JP2018022926A - エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
構造物1の表面の少なくとも一部は、半導体からなる。半導体は、例えば、Si;Ge;GaAs及びGaNなどのIII族元素とV族元素との化合物からなる半導体;並びにSiCから選択される。なお、ここで使用する用語「族」は、短周期型周期表の「族」である。
マスク層2は、構造物1の表面に触媒層としての貴金属パターンを形成するための層である。マスク層2は、開口部を有している。開口部の幅は、0.1μm乃至15μmの範囲内にあることが好ましく、5μm乃至10μmの範囲内にあることがより好ましい。後述する樹枝状晶を形成する場合、開口部の幅が広すぎると、開口部の位置で半導体からなる表面を触媒層で十分に被覆することが難しい。開口部の幅が狭すぎると、エッチング剤が半導体からなる表面に到達することが困難となるためである。
第1部分4は、構造物1の半導体からなる表面を少なくとも部分的に被覆している。第1部分4は、例えば、表面に凹凸構造を有している層である。第1部分は、不連続部を有していてもよい。第1部分4は、それと接している半導体表面の酸化反応の触媒として働く。
先ず、半導体表面のうち、第1部分4とその不連続部との合計に対応した二次元領域を、A領域とする。次に、第2部分5のうち、A領域の真上に位置した部分を、B部分とする。そして、A領域の真上に位置した三次元領域のうち、第1部分4の上面からB部分の最大高さまでの部分をC部分とする。
触媒層6は、例えば、電解めっき、還元めっき、又は置換めっきによって形成することができる。第1部分4は、貴金属粒子を含む分散液の塗布、又は、蒸着及びスパッタリングなどの気相堆積法を用いて形成してもよい。以下、一例として、置換めっきによる触媒層6の形成について記載する。
具体的には、例えば、マスク層2と触媒層6とを形成した構造物1をエッチング剤7に浸漬させる。エッチング剤7は、弗化水素酸と酸化剤とを含んでいる。
図1乃至図4に示す方法では、以上のようにして、構造物1の半導体からなる表面のエッチングを行う。
例えば、第1部分4は、貴金属粒子からなり、それら粒子間に、エッチング剤7が流通可能な隙間を有している粒状層であってもよい。或いは、第1部分4は、貴金属からなる連続膜に複数の貫通孔を設けてなる多孔膜であってもよい。
次に、図8及び図9に示す構造を、図1乃至図4を参照しながら説明した方法によりエッチングする。エッチングは、これによって生じる凹部の底面がダイシングシート11の表面に達するまで行う。
<試験例1>
以下の方法により、構造物に、マスク層と第1及び第2部分を含む触媒層とを形成し、これをエッチングした。そして、触媒層の構造がエッチングに及ぼす影響を調べた。
次に、めっき液Aに、マスク層を形成した構造物を23℃で3分間浸漬させて、触媒層を形成した。図12及び図13に、触媒層とマスク層とを形成した構造物を走査電子顕微鏡で観察した結果を示す。
このエッチング剤に、マスク層と触媒層とを形成した構造物を浸漬させて、これをエッチングした。図14に、エッチングした構造物を走査電子顕微鏡で観察した結果を示す。
開口部の幅を10μmとしたこと以外は、試験例1において説明したのと同様の方法により、構造物にマスク層と触媒層とを形成し、これをエッチングした。
以下の方法により、構造物に、マスク層と貴金属粒子の集合体からなる触媒層とを形成し、これをエッチングした。そして、触媒層の構造がエッチングに及ぼす影響を調べた。
めっき液Bへの浸漬時間を3分間としたこと以外は、試験例3において説明したのと同様の方法により、構造物にマスク層と触媒層とを形成し、これをエッチングした。
Claims (8)
- 半導体からなる表面上に、
貴金属からなる触媒層であって、前記表面を少なくとも部分的に被覆している第1部分と、前記第1部分上に位置し、前記第1部分と比較して、見かけ上の密度がより小さく、より厚い第2部分とを含む触媒層を形成することと、
前記触媒層へエッチング剤を供給して、前記触媒層の触媒としての作用のもとで、前記表面をエッチングすることと
を含んだエッチング方法。 - 前記貴金属は、Au、Ag、Pt及びRhからなる群より選ばれる1以上の金属である請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記半導体はSiを含む請求項1又は2に記載のエッチング方法。
- 前記エッチング剤はH2O2を含む請求項1乃至3の何れか1項に記載のエッチング方法。
- 前記表面に幅が0.1μm乃至15μmの範囲内である開口部を含むマスク層を形成することを更に含み、前記開口部の位置でエッチングする請求項1乃至4の何れか1項に記載のエッチング方法。
- 前記第2部分は前記貴金属からなる樹枝状晶を含む請求項1乃至5の何れか1項に記載のエッチング方法。
- 半導体ウエハを請求項1乃至6の何れか1項に記載のエッチング方法によりエッチングして半導体チップへと個片化することを含み、前記表面は前記半導体ウエハの表面である半導体チップの製造方法。
- 請求項1乃至7の何れか1項に記載のエッチング方法により、前記表面をエッチングすることを含んだ物品の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019159781A1 (ja) | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | TiN基焼結体およびTiN基焼結体製切削工具 |
JPWO2019230833A1 (ja) * | 2018-05-31 | 2021-06-24 | 学校法人 関西大学 | シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013523588A (ja) * | 2010-04-09 | 2013-06-17 | ネグゼオン・リミテッド | シリコン又はシリコン系材料からなる構造化粒子の製造方法及びそのリチウム二次電池での使用 |
JP2015119170A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-06-25 | 株式会社東芝 | 半導体チップの製造方法、半導体チップ、及び半導体装置 |
JP2016058647A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013523588A (ja) * | 2010-04-09 | 2013-06-17 | ネグゼオン・リミテッド | シリコン又はシリコン系材料からなる構造化粒子の製造方法及びそのリチウム二次電池での使用 |
JP2015119170A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-06-25 | 株式会社東芝 | 半導体チップの製造方法、半導体チップ、及び半導体装置 |
JP2016058647A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019159781A1 (ja) | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | TiN基焼結体およびTiN基焼結体製切削工具 |
JPWO2019230833A1 (ja) * | 2018-05-31 | 2021-06-24 | 学校法人 関西大学 | シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液 |
JP7236111B2 (ja) | 2018-05-31 | 2023-03-09 | 学校法人 関西大学 | シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液 |
TWI818030B (zh) * | 2018-05-31 | 2023-10-11 | 學校法人關西大學 | 矽半導體基板之蝕刻方法、半導體裝置之製造方法及蝕刻液 |
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