CN115000225B - 隔离型内串联式异质结电池及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种隔离型内串联式异质结电池及其制作方法，隔离型内串联式异质结电池的衬底上设有将衬底分隔为多个衬底单元的隔离层，第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层的总数量与衬底单元的数量相等并一一对应，第二P型非晶硅层/第二N型非晶硅层与第一N型非晶硅层/第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应，多个第一透明导电层在衬底的纵向间隔分布并用于将第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻第一N型非晶硅层电连接，多个第二透明导电层在衬底的纵向间隔分布并用于将第二N型非晶硅层与第二侧的相邻第二P型非晶硅层电连接，第一侧的朝向与第二侧的朝向相反。本发明提供的隔离型内串联式异质结电池具有能量转换效率高、加工成本低的优点。

Description

隔离型内串联式异质结电池及其制作方法
技术领域
本发明涉及异质结电池技术领域，具体涉及一种隔离型内串联式异质结电池及其制作方法。
背景技术
异质结电池作为最具潜力的下一代硅基电池之一，拥有理论能量转换效率高、电池制备无需高温环境、电池双面性极佳和所需晶硅材料少等优点。然而相关技术中的异质结电池在制作和使用过程中仍然存在且不仅限于以下缺陷：异质结电池表面覆盖的透明导电膜层电阻率较高，影响异质结电池的效率；在制作异质结电池时，异质结电池的透明导电层会被高温破坏，导致对其切割工艺难度较大，切割处对电池切口附近薄膜损伤较大，影响异质结半片或叠片组件的加工成本和CTM（Cell To Module，组件输出功率和电池片功率总和百分比）率。
为了解决上述技术问题，相关技术中的CN113594288A-内串联式异质结电池及其制作方法公开了一种内串式异质结结构，通过在同一块电池衬底正反面上交替布置P区及N区，试图采用电池片内部串联的方式，达到不用切割就可以串联的目的。但在实际使用中，电池片在同一片衬底上实则无法有效实现电池内部串联，反而内部串联会将串联区域直接短路，电池片效率大幅度降低。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此，本发明的实施例提出一种隔离型内串联式异质结电池，该隔离型内串联式异质结电池具有能量转换效率高、加工成本低的优点。
本发明的实施例还提出一种隔离型内串联式异质结电池的制作方法。
根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池包括衬底、分别沉积于所述衬底的第一面和第二面的第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层、沉积于所述第一本征非晶硅钝化层的第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层、沉积于所述第二本征非晶硅钝化层的第二P型非晶硅层和第二N型非晶硅层、第一透明导电层以及第二透明导电层，所述衬底上设有多个隔离层，多个所述隔离层沿所述衬底的纵向间隔排列，所述隔离层将所述衬底分隔为多个间隔开的衬底单元；所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层中的至少一者有多个，所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层的总数量与所述衬底单元的数量相等并一一对应，所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层沿所述衬底的纵向间隔交替分布；所述第二P型非晶硅层与所述第一N型非晶硅层的数量相等并一一对应，所述第二N型非晶硅层与所述第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应；所述第一透明导电层和所述第二透明导电层均有多个，多个所述第一透明导电层在所述衬底的纵向间隔分布并用于将所述第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻所述第一N型非晶硅层电连接，多个所述第二透明导电层在所述衬底的纵向间隔分布并用于将所述第二N型非晶硅层与第二侧的相邻所述第二P型非晶硅层电连接，所述第一侧的朝向与所述第二侧的朝向相反。
根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池，第一P型非晶硅层和相应第二N型非晶硅层能够构成具有一定电压的第一电池节，第一N型非晶硅层和相应第二P型非晶硅层能够构成具有一定电压的第二电池节，隔离层将衬底分隔开，由此避免第一电池节和第二电池节短路，此时第一透明导电层和第二透明导电层实现第一电池节和第二电池节的串联。由此使得根据本实施例的隔离型内串联式异质结电池不需要切割透明导电层即使得开路电压上升，进而降低了加工成本。
而且，相比于相关技术中的光伏组件，由根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池1封装成型的同样尺寸的光伏组件所需连接点的数量更少，由此电阻更小，在相同光照条件下，其电阻带来的功率损失更小，能量转换效率更高。
在一些实施例中，所述隔离层贯穿所述第一本征非晶硅钝化层并位于相邻所述第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层之间。
在一些实施例中，所述隔离型内串联式异质结电池还包括沉积于所述第二本征非晶硅钝化层的第三本征非晶硅钝化层，所述第三本征非晶硅钝化层包括位于任意相邻所述第二P型非晶硅层和所述第二N型非晶硅层之间的第一间隔部。
在一些实施例中，所述隔离层为由本征非晶硅、nc-Si:H、µc-Si:H中任意一种制成，所述隔离层的宽度k为：K＞10nm。
在一些实施例中，每个所述第一透明导电层和每个所述第二透明导电层上均印刷或镀有金属栅线。
在一些实施例中，所述金属栅线构成的图形区域小于等于相应所述第一透明导电层/所述第二透明导电层的图形区域。
在一些实施例中，所述第一P型非晶硅层的面积等于相应所述衬底单元的面积，所述第一N型非晶硅层的面积等于相应所述衬底单元的面积，所述第二P型非晶硅层的至少部分与相应所述第一N型非晶硅层在所述衬底单元的厚度方向的投影重叠，所述第二N型非晶硅层的至少部分与相应所述第一P型非晶硅层在所述衬底单元的厚度方向的投影重叠。
在一些实施例中，所述衬底为N型衬底，所述第一P型非晶硅层的面积大于所述第一N型非晶硅层。
根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池制作方法包括以下步骤：
在衬底的第一面和第二面分别沉积第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层；
在第一本征非晶硅钝化层上设置第一掩膜以在其他区域沉积第一P型非晶硅层，在第二本征非晶硅钝化层上设置第二掩膜以在其他区域沉积第二P型非晶硅层；
在第一P型非晶硅层上设置第三掩膜，使用激光在第一掩膜邻近第三掩膜的端部开槽，形成贯穿第一掩膜、第一本征非晶硅钝化层和衬底的隔离槽；
在隔离槽内填充本征非晶硅形成隔离层；
剥离第一掩膜和第二掩膜，在第二P型非晶硅层上设置第四掩膜，刻蚀第二本征非晶硅钝化层的露出区域，以形成凹槽；
在凹槽内沉积第三本征非晶硅钝化层；
在第一本征非晶硅钝化层和第三本征非晶硅钝化层上分别沉积第一N型非晶硅层和第二N型非晶硅层，第三本征非晶硅钝化层具有将第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层分隔开的隔离部；
剥离第三掩膜和第四掩膜，在隔离层和隔离部上分别设置第五掩膜和第六掩膜；
在第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层沉积第一透明导电层，在第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层上沉积第二透明导电层；
剥离第五掩膜和第六掩膜。
根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的制作方法的技术优势与上述实施例的隔离型内串联式异质结电池的技术优势相同，此处不再赘述。
在一些实施例中，剥离第五掩膜和第六掩膜后，在每个第一透明导电层和每个第二透明导电层上布置金属电极。
附图说明
图1是根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的制作方法的第一步骤的示意图。
图2是根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的制作方法的第二步骤的示意图。
图3是根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的制作方法的第三步骤的示意图。
图4是根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的制作方法的第四步骤的示意图。
图5是根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的制作方法的第五步骤的示意图。
图6是根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的制作方法的第六步骤的示意图。
图7是根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的制作方法的第七步骤的示意图。
图8是根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的制作方法的第八步骤的示意图。
图9是根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的制作方法的第九步骤的示意图。
图10是根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的制作方法的第十步骤的示意图。
附图标记：
1、衬底；2、第一本征非晶硅钝化层；3、第二本征非晶硅钝化层；4、第一N型非晶硅层；5、第一P型非晶硅层；6、第二N型非晶硅层；7、第二P型非晶硅层；8、第一透明导电层；9、第二透明导电层；10、隔离层；11、第一掩膜；12、第二掩膜；13、第三掩膜；14、第四掩膜；15、第五掩膜；16、第六掩膜；17、隔离槽；18、第三本征非晶硅钝化层；19、金属栅线。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下面结合图1-图10描述根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池及其制作方法。
根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池包括衬底1、分别沉积于衬底1的第一面和第二面的第一本征非晶硅钝化层2和第二本征非晶硅钝化层3、沉积于第一本征非晶硅钝化层2的第一P型非晶硅层5和第一N型非晶硅层4、沉积于第二本征非晶硅钝化层3的第二P型非晶硅层7和第二N型非晶硅层6、第一透明导电层8以及第二透明导电层9。
如图9和图10所示，衬底1上设有多个隔离层10，多个隔离层10沿衬底1的纵向间隔排列，隔离层10将衬底1分隔为多个间隔开的衬底1单元。第一P型非晶硅层5和第一N型非晶硅层4中的至少一者有多个，第一P型非晶硅层5和第一N型非晶硅层4的总数量与衬底1单元的数量相等并一一对应，第一P型非晶硅层5和第一N型非晶硅层4沿衬底1的纵向间隔交替分布。第二P型非晶硅层7与第一N型非晶硅层4的数量相等并一一对应，第二N型非晶硅层6与第一P型非晶硅层5的数量相等并一一对应。
第一透明导电层8和第二透明导电层9均有多个，多个第一透明导电层8在衬底1的纵向间隔分布并用于将任意第一P型非晶硅层5与位于第一侧的相邻第一N型非晶硅层4电连接，多个第二透明导电层9在衬底1的纵向间隔分布并用于将任意第二N型非晶硅层6与第二侧的相邻第二P型非晶硅层7电连接，第一侧的朝向与第二侧的朝向相反。
根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池，第一P型非晶硅层5和相应第二N型非晶硅层6能够构成具有一定电压的第一电池节，第一N型非晶硅层4和相应第二P型非晶硅层7能够构成具有一定电压的第二电池节，隔离层10将衬底1分隔开，由此避免第一电池节和第二电池节短路，此时第一透明导电层8和第二透明导电层9实现第一电池节和第二电池节的串联。由此使得根据本实施例的隔离型内串联式异质结电池不需要切割透明导电层即使得开路电压上升，进而降低了加工成本。
而且，相比于相关技术中的光伏组件，由根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池1封装成型的同样尺寸的光伏组件所需连接点的数量更少，由此电阻更小，在相同光照条件下，其电阻带来的功率损失更小，能量转换效率更高。
在一些实施例中，如图5所示，隔离层10贯穿第一本征非晶硅钝化层2并位于相邻第一P型非晶硅层5和第一N型非晶硅层4之间。
即在制作隔离型内串联式异质结电池时，是先在衬底1上沉积第一本征非晶硅钝化层2和第二本征非晶硅钝化层3，然后在第一本征非晶硅上开出贯穿衬底1的隔离槽17，由此有效避免对衬底1开槽后得到的各个衬底1单元的位置发生变化，进而保证了隔离型内串联式异质结电池的良品率和生产成本。
在一些实施例中，隔离型内串联式异质结电池还包括沉积于第二本征非晶硅钝化层3的第三本征非晶硅钝化层18，第三本征非晶硅钝化层18包括位于任意相邻第二P型非晶硅层7和第二N型非晶硅层6之间的第一间隔部。
由此，间隔部有效避免第一电池节和第二电池节同极相连，保证根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的内部结构的稳定串联，保证其良好的能量转换效率。
如图10所示，第一透明导电层8的面积小于等于相应第一P型非晶硅层5或第一N型非晶硅层4的面积。第一透明导电层8能够实现两个电池节的串联即可，第一透明导电层8的面积越小，隔离型内串联式异质结电池的生产成本越低。
在一些实施例中，隔离层10为由本征非晶硅、nc-Si:H、µc-Si:H中任意一种制成，隔离层10的宽度k为：K＞10nm。
需要说明地，隔离层10的宽度根据钝化隔离层材料的不同而不同，以10nm为边界选用的是本征非晶硅作为隔离材料，本征非晶硅具有较高的势垒，厚度在10nm以下则伴随有量子隧穿，在10nm以上则为绝缘体。特此本发明实施例选用10nm以上的钝化隔离层，来阻隔同一块衬底1上的量子隧穿，以达到电池片内部串联的目的。
在一些实施例中，每个第一透明导电层8和每个第二透明导电层9上均印刷或镀有金属栅线19。
此时隔离型内串联式异质结电池的内串电阻更小，由此进一步提高了隔离型内串联式异质结电池的能量转换效率。
具体地，金属栅线19构成的图形区域小于等于相应第一透明导电层8/第二透明导电层9的图形区域。
在一些实施例中，如图7所示，第一P型非晶硅层5的面积等于相应衬底1单元的面积，第一N型非晶硅层4的面积等于相应衬底1单元的面积，第二P型非晶硅层7的至少部分与相应第一N型非晶硅层4在衬底1单元的厚度方向的投影重叠，第二N型非晶硅层6的至少部分与相应第一P型非晶硅层5在衬底1单元的厚度方向的投影重叠。
由此使得第一P型非晶硅层5/第二P型非晶硅层7形成的P区和第一N型非晶硅层4/第二N型非晶硅层6形成的N区的有效面积更大，根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的能量转换效率更高。
需要说明地，第一P型非晶硅层5和第一N型非晶硅层4的面积比与第二P型非晶硅层7和第二N型非晶硅层6的面积比相同。
在一些实施例中，衬底1为N型衬底，第一P型非晶硅层5的面积大于第一N型非晶硅层4。由此进一步提高了隔离型内串联式异质结电池的发电效率。
同理，若衬底1为P型衬底，第一P型非晶硅层5的面积小于第一N型非晶硅层4。或者，也可以设置第一P型非晶硅层5的面积等于第一N型非晶硅层4的面积。
根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池制作方法包括以下步骤：
如图1所示，在衬底1的第一面和第二面分别沉积第一本征非晶硅钝化层2和第二本征非晶硅钝化层3。
如图2所示，在第一本征非晶硅钝化层2上设置第一掩膜11以在其他区域沉积第一P型非晶硅层5，在第二本征非晶硅钝化层3上设置第二掩膜12以在其他区域沉积第二P型非晶硅层7。
如图3和图4所示，在第一P型非晶硅层5上设置第三掩膜13，使用激光在第一掩膜11邻近第三掩膜13的端部开槽，形成贯穿第一掩膜11、第一本征非晶硅钝化层2和衬底1的隔离槽17。
如图5所示，在隔离槽17内填充本征非晶硅形成隔离层10。
如图6所示，剥离第一掩膜11和第二掩膜12，在第二P型非晶硅层7上设置第四掩膜14，刻蚀第二本征非晶硅钝化层3的露出区域，以形成凹槽。
如图7所示，在凹槽内沉积第三本征非晶硅钝化层18。
如图8所示，在第一本征非晶硅钝化层2和第三本征非晶硅钝化层18上分别沉积第一N型非晶硅层4和第二N型非晶硅层6，第三本征非晶硅钝化层18具有将第二N型非晶硅层6和第二P型非晶硅层7分隔开的隔离部。
如图9所示，剥离第三掩膜13和第四掩膜14，在隔离层10和隔离部上分别设置第五掩膜15和第六掩膜16。
如图9所示，在第一N型非晶硅层4和第一P型非晶硅层5沉积第一透明导电层8，在第二N型非晶硅层6和第二P型非晶硅层7上沉积第二透明导电层9。
如图10所示，剥离第五掩膜15和第六掩膜16，由此成型本实施例的隔离型内串联式异质结电池。
根据本发明实施例的隔离型内串联式异质结电池的制作方法的技术优势与上述实施例的隔离型内串联式异质结电池的技术优势相同，此处不再赘述。
在一些实施例中，如图10所示，剥离第五掩膜15和第六掩膜16后，在每个第一透明导电层8和每个第二透明导电层9上布置金属电极。
具体地，在每个第一透明导电层8和每个第二透明导电层9上印刷或镀金属栅线19，由此形成金属电极。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征 “上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本发明中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、 “示例”、“具体示例”、或“一些示例”等意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管已经示出和描述了上述实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域普通技术人员对上述实施例进行的变化、修改、替换和变型均在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种隔离型内串联式异质结电池，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上设有多个隔离层，多个所述隔离层沿所述衬底的纵向间隔排列，所述隔离层将所述衬底分隔为多个间隔开的衬底单元；
分别沉积于所述衬底的第一面和第二面的第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层；
沉积于所述第一本征非晶硅钝化层的第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层，所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层中的至少一者有多个，所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层的总数量与所述衬底单元的数量相等并一一对应，所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层沿所述衬底的纵向间隔交替分布；
沉积于所述第二本征非晶硅钝化层的第二P型非晶硅层和第二N型非晶硅层，所述第二P型非晶硅层与所述第一N型非晶硅层的数量相等并一一对应，所述第二N型非晶硅层与所述第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应；以及
第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层均有多个，多个所述第一透明导电层在所述衬底的纵向间隔分布并用于将所述第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻所述第一N型非晶硅层电连接，多个所述第二透明导电层在所述衬底的纵向间隔分布并用于将所述第二N型非晶硅层与第二侧的相邻所述第二P型非晶硅层电连接，所述第一侧的朝向与所述第二侧的朝向相反；
所述隔离层贯穿所述第一本征非晶硅钝化层并位于相邻所述第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层之间，所述隔离型内串联式异质结电池还包括沉积于所述第二本征非晶硅钝化层的第三本征非晶硅钝化层，所述第三本征非晶硅钝化层包括位于任意相邻所述第二P型非晶硅层和所述第二N型非晶硅层之间的第一间隔部；
所述隔离层为由本征非晶硅、nc-Si:H、µc-Si:H中任意一种制成，所述隔离层的宽度k为：K＞10nm。
2.根据权利要求1所述的隔离型内串联式异质结电池，其特征在于，每个所述第一透明导电层和每个所述第二透明导电层上均印刷或镀有金属栅线。
3.根据权利要求2所述的隔离型内串联式异质结电池，其特征在于，所述金属栅线构成的图形区域小于等于相应所述第一透明导电层/所述第二透明导电层的图形区域。
4.根据权利要求1所述的隔离型内串联式异质结电池，其特征在于，所述第一P型非晶硅层的面积等于相应所述衬底单元的面积，所述第一N型非晶硅层的面积等于相应所述衬底单元的面积，所述第二P型非晶硅层的至少部分与相应所述第一N型非晶硅层在所述衬底单元的厚度方向的投影重叠，所述第二N型非晶硅层的至少部分与相应所述第一P型非晶硅层在所述衬底单元的厚度方向的投影重叠。
5.根据权利要求4所述的隔离型内串联式异质结电池，其特征在于，所述衬底为N型衬底，所述第一P型非晶硅层的面积大于所述第一N型非晶硅层。
6.一种隔离型内串联式异质结电池制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底的第一面和第二面分别沉积第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层；
在第一本征非晶硅钝化层上设置第一掩膜以在其他区域沉积第一P型非晶硅层，在第二本征非晶硅钝化层上设置第二掩膜以在其他区域沉积第二P型非晶硅层；
在第一P型非晶硅层上设置第三掩膜，使用激光在第一掩膜邻近第三掩膜的端部开槽，形成贯穿第一掩膜、第一本征非晶硅钝化层和衬底的隔离槽；
在隔离槽内填充本征非晶硅形成隔离层，所述隔离层为由本征非晶硅、nc-Si:H、µc-Si:H中任意一种制成，所述隔离层的宽度k为：K＞10nm；
剥离第一掩膜和第二掩膜，在第二P型非晶硅层上设置第四掩膜，刻蚀第二本征非晶硅钝化层的露出区域，以形成凹槽；
在凹槽内沉积第三本征非晶硅钝化层；
在第一本征非晶硅钝化层和第三本征非晶硅钝化层上分别沉积第一N型非晶硅层和第二N型非晶硅层，第三本征非晶硅钝化层具有将第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层分隔开的隔离部；
剥离第三掩膜和第四掩膜，在隔离层和隔离部上分别设置第五掩膜和第六掩膜；
在第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层沉积第一透明导电层，在第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层上沉积第二透明导电层；
剥离第五掩膜和第六掩膜。
7.根据权利要求6所述的隔离型内串联式异质结电池制作方法，其特征在于，剥离第五掩膜和第六掩膜后，在每个第一透明导电层和每个第二透明导电层上布置金属电极。
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