CN105161569A - Mwt太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种MWT太阳能电池及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：将具有遮挡结构的掩膜板设置于衬底的背面的上方，并在衬底的背面上形成背场层，背场层包括背场区及非掺杂区，非掺杂区对应于遮挡结构所在位置；在非掺杂区处形成贯穿衬底的过料孔，并使过料孔在非掺杂区的范围内；在过料孔中形成过孔电极，在衬底的背面形成与过孔电极连接的背面电极，在衬底的正面形成与过孔电极连接的正面电极，并使背面电极在非掺杂区的范围内。上述方法不仅使过孔电极不会由于背场区与背面电极接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电，而且省去了额外去除过料孔周围的背场区的工艺，节省了MWT太阳能电池的制备时间，降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种MWT太阳能电池及其制备方法。
背景技术
MWT(MetalWrapThrough)译为金属发射极穿孔卷绕技术，是一种应用在太阳能电池中，通过激光或者其他方法在原硅片上实现穿孔的工艺，以达到将电极引到同一面上的目的，通过减少汇流条的遮光面积增加组件的转化效率。
在具有背场区的MWT太阳能电池工艺中，需要利用激光打孔的方式来形成一定数量的通孔，并通过过孔浆料的印刷，来使得过孔浆料填充通孔、并连接正面栅线使得正面栅线通过金属浆料导通到MWT电池的背面。在填充过孔浆料的过程中，过孔浆料会与过料孔孔壁形成接触，在烘干、烧结之后，过孔电极在背面电极与背场区的接触部分形成欧姆接触，使得MWT太阳能电池在过孔处产生较大的反向漏电。例如，当衬底为硅片时，过料孔内的过孔浆料会与过料孔孔壁结合处形成硅铝(或硅银)合金，从而导致过孔浆料和硅片基底形成欧姆接触。
因此，在N型双面MWT电池制备中，需要将过料孔周围一定范围内的背场区去除掉，目前常采用的有印刷腐蚀浆料、激光消融等方式。而无论采用何种方式，都会增加额外的工艺步骤，对生产效率和生产成本造成不利影响。
在印刷腐蚀浆料的方式中，在衬底需要去除背场的区域通过丝网印刷的腐蚀浆料，并进行烘干、清洗工艺，利用腐蚀浆料达到去除背场的目的，再对衬底进行后续工艺。采用此方法能够通过控制浆料浓度、印刷量及烘干等条件来控制腐蚀深度，较好的达到了去除背场的目的，然而该方法在带有背场的MWT太阳能电池生产过程中增加了丝网印刷、烘干和清洗工艺，工艺流程复杂，成本较高。
在激光消融方式是采用激光高能量密度的特性，将特定范围内的一定深度的衬底利用高温直接熔融、气化从而去除掉，此种方式工艺较简单，但会对硅片造成较大的损伤，对于硅片等衬底的碎片率及最终电池效率有不利影响。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种MWT太阳能电池及其制备方法，以解决现有技术中过孔浆料联通MWT太阳能电池上下表面的发射极及背场，从而引起漏电的问题。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种MWT太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：将具有遮挡结构的掩膜板设置于衬底的背面的上方，并在衬底的背面上形成背场层，背场层包括背场区及非掺杂区，非掺杂区对应于遮挡结构所在位置；在非掺杂区处形成贯穿衬底的过料孔，并使过料孔在非掺杂区的范围内；在过料孔中形成过孔电极，在衬底的背面形成与过孔电极连接的背面电极，在衬底的正面形成与过孔电极连接的正面电极，并使背面电极在非掺杂区的范围内。
进一步地，遮挡结构包括多个圆形遮挡片。
进一步地，过料孔的圆心与对应的圆形遮挡片的圆心重合。
进一步地，过料孔与圆形遮挡片的直径比为1:2～100。
进一步地，背面电极的形状为圆形，且背面电极的直径小于圆形遮挡片的直径。
进一步地，背面电极与圆形遮挡片的直径比为1～19:20。
进一步地，在衬底的背面上形成背场层的步骤中，利用离子注入工艺在衬底的背面形成背场层。
进一步地，在将掩膜板设置于衬底的背面的上方的步骤之前，制备方法还包括：在衬底的正面制绒，并在衬底的正面形成正面发射极。
进一步地，利用扩散工艺在衬底的正面形成正面发射极。
进一步地，在过料孔中形成过孔电极的步骤之前，制备方法还包括：在具有过料孔的衬底的正面和反面形成钝化层。
进一步地，在过料孔中形成过孔电极的步骤中，向过料孔中印刷第一金属浆料，对衬底的正面以及衬底的背面印刷第二金属浆料，并对第一金属浆料和第二金属浆料进行烧结，以将第一金属浆料形成过孔电极，将第二金属浆料形成正面电极和背面电极。
进一步地，MWT太阳能电池为N型MWT太阳能电池，其中，衬底为N型硅，正面发射极为P型掺杂区，背场区为N型重掺杂区；或者MWT太阳能电池为P型MWT太阳能电池，其中，衬底为P型硅，正面发射极为N型掺杂区，背场区为P型重掺杂区。
根据本发明的另一方面，提供了一种MWT太阳能电池，包括：衬底；背场层，形成于衬底的背面，背场层包括背场区及非掺杂区；过料孔，贯穿于衬底，且过料孔在非掺杂区的范围内；过孔电极，填充于过料孔中；正面电极，设置于衬底的正面，且正面电极与过孔电极连接；背面电极，设置于衬底的背面，且背面电极与过孔电极连接。
应用本发明的技术方案，本发明提供了一种MWT太阳能电池的制备方法，由于该方法在形成背场区的过程中应用本申请所述的掩膜板进行遮挡，从而在过料孔的周围形成非掺杂区，并通过在非掺杂区的范围内形成背面电极，从而使得背场区不接触背面电极，进而不仅使过孔电极不会由于背场区与背面电极接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电，而且省去了额外去除过料孔周围的背场区的工艺，节省了MWT太阳能电池的制备时间，降低了生产成本。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了在本申请实施方式所提供的MWT太阳能电池的制备方法中，在衬底的背面上形成背场层后的MWT太阳能电池的剖面结构示意图；
图2示出了本发明实施方式所提供的掩膜板的结构示意图；
图3示出了在图1所示的衬底中形成贯穿衬底的过料孔后的MWT太阳能电池的剖面结构示意图；
图4示出了在图3所示的衬底上形成过孔电极、背面电极和正面电极后的MWT太阳能电池的剖面结构示意图；以及
图5示出了本发明实施方式所提供的MWT太阳能电池示意图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述做出相应解释。
由背景技术可知，现有技术中在填充过孔浆料的过程中，过孔浆料会与过料孔孔壁形成接触，在烘干、烧结之后，过孔电极在背面电极与背场区的接触部分形成欧姆接触，使得MWT太阳能电池在过孔处产生较大的反向漏电。本发明的发明人针对上述问题进行研究，提供了一种MWT太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：将具有遮挡结构的掩膜板设置于衬底的背面的上方，并在衬底的背面上形成背场层，背场层包括背场区及非掺杂区，非掺杂区对应于遮挡结构所在位置；在非掺杂区处形成贯穿衬底的过料孔，并使过料孔在非掺杂区的范围内；在过料孔中形成过孔电极，在衬底的背面形成与过孔电极连接的背面电极，在衬底的正面形成与过孔电极连接的正面电极，并使背面电极在非掺杂区的范围内。
上述制备方法中由于在形成背场区的过程中应用本申请的掩膜板进行遮挡，从而在过料孔的周围形成非掺杂区，并通过在非掺杂区的范围内形成背面电极，从而使得背场区不接触背面电极，进而不仅使过孔电极不会由于背场区与背面电极接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电，而且省去了额外去除过料孔周围的背场区的工艺，节省了MWT太阳能电池的制备时间，降低了生产成本。
下面将结合图1和图4更详细地描述根据本发明提供的MWT太阳能电池的制备方法的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员。
首先，将具有遮挡结构的掩膜板20设置于衬底10的背面的上方，并在衬底10的背面上形成背场层，背场层包括背场区110及非掺杂区120，非掺杂区120对应于遮挡结构所在位置，形成如图1所示的结构。上述背场区110即掺杂区，由于掩膜板20的遮挡，在对衬底10背面进行掺杂的过程中，衬底10背面被遮挡结构遮住的部分由于没有杂质的进入而形成非掺杂区120，而没有被遮挡结构遮住的部分在杂质进入后形成掺杂的背场区110。
上述掩膜板20中可以由多个遮挡片210、连接遮挡片210的连线220以及设置于遮挡片210与连线220外侧的框架230组成，遮挡片210的形状可以为多种，如矩形、椭圆形、圆形或不规则图形。其中，多个遮挡片210可以组成阵列结构，连线220连接垂直方向上相邻的两个遮挡片210，结构如图2所示。遮挡片210和连线220的材料可以为常见的金属、金属氧化物或其混合物。
形成上述背场层的工艺可以有很多种，在一种优选的实施方式中，利用离子注入工艺在衬底10的背面形成背场层。在形成背场层的过程中，应用离子注入工艺能够有效地防止衬底10背面被掩膜板20中遮挡结构遮住的部分进入杂质，降低了背场区110接触背面电极的可能性，从而使过孔电极不会由于背场区110与背面电极接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电。当衬底10为N型硅时，经离子注入后形成的背场区110为N型重掺杂区；当衬底10为P型硅时，经离子注入后形成的背场区110为P型重掺杂区。
在将掩膜板20设置于衬底10的背面的上方的步骤之前，制备方法还包括：在衬底10的正面制绒，并在衬底10的正面形成正面发射极130，形成如图1所示的结构。通过正面制绒形成的绒面结构能够使得入射光在硅片表面多次反射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率，有助于提高电池的性能。形成上述正面发射极130的工艺可以有很多种，优选地，利用扩散工艺在衬底10的正面形成正面发射极130。利用扩散工艺能够有效地避免其他掺杂工艺对在制绒工艺中形成的绒面结构的影响。当衬底10为N型硅时，可以经高温扩散硼元素形成正面发射极130，正面发射极130为P型掺杂区；当衬底10为P型硅时，可以经高温扩散磷元素形成正面发射极130，正面发射极130为N型掺杂区。
由于在上述正面发射极130的形成过程中，根据掺杂类型的不同容易在硅片背面形成硼硅玻璃或磷硅玻璃，并在衬底10四周也容易由于扩散而形成发射极，衬底10四周的发射极容易导致最终形成的MWT太阳能电池漏电，因此在形成背场区110之前，还可以将衬底10背面的硼硅玻璃或磷硅玻璃去除、并将衬底10四周侧面的发射极刻断，以防止MWT太阳能电池产生漏电现象。
在完成将具有遮挡结构的掩膜板20设置于衬底10的背面的上方，并在衬底10的背面上形成背场层之后，在非掺杂区120处形成贯穿衬底10的过料孔30，并使过料孔30在非掺杂区120的范围内，形成如图3所示的结构。上述过料孔30用于在后续步骤中填充金属浆料并在烧结之后形成过孔电极，形成的过孔电极用来连接后续形成的正面电极和背面电极。由于上述过料孔30形成于非掺杂区120的范围内，从而使后续形成的背面电极能够有效地实现与背场区110的非接触，从而使过孔电极不会由于背场区110与背面电极接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电。
可以通过激光等工艺实现在衬底10上的穿孔，即可以采用激光器进行MWT太阳能电池中过料孔30的制备，并且通过激光打孔工艺的优化，使得MWT太阳能电池的过料孔30的横截面趋近于一个喇叭口形状，使金属浆料能够良好地填充于过料孔30内，从而有利于过料孔30中金属浆料的印刷，从而提高了MWT太阳能电池的电性能。
优选地，当掩膜板20中的遮挡片210为圆形遮挡片210时，过料孔30的圆心与对应的圆形遮挡片210的圆心重合。采用上述优选的实施方式降低了上述过料孔30位于衬底10背面的开口部分与背场区110接触的概率，从而降低了背场区110接触背面电极的可能性，使过孔电极不会由于背场区110与背面电极接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电。
优选地，当掩膜板20中的遮挡片210为圆形遮挡片210时，过料孔30与圆形遮挡片210的直径比为1:2～100。更为优选地，圆形遮挡片210的直径为1mm～10mm，过料孔30的直径为0.1mm～0.5mm。在上述优选的参数范围内，上述过料孔30的位于衬底10背面的开口与背场区110之间能够保持较大的距离，从而降低了后续形成的背面电极接触背场区110的可能性，使过孔电极不会由于背场区110与背面电极接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电。
为了减少硅片表面的表面复合中心，提高有效少子的寿命，提高太阳能电池的效率，在衬底10正面形成正面发射极130以及在沉底背面形成背场区110之后，制备方法还可以包括：在具有过料孔30的衬底10的正面和反面形成钝化层40，形成如图3所示的结构。形成上述钝化层40的工艺可以为PECVD(等离子增强气相化学沉积法)形成的上述钝化层40可以为氮化硅层。上述钝化层40能够将衬底10表面悬挂键通过氢原子填满，起到钝化的作用，同时也能起到保护作用和增透作用。
在形成上述钝化层40之前，可以对形成过料孔30之后的衬底10进行清洗与退火处理，以去除衬底10表面的由于打孔产生的杂质，从而避免上述杂质对最终形成的MWT太阳能电池的影响。
在完成在非掺杂区120处形成贯穿衬底10的过料孔30之后，在过料孔30中形成过孔电极510，在衬底10的背面形成与过孔电极510连接的背面电极520，在衬底10的正面形成与过孔电极510连接的正面电极530，并使背面电极520在非掺杂区120的范围内，形成如图4所示的结构。由于过孔电极510能够连通正面电极530与背面电极520，从而使将电极引到同一面上，通过减少汇流条的遮光面积增加组件的转化效率。
在一种优选的实施方式中，在过料孔30中形成过孔电极510的步骤中，可以向过料孔30中印刷第一金属浆料，对衬底10的正面以及衬底10的背面印刷第二金属浆料，并对第一金属浆料和第二金属浆料进行烧结，以将第一金属浆料形成过孔电极510，将第二金属浆料形成正面电极530和背面电极520。可以采用丝网印刷工艺，将金属浆料通过印刷填充至过料孔30内。
形成的位于衬底10背面的背面电极520的形状可以为多种，如矩形、椭圆形、圆形或不规则图形等，且背面电极520的形状可以与掩模板中遮挡片210的形状一致。当背面电极520的形状为圆形时，背面电极520的直径小于圆形遮挡片210的直径。由于背场区110是形成圆形遮挡片210之外的沉底背面中，从而降低了上述背面电极520接触背场区110的可能性，使过孔电极510不会由于背场区110与背面电极520接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电。
在上述优选的实施方式中，背面电极520与圆形遮挡片210的直径比可以为1～19:20。更为优选地，圆形遮挡片210的直径为1mm～10mm，过料孔30的直径为0.5mm～9.5mm。采用上述优选的参数范围降低了背面电极520接触背场区110的可能性，使过孔电极510不会由于背场区110与背面电极520接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电。
根据本发明的另一方面，提供了一种MWT太阳能电池，结构如图5所示，包括：衬底10；背场层，形成于衬底10的背面，背场层包括背场区110及非掺杂区120；过料孔30，贯穿于衬底10，且过料孔30在非掺杂区120的范围内；过孔电极510，填充于过料孔30中；正面电极530，设置于衬底10的正面，且正面电极530与过孔电极510连接；背面电极520，设置于衬底10的背面，且背面电极520与过孔电极510连接。
上述MWT太阳能电池中由于背场区不接触背面电极，进而不仅使过孔电极不会由于背场区与背面电极接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电，而且省去了额外去除过料孔周围的背场区的工艺，节省了MWT太阳能电池的制备时间，降低了生产成本。
本申请中MWT太阳能电池的种类可以根据实际需求进行设定，MWT太阳能电池可以为N型MWT太阳能电池，其中，衬底10为N型硅，正面发射极130为P型掺杂区，背场区110为N型重掺杂区；或者MWT太阳能电池可以为P型MWT太阳能电池，其中，衬底10为P型硅，正面发射极130为N型掺杂区，背场区110为P型重掺杂区。
优选地，本申请中MWT太阳能电池为双面发电电池，即电池正面、背面都采用主栅、细栅设计，使得电池背面也能吸收光线，提高光线利用率。
下面将结合实施例进一步说明本申请提供的MWT太阳能电池的制备方法。
实施例1
本实施例提供一种MWT太阳能电池的制备方法：
首先，衬底选用N型硅片，并在硅片制备表面绒面机构；然后，经高温扩散硼元素形成P型掺杂区作为正面发射极；将硅片背面的硼硅玻璃去除、并将硅片四周侧面的发射极刻断，防止漏电；通过对硅片背面即将激光打孔部位一定区域利用掩模板进行遮挡，随后进行离子注入工艺，形成N型重掺杂区作为背场区，其中，掩模板为4X4共16个圆形遮挡片的设计，所述掩膜如图2所示，每个圆形遮挡片的直径为5mm；通过激光加工形成与上述圆形遮挡片一一对应的过料孔，过料孔的直径为0.3mm，其圆心与圆形遮挡片圆心重合；随后经对硅片进行表面清理，然后利用PECVD工艺形成钝化层；最终印刷在过料孔中、硅片正面以及硅片背面印刷金属浆料，经烧结制得正面电极、背面电极以及连接正面电极和背面电极的过孔电极，印刷金属浆料时，硅片离子注入面朝上，形成的背面电极为圆形，且直径为3.5mm。
对比例1
首先，衬底选用N型硅片，并在硅片制备表面绒面机构；然后，经高温扩散硼元素形成P型掺杂区作为正面发射极；将硅片背面的硼硅玻璃去除、并将硅片四周侧面的发射极刻断，防止漏电；随后进行离子注入工艺，形成N型重掺杂区作为背场区；通过激光加工形成过料孔，过料孔的直径为0.3mm；随后采用激光消融方式将过料孔周围一定范围内的背场区去除掉，以在过料孔周围形成直径为5mm的圆形的非背场区；经对硅片进行表面清理，然后利用PECVD工艺形成钝化层；最终印刷在过料孔中、硅片正面以及硅片背面印刷金属浆料，经烧结制得正面电极、背面电极以及连接正面电极和背面电极的过孔电极，印刷金属浆料时，硅片离子注入面朝上，形成的背面电极为圆形，且直径为3.5mm。
对上述实施例1和对比例1中的MWT太阳能电池反向漏电性能进行了测试，采用公开号为CN204334479U的中国专利申请中提供的背接触太阳能电池测试台进行测试，在施加-10V的反向偏压情况下，分别对实施例1和对比例1中的MWT太阳能电池进行五次测试，并取平均值得到反向漏电平均值，测试结果如下表所示：
从上表可以看出，与对比例1提供的MWT太阳能电池相比，实施例1中MWT太阳能电池的反向漏电有了大幅度的降低。
从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：
1)MWT太阳能电池中的背场区不接触背面电极，进而不仅使过孔电极不会由于背场区与背面电极接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电；
2)省去了额外去除过料孔周围的背场区的工艺，节省了MWT太阳能电池的制备时间，降低了生产成本；
3)通过激光打孔工艺的优化，使得MWT太阳能电池的过料孔的横截面趋近于一个喇叭口形状，使金属浆料能够良好地填充于过料孔内，从而有利于过料孔中金属浆料的印刷，从而提高了MWT太阳能电池的电性能。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将具有遮挡结构的掩膜板设置于衬底的背面的上方，并在所述衬底的背面上形成背场层，所述背场层包括背场区及非掺杂区，所述非掺杂区对应于所述遮挡结构所在位置；
在所述非掺杂区处形成贯穿所述衬底的过料孔，并使所述过料孔在所述非掺杂区的范围内；
在所述过料孔中形成过孔电极，在所述衬底的背面形成与所述过孔电极连接的背面电极，在所述衬底的正面形成与所述过孔电极连接的正面电极，并使所述背面电极在所述非掺杂区的范围内。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述遮挡结构包括多个圆形遮挡片。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述过料孔的圆心与对应的所述圆形遮挡片的圆心重合。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述过料孔与所述圆形遮挡片的直径比为1:2～100。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述背面电极的形状为圆形，且所述背面电极的直径小于所述圆形遮挡片的直径。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述背面电极与所述圆形遮挡片的直径比为1～19:20。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底的背面上形成所述背场层的步骤中，利用离子注入工艺在所述衬底的背面形成所述背场层。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在将所述掩膜板设置于所述衬底的背面的上方的步骤之前，所述制备方法还包括：
在所述衬底的正面制绒，并在所述衬底的正面形成正面发射极。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，利用扩散工艺在所述衬底的正面形成所述正面发射极。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述过料孔中形成所述过孔电极的步骤之前，所述制备方法还包括：
在具有所述过料孔的所述衬底的正面和反面形成钝化层。
11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述过料孔中形成所述过孔电极的步骤中，向所述过料孔中印刷第一金属浆料，对所述衬底的正面以及所述衬底的背面印刷第二金属浆料，并对所述第一金属浆料和所述第二金属浆料进行烧结，以将所述第一金属浆料形成所述过孔电极，将所述第二金属浆料形成所述正面电极和所述背面电极。
12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
所述MWT太阳能电池为N型MWT太阳能电池，其中，所述衬底为N型硅，所述正面发射极为P型掺杂区，所述背场区为N型重掺杂区；或者
所述MWT太阳能电池为P型MWT太阳能电池，其中，所述衬底为P型硅，所述正面发射极为N型掺杂区，所述背场区为P型重掺杂区。
13.一种MWT太阳能电池，其特征在于，包括：
衬底；
背场层，形成于所述衬底的背面，所述背场层包括背场区及非掺杂区；
过料孔，贯穿于所述衬底，且所述过料孔在所述非掺杂区的范围内；
过孔电极，填充于所述过料孔中；
正面电极，设置于所述衬底的正面，且所述正面电极与过孔电极连接；
背面电极，设置于所述衬底的背面，且所述背面电极与过孔电极连接。
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