CN104201150A - 一种用于改善perc电池背部开槽接触的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 21
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 claims description 13
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 claims description 13
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 claims description 13
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 8
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 4
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims description 4
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 abstract 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
- H01L31/02245—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种用于改善PERC电池背部开槽接触的方法，依次包括硅片抛光、制绒、扩散、去边结和去PSG、双面钝化、丝网印刷电极和烧结步骤，其特征在于：在所述去边结和去PSG步骤后增设背部丝网印刷Al浆并形成栅线状铝背场步骤，将制备有栅线状铝背场的硅片进行钝化后，背部印刷背电极主栅烧穿钝化层，从而与栅线状铝背场接触，能充分收集载流子，省去了常规双面钝化步骤后的背部开槽步骤；所述栅线状铝背场由排列整齐的若干细栅线组成。本发明省去了PERC电池背部开槽的工序，工艺简单，提高了生产效率，且制作成本低，性能更好。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种用于改善PERC电池背部开槽接触的方法。
背景技术
现有PERC电池常规制备流程包括：硅片抛光、制绒、扩散、去边结和去PSG，双面钝化、背部开槽、丝网印刷电极和烧结步骤。其中背部开槽是为了实现PERC电池的背部接触，形成背部电极，开槽好坏直接影响着电池性能的优劣，一般采用激光和化学刻蚀进行开槽。化学刻蚀方法缺点是：操作流程复杂，还会带来一些金属离子杂质的污染，并且化学药品对环境造成危害。激光开槽缺点：在丝网印刷之前采用激光开槽，经过丝网印刷烧结后，使得开槽附近的钝化效果变差，并且容易在BSF处形成空洞，并且激光开槽容易造成热损伤，会大大降低少子的寿命，使电池的性能变差。因此，如何改善开槽技术成为制约PERC电池大规模生产的重要因素。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种用于改善PERC电池背部开槽接触的方法，省去了PERC电池背部开槽的工序，工艺简单，提高了生产效率，且制作成本低，性能更好。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是：一种用于改善PERC电池背部开槽接触的方法，依次包括硅片抛光、制绒、扩散、去边结和去PSG、双面钝化、丝网印刷电极和烧结步骤，其特征在于：在所述去边结和去PSG步骤后增设背部丝网印刷Al浆并形成栅线状铝背场步骤，将制备有栅线状铝背场的硅片进行钝化后，背部印刷背电极主栅烧穿钝化层，从而与栅线状铝背场接触，能充分收集载流子，省去了常规双面钝化步骤后的背部开槽步骤；所述栅线状铝背场由排列整齐的若干细栅线组成。
作为一种优选，所述栅线状铝背场的边长为153mm，所述细栅线宽度80um，细栅线之间的间距为1.0mm。
本发明是在钝化之前的硅片背面先印刷类似正面电极的细栅线，其在烧结后形成局部铝背场，将制备有栅线状铝背场的硅片进行双面钝化，可省去以往钝化后必需的开槽步骤，直接利用丝网印刷技术，对PERC电池烧结并测试性能。其他人根据本专利的提示做出的非本质的修改和调整，仍属于本专利的保护范围。
本发明的有益效果是: 去边结和去PSG步骤后增设背部丝网印刷Al浆并形成栅线状铝背场步骤，省去了PERC电池背部必须开槽的工序，从而解决了以往利用激光或化学腐蚀方法开槽所带来的不良影响，使得背部在烧结过程中得到很好的保护。背部形成局部的铝背场，比全铝背场节省铝浆，因此降低了生产成本，且由于正反两面电极是对称的，大大降低了电池片的翘曲度，能够降低碎片率；在细栅线边缘以及表面覆盖有钝化层，起到了保护和绝缘的作用。在印刷背部主栅线的时候，与细栅线相接触的部分被烧结到一起，可以形成很好的电极接触，并能够充分收集光生电流。背部形成与组件匹配的三个主栅结构，与组件现用工艺相适应，提高了电池到组件的匹配性。
附图说明
图1为本发明实施例栅线状铝背场的结构示意图。
下面结合附图对本发明做进一步说明。
具体实施方式
如附图1所示一种用于改善PERC电池背部开槽接触的方法，依次包括硅片抛光、制绒、扩散、去边结和去PSG、双面钝化、丝网印刷电极和烧结步骤，其特征在于：在所述去边结和去PSG步骤后增设背部丝网印刷Al浆并形成栅线状铝背场步骤，将制备有栅线状铝背场的硅片进行钝化后，背部印刷背电极主栅烧穿钝化层，从而与栅线状铝背场接触，能充分收集载流子，省去了常规双面钝化步骤后的背部开槽步骤；所述栅线状铝背场由排列整齐的若干细栅线1组成。所述栅线状铝背场的边长为153mm，细栅线1宽度80um，细栅线1之间的间距为1.0mm。
Claims (2)
1.一种用于改善PERC电池背部开槽接触的方法，依次包括硅片抛光、制绒、扩散、去边结和去PSG、双面钝化、丝网印刷电极和烧结步骤，其特征在于：在所述去边结和去PSG步骤后增设背部丝网印刷Al浆并形成栅线状铝背场步骤，将制备有栅线状铝背场的硅片进行钝化后，背部印刷背电极主栅烧穿钝化层，从而与栅线状铝背场接触，能充分收集载流子，省去了常规双面钝化步骤后的背部开槽步骤；所述栅线状铝背场由排列整齐的若干细栅线（1）组成。
2.如权利要求1所述的用于改善PERC电池背部开槽接触的方法，其特征在于：所述栅线状铝背场的边长为153mm，所述细栅线（1）宽度80um，细栅线（1）之间的间距为1.0mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410449122.9A CN104201150A (zh) | 2014-09-05 | 2014-09-05 | 一种用于改善perc电池背部开槽接触的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410449122.9A CN104201150A (zh) | 2014-09-05 | 2014-09-05 | 一种用于改善perc电池背部开槽接触的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104201150A true CN104201150A (zh) | 2014-12-10 |
Family
ID=52086422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410449122.9A Pending CN104201150A (zh) | 2014-09-05 | 2014-09-05 | 一种用于改善perc电池背部开槽接触的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104201150A (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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