JP4100044B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は主としてシリコン半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
現在市販されている電力用太陽電池の主流はシリコン太陽電池である。その量産レベルにおけるプロセスフローは、なるべく簡素化し製造コストの低減を図ろうとするものが一般的であり、電極形成に関しては、金属ペーストをスクリーン印刷等で形成する方法が採られている。
【0003】
図4は従来の太陽電池作製フローの断面概念図、図5は受光面電極構造を受光面側より示した平面図、図6は溶融半田に太陽電池を浸漬する工程の概略図である。
【0004】
以下、図4、図5及び図6を用いてその製造方法の一例について説明する。
【0005】
図4(a)はスライスして作成されたp型Si基板101(以下、基板101)であり、このスライスする時のダメージ層が基板表面から10μm程度存在し、アルカリ系のエッチング液によりこのダメージ層を除去するとともに更に光閉じ込め構造であるテクスチャ構造を形成している。
【0006】
次に、図4(b)では、リン(P)を基板1に拡散することで、n型拡散層102(以下、拡散層102)を形成する。通常のリンの拡散源としてオキシ塩化リン(POC13)を用いる場合が多い。特に工夫の無い場合、拡散層102は基板1の全面に形成される。通常この拡散層はシート抵抗が数十Ω/□程度で拡散層の深さは0.3〜0.5μm程度である。詳細は省略するが、この拡散層102は、例えばレジストで片面を保護した後、一方の面つまり受光面のみに拡散層102を残すようにエッチング除去し、このレジストは有機溶剤等を用いて除去される。
【0007】
次に、図4(c)では、拡散層102を残した受光面にSiN等の反射防止膜103をPECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)等によって形成する。
【0008】
次に、図4(d)では、受光面に対向する位置に当たる面に、例えばアルミペーストをスクリーン印刷法で印刷、乾燥後、700〜900℃で数分間、近赤外炉中で焼成することで、裏面電極104を形成する。更に受光面側には反射防止膜103の上に銀ペーストを例えばスクリーン印刷法により印刷、乾燥後、700〜900℃で数分間、近赤外炉中で焼成することにより受光面に受光面電極105が形成される。この焼成の際、反射防止膜103は溶融し銀ペーストは拡散層102に到達し、接触することで電気的な接触が図られる。
【0009】
最後に、図4(e)では、これまでの処理を済ませた基板1を半田に浸漬することにより受光面電極105に半田層106をコーティングする。
【0010】
このような工程を経て半導体装置が製造されるわけであるが、図4(d)の工程での基板1の受光面側からの状態を観察したものが図5である。
【0011】
図5(a)は、この受光面の反射防止膜103上に形成された受光面電極105の表面の状態を示したものであり、受光面電極105の表面にはグリッド電極107とこれと直交するバス電極108とが形成されている。
【0012】
図5(b)は、このグリッド電極107とバス電極108との直交する部分の拡大図である。このようにグリッド電極107に比べバス電極108の方が幅が広く構成されている。
【0013】
図6(a)は、この基板1を溶融半田109に浸漬した状態であり、図4(e)の工程に対応するものである。この場合、基板1は、溶融半田の表面に対してグリッド電極107が垂直方向、バス電極108が並行方向の向きとなった状態となって、溶融半田内に浸漬される。
【0014】
図6(b)はこの溶融半田に浸漬した後のグリッド電極107およびバス電極108を拡大したもので、溶融半田109への浸漬の条件にも依存するが、通常、半田がボール状に凝固した半田ボール110がバス電極108直下のグリッド電極107上に形成される。この半田ボール110は、直径数十〜数百μmにおよぶ場合があり、この後の工程であるモジュール化の際の妨げになるので除去していた。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、半田ボール110の除去には、例えば人手により半田コテ等を用い再度溶融させ除去するが、除去の際、半田層106上から半田ボール110のみを除去するのは困難で、大抵の場合、図6(c)に示すように、受光面電極105の一部も除去され、グリッド電極107に断線部分111が生じ、集電が有効に行われないため太陽電池の変換効率が低下するという問題点があった。
【0016】
この発明は電極に半田をコーティングする場合の電極形成方法を簡略化し生産性を高めた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【0017】
【課題を解決するための手段】
受光面に設けられた受光面電極と、
受光面電極上に設けられたバス電極と、
受光面電極上に設けられバス電極と交差する位置からバス電極の両側に伸びているグリッド電極のうちの半田槽からの引き上げ方向に対して下方側となる一方が、バス電極から一定の位置までの幅の広い部分と、一定の位置からの幅の狭い部分とを有する半導体基板を備える。
【0018】
また、バス電極から一定の位置までの幅の広い部分の幅は、160μmから200μmまでである。
【0019】
さらに、バス電極から一定の位置までの幅の広い部分の長さは、5mmから15mmまでである。
【0020】
受光面に設けられた受光面電極と、
受光面電極上に設けられたバス電極と、
受光面電極上に設けられバス電極と交差する位置からバス電極の両側に伸びているグリッド電極のうちの一方が、バス電極から一定の位置までの幅の広い部分と、一定の位置からの幅の狭い部分とを有する半導体基板を半田槽の溶融半田に侵浸し半田を皮膜して半導体装置を製造する方法であって、
溶融半田に浸した半導体基板を引き上げる時に、グリッド電極の幅が広い部分が下方を向くようにする。
【0021】
【発明の実施の形態】
この発明にかかる技術は、従来の技術で説明した一般的な工法に従って半導体装置を製作した場合に、どのような現象が生じることで半田ボールが生成されるのかを観察する実験をもとにしている。
【0022】
図6に示した基板を半田槽に浸漬する工程を詳細に観察すると、受光面電極105が溶融半田から引き上げられる際に、グリッド電極107に溜まった溶融半田と、バス電極108に溜まっていて引き上げることによりこのバス電極108の下方に位置するグリッド電極107に流れ込んできた溶融半田とによって、グリッド電極107とバス電極108とが交差する位置よりも下方のグリッド電極107間に溶融半田のブリッジが形成され、この溶融半田ブリッジが破裂し、過剰な溶融半田が雫のごとく一部のグリッド電極107を伝わって、溶融半田面に落下する。
【0023】
この時、一部のグリッド電極107においては落下する前に雫が凝固したものが球状な半田ボール110となる。従って、半田ボール110は、受光面電極105を溶融半田から引き上げる際に、引き上げる方向に対してバス電極108の下側のグリッド電極107上に発生する。
【0024】
なお、この半田ボール110は、前述したように半田槽に浸した半導体基板を引き上げる時に主にバス電極108に溜まった溶融半田がバス電極108からグリッド電極107に沿って流れ落ち、凝固したものである。これは半導体基板の引き上げ速度等の条件にもよるが、ここでは太陽電池として100mm×100mmと150mm×150mmのサイズのものについて実験をし、100mm×100mmについては主にバス電極108とグリッド電極108との交差する位置から5mmから10mmまでの範囲で半田ボール110が発生し、150mm×150mmについては主にバス電極108とグリッド電極108との交差する置から7.5mmから15mmまでの範囲で半田ボール110が発生するという結果が得られた。
【0025】
以上の観察結果から、グリッド電極107の幅が広ければ、過剰な溶融半田が球状になるのを防ぐことができるものと考えられる。したがって、半田ボール110の発生とグリッド電極107の幅との関係を実験により求めた。
【0026】
図1は、横軸をグリッド電極幅107とし縦軸を半田ボール110の発生率とした場合の関係を示したものである。一般的な太陽電池では、図5(a)に示したようにバス電極108は2本で構成されているので半田ボール110は、半田槽から引き上げた際に、両方のバス電極108の下側に発生することになる。半田ボール発生率は、発生した半田ボール110の個数をグリッド電極の総本数の2倍で割ったものを100倍して割合で表したものである。半田ボール110の発生率はグリッド電極107の幅が広くなるほど減少し、実験ではグリッド電極107の幅が160μmで半田ボール発生率が10%以下となり、180μmを超えたところで半田ボール110がほとんど発生しなくなった。したがって、半田ボール110の発生率を10%以下程度に抑制したければ160μm以上、半田ボール110をほとんど発生させないようにするにはグリッド電極107の幅を180μm以上にすれば良いことがわかる。
【0027】
しかし、グリッド電極107の全長に渡って180μm以上の幅とすると、受光面電極105への光を遮る部分が増えて受光面積が減少し発電効率が低下する。一方、受光面積を増やすためにグリッド電極幅を狭くすると、電極の直列抵抗が増加し変換効率が低下する。通常、太陽電池の大きさにもよるが市販されている100mm×100mm以上の太陽電池のグリッド電極の幅は100〜150μm程度として、太陽電池の発電効率と変換効率が最大になるように設計されている。
【0028】
これらを考慮してうえで、前述したように、ほとんどの半田ボールがバス電極108とグリッド電極107とが交差する位置より5mmから15mmまでの間に発生していることから、この長さに対応する部分だけグリッド電極の幅を広げることとした。
【0029】
図2は、この発明の基板上に形成された電極の構成図である。このうち図2(a)は受光面電極1の全体の構成を示しており、図中、半導体基板の受光面上に設けられた受光面電極1の表面にはグリッド電極2とこれと交差するバス電極3が形成されている。この点までは図5(a)の受光面電極105と同じ構成であるが、図2(b)に示すこのグリッド電極2とこれと交差するバス電極3の拡大図にあるように、バス電極3と交差するグリッド電極2の一方には、この交差する地点から一定の位置までグリッド電極2の幅が広い幅広部4が設けられ、この幅広部4の一端からグリッド電極2の幅は狭くなっている。その状態で隣に別のバス電極があればそのバス電極に接続されている。図2(c)は、このような構造の電極を図4で説明した半田槽に浸漬して受光面電極1に半田層をコーティングした場合の受光面電極1の定性的な状態を示す拡大図である。
【0030】
なお、ここでは半田槽に浸漬する場合に、溶融半田の液面と垂直方向をなす向きに形成されるのがグリッド電極であり、溶融半田の液面と水平方向をなす向きに形成されるのがバス電極である。
【0031】
このように、グリッド電極2に幅広部4を設ける変更であるので、これまでの製造方法自体を変える必要はない。すなわち、受光面電極1上に設けられたグリッド電極2と、グリッド電極2と略直交するバス電極3とからなる半導体基板であって、グリッド電極2は幅広部4とそれ以外の幅の狭い部分との少なくとも二つの幅の異なる部分から形成されており、この半導体基板を溶融半田に侵浸する(例えば、図6(a)で示すように半導体基板を垂直に半田槽内に漬ける)時に、グリッド電極2(さらに詳しく言えば幅広部4)が溶融半田の液面と略垂直となるようにする。
【0032】
図3は、グリッド電極2の一部を幅広部4とした受光面電極1について、縦軸を変換効率とし横軸をグリッド幅とした場合の関係を示したものである。ここでは太陽電池として100mm×100mmのものを用いて、グリッド電極2の幅を120μmとし、幅広部4の長さを10mmとした。その上で、このバス電極3の半田槽からの引き上げ方向に対して下方側の幅広部4幅を幾つか変えた太陽電池を試作して性能を比較したものである。
【0033】
図3に示すように、幅広部4の幅が120μmよりも広くなっていくにつれ、半田ボール発生によるグリッド電極断線が防止でき抵抗の増加による変換効率の低下が抑制される。この幅広部4の幅を広くした効果は180μm程度で最も高く、200μmとすると若干低下するが、。
【0034】
この結果から、特に幅広部4の幅が160μm〜200μm程度が効果が高いと判断される。この関係は、通常のグリッド電極2の幅を基準にして、幅広部4の幅を比率で表すと、以下の通りである。
160(μm)/120(μm)=1.50
200(μm)/120(μm)≒1.67
【0035】
したがって、グリッド電極2の幅に対して1.50倍〜1.67倍の広さの幅を有する幅広部4を設けることで、特に高い効果が得られる。
【0036】
このように受光面上の受光面電極の上に設けられたバス電極と、これと交差してバス電極の両側に伸びているグリッド電極の一方が、一定の位置までは幅の広い幅広部と、そこ以降は幅の狭い部分となっている半導体基板から半導体装置を製造する場合、製造工程全体の流れは基本的に従来の技術の図4で説明した方法と同じであるが、図6で示したような溶融半田に浸した半導体基板を引き上げる工程では、幅広部が下方を向くようにして引き上げることで、半田ボールを抑制することが可能となる。
【0037】
これにより、半田ボールの発生率を抑制することが可能となり半田ボール修正工程の省力化が達成されるとともに、高効率化が図られることが可能となった。
【0038】
なお、このような半導体装置に用いる半導体基板を作成する際に、予め、バス電極と交差するグリッド電極について、これらの交差する位置の両側に幅広部を設けることで、半導体基板を半田槽に漬ける方向が逆向きとなっても、この発明と同じ効果が得られるようにする方法も考えられる。しかし、前述したようにグリッド電極の幅が広い部分を長くすると、光を遮る部分が増えて受光面積が減少し発電効率が低下する。そのため、この発明のように、バス電極と交差するグリッド電極の片側にだけ幅広部を設け、半田槽に浸す方向を特定した半導体基板を用いた方が発電効率の面での性能が良い。
【0039】
【発明の効果】
このようにすることで、製造工程で発生していた半田ボールの発生を防止することができるので、半田ボール修正のための工程を不要にし、更に半田ボールの修正により切断されていたグリッド電極の断線を防止することが可能となり高効率な太陽電池の製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 グリッド電極幅と半田ボールの発生率との関係についてのグラフである。
【図2】 この発明における受光面電極の構成図である。
【図3】 この発明におけるグリッド電極の幅広部と変換効率との関係についてのグラフである。
【図4】 従来の太陽電池作製フローの断面概念図である。
【図5】 従来の受光面電極構造を受光面側より示した平面図である。
【図6】 従来の溶融半田に太陽電池を浸漬する工程の概略図である。
【符号の説明】
1 受光面電極、 2 グリッド電極、 3 バス電極、 4 幅広部。
Claims (4)
- 受光面に設けられた受光面電極と、
前記受光面電極上に設けられたバス電極と、
前記受光面電極上に設けられ前記バス電極と交差する位置から前記バス電極の両側に伸びている前記グリッド電極のうちの半田槽からの引き上げ方向に対して下方側となる一方が、前記バス電極から一定の位置までの幅の広い部分と、前記一定の位置からの幅の狭い部分とを有する半導体基板を備えることを特徴とする半導体装置。 - バス電極から一定の位置までの幅の広い部分の幅は、160μmから200μmまでであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- バス電極から一定の位置までの幅の広い部分の長さは、5mmから15mmまでであることを特徴とする請求項1及び請求項2いずれか記載の半導体装置。
- 受光面に設けられた受光面電極と、
前記受光面電極上に設けられたバス電極と、
前記受光面電極上に設けられ前記バス電極と交差する位置から前記バス電極の両側に伸びている前記グリッド電極のうちの一方が、前記バス電極から一定の位置までの幅の広い部分と、前記一定の位置からの幅の狭い部分とを有する半導体基板を半田槽の溶融半田に侵浸し半田を皮膜して半導体装置を製造する方法であって、
前記溶融半田に浸した前記半導体基板を引き上げる時に、前記グリッド電極の前記幅が広い部分が下方を向くようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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