CN103633191A - 太阳能电池电极的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种太阳能电池电极的制备方法，包括如下步骤：A.在硅片表面制作绒面；B.清洗后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序；C.利用湿法刻蚀去除硅片边结；D.在发射结表面制作氮化硅膜；E.利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。其中，正面电极包括主栅线和多条次栅线，次栅线垂直于主栅线；同一次栅线在宽度上为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大宽度；同一次栅线在厚度上也为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大厚度。本发明正面电极的同一次栅线在宽度和厚度上采用渐变结构，既能够减小遮光面积，又能够降低电池的串联电阻，改善电流在栅线中传输的功率损失，提高电池转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池电极的制备方法。
背景技术
在晶体硅太阳能电池中电极栅线作用重大，充当收集光生载流子的作用。
现有电极图形设计，栅线宽度、高度设计均为恒定值，不考虑其他影响因素，所有栅线各处电阻值相同。
经栅线传输的电流，距离主栅越近，收集电流越大，在栅线各处电阻不变的情况下，越接近主栅功率损失就越大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池电极的制备方法，该方法正面电极的同一次栅线在宽度和厚度上采用渐变结构，既能够减小遮光面积，又能够降低电池的串联电阻，改善电流在栅线中传输的功率损失，提高电池转换效率。
为实现上述目的，本发明的技术方案是设计一种太阳能电池电极的制备方法，包括如下步骤：
A.利用硝酸、氢氟酸混合液或氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面；
B.经过盐酸、氢氟酸溶液清洗后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序，温度为800-900℃，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体，处理时间为30-90分钟，在硅片表面形成30-150Ω／sqr发射结；
C.利用湿法刻蚀去除硅片边结；
D.利用PECVD设备在发射结表面制作氮化硅膜，膜厚控制在70-85nm，折射率控制在2.0-2.15；
E.利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。
其中，正面电极包括主栅线和多条相互平行的次栅线，次栅线垂直于主栅线；同一次栅线在宽度上为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大宽度；同一次栅线在厚度上也为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大厚度。
优选的，所述同一次栅线在宽度上为阶梯渐变结构。
优选的，所述同一次栅线在宽度上为斜坡渐变结构。
优选的，所述同一次栅线在厚度上为阶梯渐变结构。
优选的，所述同一次栅线在厚度上为斜坡渐变结构。
优选的，所述次栅线宽度与次栅线距主栅线的距离成反比，为渐变结构。
优选的，所述次栅线厚度与次栅线距主栅线的距离成反比，为渐变结构。
优选的，所述同一细栅线的宽度在40-80μm之间渐变。
优选的，所述同一细栅线的厚度在10-30μm之间渐变。
优选的，所述次栅线在与主栅线相交处的宽度与主栅线的宽度相同，次栅线在与主栅线相交处的厚度与主栅线的厚度相同。
本发明针对电极栅线收集载流子的特性，为降低传输过程中的功率损失，将太阳能电池电极次栅线设计成渐变式，越靠近主栅线，次栅线设计宽度越宽；可将太阳能电池电极次栅线设计成不同宽度栅线的阶梯状组合，靠近主栅线一端，栅线设计宽度宽。反之，远离主栅线，栅线宽度细。
本发明的优点和有益效果在于：提供一种太阳能电池电极的制备方法，该方法正面电极的同一次栅线在宽度和厚度上采用渐变结构，既能够减小遮光面积，又能够降低电池的串联电阻，改善电流在栅线中传输的功率损失，提高电池转换效率。
靠近主栅位置的栅线设计越宽，栅线印刷越不容易产生断点，降低断栅导致的局部失效风险。
更细的栅线设计增加了电池受光面积，提高了太阳能电池的性能。
而且本发明结构简单，容易实现。
附图说明
图1是本发明实施例1正面电极的示意图；
图2是本发明实施例2正面电极的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明具体实施的技术方案是：
实施例1
一种太阳能电池电极的制备方法，包括如下步骤：
A.利用硝酸、氢氟酸混合液或氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面；
B.经过盐酸、氢氟酸溶液清洗后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序，温度为800-900℃，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体，处理时间为30-90分钟，在硅片表面形成30-150Ω／sqr发射结；
C.利用湿法刻蚀去除硅片边结；
D.利用PECVD设备在发射结表面制作氮化硅膜，膜厚控制在70-85nm，折射率控制在2.0-2.15；
E.利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。
其中，正面电极包括主栅线1和多条相互平行的次栅线2，次栅线2垂直于主栅线1；同一次栅线2在宽度上为渐变结构，次栅线2在与主栅线1相交处为最大宽度；同一次栅线2在厚度上也为渐变结构，次栅线2在与主栅线1相交处为最大厚度。
所述同一次栅线2在宽度上为阶梯渐变结构。
所述同一次栅线2在厚度上为阶梯渐变结构。
所述同一细栅线的宽度在40-80μm之间渐变。
所述同一细栅线的厚度在10-30μm之间渐变。
所述次栅线2在与主栅线1相交处的宽度与主栅线1的宽度相同，次栅线2在与主栅线1相交处的厚度与主栅线1的厚度相同。
实施例2
一种太阳能电池电极的制备方法，包括如下步骤：
A.利用硝酸、氢氟酸混合液或氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面；
B.经过盐酸、氢氟酸溶液清洗后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序，温度为800-900℃，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体，处理时间为30-90分钟，在硅片表面形成30-150Ω／sqr发射结；
C.利用湿法刻蚀去除硅片边结；
D.利用PECVD设备在发射结表面制作氮化硅膜，膜厚控制在70-85nm，折射率控制在2.0-2.15；
E.利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。
其中，正面电极包括主栅线3和多条相互平行的次栅线4，次栅线4垂直于主栅线3；同一次栅线4在宽度上为渐变结构，次栅线4在与主栅线3相交处为最大宽度；同一次栅线4在厚度上也为渐变结构，次栅线4在与主栅线3相交处为最大厚度。
所述同一次栅线4在宽度上为斜坡渐变结构。
所述同一次栅线4在厚度上为斜坡渐变结构。
所述同一细栅线的宽度在40-80μm之间渐变。
所述同一细栅线的厚度在10-30μm之间渐变。
所述次栅线4在与主栅线3相交处的宽度与主栅线3的宽度相同，次栅线4在与主栅线3相交处的厚度与主栅线3的厚度相同。
实施例3
一种太阳能电池电极的制备方法，包括如下步骤：
A.利用硝酸、氢氟酸混合液或氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面；
B.经过盐酸、氢氟酸溶液清洗后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序，温度为800-900℃，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体，处理时间为30-90分钟，在硅片表面形成30-150Ω／sqr发射结；
C.利用湿法刻蚀去除硅片边结；
D.利用PECVD设备在发射结表面制作氮化硅膜，膜厚控制在70-85nm，折射率控制在2.0-2.15；
E.利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。
其中，正面电极包括主栅线和多条相互平行的次栅线，次栅线垂直于主栅线；同一次栅线在宽度上为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大宽度；同一次栅线在厚度上也为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大厚度。
所述同一次栅线在宽度上为阶梯渐变结构。
所述同一次栅线在厚度上为斜坡渐变结构。
所述同一细栅线的宽度在40-80!μm之间渐变。
所述同一细栅线的厚度在10-30μm之间渐变。
所述次栅线在与主栅线相交处的宽度与主栅线的宽度相同，次栅线在与主栅线相交处的厚度与主栅线的厚度相同。
实施例4
一种太阳能电池电极的制备方法，包括如下步骤：
A.利用硝酸、氢氟酸混合液或氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面；
B.经过盐酸、氢氟酸溶液清洗后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序，温度为800-900℃，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体，处理时间为30-90分钟，在硅片表面形成30-150Ω／sqr发射结；
C.利用湿法刻蚀去除硅片边结；
D.利用PECVD设备在发射结表面制作氮化硅膜，膜厚控制在70-85nm，折射率控制在2.0-2.15；
E.利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。
其中，正面电极包括主栅线和多条相互平行的次栅线，次栅线垂直于主栅线；同一次栅线在宽度上为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大宽度；同一次栅线在厚度上也为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大厚度。
所述同一次栅线在宽度上为斜坡渐变结构。
所述同一次栅线在厚度上为阶梯渐变结构。
所述同一细栅线的宽度在40-80μm之间渐变。
所述同一细栅线的厚度在10-30μm之间渐变。
所述次栅线在与主栅线相交处的宽度与主栅线的宽度相同，次栅线在与主栅线相交处的厚度与主栅线的厚度相同。
实施例5
一种太阳能电池电极的制备方法，包括如下步骤：
A.利用硝酸、氢氟酸混合液或氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面；
B.经过盐酸、氢氟酸溶液清洗后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序，温度为800-900℃，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体，处理时间为30-90分钟，在硅片表面形成30-150Ω／sqr发射结；
C.利用湿法刻蚀去除硅片边结；
D.利用PECVD设备在发射结表面制作氮化硅膜，膜厚控制在70-85nm，折射率控制在2.0-2.15；
E.利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。
其中，正面电极包括主栅线和多条相互平行的次栅线，次栅线垂直于主栅线；同一次栅线在宽度上为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大宽度；同一次栅线在厚度上也为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大厚度。
所述次栅线宽度与次栅线距主栅线的距离成反比，为渐变结构。
所述次栅线厚度与次栅线距主栅线的距离成反比，为渐变结构。
所述同一细栅线的宽度在40-80μm之间渐变。
所述同一细栅线的厚度在10-30μm之间渐变。
所述次栅线在与主栅线相交处的宽度与主栅线的宽度相同，次栅线在与主栅线相交处的厚度与主栅线的厚度相同。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
A.利用硝酸、氢氟酸混合液或氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面；
B.经过盐酸、氢氟酸溶液清洗后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序，温度为800-900℃，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体，处理时间为30-90分钟，在硅片表面形成30-150Ω／sqr发射结；
C.利用湿法刻蚀去除硅片边结；
D.利用PECVD设备在发射结表面制作氮化硅膜，膜厚控制在70-85nm，折射率控制在2.0-2.15；
E.利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。
其中，正面电极包括主栅线和多条相互平行的次栅线，次栅线垂直于主栅线；同一次栅线在宽度上为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大宽度；同一次栅线在厚度上也为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大厚度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，所述同一次栅线在宽度上为阶梯渐变结构。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，所述同一次栅线在宽度上为斜坡渐变结构。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，所述同一次栅线在厚度上为阶梯渐变结构。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，所述同一次栅线在厚度上为斜坡渐变结构。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，所述次栅线宽度与次栅线距主栅线的距离成反比，为渐变结构。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，所述，所述次栅线厚度与次栅线距主栅线的距离成反比，为渐变结构。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，所述同一细栅线的宽度在40-80μm之间渐变。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，所述同一细栅线的厚度在10-30μm之间渐变。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，所述次栅线在与主栅线相交处的宽度与主栅线的宽度相同，次栅线在与主栅线相交处的厚度与主栅线的厚度相同。
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|---|---|
| CN (1) | CN103633191A (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104157707A (zh) * | 2014-08-01 | 2014-11-19 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池正面电极 |
| CN108365026A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-08-03 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种基于perc的双面太阳电池背面导电结构及制作方法 |
| CN109360861A (zh) * | 2018-10-12 | 2019-02-19 | 华南理工大学 | 一种太阳能电池非等宽前电极栅线结构及布局方法 |
| CN109524484A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-03-26 | 西安交通大学 | 高导电银电极的微振辅助高速冲击沉积方法 |
| CN106784045B (zh) * | 2016-12-28 | 2019-05-07 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种太阳电池的多级栅线布局结构及方法 |
| CN109980023A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 阿特斯阳光电力集团有限公司 | 光伏电池片及光伏组件 |
| CN111916514A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-11-10 | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 | 一种新型无缝光伏组件及制备方法 |
| CN111959105A (zh) * | 2020-09-01 | 2020-11-20 | 晋能光伏技术有限责任公司 | 一种太阳能电池印刷网版及其印刷工艺 |
| CN115360249A (zh) * | 2022-08-18 | 2022-11-18 | 中山德华芯片技术有限公司 | 一种柵线及其制备方法与应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56111271A (en) * | 1980-02-07 | 1981-09-02 | Nec Corp | Solar cell element |
| JPH0653531A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Sharp Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-12-11 CN CN201310680523.0A patent/CN103633191A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56111271A (en) * | 1980-02-07 | 1981-09-02 | Nec Corp | Solar cell element |
| JPH0653531A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Sharp Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 王瑶: "单晶硅太阳能电池生产工艺的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技‖辑》 * |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104157707A (zh) * | 2014-08-01 | 2014-11-19 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池正面电极 |
| CN106784045B (zh) * | 2016-12-28 | 2019-05-07 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种太阳电池的多级栅线布局结构及方法 |
| CN109980023A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 阿特斯阳光电力集团有限公司 | 光伏电池片及光伏组件 |
| CN108365026A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-08-03 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种基于perc的双面太阳电池背面导电结构及制作方法 |
| CN109360861A (zh) * | 2018-10-12 | 2019-02-19 | 华南理工大学 | 一种太阳能电池非等宽前电极栅线结构及布局方法 |
| CN109360861B (zh) * | 2018-10-12 | 2024-02-13 | 华南理工大学 | 一种太阳能电池非等宽前电极栅线结构及布局方法 |
| CN109524484A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-03-26 | 西安交通大学 | 高导电银电极的微振辅助高速冲击沉积方法 |
| CN109524484B (zh) * | 2018-11-26 | 2020-05-22 | 西安交通大学 | 高导电银电极的微振辅助高速冲击沉积方法 |
| CN111916514A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-11-10 | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 | 一种新型无缝光伏组件及制备方法 |
| CN111959105A (zh) * | 2020-09-01 | 2020-11-20 | 晋能光伏技术有限责任公司 | 一种太阳能电池印刷网版及其印刷工艺 |
| CN115360249A (zh) * | 2022-08-18 | 2022-11-18 | 中山德华芯片技术有限公司 | 一种柵线及其制备方法与应用 |
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