JP3115950B2 - 光電変換装置およびその製造方法 - Google Patents
光電変換装置およびその製造方法Info
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Description
光電変換装置に関し、特に、光電変換効率を改善した光
電変換装置の受光面の電極形状およびその製造方法に関
するものである。
の一例である太陽電池セルの構造を示す斜視図である。
の主面に、n型半導体層20が形成されている。さら
に、n型半導体層20に接続されるように受光面側電極
13が配設されている。
からなるpn接合内部で光電変換された電流は、この受
光面側電極13により取出され外部負荷に供給される。
0に光が照射されると、受光面側電極13上に注がれた
光は反射され、pn接合内部へは到達しないので、光電
変換には寄与せず、光の損失となっていた。
率を高くするには、受光面における受光面側電極13の
占有面積をできる限り小さくし、光の損失を抑える必要
があった。
拡散濃度を低くし、n型半導体層20の電気抵抗を大き
くすると、受光面全体に受光面側電極13を狭い間隔で
配置しなければならなくなる。
セルでは、図13に示すように、微細な複数の副電極1
1を受光面全体に等間隔に配置し、その副電極11の一
方端部に接続するように、幅の広い主電極12を受光面
の一端に配置していた。
だけでは、副電極内でのジュール損失が大きくなってし
まうような、受光面積の大きい太陽電池セルでは、図1
4に示すように、複数の主電極12を等間隔に配置し、
各主電極12の両側に複数の副電極11を配置してい
た。
陽電池セル30,35の受光面側電極13は、次のよう
にして形成されていた。
面全面に、厚み7μm程度のレジスト膜を形成する。次
に、副電極および主電極を形成したい所定の領域をパタ
ーニングし、電極を形成したい部分のレジスト膜を選択
的に除去する。
m程度の金属層を堆積する。これは、堆積する金属層の
厚みがこれ以上になると、リフトオフが困難になってし
まうからである。
層20上の不要な不分の金属層をレジスト膜とともにす
べて除去し、受光面上に厚み5μm程度の電極層を形成
する。 この電極層に、電解めっきを行ない、およそ1
0μm程度の厚みを有する受光面側電極13を形成して
いた。
により形成される受光面側電極13には次のような問題
があった。
101で囲まれた部分の副電極11および主電極12の
一部の形状を示す拡大図である。
大きくしようとすると、同時に副電極11の幅も大きく
なってしまう。このため、図15に示すように、副電極
11の点C付近は電流値が小さい部分であるにもかかわ
らず、必要以上に断面積S′ 1 が大きくなっていた。ま
た、副電極11の点D付近は電流値が大きい部分であ
り、それに見合う十分な断面積S′2 を得るため、電極
の幅がかなり広く採られていた。
受光面に占める副電極11の面積が大きくなり、光の損
失が多くなっていた。
を予め考慮して、薄い電極層をより薄く形成しておくこ
とが考えられたが、現在までのところ薄い電極層の幅を
1μm以下に形成することはかなり困難である。
できるだけ抑制するために副電極11の幅を可能な限り
狭くする必要がある一方で、副電極内部のジュール損失
をできるだけ小さくするためには、副電極11の断面積
を十分確保する必要があった。
る受光面側電極を備えた太陽電池セルは従来の製造方法
では実現化できなかった。
なされたものであって、光の損失およびジュールの損失
が共に小さく抑えられることによって光電変換効率が向
上された光電変換装置およびその製造方法を提供するこ
とを目的としている。
換装置は、導電性材料で構成された少なくとも1つの主
電極と、導電性材料で構成され、主電極に接続される複
数の副電極とを備える。この光電変換装置は、副電極の
各々の厚さが、主電極から最も離れた部分で最小であ
り、主電極に近づくにしたがって厚くなっていることを
特徴とする。
は、光電変換装置の受光面から副電極の各々の部分で最
も高い地点までの高さを言うものとする。
子で励起された自由キャリアの半導体接合内での動きを
利用することにより光量子エネルギを電気エネルギある
いは電気信号に変換可能な装置であって、たとえば、太
陽電池セル、光センサ、光結合素子の受光部等とするこ
とができる。
は、少なくとも1つの主電極と、主電極に接続される複
数の副電極とを備える光電変換装置の製造方法である。
この光電変換装置の製造方法では、複数の副電極が形成
されるべき部分に予め薄い電極を形成し、薄い電極に金
属材料をめっきするに際し、めっき液中に薄い電極を浸
漬する時間を最終的に形成したい副電極の各部分の厚さ
に応じながら変化させることを特徴とする。
でめっきするに際し、電解めっき法あるいは無電解めっ
き法を用いることができる。ただし、電解めっき法の方
が無電解めっき法に比べ、めっき処理速度が速くより好
ましい。
金属材料としては、銅(Cu),銀(Ag),金(A
u)等の純金属あるいははんだ,金合金等を用いること
ができる。
めっきしたい金属イオンを含む電解液とすることができ
る。
各々の部分の厚さが、すべて一様な厚さには形成され
ず、主電極から最も離れた部分で最小となり、主電極に
近づくにしたがって大きくなるように形成されている。
極から最も離れた部分では、電流量に応じて副電極の断
面積が必要最低限に抑えられている。
分では、一定の断面積が確保されつつ、従来よりも副電
極の幅が大幅に低減されている。
うに形成されることで、副電極の幅を増大しなくとも、
電流量に応じた十分な断面積を容易に確保することがで
きるからである。
ることで、受光面に占める副電極の面積が縮小される。
この結果、ジュール損失が小さくできるとともに、光の
損失を最低限に抑えることができる。したがって、光電
変換装置の性能特性が改善され、光電変換効率が向上す
る。
では、複数の副電極が形成されるべき部分に予め薄い電
極を形成しておき、めっき液中に薄い電極を浸漬する時
間を変化させることで、形成したい副電極の各部分の厚
さを自在に変えることができる。
したがって、主電極から最も離れた部分で厚さが最小と
なり、また主電極に近づくにしたがって厚さが順次大き
くなるように、薄い電極をめっき液に浸漬する時間を変
化させてめっきを行なえば、第1の発明に従う光電変換
装置の複数の副電極を再現性よく受光面上に形成するこ
とができる。
レジストパターン上に真空蒸着した後リフトオフするこ
とで形成されてもよく、また、真空蒸着を用いて形成し
た金属をエッチング法によりパターニングすることで形
成されてもよい。また、必要な箇所以外をレジスト膜で
覆った後無電解めっき法を用いて形成されてもよい。
する。
電池セルの構造を示す斜視図であり、図12に示した従
来の太陽電池セルと同一部分については、同一符号で示
される。さらに、図2は、図1に示した太陽電池セルの
受光面を示す正面図である。
主面に、n型半導体層20が形成されている。また、p
型半導体基板10の背面にアルミニウム(Al)が蒸着
され、背面電極14が形成されている。さらに、n型半
導体層20に接続されるように受光面側電極3が配設さ
れている。
に、受光面全体に配置された微細な複数の副電極1と、
複数の副電極1の一方端に接続され、受光面の一端に配
置された主電極2とからなる。
れた部分の副電極1および主電極2の一部の形状を示す
拡大図である。
ル100の副電極1は、主電極2から最も離れた点A付
近で、電極の幅および厚みがともに最小となるように形
成されており、小さい電流量に応じて断面積S1 が必要
最低限の大きさに留められている。
とえば、電極の厚みはおよそ0.1〜5μm程度に、電
極の幅はおよそ2〜10μm程度に形成されている。
たがって、電極の幅が広くなるとともに電極の厚みが順
次厚くなるように形成されている。
たとえば、電極の厚さはおよそ10〜100μm程度
に、電極の幅はおよそ10〜100μm程度に形成さ
れ、大きな電流量に応じて十分な断面積S2 が確保され
ている。
0の副電極1と、図16に示した従来の太陽電池セル3
0の副電極11とを比べると、副電極の各々の幅がより
小さく抑えられていることがわかる。
個受光面上に配設された太陽電池セル100では、図1
6に示した副電極11が複数個受光面に配設された従来
の太陽電池セル30に比べて、受光面に占める受光面側
電極の面積が1%程度も低減されている。
池セル100の製造方法の一例について簡単に説明す
る。
n型半導体層を形成するため、リン(P)を拡散する。
次に、背面に形成されたn型半導体層をエッチングによ
り除去し、図4に示すようにpn接合を有するp型半導
体基板10およびn型半導体層20を形成する。
20表面上にレジスト膜18をパターン形成する。
0表面に、真空蒸着法を用いて、チタン(Ti)0.0
5μm、銀(Ag)5μmを順に蒸着し、金属層19を
形成する。
および銀(Ag)から形成するものとしたが、アルミニ
ウム(Al)のみから形成されてもよく、また、チタン
(Ti)、パラジウム(Pd)および銀(Ag)を積層
して形成されてもよい。また、真空蒸着法を用いる代わ
りに、無電解めっき法等を用いて金属層19を形成して
もよい。
金属層19をレジスト膜18とともにリフトオフし、こ
れにより副電極および副電極および主電極を形成したい
所定の領域に薄い電極層21をパターン形成する。
は、厚み5μm、幅10μmとなっている。
レジストパターン上に真空蒸着した後リフトオフするこ
とで形成したが、真空蒸着した金属をエッチングにより
パターニングすることで形成してもよく、また、必要な
箇所以外をレジスト膜で覆った後無電解めっき法を用い
て形成してもよい。
ム(Al)を真空蒸着することにより背面電極を形成す
る。
半導体層20の表面に塩酸処理を施し、酸化物成分をす
べて除去する。またさらに、薄い電極層21が形成され
たn型半導体層20の表面にアセトン等の有機溶剤洗浄
を施して、油脂成分をすべて除去する。
すようなめっき装置85を用いて、受光面に形成された
薄い電極層21に電解めっき処理を行なう。この電解め
っき処理について次に詳しく説明する。
電源40および電流計41が直列に接続されている。
硫酸銅(CuSO4 )溶液からなるめっき液7が収容さ
れている。めっき液7のpHを約1.5前後に調整す
る。
面に形成された薄い電極層21を陰極とする。陽極の浸
漬面積は陰極面積の約2倍となるようにする。
21表面にCuを析出させるものとする。
に形成された、5cm角の太陽電池セル100を安定的
に固定するためのホルダ23が設置されている。このホ
ルダ23は、ワイヤ26を介して、ホルダ引上げ装置2
4に懸吊されている。このホルダ引上げ装置24による
ワイヤ26の巻取りを調節することで、ホルダ23の垂
直方向の位置を自在に変えることができる。
7の温度を25℃程度に維持し、陽極6および陰極とな
る薄い電極層21をめっき液7中に浸漬する。
圧を印加し、10〜100mA(電解めっき処理のため
の陰極電流密度を10A/dm2 程度とする)の範囲の
電流が流れるように操作して、薄い電極層21にめっき
処理を開始する。
ル100が固定されたホルダ23をホルダ引上げ装置2
4によって矢印80の方向に所定の速度で静かに引上げ
る。このホルダ23の引上げによって、薄い電極層21
がめっき液7中から順次引上げられる。この薄い電極層
21の引上げによって、薄い電極層21においては次の
ように金属層が形成される。
い電極層21が完全に浸漬しているとき、薄い電極層2
1の表面を覆うように、金属が析出し、薄い金属膜31
が形成される。
層21の一部がめっき液7の水面上に引上げられると、
めっき液7から引上げられた部分では、めっきが進行せ
ず金属がそれ以上析出しなくなるため、引上げられた部
分の薄い金属膜31′はそれ以上成長しない。一方、め
っき液7中に浸漬している部分では、先に形成された薄
い金属膜31上に金属が引続いて析出し、金属膜31が
さらに成長する。
を順次めっき液7から引上げながら電解めっき処理を行
なうと、図9(c)に示すように、めっき液7中に浸漬
されている時間が短くなる上方部ほど幅および厚みがと
もに小さく、めっき液7中に浸漬されている時間が長く
なる下方部ほど幅および厚みがともに大きくなるように
金属層が形成される。
引上げを行なったが、手動により引上げを行なってもよ
い。
っきするべき金属層の表面積に応じて、電流量を制御す
れば、副電極1の各々の断面積を精度よく制御すること
ができる。電流量の制御は電源電圧を変えることによっ
て行なうことができる。
自動化すれば、めっき処理速度を自在に調節することが
できるとともに、所望の断面積を有する受光面側電極を
n型半導体層20上に再現性よく形成することができ
る。
て、薄い電極層21から、複数の副電極1および1本の
主電極2を形成する。
数の副電極1および1本の主電極2にディップ法により
半田をコーティングすればさらに好ましい。
の表面を十分に水洗し乾燥させる。上述のようにして、
主電極2から最も離れた先端部で、厚み5μm、幅10
μmとなり、主電極2に近い末端部で、厚み15μm、
幅30μmとなるように、主電極2に近づくにしたがっ
て厚み、幅が順次大きくなる副電極1が複数個受光面上
に形成された太陽電池セル100を製造することができ
る。
き材料として銅(Cu)を用いたが、銀(Ag)、金
(Au)、あるいははんだ、金合金等を用いてもよい。
性能特性を、図13に示す従来の太陽電池セル30の性
能特性と比較すれば、受光面側電極の占有率が低減され
たことで電流値が約1.1%向上し、受光面側電極のジ
ュール損失が低減されたことで曲線因子(F.F.)が
約2.7%も向上した。
従う太陽電池セルの受光面を示す正面図である。
部に副電極のみを配置しただけでは、副電極内でのジュ
ール損失が大きくなってしまう受光面積の大きい太陽電
池セルの一例である。
太陽電池セル105では、図2に示すような受光面積の
小さい太陽電池セル100と異なり、受光面内部に複数
の副電極1のみならず、複数の主電極2が配設されてい
る。
造する製造方法の一例について簡単に説明する。
半導体層を形成するため、リン(P)を拡散する。次に
裏面に形成されたn型半導体層をエッチングにより除去
し、p型半導体基板およびn型半導体層を形成する。
ターン形成する。さらにn型半導体層上に真空蒸着法を
用いて、チタン(Ti)0.05μm、銀(Ag)5μ
mを順に蒸着し、金属層を形成する。
び銀(Ag)から形成するものとしたが、アルミニウム
(Al)のみから形成されてもよく、またチタン(T
i)、パラジウム(Pd)および銀(Ag)を積層して
形成されてもよい。
び主電極を形成したい所定の領域に、厚み5μm、幅1
0μmの薄い電極層を形成する。
層20の表面に、第1の実施例と同様の適当な前処理を
施した後、図12に示すようなめっき装置95を用い
て、薄い電極層に電解めっき処理を行なう。この電解め
っき処理について次に詳しく説明する。
は、電源40および電流計41が直列に接続されてい
る。
硫酸銅(CuSO4 )溶液からなるめっき液7が収容さ
れている。めっき液7のpHを約1.5前後に調整す
る。
面に形成された薄い電極層(図示せず)を陰極とする。
陽極の浸漬面積は陰極面積の約2倍となるようにする。
表面にCuを析出させるものとする。
成された、10cm角の太陽電池セル105を安定的に
固定するためのホルダ33が設置されている。
るように組立てられたガイド25上に設けられるホルダ
移動装置34によって保持され、かつホルダ移動装置3
4によって水平方向の位置を自在に変えることができ
る。
れを生じさせるための装置15が設けられている。この
めっき液7に流れを生じさせるための装置15により矢
印70の方向にめっき液7を一定の速度で循環させるこ
とができる。
げるための装置8も設けられている。この液面を盛り上
げるための装置8は、傾斜角度をもち、めっき液7と化
学的に反応性のない素材から製作される。この液面を盛
り上げるための装置8によって、めっき液7の液面があ
る所定の領域だけ他の領域よりも高く盛り上げられる。
た、10cm角の太陽電池セル105をホルダ33に設
置し、この液面の盛り上がった領域が陰極となる薄い電
極層の所定の部分に接するように、ホルダ33の垂直方
向および水平方向の位置を調節する。
7の温度を25℃程度に維持し、陽極6をめっき液7中
に浸漬する。
印加し、10〜400mA(電解めっき処理のための陰
極電流密度を10A/dm2 程度とする)の範囲の電流
が流れるように操作して、薄い電極層にめっき処理を開
始する。
装置34によって、めっき液7の液面の盛り上がった領
域に薄い電極層の各部分が順次接触するように、ホルダ
33を矢印90の方向に所定の速度で移動させる。
度を調節し、薄い電極層の各部分がめっき液7に接触す
る時間を制御することで、形成される金属層の厚みおよ
び幅を自在に変えることができる。
れば、薄い電極層のある一部分がめっき液7に接触する
時間が長くなり、その部分に形成される金属層の厚みお
よび幅がともに大きくなる。一方、ホルダ33の移動速
度を速くすれば、薄い電極層のある一部分がめっき液7
に接触する時間が短くなり、その部分に形成される金属
層の厚みおよび幅がともに小さくなる。
きするべき金属層の表面積に応じて電流量を制御すれ
ば、副電極の各々の断面積を精度よく制御することがで
きる。電流量の制御は電源電圧を変えることによって行
なうことができる。
自動化すれば、めっき処理速度を自在に調節することが
できるとともに、所望の断面積を有する受光面側電極を
n型半導体層上に再現性よく形成することができる。
て、薄い電極層から、複数の副電極1および複数の主電
極2を形成する。
数の副電極1および複数の主電極2にディップ法により
半田をコーティングすればさらに好ましい。
面を十分に水洗し乾燥させる。n型半導体層の表面に、
熱拡散法を用いて、反射防止膜となるシリコン酸化膜を
形成する。
た先端部で、厚み5μm、幅10μmとなり、主電極2
に近い末端部で、厚み15μm、幅30μmとなるよう
に主電極2に近づくに従って厚み、幅が順次大きくなる
副電極1が受光面上に形成された、第2の実施例に従う
太陽電池セル105を製造することができる。
方向への流れの一部を上方へ変えるめっき装置を用いた
が、真上に流れを生じさせる装置とその流れを整えるガ
イドを有した噴流式のめっき装置を用いてめっき処理を
行なってもよい。
05の性能特性を、図15に示す従来の太陽電池セル3
5の性能特性と比較すれば、受光面電極の占有率が低減
されたことで電流値が約0.7%向上し、受光面電極の
ジュール損失が低減されたことで曲線因子(F.F.)
が約3.8%も向上した。
太陽電池セルを用いて本発明の光電変換装置およびその
製造方法の代表的な例について説明するものであって、
本発明を限定するものではない。たとえば、本発明を太
陽電池表面の構造が光の表面反射を少なくする凹凸構造
を有するものや、反射防止膜を有するものにも応用する
ことができる。また、本発明は光センサ、光結合素子の
受光部等にも応用することができる。
の各々の厚さが、主電極から最も離れた部分で最小であ
り、主電極に近づくにしたがって厚くなっているので、
副電極内部でのジュール損失を増大することなしに、副
電極の幅をより小さく抑えることができる。その結果、
光電変換装置の受光面に占める電極の面積が低減され、
光の損失が抑制されることで光電変換装置の光電変換効
率が向上する。
きくできることでジュール損失が低減され、光電変換装
置の光電変換効率が向上する。
用いれば、高い光電変換効率を有する光電変換装置を再
現性よく製造することができる。
造を示す斜視図である。
図である。
電極および主電極の一部の形状を示す拡大図である。
の製造工程を示す断面図である。
の製造工程を示す断面図である。
の製造工程を示す断面図である。
の製造工程を示す断面図である。
造に用いるめっき装置を示す斜視図である。
理の進行状況を示す図である。
受光面を示す平面図である。
製造に用いる他のめっき装置を示す斜視図である。
視図である。
示す平面図である。
図である。
で囲まれた部分の副電極および主電極の一部の形状を示
す拡大図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 導電性材料で構成された少なくとも1つ
の主電極と、 導電性材料で構成され、前記主電極に接続される複数の
副電極とを備える光電変換装置であって、 前記副電極の各々の厚さが、前記主電極から最も離れた
部分で最小であり、前記主電極に近づくにしたがって厚
くなっていることを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項2】 少なくとも1つの主電極と、 前記主電極に接続される複数の副電極とを備える光電変
換装置の製造方法であって、 前記複数の副電極が形成されるべき部分に予め薄い電極
を形成し、 前記薄い電極に金属材料をめっきするに際し、めっき液
中に前記薄い電極を浸漬する時間を最終的に形成したい
前記複数の副電極の各部分の厚さに応じて変化させるこ
とを特徴とする光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04202728A JP3115950B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 光電変換装置およびその製造方法 |
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JP04202728A JP3115950B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 光電変換装置およびその製造方法 |
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---|---|
JPH0653531A JPH0653531A (ja) | 1994-02-25 |
JP3115950B2 true JP3115950B2 (ja) | 2000-12-11 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2219226A3 (en) * | 2009-02-11 | 2015-10-14 | Neo Solar Power Corp. | Electrode structure and solar cell comprising the same |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL119919A (en) * | 1996-12-26 | 2003-07-31 | Avi Klayman | Protective netting for cultivated plants |
NL1010635C2 (nl) * | 1998-11-23 | 2000-05-24 | Stichting Energie | Werkwijze voor het vervaardigen van een metallisatiepatroon op een fotovoltaïsche cel. |
EP1182709A1 (en) * | 2000-08-14 | 2002-02-27 | IPU, Instituttet For Produktudvikling | A process for depositing metal contacts on a buried grid solar cell and a solar cell obtained by the process |
JP4100044B2 (ja) * | 2002-05-22 | 2008-06-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2005109524A1 (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2005353904A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Sharp Corp | 電極の形成方法、太陽電池の製造方法、電極、太陽電池 |
KR20080091241A (ko) * | 2006-01-25 | 2008-10-09 | 프라운호퍼-게젤샤프트 추르 푀르데룽 데어 안제반텐 포르슝 에 파우 | 솔라셀의 금속 접촉구조의 제조방법 |
RU2355066C2 (ru) * | 2006-06-08 | 2009-05-10 | Броня Цой | Преобразователь электромагнитного излучения |
RU2369941C2 (ru) * | 2007-08-01 | 2009-10-10 | Броня Цой | Преобразователь электромагнитного излучения (варианты) |
US20110248370A1 (en) * | 2008-05-20 | 2011-10-13 | Bronya Tsoi | Electromagnetic radiation converter with a battery |
TWM387372U (en) * | 2010-03-29 | 2010-08-21 | Neo Solar Power Corp | Electrode structure of solar cell |
EP2595196B1 (en) * | 2010-06-25 | 2020-06-03 | Kyocera Corporation | Solar cell element |
JP5903550B2 (ja) * | 2011-07-28 | 2016-04-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法 |
WO2013076861A1 (ja) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
WO2013136433A1 (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
WO2013136436A1 (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
JP5977166B2 (ja) * | 2012-12-25 | 2016-08-24 | 京セラ株式会社 | 光電変換素子 |
CN103208540A (zh) * | 2013-04-17 | 2013-07-17 | 新疆嘉盛阳光风电科技股份有限公司 | 用于光伏电池的电极及其制造方法 |
CN103633191A (zh) * | 2013-04-27 | 2014-03-12 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 太阳能电池电极的制备方法 |
CN108365026A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-08-03 | 通威太阳能(成都)有限公司 | 一种基于perc的双面太阳电池背面导电结构及制作方法 |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP04202728A patent/JP3115950B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2219226A3 (en) * | 2009-02-11 | 2015-10-14 | Neo Solar Power Corp. | Electrode structure and solar cell comprising the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0653531A (ja) | 1994-02-25 |
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