CN115566099A - 一种太阳能电池的制造方法 - Google Patents

一种太阳能电池的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115566099A
CN115566099A CN202211007498.5A CN202211007498A CN115566099A CN 115566099 A CN115566099 A CN 115566099A CN 202211007498 A CN202211007498 A CN 202211007498A CN 115566099 A CN115566099 A CN 115566099A
Authority
CN
China
Prior art keywords
region
chemical treatment
wet chemical
passivation layer
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211007498.5A
Other languages
English (en)
Inventor
李文强
童洪波
於龙
丁超
李华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd
Original Assignee
Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd filed Critical Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd
Priority to CN202211007498.5A priority Critical patent/CN115566099A/zh
Publication of CN115566099A publication Critical patent/CN115566099A/zh
Priority to PCT/CN2023/100863 priority patent/WO2024041126A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种太阳能电池的制造方法，涉及太阳能电池技术领域，以在隧穿钝化层的刻蚀延迟作用下，降低湿化学处理溶液对第一区域的处理程度，使得湿化学处理后第一区域的表面结构满足预设方案的要求，提高太阳能电池电池的光电转换效率。所述太阳能电池的制造方法包括：提供一半导体基底，半导体基底具有第一区域和第二区域。形成至少覆盖在第一区域上的隧穿钝化层。在隧穿钝化层的刻蚀延迟作用下，对第一区域进行湿化学处理。经湿化学处理后第一区域的表面结构和第二区域的表面结构不同。

Description

一种太阳能电池的制造方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的制造方法。
背景技术
太阳能电池作为绿色能源，对节能减排起着积极的作用，使用也越来越广泛。其中，光伏太阳能电池是将太阳的光能转换为电能的装置。具体的，太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。
但是，采用现有的制造太阳能电池的方法对半导体基底具有的至少一类表面区域进行湿化学处理后，会使得其中一类表面区域的被处理程度较大，从而导致太阳能电池的光电转换效率降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池的制造方法，以在隧穿钝化层的刻蚀延迟作用下，降低湿化学处理溶液对第一区域的处理程度，使得湿化学处理后第一区域的表面结构满足预设方案的要求，提高太阳能电池电池的光电转换效率。
本发明提供了一种太阳能电池的制造方法，该太阳能电池的制造方法包括：
提供一半导体基底，半导体基底具有第一区域和第二区域。
形成至少覆盖在第一区域上的隧穿钝化层。
在隧穿钝化层的刻蚀延迟作用下，对第一区域进行湿化学处理。经湿化学处理后第一区域的表面结构和第二区域的表面结构不同。
采用上述技术方案的情况下，本发明提供的太阳能电池包括的半导体基底具有第一区域和第二区域。并且，在对第一区域进行湿化学处理前，形成了至少覆盖在第一区域上的隧穿钝化层。基于此，在对第一区域进行湿化学处理的过程中，至少覆盖在第一区域上的隧穿钝化层可以起到刻蚀延迟的作用，降低湿化学处理溶液对第一区域表面的处理程度。由此可见，与现有制造中执行湿化学处理的溶液直接对第一区域的表面进行处理相比，本发明提供的制造方法利于防止在湿化学处理后第一区域的表面被过度处理，使得经湿化学处理后第一区域的表面结构满足预设方案的要求，提高太阳能电池良率。并且，还利于防止经湿化学处理后半导体基底减薄过大，降低半导体基底减薄后出现隐裂的风险，同时还可以增大光半导体基底的传播路径，进而增大光入射半导体基底后被吸收的概率，提高太阳能电池的光电转换效率。
作为一种可能的实现方式，上述隧穿钝化层的厚度为1.4nm至1.8nm。应理解，在一定范围内，隧穿钝化层的厚度与隧穿钝化层所能起到刻蚀延迟作用的时间成正比。在此情况下，当隧穿钝化层的厚度为1.4nm至1.8nm时，隧穿钝化层的厚度适中，可以防止因隧穿钝化层的厚度较小使得其容易被执行湿化学处理的溶液刻穿而导致隧穿钝化层起到刻蚀延迟作用的时间较短，进一步确保在湿化学处理后第一区域的表面不被过度处理。同时，也可以防止因隧穿钝化层的厚度较大导致材料浪费，降低太阳能电池的制造成本。此外，隧穿钝化层不仅具有刻蚀延迟的作用，当隧穿钝化层应用至隧穿钝化接触结构中时，将隧穿钝化层的厚度设置为上述范围还可以防止因隧穿钝化层的厚度较大而导致载流子难以基于隧穿效应穿过该隧穿钝化层，降低隧穿钝化层的隧穿电阻，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。
作为一种可能的实现方式，上述隧穿钝化层的材质为氧化硅、氧化铝、氧化钛、二氧化铪、氧化镓、五氧化二钽、五氧化铌、氮化硅、碳氮化硅、氮化铝、氮化钛或氮碳化钛。在此情况下，隧穿钝化层的材质可选范围较大，利于提高本发明提供的太阳能电池的制造方法在不同应用场景下的适用性。
作为一种可能的实现方式，对第一区域和第二区域同时进行湿化学处理，以使得第一区域的表面结构形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构，并使得第二区域的表面结构形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
采用上述技术方案的情况下，同时对第一区域和第二区域进行湿化学处理可以提高太阳能电池的制造效率，利于提升太阳能电池的量产性。此外，对第一区域和第二区域同时进行湿化学处理后，第一区域的表面结构和第二区域的表面结构分别具有多种可能的实现方案，利于提高本发明提供的太阳能电池的制造方法在不同应用场景下的适用性。
作为一种可能的实现方式，上述形成至少覆盖在第一区域上的隧穿钝化层为：形成至少覆盖在第一区域和第二区域上的隧穿钝化层。
形成至少覆盖在第一区域和第二区域上的隧穿钝化层后，对第一区域进行湿化学处理前，太阳能电池的制造方法还包括：形成至少覆盖在隧穿钝化层对应第二区域的部分上的第一掺杂半导体层。
第二区域的表面结构为凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。经湿化学处理后第一区域的表面结构为凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
采用上述技术方案的情况下，第一掺杂半导体层和隧穿钝化层位于第二区域上的部分可以构成隧穿钝化接触结构。此时，本发明提供的制造方法所制造的太阳能电池为隧穿氧化层钝化接触太阳能电池。其中，上述隧穿钝化接触结构中的隧穿钝化层允许多数载流子隧穿进入第一掺杂半导体层同时阻挡少数载流子通过，进而多数载流子经由第一掺杂半导体层传输并被相应电极收集，降低不同导电类型的载流子在第二区域表面处的复合速率，实现了界面钝化和载流子的选择性收集，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。另外，第二区域的表面结构、以及经湿化学处理后第一区域的表面结构均具有多种可能的实现方案，可以根据不同应用场景的要求，选择合适的实现方案，利于提高本发明提供的太阳能电池的制造方法在不同应用场景下的适用性。
作为一种可能的实现方式，上述半导体基底具有相对的第一面和第二面。沿着平行于第二面的方向，第二面具有交替设置的第一区域和第二区域。
形成至少覆盖在第一区域上的隧穿钝化层为：形成至少覆盖在第一区域和第二区域上的隧穿钝化层。
经湿化学处理后第一区域的表面结构为凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。经湿化学处理后第二区域的表面结构为凸台结构。
采用上述技术方案的情况下，第二区域的表面结构为凸台结构。因凸台结构为正金字塔型结构经抛光处理后剩余的正金字塔塔基结构。正金字塔塔基结构的顶面较为平坦，故表面结构为凸台结构的第二区域的表面为平坦的抛光面，利于提高隧穿钝化层和第一掺杂半导体层在第二区域上的成膜质量，进而利于使得由隧穿钝化层和第一掺杂半导体层位于第二区域上的部分所构成的隧穿钝化接触结构具有优异的界面钝化和载流子选择性收集特性。
在一种示例中，形成至少覆盖在第一区域和第二区域上的隧穿钝化层后，对第一区域进行湿化学处理前，太阳能电池的制造方法还包括：形成至少覆盖在隧穿钝化层对应第二区域的部分上的第一掺杂半导体层。该情况下具有的有益效果可以参考前文所述的第一掺杂半导体层和隧穿钝化层位于第二区域上的部分所构成的隧穿钝化接触结构的有益效果分析，此处不再赘述。
示例性的，经湿化学处理后第一区域的表面结构为正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
采用上述技术方案的情况下，因正金字塔结构和倒金字塔型孔洞结构均为绒面结构，且绒面结构具有陷光作用，故当具有第一区域的第二面与太阳能电池的受光面对应时，第一区域的表面可以将更多的光线折射至半导体基底内，从而可以进一步提高太阳能电池的光电转换效率。
在一种示例中，对第一面和第一区域同时进行湿化学处理，以使得第一面的表面结构和第一区域的表面结构不同。在此情况下，同时对第一面和第一区域进行湿化学处理可以提高太阳能电池的制造效率，利于提高太阳能电池的量产性。
示例性的，上述太阳能电池为双面接触电池。在此情况下，对第一面和第一区域同时进行湿化学处理，以使得第一面的表面结构形成凸台结构，并使得第一区域的表面结构形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
采用上述技术方案的情况下，经湿化学处理后第一面的表面结构为凸台结构时，第一面的表面为平坦的抛光面。而抛光面具有相对良好的反射特性，因此当第一面与双面接触电池的背光面对应时，光线到达第一面后可以至少部分被反射回半导体基底内，被半导体基底重新利用，进一步提高双面接触电池的光电转换效率。此时，第二面与双面接触电池的受光面对应。在湿化学处理后，位于第二面上的第一区域的表面结构可以形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构中的任一种，以提高本发明提供的制造方法对不同应用场景的适用性。
示例性的，上述第一面上形成的表面结构的塔基宽度大于第一区域上形成的表面结构的塔基宽度。
采用上述技术方案的情况下，因凸台结构对应的塔基宽度分别大于正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构对应的塔基宽度，故在第一面的表面结构为凸台结构、且第一面上形成的表面结构的塔基宽度大于第一区域上形成的表面结构的塔基宽度的情况下，经湿化学处理后第一区域的表面结构可以为正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。此时，将第二面与双面接触电池的受光面对应，第一区域的表面可以使得更多的光线折射至半导体基底内，进一步提高双面接触电池的光电转换效率。
在另一种示例中，上述太阳能电池为背接触电池。在此情况下，对第一面和第一区域同时进行湿化学处理，以使得第一面的表面结构形成正金字塔型结构，并使得第一区域的表面结构形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
采用上述技术方案的情况下，当太阳能电池为背接触电池时，因背接触电池包括的极性相反的两类电极均为太阳能电池的背光面，背接触电池的受光面没有金属电极遮挡的影响，故与双面接触电池相比，背接触电池具有更高的短路电流。此外，第一面与背接触电池的受光面对应，因此表面结构为正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构的第一面可以将更多的光线由第一面折射至半导体基底内，进一步提高背接触电池的光电转换效率。并且，第二面与背接触电池的背光面对应。在湿化学处理后，位于第二面上的第一区域的表面结构可以形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构中的任一种，以提高本发明提供的制造方法对不同应用场景的适用性。
示例性的，上述第一面上设置的表面结构的塔基宽度小于第一区域上形成的表面结构的塔基宽度。
采用上述技术方案的情况下，如前文所述，因正金字塔型结构和倒金字塔型孔洞结构对应的塔基宽度均小于凸台结构对应的塔基宽度，故在第一面的表面结构为正金字塔型结构、且第一面上形成的表面结构的塔基宽度小于第一区域上形成的表面结构的塔基宽度的情况下，经湿化学处理后第一区域的表面结构可以为凸台结构。此时，将第二面与背接触电池的背光面对应，第一区域能够将至少部分光线反射回半导体基底内，进一步提高背接触电池的光电转换效率。
作为一种可能的实现方式，在太阳能电池为背接触电池的情况下，第二区域上形成的表面结构的塔基宽度不同于经湿化学处理后第一区域上形成的表面结构的塔基宽度。
采用上述技术方案的情况下，可以通过第二区域上设置的表面结构的塔基宽度与经湿化学处理后第一区域形成上的表面结构的塔基宽度的差异，将第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)的具体形成位置区分开，使得第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)之间具有更高的可分辨性，从而能够降低在第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)上分别准确设置与其极性相同的电极的难度，进而降低导电类型相反的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)通过电极耦合而导致背接触电池短路的风险，提高背接触电池的电学稳定性。
作为一种可能的实现方式，上述提供一半导体基底后，对第一区域进行湿化学处理前，太阳能电池的制造方法包括：
依次形成整层设置在第二面上的隧穿钝化层和第一掺杂半导体层。
对第一掺杂半导体层进行图案化处理，仅保留第一掺杂半导体层位于第二区域上的部分。
采用上述技术方案的情况下，对整层设置在第二面上的第一掺杂半导体层进行图案化处理，以便于在第一区域上(或第一区域内)形成与第一掺杂半导体层导电类型相反的第二掺杂半导体层(或掺杂区)。此外，在实际的应用过程中，可以通过湿化学处理的方式同时对第一面进行制绒、以及对第一掺杂半导体层进行图案化处理，以提高背接触电池的制造效率。并且，在该情况下，隧穿钝化层和第一掺杂半导体层位于第一区域上的部分均具有刻蚀延迟的作用，可以在一定范围内延长执行制绒和图案化处理的溶液腐蚀至第一区域表面的刻蚀延迟时间，从而可以为在第一面上形成的满足预设方案要求的正金字塔型结构争取较长的处理时间，提高第一面上形成的正金字塔型结构的质量，进一步提升背接触电池的光电转换效率。
作为一种可能的实现方式，经湿化学处理后第一区域的表面相对于第二区域的表面向半导体基底内凹入。
采用上述技术方案的情况下，因背接触电池中掺杂类型相反的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)分别形成在第二区域和第一区域上(或第一区域内)，故在经湿化学处理后第一区域的表面相对于第二区域的表面向半导体基底内凹入的情况下，沿着半导体基底的厚度方向，第一掺杂半导体层可以至少与部分第二掺杂半导体层错开(或者第一掺杂半导体层可以完全与掺杂区错开)，利于防止第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)之间产生漏电。
作为一种可能的实现方式，上述第二面设置有中间区域、以及自中间区域向外延伸的边缘隔离区域。第一区域和第二区域位于中间区域内。在此情况下，经湿化学处理后边缘隔离区域的表面相对于第二区域的表面向半导体基底内凹入。
采用上述技术方案的情况下，在实际制造背接触电池包括的掺杂类型相反的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)的过程中，第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)中的一者的掺杂元素也会掺杂至半导体基底的侧面。基于此，经湿化学处理后边缘隔离区域的表面相对于第二区域的表面向半导体基底内凹入，从而可以将第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)中的另一者通过边缘隔离区域与半导体基底的侧面隔离开，防止第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)中的另一者与半导体基底的侧面之间产生漏电，提高背接触电池的光电转换效率。
作为一种可能的实现方式，对第一区域进行湿化学处理后，太阳能电池的制造方法还包括：在第一区域内形成掺杂区，掺杂区与第一掺杂半导体层的导电类型相反。或，在第一区域上形成第二掺杂半导体层。第二掺杂半导体层与第一掺杂半导体层的导电类型相反。
作为一种可能的实现方式，在第一区域内形成掺杂区后，太阳能电池的制造方法还包括：形成至少覆盖在第一掺杂半导体层和掺杂区上的表面钝化层。
采用上述技术方案的情况下，表面钝化层可以对第一掺杂半导体层和掺杂区背离半导体基底的一侧进行钝化，降低第一掺杂半导体层和掺杂区背离半导体基底的一侧的载流子复合速率，进一步提高背接触电池的光电转换效率。
作为另一种可能的实现方式，在第一区域上形成第二掺杂半导体层后，太阳能电池的制造方法还包括：形成至少覆盖在第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层上的表面钝化层。该情况下具有的有益效果可以参考前文所述的形成至少覆盖在第一掺杂半导体层和掺杂区上的表面钝化层所具有的有益效果，此处不再赘述。
作为一种可能的实现方式，上述对第一区域进行湿化学处理后，在第一区域内形成掺杂区前，太阳能电池的制造方法还包括：形成至少覆盖在第一区域和第一掺杂半导体层上的表面钝化层。形成贯穿表面钝化层的第一电极。第一电极的底部与第一区域接触。
上述在第一区域内形成掺杂区为：以第一电极为掺杂源在第一区域内形成掺杂区。
采用上述技术方案的情况下，表面钝化层可以对第一区域的表面、以及对第一掺杂半导体层背离半导体基底的一侧进行钝化，降低第一区域表面和第一掺杂半导体层背离半导体基底的一侧的载流子复合速率。此外，以贯穿表面钝化层的第一电极为掺杂源可以仅在第一区域与第一电极相接触的一定范围内形成掺杂区，防止掺杂区和第一掺杂半导体层接触而出现漏电。同时，还可以节省为仅在第一区域内形成掺杂区而形成掩膜层的工序，简化背接触电池的制造过程。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的太阳能电池的制造方法流程图；
图2为本发明实施例提供的半导体基底的第一种结构的纵向剖视示意图；
图3为本发明实施例提供的半导体基底的第二种结构的纵向剖视示意图；
图4中(1)至(4)部分为本发明实施例中在第一区域和第二区域位于不同面的情况下，第一区域和第二区域在半导体基底上的四种分布情况示意图；
图5为本发明实施例中半导体基底的第二面仅具有第一区域和第二区域时，第一区域和第二区域在第二面的分布情况示意图；
图6为本发明实施例中半导体基底的第二面具有边缘隔离区域和中间区域时，各区域在第二面的分布情况示意图；
图7为本发明实施例中在第一区域和第二区域位于不同面的情况下，形成隧穿钝化层后的第一种结构纵向剖视示意图；
图8为本发明实施例中在第一区域和第二区域位于不同面的情况下，对第二区域进行湿化学处理后的结构纵向剖视示意图；
图9为本发明实施例中在第一区域和第二区域同一面的情况下，对第一区域和第二区域同时进行湿化学处理后的结构纵向剖视示意图；
图10为本发明实施例中在第一区域和第二区域均位于第二面的情况下，在形成覆盖第一区域和第二区域的隧穿钝化层、以及位于第二区域上方的第一掺杂半导体层后的结构纵向剖视示意图；
图11为本发明实施例中对第一面和第一区域同时进行金属湿化学处理后的第一种结构纵向剖视示意图；
图12为本发明实施例中依次形成覆盖第一区域和第二区域的隧穿钝化层和第一掺杂半导体层后的结构纵向剖视示意图；
图13为本发明实施例中在第一掺杂半导体层上形成制造掩膜层的材料层后的结构纵向剖视示意图；
图14为本发明实施例中在第一掺杂半导体层上形成掩膜层后的结构纵向剖视示意图；
图15为本发明实施例中在掩膜层的掩膜作用下对第一掺杂半导体层进行图案化处理后的结构纵向剖视示意图；
图16为本发明实施例中对第一面和第一区域同时进行湿化学处理后的第二种结构纵向剖视示意图；
图17为本发明实施例中对第一面和第一区域同时进行湿化学处理后的第三种结构纵向剖视示意图；
图18为本发明实施例中对第一面和第一区域同时进行湿化学处理后的第四种结构纵向剖视示意图；
图19为本发明实施例中经湿化学处理后边缘隔离区域和第一区域的表面均相对于第二区域的表面向半导体基底内凹入的结构纵向剖视示意图；
图20为本发明实施例中形成掺杂区后的第一种结构纵向剖视示意图；
图21为本发明实施例中形成第二掺杂半导体层后的第一种结构纵向剖视示意图；
图22为本发明实施例中形成第二掺杂半导体层后的第二种结构纵向剖视示意图；
图23为本发明实施例中形成表面钝化层后的一种结构纵向剖视示意图；
图24为本发明实施例中形成第一电极后的结构纵向剖视示意图；
图25为本发明实施例中形成掺杂区后的第二种结构纵向剖视示意图；
图26为本发明实施例中形成第一电极和第二电极后的一种结构纵向剖视示意图。
附图标记：1为半导体基底，2为第一区域，3为第二区域，4为隧穿钝化层，5为第一面，6为第二面，7为第一掺杂半导体层，8为掩膜层，9为中间区域，10为边缘隔离区域，11为掺杂区，12为第二掺杂半导体层，13为表面钝化层，14为第一电极，15为第二电极，16为第三区域。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
太阳能电池作为绿色能源，对节能减排起着积极的作用，使用也越来越广泛。其中，光伏太阳能电池是将太阳的光能转换为电能的装置。具体的，太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。
但是，采用现有的制造太阳能电池的方法对半导体基底具有的至少一类表面区域进行湿化学处理后，会使得其中一类表面区域的被处理程度较大，从而导致太阳能电池的光电转换效率降低。
例如：采用现有的制造方法对半导体基底与太阳能电池受光面对应的一面进行湿化学处理，以使得该表面为正金字塔绒面的过程中，湿化学处理的溶液也会导致半导体基底与太阳能电池背光面对应的一面制绒，使得半导体基底减薄明显，缩短了光线在半导体基底内的传播路径，进而使得光线入射半导体基底内被吸收的概率降低，最终导致太阳能电池的光电转换效率降低。
又例如：采用现有的制造方法制造背接触电池的过程中，形成覆盖在半导体基底与背光面对应的一面上第一掺杂半导体层后，需要去除位于半导体基底部分区域上的第一掺杂半导体层，以便于后续在该部分内(或上)形成与第一掺杂半导体层导电类型相反的第二掺杂半导体层。而在采用湿化学处理选择性刻蚀第一掺杂半导体层时，会导致半导体基底对应待去除区域的部分处理过度，使得半导体基底减薄明显，从而出现前文所述的问题。
如图1所示，本发明实施例提供了一种太阳能电池的制造方法。其中，本发明实施例提供的制造方法所制造的太阳能电池可以为双面接触电池，即太阳能电池包括的极性相反的第一电极和第二电极中的一者设置在太阳能电池的受光面一侧，另一者设置在太阳能电池的背光面一侧。或者，所制造的太阳能电池也可以为背接触电池电池，即太阳能电池包括的极性相反的第一电极和第二电极均设置在太阳能电池的背光面。
下文将根据图2至图26示出的操作的剖视图，对制造过程进行描述。具体的，该太阳能电池的制造方法包括以下步骤：
首先，如图2和图3所示，提供一半导体基底1。如图2和图3所示，该半导体基底1具有第一区域和第二区域。
具体来说，从材质方面来讲，上述半导体基底可以为硅基底、锗硅基底或锗基底等半导体材质的基底。从导电类型方面来讲，上述半导体基底可以为N型半导体基底或P型半导体基底。从结构方面来讲，半导体基底可以为未经过抛光或制绒等处理的半导体基底。如图2所示，半导体基底1也可以为经过双面抛光处理的半导体基底。此时，半导体基底1具有的相对的第一面5和第二面6均为抛光面。或者，如图3所示，半导体基底1具有的相对的第一面5和第二面6还可以经制绒处理形成绒面。
另外，半导体基底具有的第一区域和第二区域之间的边界为虚拟边界，二者在半导体基底表面的具体位置、以及第一区域和第二区域在相应表面上的范围可以根据实际应用场景确定，此处不做具体限定。
在一种示例中，如图4中的(1)至(4)部分所示，上述第一区域2和第二区域3可以位于半导体基底1具有的不同面上。其中，第一区域2可以位于半导体基底1与太阳能电池的受光面对应的一面，此时，第二区域3位于半导体基底1与太阳能电池的背光面对应的一面。或者，第一区域2也可以位于半导体基底1与背光面对应的一面，此时，第二区域3位于半导体基底1与受光面对应的一面。在上述情况下，至于第一区域2和第二区域3在不同面的范围来说，如图4中的(1)和(3)部分所示，第一区域2的边界可以与半导体基底1的边界重合。或者，如图4中的(2)和(4)部分所示，第一区域2也可以为位于半导体基底1具有的相应面上的局部区域。此外，如图4中的(1)和(2)部分所示，第二区域3的边界可以与半导体基底1的边界重合。或者，如图4中的(3)和(4)部分所示，第二区域3也可以为位于半导体基底1具有的相应面上的局部区域。
在另一种示例中，如图5所示，上述第一区域2和第二区域3也可以位于半导体基底1具有的同一面上。在此情况下，第一区域2和第二区域3在同一面上的排布方式可以根据太阳能电池的类型、以及实际应用场景确定，此处不做具体限定。例如：在太阳能电池为背接触电池的情况下，第一区域2和第二区域3可以交替设置在半导体基底1与背光面对应的一面。
如图7、图9和图10所示，形成至少覆盖在第一区域2上的隧穿钝化层4。
在实际的应用过程中，可以通过原子层沉积或等离子增强化学气相沉积等工艺形成上述隧穿钝化层。其中，隧穿钝化层的形成范围、厚度和材质可以根据实际应用场景进行设置，只要能够应用至本发明实施例提供的太阳能电池的制造方法中均可。
示例性的，上述隧穿钝化层的厚度为1.4nm至1.8nm。应理解，在一定范围内，隧穿钝化层的厚度与隧穿钝化层所能起到刻蚀延迟作用的时间成正比。在此情况下，当隧穿钝化层的厚度为1.4nm至1.8nm时，隧穿钝化层的厚度适中，可以防止因隧穿钝化层的厚度较小使得其容易被执行后续湿化学处理的溶液刻穿而导致隧穿钝化层起到刻蚀延迟作用的时间较短，进一步确保在执行后续湿化学处理后第一区域的表面不被过度处理。同时，也可以防止因隧穿钝化层的厚度较大导致材料浪费，降低太阳能电池的制造成本。此外，隧穿钝化层不仅具有刻蚀延迟的作用，当隧穿钝化层应用至隧穿钝化接触结构中时，将隧穿钝化层的厚度设置为上述范围还可以防止因隧穿钝化层的厚度较大而导致载流子难以基于隧穿效应穿过该隧穿钝化层，降低隧穿钝化层的隧穿电阻，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。
示例性的，上述隧穿钝化层的材质为氧化硅、氧化铝、氧化钛、二氧化铪、氧化镓、五氧化二钽、五氧化铌、氮化硅、碳氮化硅、氮化铝、氮化钛或氮碳化钛。在此情况下，隧穿钝化层的材质可选范围较大，利于提高本发明实施例提供的太阳能电池的制造方法在不同应用场景下的适用性。
当然，也可以根据实际需求，将隧穿钝化层的厚度和材质设置为其它合适范围和材料，此处不做具体限定。
如图8和图11所示，在隧穿钝化层4的刻蚀延迟作用下，对第一区域2进行湿化学处理。经湿化学处理后第一区域2的表面结构和第二区域3的表面结构不同。
具体来说，上述经湿化学处理后第一区域的表面结构和第二区域的表面结构不同可以是指：经湿化学处理后第一区域和第二区域的表面结构的类型不同。例如：经湿化学处理后第一区域的表面结构形成凸台结构(凸台结构为正金字塔型结构经抛光处理后剩余的正金字塔塔基结构)，第二区域的表面结构形成正金字塔型结构。又例如：经湿化学处理后第一区域的表面结构形成凸台结构，第二区域的表面结构形成倒金字塔型孔洞结构。其中，在经湿化学处理后的第一区域的表面结构的类型与第二区域的表面结构的类型不同的情况下，经湿化学处理后的第一区域的表面结构的尺寸与第二区域的表面结构的尺寸也不相同。应理解，通常通过塔基宽度对表面结构的尺寸进行限定。需要说明的是，如图18所示，倒金字塔型孔洞结构的塔基宽度是指倒金字塔型孔洞的开口处的宽度。
也可以是指：经湿化学处理后第一区域和第二区域的表面结构的尺寸不同。例如：经湿化学处理后第一区域和第二区域的表面结构均形成正金字塔型结构，但是第一区域表面结构对应的塔基宽度小于第二区域表面结构对应的塔基宽度。
在实际的应用过程中，对第一区域进行湿化学处理的溶液类型、浓度和温度等处理条件，以及湿化学处理后第一区域和第二区域的表面结构可以根据所要制造的太阳能电池的种类和实际应用场景设置，此处不做具体限定。其中，因在对第一区域进行湿化学处理前，形成了至少覆盖在第一区域上的隧穿钝化层。基于此，在对第一区域进行湿化学处理的过程中，至少覆盖在第一区域上的隧穿钝化层可以起到刻蚀延迟的作用，降低湿化学处理溶液对第一区域表面的处理程度。由此可见，与现有制造中执行湿化学处理的溶液直接对第一区域的表面进行处理相比，本发明实施例提供的制造方法利于防止在湿化学处理后第一区域的表面被过度处理，使得经湿化学处理后第一区域的表面结构满足预设方案的要求，提高太阳能电池良率。并且，还利于防止经湿化学处理后半导体基底减薄过大，降低半导体基底减薄后出现隐裂的风险，同时还可以增大光半导体基底的传播路径，进而增大光入射半导体基底后被吸收的概率，提高太阳能电池的光电转换效率。
在实际的应用过程中，根据是否对第二区域也进行湿化学处理，对湿化学处理的过程分为以下两种情况进行说明：
第一种：需要对第二区域进行湿化学处理。其中，可以对第一区域和第二区域同时进行湿化学处理，也可以在不同的操作步骤中分别对第一区域和第二区域进行湿化学处理。经湿化学处理后第一区域的表面结构和经湿化学处理后第二区域的表面结构的具体情况，可以根据所要制造的太阳能电池的种类、以及实际需求确定。
优选的，在需要对第二区域进行湿化学处理的情况下，可以对第一区域和第二区域同时进行湿化学处理，以使得第一区域的表面结构形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构，并使得第二区域的表面结构形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。在此情况下，同时对第一区域和第二区域进行湿化学处理可以提高太阳能电池的制造效率，利于提升太阳能电池的量产性。此外，对第一区域和第二区域同时进行湿化学处理后，第一区域的表面和第二区域的表面结构分别具有多种可能的实现方案，利于提高本发明实施例提供的太阳能电池的制造方法在不同应用场景下的适用性。
其中，在上述第一种情况下，若经湿化学处理后，第一区域和第二区域的表面结构的类型相同，则因第一区域上形成有隧穿钝化层，故执行湿化学处理的溶液对第一区域和第二区域的表面的处理程度不同，使得经湿化学处理后第一区域上的表面结构的尺寸不同于第二区域上的表面结构的尺寸。
例如：经湿化学处理后，第一区域和第二区域的表面结构均为凸台结构的情况下，因第一区域上形成有隧穿钝化层，故第一区域上的表面结构的塔基宽度小于第二区域上的表面结构的塔基宽度。
又例如：经湿化学处理后，第一区域和第二区域的表面结构均为正金字塔型结构的情况下，因第一区域上形成有隧穿钝化层，故第一区域上的表面结构的塔基宽度小于第二区域上的表面结构的塔基宽度。
在实际的应用过程中，如图7所示，半导体基底1具有的相对的两面可以均为抛光面。第一区域2整层设置在半导体基底1与背光面对应的一面。隧穿钝化层4仅覆盖在第一区域2上。第二区域3整层设置在半导体基底1与受光面对应的一面、且第二区域3的表面暴露在外。在此情况下，在对第一区域2和第二区域3同时进行湿化学处理，以使得第二区域3的表面结构形成正金字塔型结构。在上述处理过程中，如图8所示，若处理时间较短，则第一区域2的表面结构可以为凸台结构。若处理时间较长，则湿化学处理溶液可以透过隧穿钝化层内的孔洞腐蚀第一区域的表面，从而形成倒金字塔型孔洞结构。而当处理时间继续延长，则隧穿钝化层完全被湿化学处理溶液腐蚀掉。此时，第一区域的表面结构形成正金字塔型结构。其中，经湿化学处理后，若第一区域的表面结构形成正金字塔型结构，则第一区域表面上的正金字塔型结构的塔基宽度小于第二区域表面上的正金字塔型结构的塔基宽度。
或者，如图9所示，半导体基底1具有相对的第一面和第二面。并且，第一区域2和第二区域3均位于第二面上。并且，第二面还具有第三区域16。沿着平行于第二面的方向，第一区域2和第二区域3交替间隔设置。第三区域16介于每个第一区域2和相邻第二区域3之间。隧穿钝化层4至少覆盖在第一区域2上和第三区域16上。基于此，在所制造的太阳能电池为背接触电池的情况下，第二面与太阳能电池的背光面相对应。在形成上述隧穿钝化层4、以及在第二区域3和隧穿钝化层4上形成第一掺杂半导体层7后，需要通过湿化学处理选择性去除第一掺杂半导体层7位于第一区域2和第三区域16上方的部分。其中，在进行湿化学处理过程中，隧穿钝化层4的存在可以对半导体基底位于第一区域2和第三区域16的部分起到刻蚀延迟的作用。其中，若处理时间较短，则第一区域2和第三区域16的表面结构可以为凸台结构。若处理时间较长，则湿化学处理溶液可以透过隧穿钝化层4内的孔洞腐蚀第一区域2和第三区域16的表面，从而形成倒金字塔型孔洞结构。而当处理时间继续延长，则隧穿钝化层4完全被湿化学处理溶液腐蚀掉。此时，第一区域2和第三区域16的表面结构形成正金字塔型结构。其中，经湿化学处理后，若第一区域2和第三区域16的表面结构形成凸台结构，则第一区域2和第三区域16的表面结构的塔基宽度小于第二区域3的表面结构的塔基宽度。
第二种：不需要对第二区域进行湿化学处理。在该情况下，经湿化学处理后第一区域的表面结构可以根据太阳能电池的种类、以及实际需求确定。
作为一种可能的实现方式，如图10所示，上述形成至少覆盖在第一区域2上的隧穿钝化层4的步骤为：形成至少覆盖在第一区域2和第二区域3上的隧穿钝化层4。并且，在形成至少覆盖在第一区域2和第二区域3上的隧穿钝化层4后，对第一区域2进行湿化学处理前，上述太阳能电池的制造方法还包括步骤：形成至少覆盖在隧穿钝化层4对应第二区域3的部分上的第一掺杂半导体层7。另外，第二区域3的表面结构为凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。经湿化学处理后第一区域2的表面结构为凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
采用上述技术方案的情况下，第一掺杂半导体层和隧穿钝化层位于第二区域上的部分可以构成隧穿钝化接触结构。此时，本发明实施例提供的制造方法所制造的太阳能电池为隧穿氧化层钝化接触太阳能电池。其中，上述隧穿钝化接触结构中的隧穿钝化层允许多数载流子隧穿进入第一掺杂半导体层同时阻挡少数载流子通过，进而多数载流子经由第一掺杂半导体层传输并被相应电极收集，降低不同导电类型的载流子在第二区域表面处的复合速率，实现了界面钝化和载流子的选择性收集，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。另外，第二区域的表面结构、以及经湿化学处理后第一区域的表面结构均具有多种可能的实现方案，可以根据不同应用场景的要求，选择合适的实现方案，利于提高本发明实施例提供的太阳能电池的制造方法在不同应用场景下的适用性。
具体的，在该情况下，上述第一区域和第二区域可以位于半导体基底具有的同一面上，也可以位于半导体基底具有的不同面上。
在一种示例中，上述半导体基底可以具有相对的第一面和第二面。沿着平行于第二面的方向，第二面具有交替设置的第一区域和第二区域。第二区域的表面结构为凸台结构。经湿化学处理后第一区域的表面结构为正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。采用上述技术方案的情况下，因正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构均为绒面结构、且绒面结构具有陷光作用，故当具有第一区域的第二面与太阳能电池的受光面对应时，第一区域的表面可以将更多的光线折射至半导体基底内，从而可以进一步提高太阳能电池的光电转换效率。另外，第二区域的表面结构为凸台结构，因凸台结构为正金字塔型结构经抛光处理后剩余的正金字塔塔基结构。正金字塔塔基结构的顶面较为平坦，故表面结构为凸台结构的第二区域的表面为平坦的抛光面，利于提高隧穿钝化层和第一掺杂半导体层在第二区域上的成膜质量，进而利于使得由隧穿钝化层和第一掺杂半导体层位于第二区域上的部分所构成的隧穿钝化接触结构具有优异的界面钝化和载流子选择性收集特性。
在另一种示例中，当第一区域和第二区域位于半导体基底具有的不同面上时，若第一区域设置在半导体基底与受光面相对的一面，则经湿化学处理后第一区域的表面结构可以为正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构，以使得第一区域的表面可以将更多的光线折射至半导体基底内。此时，第二区域的表面结构可以为凸台结构或倒金字塔型孔洞结构。其中，当第二区域的表面结构为凸台结构时，第二区域的表面可以将更多的光线反射至半导体基底内，以被导体基底重新利用。另外，因在第二区域的范围一定时倒金字塔绒面的总表面积大于抛光面的总表面积，故当第二区域的表面结构为倒金字塔型孔洞结构时可以增大形成在第二区域上的第一掺杂半导体层与第二区域之间的接触面积，利于降低第二区域的界面电阻。
在又一种示例中，当第一区域和第二区域位于半导体基底具有的不同面上时，若第一区域设置在半导体基底与背光面相对的一面，则经湿化学处理后第一区域的表面结构可以为凸台结构或倒金字塔型孔洞结构。第二区域的表面结构可以为凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。该情况下具有的有益效果可以参考上述有益效果分析，此处不再赘述。
至于上述第一掺杂半导体层来说，该第一掺杂半导体层的导电类型和掺杂浓度可以根据实际需求进行设置，只要能够应用至本发明实施例提供的太阳能电池的制造方法中均可。例如：第一掺杂半导体层可以为掺杂有磷等N型导电粒子的N型半导体层。又例如：第一掺杂半导体层为P型半导体层。第一掺杂半导体层的导电类型可以与半导体基底的导电类型相同，也可以相反。
此外，从物质的内部排列形式方面来讲，第一掺杂半导体层可以为非晶、微晶、单晶、多晶、纳米晶等。从具有的材料方面来讲，第一掺杂半导体层材质可以硅、锗硅、锗、掺杂碳化硅、砷化镓等半导体材料。从钝化方面来讲，第一掺杂半导体层可以为氢化掺杂层。至于第一掺杂半导体层的厚度可以根据实际需求进行设置，此处不做具体限定。例如：第一掺杂半导体层的厚度可以为20nm至600nm。
至于第一掺杂半导体层的形成范围，如图10所示，第一掺杂半导体层7可以仅形成在隧穿钝化层4对应第二区域3的部分上。或者，如图12所示，第一掺杂半导体层7还可以整层覆盖在隧穿钝化层4上。
作为一种可能的实现方式，上述半导体基底具有相对的第一面和第二面。沿着平行于第二面的方向，第二面具有交替设置的第一区域和第二区域。在此情况下，上述形成至少覆盖在第一区域上的隧穿钝化层为：形成至少覆盖在第一区域和第二区域上的隧穿钝化层。并且，经湿化学处理后第一区域的表面结构为凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。经湿化学处理后第二区域结构的表面为凸台结构。
具体的，从钝化方面来讲，该情况下对应的太阳能电池可以为隧穿氧化层钝化接触太阳能电池。基于此，在形成至少覆盖在第一区域和第二区域上的隧穿钝化层后，对第一区域进行湿化学处理前，上述太阳能电池的制造方法还包括：形成至少覆盖在隧穿钝化层对应第二区域的部分上的第一掺杂半导体层。其中，第一掺杂半导体层和隧穿钝化层位于第二区域上的部分构成隧穿氧化层钝化接触太阳能电池所包括的隧穿钝化接触结构。此时，经湿化学处理后第一区域的表面结构、以及第二区域的表面结构可以参考前文，此处不再赘述。
另外，从电极的形成位置方面来讲，该情况对应的太阳能电池可以为双面接触电池，也可以为背接触电池。在实际应用中，双面接触电池包括的半导体基底具有分别与导电类型相反的两个电极对应的第一电极区和第二电极区。基于此，当该情况对应的太阳能电池为双面接触电池时，上述第一电极区可以整层或局部设置在半导体基底具有的第一面。上述第二电极区设置在第二面具有的第二区域处。
再者，在该请况下，若太阳能电池的第一面也需要进行湿化学处理时，可以同时对第一面和第一区域进行湿化学处理，也可以在不同的操作步骤中分别对第一面和第一区域进行湿化学处理。
优选的，对第一面和第一区域同时进行湿化学处理，以使得第一面的表面结构和第一区域的表面结构不同。在此情况下，同时对第一面和第一区域进行湿化学处理可以提高太阳能电池的制造效率，利于提高太阳能电池的量产性。
在实际的应用过程中，根据太阳能电池所包括的电极在半导体基底上的形成位置的不同，可以将对第一面和第一区域同时进行湿化学处理的结果细分为以下两种情况进行说明：
在一种示例中，如图11所示，在所制造的太阳能电池为双面接触电池的情况下，对第一面5和第一区域2同时进行湿化学处理，以使得第一面5的表面结构形成凸台结构，并使得第一区域2的表面结构形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
在实际的应用过程中，经湿化学处理后的第一面的表面结构为凸台结构时，第一面为平坦的抛光面。因抛光面具有相对良好的反射特性。并且，经湿化学处理后第一面的表面结构形成凸台结构，故当第一面与双面接触电池的背光面对应时，光线到达第一面后可以至少部分被反射回半导体基底内，被半导体基底重新利用，进一步提高双面接触电池的光电转换效率。此时，第二面与双面接触电池的受光面对应。具体的，经湿化学处理后，第一区域的表面结构可以根据实际需求进行设置。其中，当经湿化学处理后第一区域的表面结构为凸台结构时，第一区域的表面较为平坦，可以提高形成在第一区域上的钝化减反层的致密性，进而提高钝化减反层对第一区域表面的钝化效果，进一步提升双面太阳能电池的光电转换效率。而当经湿化学处理后第一区域的表面结构为正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构时，更多的光线可以经由第一区域的表面折射至半导体基底内，进一步提高双面接触电池的光电转换效率。由此可见，可以根据不同应用场景的要求，确定经湿化学处理后第一区域的表面结构。
示例性的，如图11所示，上述第一面5上形成的表面结构的塔基宽度大于第一区域2上形成的表面结构的塔基宽度。在此情况下，因凸台结构对应的塔基宽度分别大于正金字塔型结构和倒金字塔型孔洞结构对应的塔基宽度，故在第一面5的表面结构为凸台结构、且第一面5上形成的表面结构的塔基宽度大于第一区域2上形成的表面结构的塔基宽度的情况下，经湿化学处理后第一区域2的表面结构形成正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。此时，将第二面6与双面接触电池的受光面对应，第一区域2处的正金字塔型结构和倒金字塔型孔洞结构可以使得更多的光线折射至半导体基底1内。
在另一种示例中，如图16至图19所示，在所制造的太阳能电池为背接触电池的情况下，对第一面5和第一区域2同时进行湿化学处理，以使得第一面5的表面结构形成正金字塔型结构，并使得第一区域2的表面结构形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
在实际的应用过程中，在该情况下，提供一半导体基底后，对第一区域进行湿化学处理前，上述太阳能电池的制造方法可以包括步骤：如图12所示，依次形成整层设置在第二面6上的隧穿钝化层4和第一掺杂半导体层7。如图15所示，对第一掺杂半导体层7进行图案化处理，仅保留第一掺杂半导体层7位于第二区域3上的部分。
具体来说，如图12所示，可以通过原子层沉积或等离子增强化学气相沉积等工艺依次形成整层覆盖在第二面上的隧穿钝化层4和第一掺杂半导体层7。接着，如图13和图14所示，在第一掺杂半导体层7位于第二区域3上方的部分上形成掩膜层8。该掩膜层8可以为光刻胶层、氮化硅层或氧化硅层等与第一掺杂半导体层7之间具有一定刻蚀选择比的膜层。掩膜层8的形成工艺可以根据掩膜层8的材质所确定，此处不做具体限定。最后，如图15所示，在掩膜层8的掩膜作用下，可以采用激光刻蚀工艺、等离子刻蚀工艺或湿化学处理等工艺对第一掺杂半导体层7进行图案化处理。其中，可以在采用湿化学处理工艺对第一掺杂半导体层7进行图案化处理的情况下，可以采用相同的处理溶液在进行上述图案化处理后，直接对第一区域2进行处理。
采用上述技术方案的情况下，在所制造的太阳能电池为背结电池的情况下，因第一掺杂半导体层位于半导体基底具有的第二面一侧，故半导体基底的第二面与背接触电池的背光面对应。半导体基底的第一面与背接触电池的受光面对应。在此情况下，经湿化学处理后，表面结构为正金字塔型结构的第一面可以将更多的光线由第一面折射至半导体基底内，进一步提高背接触电池的光电转换效率。并且，在湿化学处理后，位于第二面上的第一区域的表面结构可以形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构中的任一种，以提高本发明实施例提供的制造方法对不同应用场景的适用性。具体的，可以根据不同应用场景的要求，确定经湿化学处理后第一区域的表面结构。
示例性的，如图16所示，上述第一面5上形成的表面结构的塔基宽度小于第一区域2上形成的表面结构的塔基宽度。在此情况下，如前文所述，因正金字塔型结构和倒金字塔型孔洞结构对应的塔基宽度均小于凸台结构对应的塔基宽度，故在第一面5的表面结构为正金字塔型结构、且第一面5上形成的表面结构的塔基宽度小于第一区域2上形成的表面结构的塔基宽度的情况下，经湿化学处理后第一区域2的表面结构为凸台结构。此时，将第二面6与背接触电池的背光面对应，第一区域2的表面可以将至少部分光线反射回半导体基底1内，进一步提高背接触电池的光电转换效率。
在一种示例中，如图16至图19所示，在上述太阳能电池为背接触电池的情况下，第二区域3上形成的表面结构的塔基宽度不同于经湿化学处理后第一区域2上设置的表面结构的塔基宽度。在此情况下，第二区域3上设置的表面结构与经湿化学处理后第一区域2上设置的表面结构的类型可以相同，也可以不同。
例如：第二区域的表面结构为凸台结构、且经湿化学处理后第一区域的表面结构也为凸台结构的情况下，第一区域表面上设置的凸台结构的塔基宽度不同于经湿化学处理后第二区域上设置的凸台结构的塔基宽度。
又例如：第二区域的表面结构为凸台结构、且经湿化学处理后第一区域的表面为倒金字塔型孔洞结构的情况下，第二区域表面上设置的凸台结构的塔基宽度大于经湿化学处理后第一区域上的倒金字塔型孔洞结构的塔基宽度。
采用上述技术方案的情况下，可以通过第二区域上设置的表面结构的塔基宽度与经湿化学处理后第一区域形成上的表面结构的塔基宽度的差异，将第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)的具体形成位置区分开，使得第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)之间具有更高的可分辨性，从而能够降低在第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)上分别准确设置与其极性相同的电极的难度，进而降低导电类型相反的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层(或掺杂区)通过电极耦合而导致背接触电池短路的风险，提高背接触电池的电学稳定性。
在一种示例中，如图19至图21所示，在上述第二种情况、且所制造的太阳能电池为背接触电池的情况下，经湿化学处理后第一区域2的表面相对于第二区域3的表面向半导体基底1内凹入。在此情况下，因背接触电池中掺杂类型相反的第一掺杂半导体层7和第二掺杂半导体层12(或掺杂区11)分别形成在第二区域3和第一区域2上(或第一区域2内)，故在经湿化学处理后第一区域2的表面相对于第二区域3的表面向半导体基底1内凹入的情况下，沿着半导体基底1的厚度方向，第一掺杂半导体层7可以至少与部分第二掺杂半导体层12错开(或者第一掺杂半导体层7可以完全与掺杂区11错开)，利于防止第一掺杂半导体层7和第二掺杂半导体层12(或掺杂区11)之间产生漏电。
具体的，经湿化学处理后第一区域的表面相对于第二区域的表面向半导体基底内凹入的深度可以根据实际需求设置，只要能够应用至本发明实施例提供的太阳能电池的制造方法中均可。例如：经湿化学处理后第一区域的表面相对于第二区域的表面向半导体基底内凹入0.5μm至8μm。
在一种示例中，如图19至图21所示，在上述第二种情况、且所制造的太阳能电池为背接触电池的情况下，上述第二面6设置有中间区域9、以及自中间区域9向外延伸的边缘隔离区域10。第一区域2和第二区域3位于中间区域9内。经湿化学处理后边缘隔离区域10的表面相对于第二区域3的表面向半导体基底内凹入。在此情况下，在实际的制造背接触电池包括的掺杂类型相反的第一掺杂半导体层7和第二掺杂半导体层12(或掺杂区11)的过程中，第一掺杂半导体层7和第二掺杂半导体层12(或掺杂区11)中的一者的掺杂元素也会掺杂至半导体基底1的侧面。基于此，经湿化学处理后边缘隔离区域10的表面相对于第二区域3的表面向半导体基底内凹入，从而可以将第一掺杂半导体层7和第二掺杂半导体层12(或掺杂区11)中的另一者通过边缘隔离区域10与半导体基底1的侧面隔离开，防止第一掺杂半导体层7和第二掺杂半导体层12(或掺杂区11)中的另一者与半导体基底1的侧面之间产生漏电，提高背接触电池的光电转换效率。
具体的，经湿化学处理后边缘隔离区域的表面相对于第二区域的表面向半导体基底内凹入的深度可以根据实际需求设置，只要能够应用至本发明实施例提供的太阳能电池的制造方法中均可。例如：经湿化学处理后边缘隔离区域的表面相对于第二区域的表面向半导体基底内凹入0.5μm至8μm。
在一种示例中，在上述第二种情况、且所制造的太阳能电池为背接触电池的情况下，对第一区域进行湿化学处理后，太阳能电池的制造方法还包括步骤：如图20所示，在第一区域2内形成掺杂区11，掺杂区11与第一掺杂半导体层7的导电类型相反。或，如图21所示，在第一区域2上形成第二掺杂半导体层12。第二掺杂半导体层12与第一掺杂半导体层7的导电类型相反。
在实际的应用过程中，当需要在第一区域内形成掺杂区的情况下，可以在相应掩膜层的掩膜作用下，采用等离子体注入、扩散等工艺形成上述掺杂区。当需要在第一区域上形成第二掺杂半导体层的情况下，可以采用化学气相沉积等工艺，形成覆盖在第一掺杂半导体层和第一区域上的本征半导体层。然后，可以采用等离子体注入或扩散等工艺对本征半导体层进行掺杂处理，获得第二掺杂半导体材料层。最后，选择性去除第二掺杂半导体材料层位于第一掺杂半导体层上的部分，获得第二掺杂半导体层。
其中，当所制造的太阳能电池上述第二掺杂半导体层的情况下，在形成第二掺杂半导体层前，可以采用原子层沉积等工艺形成覆盖在第一区域和第一掺杂半导体层上的隧穿层。如图22所示，在形成第二掺杂半导体层12后，可以至少在第二掺杂半导体层12的掩膜作用下对该隧穿层进行图案化处理，至少保留隧穿层位于半导体基底1与第二掺杂半导体层12之间的部分。
在形成上述掺杂区或者第二掺杂半导体层后，若背接触电池不包括其它膜层的情况下，可以采用丝网印刷等工艺，分别形成与掺杂区(或第二掺杂半导体层)欧姆接触的第一电极、以及与第一掺杂半导体层欧姆接触的第二电极，获得背接触电池。
在其它情况下，在形成上述掺杂区或者第二掺杂半导体层后，还可以在半导体基底具有的第二面一侧形成表面钝化层，以对第一掺杂半导体层和掺杂区(或第二掺杂半导体层)背离半导体基底的一侧进行钝化，降低第一掺杂半导体层和掺杂区背离半导体基底的一侧的载流子复合速率，进一步提高背接触电池的光电转换效率。
具体的，在所制造的太阳能电池包括上述掺杂区的情况下，在第一区域内形成掺杂区后，上述太阳能电池的制造方法还包括步骤：形成至少覆盖在第一掺杂半导体层和掺杂区上的表面钝化层。
或者，在所制造的太阳能电池包括上述第二掺杂半导体层的情况下，在第一区域上形成第二掺杂半导体层后，上述太阳能电池的制造方法还包括步骤：形成至少覆盖在第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层上的表面钝化层。
在实际的应用过程中，可以采用化学气相沉积等工艺形成上述表面钝化层。该表面钝化层的厚度和材质可以根据实际需求进行设置，此处不做具体限定。例如：表面钝化层的材质可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种。此外，如图26所示，在形成该表面钝化层13后可以采用丝网印刷等工艺，分别形成与掺杂区11(或第二掺杂半导体层12)欧姆接触的第一电极14、以及与第一掺杂半导体层7欧姆接触的第二电极15，获得背接触电池。
在一种示例中，在所制造的太阳能电池包括上述掺杂区的情况下，对第一区域进行湿化学处理后，在第一区域内形成掺杂区前，上述太阳能电池的制造方法还包括步骤：如图23所示，形成至少覆盖在第一区域2和第一掺杂半导体层7上的表面钝化层13。如图24所示，形成贯穿表面钝化层13的第一电极14。第一电极14的底部与第一区域2接触。如图25所示，上述在第一区域2内形成掺杂区11为：以第一电极14为掺杂源在第一区域2内形成掺杂区11。
在实际的应用过程中，可以采用前文所述工艺形成覆盖在第一区域和第一掺杂半导体层上的表面钝化层。该表面钝化层的材质和厚度可以参考前文。接着可以采用激光刻蚀或等离子刻蚀等工艺在表面钝化层与第一区域的接触处开设电极窗口。然后可以采用丝网印刷等工艺形成通过电极窗口贯穿表面钝化层的第一电极。该第一电极的材质可以根据掺杂区的掺杂类型确定。例如：在掺杂区为N型掺杂区的情况下，第一电极的材质可以为锑。又例如：在掺杂区为P型掺杂区的情况下，第一电极的材质可以为铝、镓或铟。最后，可以采用烧结等方式对第一电极进行热处理，从而实现以第一电极为掺杂源在第一区域内形成掺杂区。
需要说明的是，在该情况下，可以在形成第一电极的同时，或者与第一电极在不同的步骤中形成第二电极。该第二电极与第一掺杂半导体层欧姆接触。
采用上述技术方案的情况下，表面钝化层可以对第一区域的表面、以及对第一掺杂半导体层背离半导体基底的一侧进行钝化，降低第一区域表面和第一掺杂半导体层背离半导体基底的一侧的载流子复合速率。此外，以贯穿表面钝化层的第一电极为掺杂源可以仅在第一区域与第一电极相接触的一定范围内形成掺杂区，防止掺杂区和第一掺杂半导体层接触而出现漏电。同时，还可以节省为仅在第一区域内形成掺杂区而形成掩膜层的工序，简化背接触电池的制造过程。
在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。本公开的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。

Claims (19)

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体基底，所述半导体基底具有第一区域和第二区域；
形成至少覆盖在第一区域上的隧穿钝化层；
在所述隧穿钝化层的刻蚀延迟作用下，对所述第一区域进行湿化学处理；经所述湿化学处理后所述第一区域的表面结构和所述第二区域的表面结构不同。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述隧穿钝化层的厚度为1.4nm至1.8nm；
和/或，所述隧穿钝化层的材质为氧化硅、氧化铝、氧化钛、二氧化铪、氧化镓、五氧化二钽、五氧化铌、氮化硅、碳氮化硅、氮化铝、氮化钛或氮碳化钛。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，对所述第一区域和所述第二区域同时进行所述湿化学处理，以使得所述第一区域的表面结构形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构，并使得所述第二区域的表面结构形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述形成至少覆盖在第一区域上的隧穿钝化层为：形成至少覆盖在所述第一区域和所述第二区域上的所述隧穿钝化层；
所述形成至少覆盖在所述第一区域和所述第二区域上的所述隧穿钝化层后，所述对所述第一区域进行湿化学处理前，所述太阳能电池的制造方法还包括：形成至少覆盖在所述隧穿钝化层对应所述第二区域的部分上的第一掺杂半导体层；
所述第二区域的表面结构为凸台结构；经湿化学处理后所述第一区域的表面结构为凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述半导体基底具有相对的第一面和第二面；沿着平行于所述第二面的方向，所述第二面具有交替设置的所述第一区域和所述第二区域；
所述形成至少覆盖在第一区域上的隧穿钝化层为：形成至少覆盖在所述第一区域和所述第二区域上的所述隧穿钝化层；
经所述湿化学处理后所述第一区域的表面结构为凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构；经所述湿化学处理后所述第二区域的表面结构为凸台结构。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述形成至少覆盖在所述第一区域和所述第二区域上的隧穿钝化层后，所述对所述第一区域进行湿化学处理前，所述太阳能电池的制造方法还包括：形成至少覆盖在所述隧穿钝化层对应所述第二区域的部分上的第一掺杂半导体层。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，经所述湿化学处理后所述第一区域的表面结构为正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
8.根据权利要求5～7任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，对所述第一面和所述第一区域同时进行湿化学处理，以使得所述第一面的表面结构和所述第一区域的表面结构不同。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述太阳能电池为双面接触电池；
对所述第一面和所述第一区域同时进行湿化学处理，以使得所述第一面的表面结构形成凸台结构，并使得所述第一区域的表面结构形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一面上形成的表面结构的塔基宽度大于所述第一区域上形成的表面结构的塔基宽度。
11.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述太阳能电池为背接触电池；
对所述第一面和所述第一区域同时进行湿化学处理，以使得第一面的表面结构形成正金字塔型结构，并使得所述第一区域的表面结构形成凸台结构、正金字塔型结构或倒金字塔型孔洞结构。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一面上设置的表面结构的塔基宽度小于所述第一区域上形成的表面结构的塔基宽度。
13.根据权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述太阳能电池为背接触电池；
所述第二区域上形成的表面结构的塔基宽度不同于经所述湿化学处理后所述第一区域上形成的表面结构的塔基宽度。
14.根据权利要求11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述提供一半导体基底后，对所述第一区域进行湿化学处理前，所述太阳能电池的制造方法包括：
依次形成整层设置在所述第二面上的所述隧穿钝化层和所述第一掺杂半导体层；
对所述第一掺杂半导体层进行图案化处理，仅保留所述第一掺杂半导体层位于所述第二区域上的部分。
15.根据权利要求11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，经所述湿化学处理后所述第一区域的表面相对于所述第二区域的表面向所述半导体基底内凹入。
16.根据权利要求11～15任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第二面设置有中间区域、以及自所述中间区域向外延伸的边缘隔离区域；所述第一区域和所述第二区域位于所述中间区域内；
经所述湿化学处理后所述边缘隔离区域的表面相对于所述第二区域的表面向所述半导体基底内凹入。
17.根据权利要求11～15任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述对所述第一区域进行湿化学处理后，所述太阳能电池的制造方法还包括：
在所述第一区域内形成掺杂区，所述掺杂区与所述第一掺杂半导体层的导电类型相反；
或，在所述第一区域上形成第二掺杂半导体层；所述第二掺杂半导体层与所述第一掺杂半导体层的导电类型相反。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述在所述第一区域内形成掺杂区后，所述太阳能电池的制造方法还包括：形成至少覆盖在所述第一掺杂半导体层和所述掺杂区上的表面钝化层；
或，所述在所述第一区域上形成第二掺杂半导体层后，所述太阳能电池的制造方法还包括：形成至少覆盖在所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层上的表面钝化层。
19.根据权利要求17所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述对所述第一区域进行湿化学处理后，所述在所述第一区域内形成掺杂区前，所述太阳能电池的制造方法还包括：
形成至少覆盖在所述第一区域和所述第一掺杂半导体层上的表面钝化层；
形成贯穿所述表面钝化层的第一电极；所述第一电极的底部与所述第一区域接触；
所述在所述第一区域内形成掺杂区为：以所述第一电极为掺杂源在所述第一区域内形成所述掺杂区。
CN202211007498.5A 2022-08-22 2022-08-22 一种太阳能电池的制造方法 Pending CN115566099A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211007498.5A CN115566099A (zh) 2022-08-22 2022-08-22 一种太阳能电池的制造方法
PCT/CN2023/100863 WO2024041126A1 (zh) 2022-08-22 2023-06-16 一种太阳能电池及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211007498.5A CN115566099A (zh) 2022-08-22 2022-08-22 一种太阳能电池的制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115566099A true CN115566099A (zh) 2023-01-03

Family

ID=84738503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211007498.5A Pending CN115566099A (zh) 2022-08-22 2022-08-22 一种太阳能电池的制造方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN115566099A (zh)
WO (1) WO2024041126A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117497626A (zh) * 2023-12-14 2024-02-02 天合光能股份有限公司 太阳能电池和太阳能电池的制造方法
WO2024041126A1 (zh) * 2022-08-22 2024-02-29 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013149773A (ja) * 2012-01-19 2013-08-01 Sharp Corp 薄膜化合物太陽電池の製造方法
CN111628049A (zh) * 2020-06-11 2020-09-04 常州时创能源股份有限公司 实现空穴局部钝化接触的方法、晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN111628050B (zh) * 2020-06-11 2021-08-03 常州时创能源股份有限公司 实现电子局部钝化接触的方法、晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN114171643A (zh) * 2021-12-02 2022-03-11 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 选择性制绒异质结太阳能电池的制造方法
CN114843368B (zh) * 2022-04-29 2024-03-29 通威太阳能（成都）有限公司 太阳电池及其制备方法和应用
CN115566099A (zh) * 2022-08-22 2023-01-03 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池的制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024041126A1 (zh) * 2022-08-22 2024-02-29 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制造方法
CN117497626A (zh) * 2023-12-14 2024-02-02 天合光能股份有限公司 太阳能电池和太阳能电池的制造方法
CN117497626B (zh) * 2023-12-14 2024-04-23 天合光能股份有限公司 太阳能电池和太阳能电池的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2024041126A1 (zh) 2024-02-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113284961B (zh) 一种太阳能电池及其钝化接触结构、电池组件及光伏系统
JP6059173B2 (ja) 太陽電池
CN110828583B (zh) 正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法
CN115566099A (zh) 一种太阳能电池的制造方法
US20100288346A1 (en) Configurations and methods to manufacture solar cell device with larger capture cross section and higher optical utilization efficiency
CN110610998A (zh) 一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法
NL2034302B1 (en) Solar cell and photovoltaic module
JP7406666B2 (ja) 太陽電池およびその製造方法、光起電力モジュール
JP2024509329A (ja) 選択的接触領域埋込型太陽電池及びその裏面接触構造
JP2024511224A (ja) 選択的接触領域埋込型太陽電池及びその裏面接触構造
CN116722051A (zh) 太阳能电池及制备方法、光伏组件
CN117059681B (zh) 太阳能电池及其制造方法、光伏组件
CN117637875A (zh) 一种背接触电池及其制造方法
CN218975458U (zh) 一种背接触电池
NL2034299B1 (en) Solar cell and photovoltaic module
JP7453283B2 (ja) 半導体基板、太陽電池及び太陽光発電モジュール
KR101198438B1 (ko) 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
KR101237556B1 (ko) 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지
CN116190483A (zh) 一种背接触异质结太阳能电池及其制造方法
KR20150029203A (ko) 태양 전지
KR102132741B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
CN218975459U (zh) 一种背接触电池及光伏组件
CN218957742U (zh) 一种背接触太阳能电池及光伏组件
CN117637874B (zh) 一种背接触电池及其制造方法
CN210668389U (zh) 一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination