JP2015509283A5

JP2015509283A5 -

Info

Publication number: JP2015509283A5
Application number: JP2014548204A
Authority: JP
Filing date: 2012-12-21
Publication date: 2016-02-12

Claims

シリコンをエッチングする方法であって、前記方法は以下のステップ：
エッチングされるシリコン表面上に第一金属を無電解で成膜するステップであって、ここで、前記無電解で成膜された第一金属は、エッチングされる前記シリコンの表面を部分的に覆うステップ；
前記第一金属とは異なる第二金属を、前記シリコン表面及び前記無電解で成膜された第一金属の上に成膜するステップであって、ここで、前記成膜された第二金属のフィルムは、エッチングされる前記シリコン表面を覆うステップ；
前記第一金属及び前記第二金属を、前記第一金属の上に重なる、前記成膜された第二金属のフィルムの領域から除去して、エッチングされる前記シリコン表面を部分的に覆う前記第二金属を残留させるステップ；及び
前記シリコン表面を、酸化剤及びフッ化物イオンのソースを含む水溶性エッチング組成物に曝露することにより、前記シリコンをエッチングするステップ、
を含む、方法。
前記無電解で成膜された第一金属が、エッチングされる前記シリコン表面上に複数のアイランドを形成する、請求項１に記載の方法。
前記アイランドが、１０〜２００ｎｍの範囲の直径を有する、請求項２に記載の方法。
前記金属のアイランドが、互いに隔離されている、請求項２又は３に記載の方法。
前記複数の金属アイランドの少なくともいくつかが、前記第一金属のブリッジにより連結されている、請求項２又は３に記載の方法。
前記ブリッジの少なくともいくつかが、前記第二金属の成膜の前に除去される、請求項５に記載の方法。
前記第一及び第二金属が、独立して、銅、銀及び金から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
前記第一金属の無電解成膜には、エッチングされる前記シリコン表面を、前記第一金属イオン及びフッ化物イオンのソース又はアルカリを含む水溶性組成物に曝露することが含まれる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
前記第二金属を、前記第二金属のソースを含む電解質を含む電着浴中での電着により成膜する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
前記第二金属の成膜の前に、前記シリコン表面を処理して酸化シリコンを除去する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
前記酸化剤が、Ｏ_２；Ｏ_３；Ｈ_２Ｏ_２；及び、ＮＯ_３ ⁻、Ｓ_２Ｏ_８ ^２−、ＮＯ_２ ⁻、Ｂ_４Ｏ_７ ^２−又はＣＩＯ_４ ⁻の酸又は塩あるいはこれらの混合物、からなる群から選択され、好ましくは、アルカリ金属硝酸塩、硝酸アンモニウム及びこれらの混合物から選択される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
前記シリコン表面をエッチングして、前記シリコン表面をエッチングすることにより形成される、エッチングされたシリコン表面から伸びるシリコンピラーを形成するか；または多孔質シリコンを形成するかのいずれかである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
前記第一金属及び上に重なる第二金属を、前記シリコン表面及び前記第二金属を、前記水溶性エッチング処方物に曝露する前に除去する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
前記第一金属及び上に重なる第二金属の除去ならびに前記シリコン表面のエッチングを、単一ステップで行う、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
前記単一ステップが、前記第一金属及び第二金属を担持する前記シリコン表面を、水溶性エッチング処方物に、前記第一金属の除去及び前記シリコン表面のエッチングのために曝露することを含む、請求項１４に記載の方法。
エッチング後に残留する前記第二金属を除去しない、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
前記シリコンおよび前記第二金属をアニーリングして金属ケイ化物を形成する、請求項１６に記載の記載の方法。
シリコンをエッチングする方法であって、前記方法は以下のステップ：
エッチングされるシリコン表面上で第一金属を無電解で成膜するステップであって、ここで、前記無電解で成膜された第一金属は、エッチングされる前記シリコンの表面を部分的に覆うステップ；
前記シリコン表面上の及び前記無電解成膜された第一金属の上の、シリコンのエッチングに触媒作用を及ぼすことができる、第二金属のフィルムを成膜するステップ、
及び
前記シリコン表面を、酸化剤及びフッ化物イオンのソースを含む水溶性エッチング組成物に曝露することにより、前記シリコンをエッチングするステップ、
を含む、方法。
前記第一金属が、ビスマスである、請求項１８に記載の方法。
前記シリコンが、バルクシリコンの形態またはシリコン粉末の形態のいずれかである、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
電極を形成する方法であって、前記方法は、以下のステップのいずれか：
請求項２０に記載の方法により形成された、エッチングされたシリコン粉末および少なくとも１種の溶媒を含むスラリーを、導電性基板又は集電体上に成膜し、前記少なくとも１種の溶媒を蒸発させるステップ、または
請求項２０に記載の方法により形成された、エッチングされたバルクシリコンに、前記導電性集電体を適用するステップ、
を含む、方法。
再充電可能な金属イオンバッテリーを形成する方法であって、前記方法は、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の方法により形成された、エッチングされたシリコンを使用して前記再充電可能な金属イオンバッテリーのアノードを形成するステップを含む、方法。