CN212085022U - 异质结电池及异质结电池组件 - Google Patents

Abstract

本实用新型揭示了一种异质结电池及异质结电池组件，所述异质结电池包括：硅片；非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；透明导电层；电极。本实用新型中的异质结电池两侧均设有第一电极和第二电极，互联时可实现两个电极的交替排列；焊带焊接于电池同侧，可减少组件中电池间距，增加组件的有效发电面积，从而提高组件的输出功率；焊带无需上下绕行，减小了焊带长度，进而减小了焊带上的焦耳损耗。

Description

异质结电池及异质结电池组件

技术领域

本实用新型属于光伏电池技术领域，具体涉及一种异质结电池及异质结电池组件。

背景技术

异质结电池(HIT，Hetero-junctionwith Intrinsic Thin-layer，又称HJT)，是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，具有制备过程简单、工艺温度低、开路电压高、光电转换效率高、温度系数低等诸多优点，是目前应用最广的高效晶硅太阳能技术之一。

参图1所示，现有技术中的异质结电池10包括n型硅片100、分别设置在n型硅片的相对两端面上的本征非晶硅层(α-Si:H(i))111、112、分别设置在两面的本征非晶硅层上的p型非晶硅层(α-Si:H(p))121和n型非晶硅层(α-Si:H(n))122、分别设置在p型非晶硅层和n型非晶硅层上的透明导电层(TCO层)131、132以及分别设置在两面的透明导电层上的栅电极141、142。

结合图2所示，HIT电池封装为组件是采用整片互连，电池进行正、负极互连时，焊带101必须上下绕行，电池片间必须留空一段间距，减小了组件的有效发电面积；焊带上下绕行导致焊带长度较长，电阻发热导致的焦耳损耗较大；随着硅片片厚度的逐渐减薄，焊带焊接过程中电池片碎片率较高，增加了组件产品生产过程中的电池片损耗。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种异质结电池及异质结电池组件。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种异质结电池及异质结电池组件。

为了实现上述目的，本实用新型一实施例提供的技术方案如下：

一种异质结电池，所述异质结电池包括：

硅片，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括若干第一区域和第二区域，所述第二表面包括若干第三区域和第四区域，所述第一区域和第三区域相对设置，第二区域和第四区域相对设置；

非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；

透明导电层，包括位于第一p型非晶硅层上的第一透明导电层、位于第一n型非晶硅层上的第二透明导电层、位于第二n型非晶硅层上的第三透明导电层、及位于第二p型非晶硅层上的第四透明导电层；

电极，位于透明导电层上，包括位于第一透明导电层和第四透明导电层上的第一电极及位于第二透明导电层和第三透明导电层上的第二电极。

一实施例中，所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层厚度相等，第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层厚度相等；和/或，第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层厚度相等，第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层厚度相等。

一实施例中，所述第一区域和第二区域的个数和/或面积相等，第三区域和第四区域的个数和/或面积相等。

一实施例中，所述第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层之间、第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层之间、第一透明导电层和第二透明导电层之间、第三透明导电层和第四透明导电层之间形成有绝缘区。

一实施例中，所述第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层之间、第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层之间、第一透明导电层和第二透明导电层之间、第三透明导电层和第四透明导电层之间、全部或部分第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层之间、全部或部分第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层之间形成有绝缘区。

一实施例中，所述绝缘区为绝缘槽，所述绝缘槽的宽度小于或等于100μm。

本实用新型另一实施例提供的技术方案如下：

一种异质结电池组件，所述异质结电池组件包括若干上述的异质结电池、及若干电性连接相同或相邻异质结电池同一侧表面第一电极与第二电极的焊带。

一实施例中，相邻所述异质结电池之间的间距小于或等于2mm。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

本实用新型中的异质结电池两侧均设有第一电极和第二电极，互联时可实现两个电极的交替排列；

焊带焊接于电池同侧，可减少组件中电池间距，增加组件的有效发电面积，从而提高组件的输出功率；

焊带无需上下绕行，减小了焊带长度，进而减小了焊带上的焦耳损耗；

降低了焊带焊接过程中电池片的碎片率，减少组件产品生产过程中的电池损耗。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中异质结电池的结构示意图；

图2为现有技术中异质结电池组件的结构示意图；

图3为本实用新型实施例1中异质结电池的结构示意图；

图4为本实用新型实施例2中异质结电池的结构示意图；

图5a、5b、5c分别为本实用新型实施例4中异质结电池组件的剖面、正面和背面的结构示意图；

图6a、6b、6c分别为本实用新型实施例5中异质结电池组件的剖面、正面和背面的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细描述。但该等实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据该等实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。

此外，在本实用新型的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有第一”、“第二”、“第三”、“第四”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

实施例1：

参图3所示，本实施例中的异质结电池20包括：

硅片200，硅片200包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括若干第一区域和第二区域，第二表面包括若干第三区域和第四区域，第一区域和第三区域相对设置，第二区域和第四区域相对设置；

非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层211和第一p型非晶硅层221、位于第二区域上的第二本征非晶硅层212和第一n型非晶硅层222、位于第三区域上的第三本征非晶硅层213和第二n型非晶硅层223、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层214和第二p型非晶硅层224；

透明导电层，包括位于第一p型非晶硅层221上的第一透明导电层231、位于第一n型非晶硅层222上的第二透明导电层232、位于第二n型非晶硅层223上的第三透明导电层233、及位于第二p型非晶硅层224上的第四透明导电层234；

电极，位于透明导电层上，包括位于第一透明导电层231和第四透明导电层234上的第一电极(或正极)241a、241b及与位于第二透明导电层232和第三透明导电层233上的第二电极(或负极)242a、242b。

本实施例中以硅片下表面为第一表面、上表面为第二表面为例进行说明，第一区域为第一表面的左半区域，第二区域为第一表面的右半区域，第三区域为第二表面的左半区域，第四区域为第二表面的右半区域，四个区域均呈规则的矩形区域，第一区域和第二区域的个数和面积相等，第三区域和第四区域的个数和面积相等。

另外，本实施例中的硅片100为n型硅片，但n型硅片的种类不受限制，可以为直拉n型硅片或铸造n型硅片。n型硅片的厚度不受限制，厚度可以为50～200μm。

本实施例中第一p型非晶硅层221和第一n型非晶硅层222之间、第一透明导电层231和第二透明导电层232之间、全部第一本征非晶硅层211和第二本征非晶硅层212之间形成有第一绝缘区251；第二p型非晶硅层224和第二n型非晶硅层224之间、第三透明导电层233和第四透明导电层234之间、全部第三本征非晶硅层213和第四本征非晶硅层214之间形成有第二绝缘区252。优选地，第一绝缘区251和第二绝缘区252为绝缘槽，绝缘槽的宽度小于或等于100μm。

本实施例中的第一本征非晶硅层211和第二本征非晶硅层212厚度相等，第三本征非晶硅层213和第四本征非晶硅层214厚度相等；和/或，第一p型非晶硅层221和第一n型非晶硅层222厚度相等，第二p型非晶硅层224和第二n型非晶硅层223厚度相等。

优选地，本实施例中各本征非晶硅层的厚度为1～15nm，p型非晶硅层及n型非晶硅层分别掺杂B和P，掺杂浓度范围为10¹⁶～10²¹/cm³，厚度范围为5～25nm。

本实施例中异质结电池20的制备方法包括以下步骤：

S1、提供一硅片，硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括第一区域和第二区域，第二表面包括第三区域和第四区域，第一区域和第三区域相对设置，第二区域和第四区域相对设置。优选地，本实施例中需对硅片的第一表面和第二表面进行制绒；

S2、在硅片上生长非晶硅层，包括：在第一区域上生长第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层，在第二区域上生长第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层，在第三区域上生长第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层，在第四区域上生长第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；

S3、在非晶硅层上沉积透明导电层，包括：在第一p型非晶硅层、第一n型非晶硅层、第二n型非晶硅层、及第二p型非晶硅层上沉积透明导电层；

S4、在透明导电层上形成电极。

进一步地，该制备方法还包括：

第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层之间、第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层之间、第一透明导电层和第二透明导电层之间、第三透明导电层和第四透明导电层之间、全部第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层之间、全部第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层之间通过激光工艺形成绝缘槽，绝缘槽的宽度小于或等于100μm。

其中，步骤S2具体为：

对第二区域进行掩膜保护，在第一区域上依次沉积第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层；

对第一区域进行掩膜保护，在第二区域上依次沉积第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层；

对第四区域进行掩膜保护，在第三区域上依次沉积第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层；

对第三区域进行掩膜保护，在第四区域上依次沉积第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层。

优选地，第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、第三本征非晶硅层及第四本征非晶硅层厚度相等，第一p型本征非晶硅层、第一n型本征非晶硅层、第二p型本征非晶硅层及第二n本征非晶硅层厚度相等。

本实施例中，各本征非晶硅层的厚度为1～15nm，p型非晶硅层及n型非晶硅层分别掺杂B和P，掺杂浓度范围为10¹⁶～10²¹/cm³，厚度范围为5～25nm。

在其他实施例中，由于各本征非晶硅层、n型本征非晶硅层、p型本征非晶硅层均是单独沉积的，其厚度可以不等，具体各层厚度根据需要进行设计。

应当理解的是，本实施例中将硅片的两个表面分别划分为两个相对的区域，在其他实施例中，硅片的两个表面可以划分为多个相对设置的区域，每个区域的形状可以为规则或不规则形状，每个区域的面积可以相等或不等，如可将硅片的两表面分别划分为左中右三个矩形，或将每个表面划分为四个阵列分布的矩形等，相邻区域的硅片表面上分别沉积本征非晶硅层+p型非晶硅层和本征非晶硅层+n型非晶硅层，针对不同区域的实施例本申请中不再进行一一赘述。

对应地，当硅片的两个表面可以划分为多个相对设置的区域时，绝缘区相应地形成于相邻的区域之间，此处不再进行赘述。

实施例2：

参图4所示，本实施例中的异质结电池20包括：

硅片300，硅片300包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括若干第一区域和第二区域，第二表面包括若干第三区域和第四区域，第一区域和第三区域相对设置，第二区域和第四区域相对设置；

非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层311和第一p型非晶硅层221、位于第二区域上的第二本征非晶硅层311和第一n型非晶硅层322、位于第三区域上的第三本征非晶硅层312和第二n型非晶硅层323、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层312和第二p型非晶硅层324；

透明导电层，包括位于第一p型非晶硅层321上的第一透明导电层331、位于第一n型非晶硅层322上的第二透明导电层332、位于第二n型非晶硅层323上的第三透明导电层333、及位于第二p型非晶硅层324上的第四透明导电层334；

电极，位于透明导电层上，包括位于第一透明导电层331和第四透明导电层334上的第一电极341a、341b及与位于第二透明导电层332和第三透明导电层333上的第二电极342a、342b。

本实施例中以硅片下表面为第一表面、上表面为第二表面为例进行说明，第一区域为第一表面的左半区域，第二区域为第一表面的右半区域，第三区域为第二表面的左半区域，第四区域为第二表面的右半区域，四个区域均呈规则的矩形区域，第一区域和第二区域的个数和面积相等，第三区域和第四区域的个数和面积相等。

另外，本实施例中的硅片100为n型硅片，但n型硅片的种类不受限制，可以为直拉n型硅片或铸造n型硅片。n型硅片的厚度不受限制，厚度可以为50～200μm。

与实施例1不同的是，本实施例中硅片第一表面的第一本征非晶硅层311和第二本征非晶硅层312为一整层，硅片第二表面的第三本征非晶硅层313和第四本征非晶硅层314为一整层，绝缘区仅形成于p型非晶硅层和n型非晶硅层之间及透明导电层之间，本征非晶硅层中未形成绝缘区。

具体地，本实施例中第一p型非晶硅层321和第一n型非晶硅层322之间、第一透明导电层331和第二透明导电层332之间形成有第一绝缘区351；第二p型非晶硅层324和第二n型非晶硅层324之间、第三透明导电层333和第四透明导电层334之间形成有第二绝缘区352。优选地，第一绝缘区351和第二绝缘区352为绝缘槽，绝缘槽的宽度小于或等于100μm。

本实施例中异质结电池30的制备方法包括以下步骤：

S1、提供一硅片，硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括第一区域和第二区域，第二表面包括第三区域和第四区域，第一区域和第三区域相对设置，第二区域和第四区域相对设置。优选地，本实施例中需对硅片的第一表面和第二表面进行制绒；

S2、在硅片上生长非晶硅层，包括：在第一区域上生长第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层，在第二区域上生长第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层，在第三区域上生长第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层，在第四区域上生长第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；

S3、在非晶硅层上沉积透明导电层，包括：在第一p型非晶硅层、第一n型非晶硅层、第二n型非晶硅层、及第二p型非晶硅层上沉积透明导电层；

S4、在透明导电层上形成电极。

进一步地，该制备方法还包括：

第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层之间、第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层之间、第一透明导电层和第二透明导电层之间、第三透明导电层和第四透明导电层之间通过激光工艺形成绝缘槽，绝缘槽的宽度小于或等于100μm。

其中，步骤S2具体为：

在第一表面沉积本征非晶硅层，包括在第一区域和第二区域上同时或分布沉积第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层；

对第二区域进行掩膜保护，在第一本征非晶硅层上沉积第一p型非晶硅层；

对第一区域进行掩膜保护，在第一本征非晶硅层上沉积第一n型非晶硅层；

在第二表面沉积本征非晶硅层，包括在第三区域和第四区域上同时或分布沉积第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层；

对第四区域进行掩膜保护，在第三本征非晶硅层上沉积第二n型非晶硅层；

对第三区域进行掩膜保护，在第四本征非晶硅层上沉积第二p型非晶硅层。

优选地，第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、第三本征非晶硅层及第四本征非晶硅层厚度相等，第一p型本征非晶硅层、第一n型本征非晶硅层、第二p型本征非晶硅层及第二n本征非晶硅层厚度相等。

本实施例中，各本征非晶硅层的厚度为1～15nm，p型非晶硅层及n型非晶硅层分别掺杂B和P，掺杂浓度范围为10¹⁶～10²¹/cm³，厚度范围为5～25nm。

其中，当第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层、第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层同时沉积时，第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层的厚度相等，第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层的厚度相等，当第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层、第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层分布沉积时，第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层的厚度可以相等或不等，第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层的厚度可以相等或不等。

由于各n型本征非晶硅层、p型本征非晶硅层均是单独沉积的，其厚度可以相等或不等，具体各层厚度根据需要进行设计。

应当理解的是，实施例1和实施例2中分别以两种具体的异质结电池为例进行说明，在其他实施例中绝缘区也可以延伸至部分本征非晶硅层、或者贯穿整个本征非晶硅层并延伸至部分硅片，凡是能够将同一侧p型非晶硅层和n型非晶硅层进行隔离的技术方案均属于本实用新型所保护的范围。

实施例3：

本实施例中的异质结电池结构与实施例1和实施例2相同，此处不再进行赘述，与实施例1和实施例2不同的是，实施例1和实施例2的制备方法中，“在硅片上生长非晶硅层”步骤采用掩膜的方式进行区域沉积，而本实施例中“在硅片上生长非晶硅层”通过沉积和离子注入的方式进行定位掺杂，具体为：

在第一区域上通过沉积及离子注入依次形成第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层；

在第二区域上通过沉积及离子注入依次形成第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层；

在第三区域上通过沉积及离子注入依次形成第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层；

在第四区域上通过沉积及离子注入依次形成第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；

其中，第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层为同时或分布沉积，第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层为同时或分布沉积。

实施例4：

参图5a至图5c所示，本实施例中的异质结电池组件包括若干实施例1中的异质结电池，相邻的第一异质结电池20和第二异质结电池20’之间通过若干焊带201电性连接，其上表面依次为第二电极、第一电极、第二电极及第一电极，下表面依次为第一电极、第二电极、第一电极及第二电极。异质结电池组件中，上表面及下表面上相邻的第一电极和第二电极之间分别通过焊带201电性连接，上下表面上的焊带201呈交替分布。

本实施例中焊带201的长度略大于第一电极和第二电极之间的间距，通过焊带将第一电极和第二电极的边缘位置进行电性连接。

由于异质结电池的第一电极和第二电极设置于同一面，互联时可实现电池电极交替排列，焊带设置于电池同侧，可减少电池片间距，优选地，两个异质结电池之间的间距可设置为小于或等于2mm。

实施例5：

参图6a至图6c所示，本实施例中的异质结电池组件包括若干实施例1中的异质结电池，相邻的第一异质结电池20和第二异质结电池20’之间通过若干焊带202电性连接，其上表面依次为第二电极、第一电极、第二电极及第一电极，下表面依次为第一电极、第二电极、第一电极及第二电极。异质结电池组件中，上表面及下表面上相邻的第一电极和第二电极之间分别通过焊带202电性连接，上下表面上的焊带202呈交替分布。

与实施例4不同的是，本实施例中焊带202的长度略小于第一电极和第二电极之间的间距与第一电极和第二电极的长度之和，通过焊带将第一电极和第二电极的大部分长度方向进行电性连接。

优选地，本实施例中两个异质结电池之间的间距可设置为小于或等于2mm。

由以上技术方案可以看出，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型中的异质结电池两侧均设有第一电极和第二电极，互联时可实现两个电极的交替排列；

焊带焊接于电池同侧，可减少组件中电池间距，增加组件的有效发电面积，从而提高组件的输出功率；

焊带无需上下绕行，减小了焊带长度，进而减小了焊带上的焦耳损耗；

降低了焊带焊接过程中电池片的碎片率，减少组件产品生产过程中的电池损耗。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施例加以描述，但并非每个实施例仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (8)

1.一种异质结电池，其特征在于，所述异质结电池包括：

硅片，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括若干第一区域和第二区域，所述第二表面包括若干第三区域和第四区域，所述第一区域和第三区域相对设置，第二区域和第四区域相对设置；

非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；

透明导电层，包括位于第一p型非晶硅层上的第一透明导电层、位于第一n型非晶硅层上的第二透明导电层、位于第二n型非晶硅层上的第三透明导电层、及位于第二p型非晶硅层上的第四透明导电层；

电极，位于透明导电层上，包括位于第一透明导电层和第四透明导电层上的第一电极及位于第二透明导电层和第三透明导电层上的第二电极。

2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层厚度相等，第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层厚度相等；和/或，第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层厚度相等，第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层厚度相等。

3.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一区域和第二区域的个数和/或面积相等，第三区域和第四区域的个数和/或面积相等。

4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层之间、第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层之间、第一透明导电层和第二透明导电层之间、第三透明导电层和第四透明导电层之间形成有绝缘区。

5.根据权利要求4所述的异质结电池，其特征在于，所述第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层之间、第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层之间、第一透明导电层和第二透明导电层之间、第三透明导电层和第四透明导电层之间、全部或部分第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层之间、全部或部分第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层之间形成有绝缘区。

6.根据权利要求4或5所述的异质结电池，其特征在于，所述绝缘区为绝缘槽，所述绝缘槽的宽度小于或等于100μm。

7.一种异质结电池组件，其特征在于，所述异质结电池组件包括若干权利要求1～6中任一项所述的异质结电池、及若干电性连接相同或相邻异质结电池同一侧表面第一电极与第二电极的焊带。

8.根据权利要求7所述的异质结电池组件，其特征在于，相邻所述异质结电池之间的间距小于或等于2mm。

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