JP3190982U - 改良した背面構造を有する太陽電池 - Google Patents
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Abstract
Description
11 背面パッシベーション層
12a 開口区域
12b 開口区域
13 ブスバー
14a 背面電極
14b 背面電極
Claims (6)
- 正面及び背面を具備する半導体基板と、
前記半導体基板の背面を覆う背面パッシベーション層と、
前記背面パッシベーション層中に形成され、かつ第一面積を有する少なくとも1つの第一開口と、
前記背面パッシベーション層中に形成されている複数の第二開口と、
前記背面パッシベーション層の所定区域に形成されるブスバーであって、該ブスバーが前記第一開口に入ることにより、前記半導体基板の背面と直接接触し、かつ該所定区域が第二面積を有する、少なくとも1つのブスバーと、
前記複数の第二開口に入っている背面電極とを含むことを特徴とする改良した背面構造を有する太陽電池。 - 前記背面パッシベーション層は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン又はアモルファスシリコンを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の改良した背面構造を有する太陽電池。
- 前記第一面積が第二面積より小さいか或いは等しいことを特徴とする請求項1に記載の改良した背面構造を有する太陽電池。
- 前記第一面積と第二面積の比が0.1乃至1.0の間にあることを特徴とする請求項3に記載の改良した背面構造を有する太陽電池。
- 前記第一開口と前記ブスバーとが完全に重畳することを特徴とする請求項1に記載の改良した背面構造を有する太陽電池。
- 前記半導体基板の正面に不純物ソース層と反射防止層をさらに設けることを特徴とする請求項1に記載の改良した背面構造を有する太陽電池。
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