CN103426942A - 一种晶体硅电池的栅线结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶体硅电池的栅线结构，包括一个或多个连接的栅线单元，所述栅线单元包括主栅和若干细栅，所述主栅和细栅均印制于晶体硅电池的负极表面，且所述细栅交叉连接所述主栅；所述细栅朝所述主栅方向由细变宽设置；采用本发明所提供的晶体硅电池的栅线结构，能够根据电极栅线收集载流子的特性，降低了传输过程中的功率损失，大大提高了载流子的利用率。
Description
技术领域
本发明涉及一种栅线结构，具体的说，是涉及一种晶体硅电池的栅线结构。
背景技术
随着太阳能的广泛应用，太阳能晶体硅电池行业蓬勃发展。在晶体硅电池中，负电极栅线作用重大，充当收集光生载流子的作用。
但是，现有负电极的图形设计，栅线宽度、高度设计均为恒定值，不考虑其他影响因素，所有栅线各处电阻值相同；经栅线传输的电流，距离主栅越近，收集电流越大，在栅线各处电阻不变的情况下，越接近主栅功率损失就越大。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种能够根据电极栅线收集载流子的特性，降低了传输过程中的功率损失，大大提高了载流子的利用率的晶体硅电池的栅线结构。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：一种晶体硅电池的栅线结构，包括一个或多个连接的栅线单元，所述栅线单元包括主栅和若干细栅，所述主栅和细栅均印制于晶体硅电池的负极表面，且所述细栅交叉连接所述主栅；所述细栅朝所述主栅方向由细变宽设置。
进一步地，所述细栅呈阶梯状。
进一步地，所述细栅呈楔形。
进一步地，所述主栅和细栅相互垂直，所述细栅相对于所述主栅对称设置。
进一步地，所述细栅间的距离相同。
进一步地，所述细栅的最宽处和最窄处的宽度差为20±10μm。
进一步地，所述细栅为一级阶梯或多级阶梯。
采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：细栅朝主栅方向由细变宽设置，即越靠近主栅的，细栅则越宽；越远离主栅，细栅越细；能够充分利用电极栅线收集载流子的特性，降低了传输过程中的功率损失；且，细栅设置成阶梯式，使得细栅的宽度呈阶梯式变化；细栅设置成楔形，使得细栅的宽度呈斜线逐渐变化，阶梯式和渐变式的设计，使得整个栅线的结构简单，容易实现；另，细栅最窄处使得晶体硅电池的受光面积增加，大大提升了太阳能电池的整体性能；靠近主栅位置的细栅最宽，使得栅线在印制过程当中，不易产生断点，降低了断栅出现的情况，同时也降低了由断栅带来的局部失效风险。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术中的技术方案，下面将对实施例技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一种晶体硅电池的栅线结构实施例1的结构示意图；
图2为本发明一种晶体硅电池的栅线结构实施例2的结构示意图；
图3为本发明一种晶体硅电池的栅线结构实施例3的结构示意图；
图4为本发明一种晶体硅电池的栅线结构实施例4的结构示意图。
其中，1、主栅，2、细栅，3、晶体硅电池。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
如图1所示，一种晶体硅电池的栅线结构，包括一个栅线单元，栅线单元包括主栅1和若干细栅2，主栅1和细栅2均印制于晶体硅电池3的负极表面，且细栅2交叉连接主栅1，细栅2呈阶梯状，并且朝主栅1方向由细变宽设置。相邻每两个细栅2间的距离相同，细栅2最宽处和最窄处的宽度差为20±10μm，细栅2可以为一级阶梯，也可以为多级阶梯。
实施例2
如图2所示，其余与上述实施例相同，不同之处在于，栅线单元为两个，栅线单元中的细栅2相对应连接，同时，也可以设置为三个，具体视情况而定。
实施例3
如图3所示，其余与实施例1相同，不同之处在于，细栅2呈楔形，主栅1和细栅2相互垂直，细栅2相对于主栅1对称设置。
实施例4
如图4所示，其余与实施例3相同，不同之处在于，栅线单元为两个，栅线单元中的细栅2相对应连接，同时，也可以设置为三个，具体视情况而定。
通过上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：细栅朝主栅方向由细变宽设置，即越靠近主栅的，细栅则越宽；越远离主栅，细栅越细；能够充分利用电极栅线收集载流子的特性，降低了传输过程中的功率损失；且，细栅设置成阶梯式，使得细栅的宽度呈阶梯式变化；细栅设置成楔形，使得细栅的宽度呈斜线逐渐变化，阶梯式和渐变式的设计，使得整个栅线的结构简单，容易实现；另，细栅最窄处使得晶体硅电池的受光面积增加，大大提升了太阳能电池的整体性能；靠近主栅位置的细栅最宽，使得栅线在印制过程当中，不易产生断点，降低了断栅出现的情况，同时也降低了由断栅带来的局部失效风险。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (7)
1. 一种晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，包括一个或多个连接的栅线单元，所述栅线单元包括主栅和若干细栅，所述主栅和细栅均印制于晶体硅电池的负极表面，且所述细栅交叉连接所述主栅；所述细栅朝所述主栅方向由细变宽设置。
2. 根据权利要求1所述的晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，所述细栅呈阶梯状。
3. 根据权利要求1所述的晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，所述细栅呈楔形。
4. 根据权利要求1-3任一所述的晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，所述主栅和细栅相互垂直，所述细栅相对于所述主栅对称设置。
5. 根据权利要求4所述的晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，所述细栅间的距离相同。
6. 根据权利要求2或3所述的晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，所述细栅的最宽处和最窄处的宽度差为20±10μm。
7. 根据权利要求2所述的晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，所述细栅为一级阶梯或多级阶梯。
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