JP2013149773A - 薄膜化合物太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】サイズが大きい基板であっても犠牲層のエッチングレートが低下することなく短時間でエッチングでき、大量生産に適した薄膜化合物太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に犠牲層3を形成し、犠牲層上に化合物半導体層を形成し、化合物半導体層の一部をエッチングにより除去することにより犠牲層を部分的に露出させ、裏面電極10を形成し、穴11aと裏面絶縁膜11を形成し、穴を通してエッチャントを供給して犠牲層を除去することにより化合物半導体層から基板を剥離し、化合物半導体層の裏面絶縁膜側に粘着シートを貼り合わせた後に補強基板を貼り合わせ、基板を剥離した後の太陽電池セル領域表面に構成されたエッチングストップ層4を除去し、化合物半導体層を構成する第1コンタクト層5をパターニングし、パターニングされた第1コンタクト層上に表面電極を形成し、補強基板および粘着シートを剥離する。
【選択図】図6
【解決手段】基板1上に犠牲層3を形成し、犠牲層上に化合物半導体層を形成し、化合物半導体層の一部をエッチングにより除去することにより犠牲層を部分的に露出させ、裏面電極10を形成し、穴11aと裏面絶縁膜11を形成し、穴を通してエッチャントを供給して犠牲層を除去することにより化合物半導体層から基板を剥離し、化合物半導体層の裏面絶縁膜側に粘着シートを貼り合わせた後に補強基板を貼り合わせ、基板を剥離した後の太陽電池セル領域表面に構成されたエッチングストップ層4を除去し、化合物半導体層を構成する第1コンタクト層5をパターニングし、パターニングされた第1コンタクト層上に表面電極を形成し、補強基板および粘着シートを剥離する。
【選択図】図6
Description
本発明は、薄膜化合物太陽電池の製造方法に関し、特に、1以上のpn接合が形成された化合物半導体層を有する薄膜化合物太陽電池の製造方法に関する。
従来の薄膜化合物太陽電池は、以下のようにして製造される。図15〜図21は、従来の薄膜化合物太陽電池の製造方法の各工程を示す模式的な断面図である。
まず、図15に示されるように、基板101上に、化合物半導体層120としてバッファ層102、エッチングストップ層103、第1コンタクト層104、エミッタ層105、ベース層106、および第2コンタクト層107をこの順に積層する。このようにして形成される各層のうち、第1コンタクト層104、エミッタ層105、ベース層106、第2コンタクト層107が最終的に太陽電池を構成する層となる。
次に、図16に示されるように、第2コンタクト層107の全面に裏面電極108を形成する。そして、図17に示されるように、裏面電極108上に裏面絶縁膜109を形成した後、図18のように両面粘着型の粘着シート110を貼り合わせ、さらに補強基板111としてガラス基板を貼り合わせる。
そして、図19に示されるように、基板101、バッファ層102およびエッチングストップ層103をエッチングにより除去し、第1コンタクト層104を露出させる。次に、図20に示すように第1コンタクト層104をパターニングした後、セルの領域を確定し、さらにセルを電気的に分離するためのメサエッチングを行なう。そして最後に、図21のようにパターニングされた第1コンタクト層104上に表面電極112を形成することにより、セル化を行なう。
このように従来の薄膜化合物太陽電池の製造方法は、基板をエッチングにより除去していたため、基板の厚みが厚みほど製造コストが高くなるという問題があった。このような問題を解決するための手法として、エピタキシャルリフトオフと呼ばれる技術がある。
エピタキシャルリフトオフとは、基板と化合物半導体層との間にAlAsからなる犠牲層を作製し、かかる犠牲層をエッチャントによって除去することにより、基板と化合物半導体層とを分割するというものである。たとえば、特許文献1、特許文献2および非特許文献1には、エピタキシャルリフトオフにより基板と化合物半導体層とを分割する方法が開示されている。
J. J. Schermer et al., Physica Status Solid (a) 202, No.4,p.501−508 (2005)
特許文献1に記載のエピタキシャルリフトオフは、AlAsからなる犠牲層にエッチャントが染み込むための領域が非常に狭い。このため、犠牲層のエッチングが進行して犠牲層の中心部にいくにつれて新鮮なエッチャントが犠牲層の側面に行渡りにくくなり、特にウエハの中心部ではエッチングレートが極端に遅くなる。
したがって、ウエハのサイズが大きくなると、基板と化合物半導体層とを分割するための時間が相当長くなるという問題がある。しかも、一度犠牲層によって分割した基板が、化合物半導体層と接触すると、接触した箇所が付着して剥離できないという問題もあった。
また、非特許文献1には、化合物半導体層にフィルムを貼り付け、かかるフィルムに錘を取り付けることにより、犠牲層の界面に強制的に隙間を形成した上でエピタキシャルリフトオフをする技術が開示されている。このように錘付のフィルムを化合物半導体層に貼り付けることにより、エッチャントが犠牲層の側面に染み込みやすくなる。
しかしながら、非特許文献1のエピタキシャルリフトオフでは、犠牲層のエッチングが進むと化合物半導体層が割れるという問題があった。この原因はおそらく、エッチングが進んだときに犠牲層にかかる応力が大きくなることによるものと考えられる。すなわち、エッチングの前後で錘や化合物半導体層の自重は常に一定であるが、犠牲層がエッチングによ側面から除去されるにつれて、犠牲層の断面積は徐々に小さくなるため、犠牲層にかかる単位面積あたりの応力は徐々に増加し、この応力に耐えられなくなったときに化合物半導体層が割れるものと推察される。
特許文献2に開示されるエピタキシャルリフトオフも、化合物半導体層の自重により、犠牲層に隙間を作り、もってその隙間からエッチャントを染み込ませるというものである。しかし、上述の非特許文献1と同様の理由により、化合物半導体層が割れやすいという問題があった。
また、特許文献1、2のいずれのエピタキシャルリフトオフも、化合物半導体層を水平にしてエッチングを行なう必要があることから、量産するには広い場所を必要とし、大量生産には適していなかった。
本発明は、上記のような現状に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、サイズが大きい基板であっても、犠牲層のエッチングレートが低下することなく短時間でエッチングでき、しかも大量生産に適した薄膜化合物太陽電池の製造方法を提供することである。
本発明は、基板上に、直接または他の層を介してエッチャントを用いて除去することのできる犠牲層を形成し、上記犠牲層上に1以上のpn接合を有する化合物半導体層を形成するステップと、
上記化合物半導体層の太陽電池セルとなる領域以外の領域の少なくとも一部をエッチングにより除去することにより、上記犠牲層を部分的に露出させるステップと、
上記化合物半導体層上の領域に裏面電極を形成するステップと、
上記化合物半導体層上の領域と、上記犠牲層の露出した領域とに、上記犠牲層にエッチャントを供給するための穴を有するように、耐熱性のある裏面絶縁膜を形成するステップと、
上記穴を通してエッチャントを上記犠牲層に供給し、上記犠牲層を除去することにより、上記化合物半導体層から上記基板を剥離するステップと、
上記基板が剥離された上記化合物半導体層の上記裏面絶縁膜側に補強材を貼り合わせ、さらに補強基板を貼り合わせるステップと、
上記基板を剥離した後の太陽電池セル領域表面に構成されたエッチングストップ層を除去するステップと、
上記化合物半導体層を構成する第1コンタクト層をパターニングするステップと、
パターニングされた上記第1コンタクト層上に表面電極を形成するステップと、
上記補強基板および上記補強材を剥離するステップとを含む、薄膜化合物太陽電池の製造方法である。
上記化合物半導体層の太陽電池セルとなる領域以外の領域の少なくとも一部をエッチングにより除去することにより、上記犠牲層を部分的に露出させるステップと、
上記化合物半導体層上の領域に裏面電極を形成するステップと、
上記化合物半導体層上の領域と、上記犠牲層の露出した領域とに、上記犠牲層にエッチャントを供給するための穴を有するように、耐熱性のある裏面絶縁膜を形成するステップと、
上記穴を通してエッチャントを上記犠牲層に供給し、上記犠牲層を除去することにより、上記化合物半導体層から上記基板を剥離するステップと、
上記基板が剥離された上記化合物半導体層の上記裏面絶縁膜側に補強材を貼り合わせ、さらに補強基板を貼り合わせるステップと、
上記基板を剥離した後の太陽電池セル領域表面に構成されたエッチングストップ層を除去するステップと、
上記化合物半導体層を構成する第1コンタクト層をパターニングするステップと、
パターニングされた上記第1コンタクト層上に表面電極を形成するステップと、
上記補強基板および上記補強材を剥離するステップとを含む、薄膜化合物太陽電池の製造方法である。
上記裏面絶縁膜を形成するステップにおいて、
上記裏面絶縁膜は、上記犠牲層の外周部上には形成されないことが好ましい。
上記裏面絶縁膜は、上記犠牲層の外周部上には形成されないことが好ましい。
上記裏面絶縁膜は、感光基を有する感光性材料から構成されることが好ましい。上記感光性材料は感光性ポリイミドであることが好ましい。
上記裏面絶縁膜を形成するステップにおいて、
上記化合物半導体層上の領域の全部と、上記犠牲層の露出した領域の少なくとも一部とに、樹脂状の上記感光性材料を塗布した後にプリベークを行い、
レジストを用いてフォトプロセスによりパターニングした後、エッチャントで不要部分の上記感光性材料を除去し、最後に本硬化させることにより上記裏面絶縁膜が形成されることが好ましい。
上記化合物半導体層上の領域の全部と、上記犠牲層の露出した領域の少なくとも一部とに、樹脂状の上記感光性材料を塗布した後にプリベークを行い、
レジストを用いてフォトプロセスによりパターニングした後、エッチャントで不要部分の上記感光性材料を除去し、最後に本硬化させることにより上記裏面絶縁膜が形成されることが好ましい。
上記裏面絶縁膜を形成するステップにおいて、
上記犠牲層の露出した領域のうち、上記犠牲層の外周部上には上記感光性材料を塗布しないことが好ましい。
上記犠牲層の露出した領域のうち、上記犠牲層の外周部上には上記感光性材料を塗布しないことが好ましい。
上記裏面絶縁膜を形成するステップにおいて、
上記化合物半導体層上の領域の全部と、上記犠牲層の露出した領域の少なくとも一部とに、耐熱性のある裏面絶縁膜を形成した後に、
この形成された上記裏面絶縁膜をパターニングすることが好ましい。
上記化合物半導体層上の領域の全部と、上記犠牲層の露出した領域の少なくとも一部とに、耐熱性のある裏面絶縁膜を形成した後に、
この形成された上記裏面絶縁膜をパターニングすることが好ましい。
上記裏面絶縁膜を形成するステップにおいて、
上記犠牲層の露出した領域のうち、上記犠牲層の外周部上には上記裏面絶縁膜が形成されないことが好ましい。
上記犠牲層の露出した領域のうち、上記犠牲層の外周部上には上記裏面絶縁膜が形成されないことが好ましい。
上記裏面絶縁膜のパターニングはエッチングにより行われることが好ましい。
本発明は上記のような構成を有することにより、犠牲層を短時間でエッチングでき、かつ化合物半導体層が割れにくく、しかも大量生産に適した薄膜化合物太陽電池の製造方法を提供することができる。
以下、本発明の薄膜化合物太陽電池の製造方法を、図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表わすものではない。
<薄膜化合物太陽電池の製造方法>
本発明の薄膜化合物太陽電池の製造方法は、基板1上に、犠牲層3および1以上のpn接合を有する化合物半導体層20を形成するステップと(図1)、該化合物半導体層20における太陽電池セル領域とアライメントマーク形成領域以外の領域をエッチングにより除去し、犠牲層3を露出させるステップと(図2)、該化合物半導体層20上の領域に裏面電極10を形成するステップと(図3)、該裏面電極10上に裏面絶縁膜11を形成し(図4)、裏面絶縁膜をパターニングするステップと(図5)、犠牲層3をエッチングを用いて除去することにより、基板1を剥離するステップと(図6、図7)、基板1を剥離した化合物半導体層20の裏面絶縁膜側に粘着シート12を貼り合わせるステップと(図8)、粘着シート12上に補強基板13を貼り合わせるステップと(図9)、化合物半導体層20を構成するエッチングストップ層4を除去するステップと、化合物半導体層20を構成する第1コンタクト層5をパターニングするステップと、パターニングされた第1コンタクト層5上に表面電極14を形成するステップと(図12)、粘着シート12と補強基板13を剥離するステップと(図13)を含むことを特徴とする。
本発明の薄膜化合物太陽電池の製造方法は、基板1上に、犠牲層3および1以上のpn接合を有する化合物半導体層20を形成するステップと(図1)、該化合物半導体層20における太陽電池セル領域とアライメントマーク形成領域以外の領域をエッチングにより除去し、犠牲層3を露出させるステップと(図2)、該化合物半導体層20上の領域に裏面電極10を形成するステップと(図3)、該裏面電極10上に裏面絶縁膜11を形成し(図4)、裏面絶縁膜をパターニングするステップと(図5)、犠牲層3をエッチングを用いて除去することにより、基板1を剥離するステップと(図6、図7)、基板1を剥離した化合物半導体層20の裏面絶縁膜側に粘着シート12を貼り合わせるステップと(図8)、粘着シート12上に補強基板13を貼り合わせるステップと(図9)、化合物半導体層20を構成するエッチングストップ層4を除去するステップと、化合物半導体層20を構成する第1コンタクト層5をパターニングするステップと、パターニングされた第1コンタクト層5上に表面電極14を形成するステップと(図12)、粘着シート12と補強基板13を剥離するステップと(図13)を含むことを特徴とする。
上記のような各ステップを用いて薄膜化合物太陽電池を作製することにより、犠牲層3のエッチングを効率的に行なうことができる。
本発明の製造方法は、従来技術のように、化合物半導体層の重みを利用したり、重りをつけたりすることがないことから、犠牲層の界面に過度な応力がかからないので、基板から剥離した化合物半導体層が割れにくい。以下においては、図面を参照しつつ本発明の薄膜化合物太陽電池の製造方法を構成する各ステップを説明する。
(化合物半導体層を形成するステップ)
図1は、基板上に化合物半導体層を形成した後の状態を示す模式的な断面図である。図1に示されるように、基板1上に、有機金属気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)を用いて、バッファ層2、犠牲層3、エッチングストップ層4、第1コンタクト層5、エミッタ層6、ベース層7および第2コンタクト層8を、この順に結晶成長させる。以下において、エッチングストップ層4、第1コンタクト層5、エミッタ層6、ベース層7、および第2コンタクト層8のことを総称して「化合物半導体層20」と記す。
図1は、基板上に化合物半導体層を形成した後の状態を示す模式的な断面図である。図1に示されるように、基板1上に、有機金属気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)を用いて、バッファ層2、犠牲層3、エッチングストップ層4、第1コンタクト層5、エミッタ層6、ベース層7および第2コンタクト層8を、この順に結晶成長させる。以下において、エッチングストップ層4、第1コンタクト層5、エミッタ層6、ベース層7、および第2コンタクト層8のことを総称して「化合物半導体層20」と記す。
ここで、本発明における基板1は、その上に形成するバッファ層2の下地となるものである。このため、基板1は、バッファ層2と格子定数が近いことが好ましい。このような基板の材料としては、たとえばゲルマニウム(Ge)や、ガリウム砒素(GaAs)等を挙げることができる。
また、本発明における犠牲層3は、エッチングされやすい半導体であればいかなるものをも用いることができる。ここで、本発明の「犠牲層」は、基板と化合物半導体層との間に設けられるものであって、その層をエッチングなどで除去することにより、基板と化合物半導体層とを分割するために設けられるものである。このような犠牲層3に用いる半導体としては、たとえばAlAsを挙げることができる。AlAsからなる犠牲層3をエッチングするためのエッチャントとしては、たとえばフッ酸と水とを1対10の比率で混合したフッ酸水溶液を用いることが好ましい。後述するステップで、犠牲層3をエッチングして除去することにより、基板1と化合物半導体層20とを分離する。
本発明におけるエッチングストップ層4は、犠牲層3がエッチングされるときに化合物半導体層20の太陽電池を構成する各層がエッチャントに曝されないようにするために保護するものである。このようなエッチングストップ層4を構成する材料としては、たとえばInGaPを挙げることができる。
本発明におけるエミッタ層6およびベース層7は、化合物半導体層20の構成のうちのpn接合の構造をなすものである。この部分に太陽光が照射されることにより、キャリアが生じて電流が発生する。
(化合物半導体層の一部をエッチングにより除去するステップ)
図2は、化合物半導体層のうち、太陽電池セルとなる領域(太陽電池セル領域)と、セルのフォトプロセスを行うにあたって必要なアライメントマーク等を形成する領域(アライメントマーク形成領域)とを残して、それら以外の不要な領域をエッチングで除去した後の状態を示す模式的な断面図である。エッチングは、たとえばエッチング液を用いて行われ、図2に示されるように、エッチングで除去された領域においては、犠牲層3の表面が露出している。
図2は、化合物半導体層のうち、太陽電池セルとなる領域(太陽電池セル領域)と、セルのフォトプロセスを行うにあたって必要なアライメントマーク等を形成する領域(アライメントマーク形成領域)とを残して、それら以外の不要な領域をエッチングで除去した後の状態を示す模式的な断面図である。エッチングは、たとえばエッチング液を用いて行われ、図2に示されるように、エッチングで除去された領域においては、犠牲層3の表面が露出している。
ここで、化合物半導体層20の一部をエッチングする方法としては、まず、図1の状態の第2コンタクト層8上の全面に保護膜9を塗布し、太陽電池セル領域よりも若干広い領域とアライメントマーク形成領域の保護膜9をフォトリソグラフィにより残し、それ以外の保護膜9を取り除くという方法がある。そして、保護膜9でマスキングした領域以外の化合物半導体層20をエッチング液でエッチングすることにより、図2に示されるように、化合物半導体層20の所望の部分をエッチングすることができる。その後、保護膜9を有機溶剤等を用いて除去する。
(裏面電極を形成するステップ)
図3は、第2コンタクト層8上に裏面電極10を形成した後の状態を示す模式的な断面図である。図2に示されるように第2コンタクト層8上に再度、別の保護膜9を塗布し、化合物半導体層20をエッチングした際に形成したアライメントマークを基に、上記の太陽電池セル領域より20μm程度内側に裏面電極10が形成されるように、保護膜9をフォトプロセスによりパターニングする。そして、パターニングされた保護膜を通して、第2コンタクト層8上に電極材料を蒸着することにより、第2コンタクト層8上に裏面電極10を形成する。ここで、裏面電極に用いられる電極材料としては、たとえばAu/Ag、Ti/Pd/Agを挙げることができる。
図3は、第2コンタクト層8上に裏面電極10を形成した後の状態を示す模式的な断面図である。図2に示されるように第2コンタクト層8上に再度、別の保護膜9を塗布し、化合物半導体層20をエッチングした際に形成したアライメントマークを基に、上記の太陽電池セル領域より20μm程度内側に裏面電極10が形成されるように、保護膜9をフォトプロセスによりパターニングする。そして、パターニングされた保護膜を通して、第2コンタクト層8上に電極材料を蒸着することにより、第2コンタクト層8上に裏面電極10を形成する。ここで、裏面電極に用いられる電極材料としては、たとえばAu/Ag、Ti/Pd/Agを挙げることができる。
(裏面絶縁膜を形成するステップ)
裏面絶縁膜11を形成する材料としては、たとえば、感光基を含んだ感光性の耐熱材料や、レジスト等によりマスキングすることでパターニングできる耐熱材料が挙げられる。これらの中でも、感光性樹脂等の感光基を有する感光性材料を用いることが望ましい。感光性樹脂としては、たとえば、感光性ポリイミドが挙げられる。
裏面絶縁膜11を形成する材料としては、たとえば、感光基を含んだ感光性の耐熱材料や、レジスト等によりマスキングすることでパターニングできる耐熱材料が挙げられる。これらの中でも、感光性樹脂等の感光基を有する感光性材料を用いることが望ましい。感光性樹脂としては、たとえば、感光性ポリイミドが挙げられる。
裏面絶縁膜11の材料として感光性樹脂を用いる場合は、たとえば、基板1の裏面電極10を形成した側の全面に該感光性樹脂材料を塗布した後、プリベークを行う(図4)。次に、レジストを用いてフォトプロセスによりパターニングした後、エッチャントで不要部分の感光性樹脂材料を除去し、最後に感光性樹脂材料を本硬化させることにより、穴11aの部分や犠牲層3の外周部3a上の部分が除去された図5に示すような形状の裏面絶縁膜11を形成することができる。
また、裏面絶縁膜11の材料として感光性樹脂以外の樹脂を用いる場合は、たとえば、まず、基板1の裏面電極10を形成した側の全面に該樹脂を塗布した後、焼成を行うことにより、裏面絶縁膜を形成する(図4)。この裏面絶縁膜11上に保護膜(図示せず)を塗布した後、フォトリソグラフィにより該保護膜をパターニングし、保護膜が存在しないところの裏面絶縁膜11をエッチングにより除去することで、穴11aの部分や犠牲層3の外周部3a上の部分が除去された図5に示すような形状の裏面絶縁膜11を形成することができる。
次に、裏面絶縁膜11に形成される穴の配置・大きさについて述べる。エッチング液の浸透する速度を上げる為に、基板外周部以外の箇所からもエッチング液が浸透するように、犠牲層3にエッチャントを供給するための穴11aを有するような裏面絶縁膜11(図5)を形成することが望ましい。例えば太陽電池セル領域と太陽電池セル領域の間に穴を形成するとより速く基板から剥離することが可能となる。しかし、あまりに裏面絶縁膜11の穴11aが大きすぎると、基板1から剥離した後の化合物半導体層の強度が落ちてしまうため、穴の直径が数百μm程度の穴11aを数mm間隔で形成することが望ましい。また、犠牲層3の外周部3a上には、裏面絶縁膜11が形成されないことが望ましい。これは通常、樹脂状の材料を塗布・焼成して裏面絶縁膜を形成する場合、樹脂を塗布した時に基板の側面にまで樹脂が回り込んでしまいエッチング液が浸透しないからである。
(基板を剥離するステップ)
図6は、エッチングにより犠牲層3をエッチングし、基板を剥離している途中の状態を示す模式的な断面図である。図6に示されるように、化合物半導体層20および基板1等をエッチング液に浸漬させることにより、犠牲層3の外側の側面、および、裏面絶縁膜11の穴11aから、エッチング液が供給され、犠牲層3のエッチングが進行する。そして、犠牲層3のエッチングが進行することにより、化合物半導体層20から基板1が剥離される。なお、エッチャントとしては、上述したように、フッ酸と水とを1対10の比率で混合したフッ酸水溶液を用いることが好ましい。
図6は、エッチングにより犠牲層3をエッチングし、基板を剥離している途中の状態を示す模式的な断面図である。図6に示されるように、化合物半導体層20および基板1等をエッチング液に浸漬させることにより、犠牲層3の外側の側面、および、裏面絶縁膜11の穴11aから、エッチング液が供給され、犠牲層3のエッチングが進行する。そして、犠牲層3のエッチングが進行することにより、化合物半導体層20から基板1が剥離される。なお、エッチャントとしては、上述したように、フッ酸と水とを1対10の比率で混合したフッ酸水溶液を用いることが好ましい。
図7は、エッチングにより犠牲層3を除去した後の状態を示す模式的な断面図である。図7に示されるように、犠牲層3のエッチングが完了したときに、基板1と化合物半導体層20とが分離される。
(粘着シートを貼り合わせるステップ)
図8は、粘着シート12を貼り合わせた後の状態を示す模式的な断面図である。基板1から剥離した後の化合物半導体層20を真空吸着させ、図8に示すように粘着シート12を貼り合わせる。粘着シート12としては、たとえば、両面熱発泡シートのような自己剥離性のあるテープが挙げられる。
図8は、粘着シート12を貼り合わせた後の状態を示す模式的な断面図である。基板1から剥離した後の化合物半導体層20を真空吸着させ、図8に示すように粘着シート12を貼り合わせる。粘着シート12としては、たとえば、両面熱発泡シートのような自己剥離性のあるテープが挙げられる。
(補強基板を貼り合わせるステップ)
図9は、粘着シート12に補強基板13を貼り合わせた後の状態を示す模式的な断面図である。図9に示されるように、粘着シート12(両面熱発泡シート)を貼り付けた上で、さらに両面熱発泡シート12に補強基板13を貼り合わせる。このようにして補強基板13を貼り合わせることにより、後の第1コンタクト層5をパターニングするステップなどでの作業性を向上させることができる。ここで、補強基板13としては、たとえばガラス板を用いることができる。
図9は、粘着シート12に補強基板13を貼り合わせた後の状態を示す模式的な断面図である。図9に示されるように、粘着シート12(両面熱発泡シート)を貼り付けた上で、さらに両面熱発泡シート12に補強基板13を貼り合わせる。このようにして補強基板13を貼り合わせることにより、後の第1コンタクト層5をパターニングするステップなどでの作業性を向上させることができる。ここで、補強基板13としては、たとえばガラス板を用いることができる。
(エッチングストップ層を除去するステップ)
図10に示されるように上記で補強基板13を貼り合わせた上で、図9に示されるエッチングストップ層4をエッチング液を用いて除去する。これにより第1コンタクト層5を露出させる。
図10に示されるように上記で補強基板13を貼り合わせた上で、図9に示されるエッチングストップ層4をエッチング液を用いて除去する。これにより第1コンタクト層5を露出させる。
(第1コンタクト層をパターニングするステップ)
次に、図11に示されるように第1コンタクト層5に対し、エッチングを行なうことにより、第1コンタクト層5を一定のパターンにパターニングする。
次に、図11に示されるように第1コンタクト層5に対し、エッチングを行なうことにより、第1コンタクト層5を一定のパターンにパターニングする。
(表面電極を形成するステップ)
そして、図12に示されるようにパターニングされた第1コンタクト層5上に、表面電極14を形成することによりセル化を行なう。ここで、表面電極14に用いられる材料としては、Ti/Pd/Ag等を挙げることができる。
そして、図12に示されるようにパターニングされた第1コンタクト層5上に、表面電極14を形成することによりセル化を行なう。ここで、表面電極14に用いられる材料としては、Ti/Pd/Ag等を挙げることができる。
(補強基板を剥離するステップ)
図13は、補強基板13および両面熱発泡シート12を剥離した後の状態を示す模式的な断面図である。最後に、粘着シート12(両面熱発泡シート)および補強基板13を剥離することにより、図13に示される状態となる。
図13は、補強基板13および両面熱発泡シート12を剥離した後の状態を示す模式的な断面図である。最後に、粘着シート12(両面熱発泡シート)および補強基板13を剥離することにより、図13に示される状態となる。
(表面電極を焼成するステップ)
上記の補強基板13を剥離するステップの後に、表面電極14を焼成するステップを含むことが好ましい。ここで、焼成は、350℃で30分行なうことが好ましい。このように表面電極14を焼成することにより、表面電極14の電極抵抗を低減することができる。
上記の補強基板13を剥離するステップの後に、表面電極14を焼成するステップを含むことが好ましい。ここで、焼成は、350℃で30分行なうことが好ましい。このように表面電極14を焼成することにより、表面電極14の電極抵抗を低減することができる。
(太陽電池セルを分離するステップ)
最後に、図14に示すように太陽電池セルを分離することにより、本発明の化合物半導体太陽電池を作製する。分離は、たとえばカッターやトムソン刃等の刃物でセルを切断することにより行われる。
最後に、図14に示すように太陽電池セルを分離することにより、本発明の化合物半導体太陽電池を作製する。分離は、たとえばカッターやトムソン刃等の刃物でセルを切断することにより行われる。
本発明の化合物半導体太陽電池の製造方法は、上記のような各ステップを含むことにより、サイズが大きい基板であっても、犠牲層のエッチングレートが低下することなく短時間でエッチングでき、かつ化合物半導体層が割れにくい。また、水平にしてエッチングを行なう必要がなく、量産するのに広い場所を必要としないため、大量生産に適している。
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(化合物半導体層を形成するステップ)
本実施例では、図1に示されるように、厚みが650μmまたは350μm程のGaAsからなる基板上に、MOCVD法を用いてAlGaAsからなるバッファ層2、10nmの厚みのAlAsからなる犠牲層3、化合物半導体層20を形成した。ここで、化合物半導体層20は、厚みが10〜50nmでInGaPからなるエッチングストップ層4、GaAsからなる第1のコンタクト層5、InGaPからなるエミッタ層6とベース層7、AlGaAsからなる第2のコンタクト層8をこの順に形成したものである。ここで、エミッタ層6とベース層7との接合面がpn接合となる。
本実施例では、図1に示されるように、厚みが650μmまたは350μm程のGaAsからなる基板上に、MOCVD法を用いてAlGaAsからなるバッファ層2、10nmの厚みのAlAsからなる犠牲層3、化合物半導体層20を形成した。ここで、化合物半導体層20は、厚みが10〜50nmでInGaPからなるエッチングストップ層4、GaAsからなる第1のコンタクト層5、InGaPからなるエミッタ層6とベース層7、AlGaAsからなる第2のコンタクト層8をこの順に形成したものである。ここで、エミッタ層6とベース層7との接合面がpn接合となる。
(化合物半導体層の一部をエッチングにより除去するステップ)
次に、図1に示される化合物半導体層20の第2コンタクト層8の表面に、レジスト材料である保護膜9を塗布し、フォトリソグラフィを用いて太陽電池セル領域よりも若干広い領域と、今後セル加工していく上で必要となるアライメントマーク形成領域だけ保護膜9を残し、それ以外の領域の保護膜9を取り除く。そして、保護膜9でマスキングした領域以外の化合物半導体層20の側面をエッチング液でエッチングすることにより、犠牲層3を露出させる(図2)。その後、保護膜9を有機溶剤等を用いて除去する。
次に、図1に示される化合物半導体層20の第2コンタクト層8の表面に、レジスト材料である保護膜9を塗布し、フォトリソグラフィを用いて太陽電池セル領域よりも若干広い領域と、今後セル加工していく上で必要となるアライメントマーク形成領域だけ保護膜9を残し、それ以外の領域の保護膜9を取り除く。そして、保護膜9でマスキングした領域以外の化合物半導体層20の側面をエッチング液でエッチングすることにより、犠牲層3を露出させる(図2)。その後、保護膜9を有機溶剤等を用いて除去する。
(裏面電極を形成するステップ)
次に、図2に示されるように第2コンタクト層8上に再度、別の保護膜9を塗布し、化合物半導体層20をエッチングした際に形成したアライメントマークを基に、上記の太陽電池セルの領域に裏面電極10が形成されるように、保護膜9をフォトプロセスによりパターニングする。そして、パターニングされた保護膜を通して、第2コンタクト層8上に電極材料を蒸着することにより第2コンタクト層8上に裏面電極10を形成する(図3)。ここで、裏面電極10を構成する電極材料としてAu/Agを使用し、第2コンタクト層8上に厚み3μmの裏面電極を形成した。
次に、図2に示されるように第2コンタクト層8上に再度、別の保護膜9を塗布し、化合物半導体層20をエッチングした際に形成したアライメントマークを基に、上記の太陽電池セルの領域に裏面電極10が形成されるように、保護膜9をフォトプロセスによりパターニングする。そして、パターニングされた保護膜を通して、第2コンタクト層8上に電極材料を蒸着することにより第2コンタクト層8上に裏面電極10を形成する(図3)。ここで、裏面電極10を構成する電極材料としてAu/Agを使用し、第2コンタクト層8上に厚み3μmの裏面電極を形成した。
(裏面絶縁膜を形成するステップ)
次に、図4に示されるように、基板1の裏面電極10を形成した側に、焼成することで感光性ポリイミド膜となる樹脂を塗布し、最終膜厚は10μmとした。次に、焼成された感光性ポリイミド膜にUV光を照射し、ポリイミド膜をパターニングすることで余分な部分のポリイミド膜を除去する。ここで、図5に示されるように、基板1の外周部(犠牲層3の外周部3a)のポリイミド膜を除去し、かつ、太陽電池セル領域およびアライメントマーク形成領域以外の領域に200μm程度の穴11aを1.5mm間隔で作製し、エッチング液が犠牲層3へ浸み込みやすいように、ポリイミド膜をパターニングした。
次に、図4に示されるように、基板1の裏面電極10を形成した側に、焼成することで感光性ポリイミド膜となる樹脂を塗布し、最終膜厚は10μmとした。次に、焼成された感光性ポリイミド膜にUV光を照射し、ポリイミド膜をパターニングすることで余分な部分のポリイミド膜を除去する。ここで、図5に示されるように、基板1の外周部(犠牲層3の外周部3a)のポリイミド膜を除去し、かつ、太陽電池セル領域およびアライメントマーク形成領域以外の領域に200μm程度の穴11aを1.5mm間隔で作製し、エッチング液が犠牲層3へ浸み込みやすいように、ポリイミド膜をパターニングした。
(基板を剥離するステップ)
次に、化合物半導体層20および基板1等をエッチング液に浸漬させた(図6)。エッチング液としては、フッ酸と水とを1対10の比率で混合したフッ酸水溶液を用い、エッチング液の液温を40℃とした。ここで、感光性ポリイミド膜は、金属膜に比べて化合物半導体膜との密着性の方が弱いため、基板全面に裏面電極を形成した場合に比べて、犠牲層のエッチングされるスピードが速い。
次に、化合物半導体層20および基板1等をエッチング液に浸漬させた(図6)。エッチング液としては、フッ酸と水とを1対10の比率で混合したフッ酸水溶液を用い、エッチング液の液温を40℃とした。ここで、感光性ポリイミド膜は、金属膜に比べて化合物半導体膜との密着性の方が弱いため、基板全面に裏面電極を形成した場合に比べて、犠牲層のエッチングされるスピードが速い。
図7は、エッチングにより犠牲層を除去した後の状態を示す模式的な断面図である。図7に示されるように、犠牲層3のエッチングが完了したときに、基板1と化合物半導体層20とが分離される。
(補強材を貼り合わせるステップ)
そして、図8に示されるように、粘着シート12(両面熱発泡シート、製品名:熱発泡シート(日東電工社製))を化合物半導体層の裏面保護膜が形成された側に貼り付けた上で、さらに図9のように粘着シート12に補強基板13(ガラス基板)を貼り合わせた。
そして、図8に示されるように、粘着シート12(両面熱発泡シート、製品名:熱発泡シート(日東電工社製))を化合物半導体層の裏面保護膜が形成された側に貼り付けた上で、さらに図9のように粘着シート12に補強基板13(ガラス基板)を貼り合わせた。
(エッチングストップ層を除去するステップ)
図10のように上記で補強基板13を貼り合わせた上で、図9に示されるエッチングストップ層4をエッチングを用いて除去した。
図10のように上記で補強基板13を貼り合わせた上で、図9に示されるエッチングストップ層4をエッチングを用いて除去した。
(第1コンタクト層をパターニングするステップ)
次に、図11のように、第1コンタクト層5に対し、キャップエッチングを行なうことにより、第1コンタクト層5を一定のパターンにパターニングした。
次に、図11のように、第1コンタクト層5に対し、キャップエッチングを行なうことにより、第1コンタクト層5を一定のパターンにパターニングした。
(表面電極を形成するステップ)
そして、図12のように、パターニングされた第1コンタクト層5上に、Ti/Pd/Agからなる表面電極14を形成することによりセル化を行なった。
そして、図12のように、パターニングされた第1コンタクト層5上に、Ti/Pd/Agからなる表面電極14を形成することによりセル化を行なった。
(補強基板を剥離するステップ)
そして、粘着シート(両面熱発泡シート)12および補強基板13を剥離し、図13に示される状態とした。
そして、粘着シート(両面熱発泡シート)12および補強基板13を剥離し、図13に示される状態とした。
(表面電極を焼成するステップ)
次に、表面電極14を350℃で30分間焼成した。これにより、表面電極14の電極抵抗を低減した。
次に、表面電極14を350℃で30分間焼成した。これにより、表面電極14の電極抵抗を低減した。
(太陽電池セルを分離するステップ)
最後に、図14に示すように、カッターあるいはトムソン刃でセルを切断し太陽電池セルを分離した。以上の各ステップにより、本発明の化合物半導体太陽電池を作製した。
最後に、図14に示すように、カッターあるいはトムソン刃でセルを切断し太陽電池セルを分離した。以上の各ステップにより、本発明の化合物半導体太陽電池を作製した。
以上の各ステップからなる本実施例の化合物半導体太陽電池の製造方法は、従来の化合物半導体太陽電池よりも、犠牲層を短時間でエッチングでき、かつ化合物半導体層が割れにくく、しかも大量生産に適していた。
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1,101 基板、2,102 バッファ層、3 犠牲層、4,103 エッチングストップ層、5,104 第1コンタクト層、6,105 エミッタ層、7,106 ベース層、8,107 第2コンタクト層、9 保護膜、10,108 裏面電極、11,109 裏面絶縁膜、11a 穴、12,110 粘着シート(両面熱発泡シート)、13,111 補強基板、14,112 表面電極、20,113 化合物半導体層。
Claims (9)
- 基板上に、直接または他の層を介してエッチャントを用いて除去することのできる犠牲層を形成し、前記犠牲層上に1以上のpn接合を有する化合物半導体層を形成するステップと、
前記化合物半導体層の太陽電池セルとなる領域以外の領域の少なくとも一部をエッチングにより除去することにより、前記犠牲層を部分的に露出させるステップと、
前記化合物半導体層上の領域に裏面電極を形成するステップと、
前記化合物半導体層上の領域と、前記犠牲層の露出した領域とに、前記犠牲層にエッチャントを供給するための穴を有するように、耐熱性のある裏面絶縁膜を形成するステップと、
前記穴を通してエッチャントを前記犠牲層に供給し、前記犠牲層を除去することにより、前記化合物半導体層から前記基板を剥離するステップと、
前記基板が剥離された前記化合物半導体層の前記裏面絶縁膜側に粘着シートを貼り合わせ、さらに補強基板を貼り合わせるステップと、
前記基板を剥離した後の太陽電池セル領域表面に構成されたエッチングストップ層を除去するステップと、
前記化合物半導体層を構成する第1コンタクト層をパターニングするステップと、
パターニングされた前記第1コンタクト層上に表面電極を形成するステップと、
前記補強基板および前記粘着シートを剥離するステップとを含む、薄膜化合物太陽電池の製造方法。 - 前記裏面絶縁膜を形成するステップにおいて、
前記裏面絶縁膜は、前記犠牲層の外周部上には形成されない、請求項1に記載の薄膜化合物太陽電池の製造方法。 - 前記裏面絶縁膜は、感光基を有する感光性材料から構成される、請求項1または2に記載の薄膜化合物太陽電池の製造方法。
- 前記感光性材料は感光性ポリイミドである、請求項3に記載の薄膜化合物太陽電池の製造方法。
- 前記裏面絶縁膜を形成するステップにおいて、
前記化合物半導体層上の領域の全部と、前記犠牲層の露出した領域の少なくとも一部とに、樹脂状の前記感光性材料を塗布した後にプリベークを行い、
レジストを用いてフォトプロセスによりパターニングした後、エッチャントで不要部分の前記感光性材料を除去し、最後に本硬化させることにより前記裏面絶縁膜が形成される、請求項3に記載の薄膜化合物太陽電池の製造方法。 - 前記裏面絶縁膜を形成するステップにおいて、
前記犠牲層の露出した領域のうち、前記犠牲層の外周部上には前記感光性材料を塗布しない、請求項5に記載の薄膜化合物太陽電池の製造方法。 - 前記裏面絶縁膜を形成するステップにおいて、
前記化合物半導体層上の領域の全部と、前記犠牲層の露出した領域の少なくとも一部とに、耐熱性のある裏面絶縁膜を形成した後に、
この形成された前記裏面絶縁膜をパターニングする、請求項1または2に記載の薄膜化合物太陽電池の製造方法。 - 前記裏面絶縁膜を形成するステップにおいて、
前記犠牲層の露出した領域のうち、前記犠牲層の外周部上には前記裏面絶縁膜を形成しない、請求項7に記載の薄膜化合物太陽電池の製造方法。 - 前記裏面絶縁膜のパターニングはエッチングにより行われる、請求項7または8に記載の薄膜化合物太陽電池の製造方法。
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JP2012008819A JP2013149773A (ja) | 2012-01-19 | 2012-01-19 | 薄膜化合物太陽電池の製造方法 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017505989A (ja) * | 2014-01-15 | 2017-02-23 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | 印刷法によるエピタキシャルリフトオフ太陽電池の小型放物面型集光器との統合 |
CN108258084A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-07-06 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种柔性薄膜太阳能电池及其制作方法 |
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WO2024041126A1 (zh) * | 2022-08-22 | 2024-02-29 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制造方法 |
-
2012
- 2012-01-19 JP JP2012008819A patent/JP2013149773A/ja active Pending
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