B2 (en) | 2006-08-01 | 2012-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxide etching method |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP7291984A patent/JPS60217636A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8168544B2 (en) | 2006-08-01 | 2012-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxide etching method |
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