JP2006135017A - 光電変換装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光電変換装置において、半導体層の膜厚が50μm以下という極薄膜であっても、光電変換装置を歩留良く製造できる方法および当該光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体層と、該半導体層の主面上に形成された表面電極と、該半導体層の主面と対向する面上に形成された裏面電極と、を備える光電変換装置であって、前記裏面電極において前記半導体層に接触している側の面は、前記半導体層における接触面より大きいことを特徴とする光電変換装置を提供する。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明は、半導体層と、該半導体層の主面上に形成された表面電極と、該半導体層の主面と対向する面上に形成された裏面電極と、を備える光電変換装置であって、前記裏面電極において前記半導体層に接触している側の面は、前記半導体層における接触面より大きいことを特徴とする光電変換装置を提供する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、光電変換装置およびその製造方法に関するものであり、より特定的には、太陽電池およびその製造方法に関する。
従来の技術として、図7に示すような光電変換装置が例えば下記特許文献1に開示されている。この従来技術にかかる光電変換装置は、図7において、太陽光を受光する半導体基板101主面上に表面電極102が形成され、その反対の主面上には裏面電極103が形成されている。ここで、図7において、(a)は、光電変換装置の平面図であり、(b)は、(a)と対向する面からみた平面図であり、(c)は当該光電変換装置の断面図である。
しかしながら、上記従来技術において、半導体基板101に、半導体層の層厚が50μm以下の極薄膜の単結晶半導体を形成している場合では、当該文献に記載の方法では製造が困難である。
具体的には、図7に示した従来の技術により製造された光電変換装置は、半導体基板101に対し、裏面電極103の面積が小さく、特に半導体基板101外周部にかからないように形成されている。
これは、半導体基板101外周部より外側に裏面電極103が形成されると、裏面電極103は半導体基板側面に接触し短絡が発生する可能性があるためである。
しかし、半導体層の厚さが50μm以下のような極薄膜の単結晶半導体を用いる場合には、半導体基板外周部まで裏面電極を形成しないと、極薄膜の単結晶半導体は機械的な強度が低く、多少の衝撃が加わっても割れや欠けが発生し、結果として歩留の低下を招いてしまう。
したがって従来の方法では、層厚が50μm以下のように極薄膜の単結晶半導体太陽電池の製造は困難であり、問題であった。
特開2004−140023号公報
本発明は、上記従来の技術の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、光電変換装置において、半導体層の膜厚が50μm以下という極薄膜であっても、光電変換装置を歩留良く製造できる方法および当該光電変換装置を提供するものである。
本発明の1つの局面によれば、半導体層と、該半導体層の主面上に形成された表面電極と、該半導体層の主面と対向する面上に形成された裏面電極と、を備える光電変換装置であって、前記裏面電極において前記半導体層に接触している側の面は、前記半導体層における接触面より大きいことを特徴とする光電変換装置が提供される。
好ましくは、前記半導体層は単結晶半導体よりなる。
好ましくは、前記半導体層の厚さは2〜50μmの範囲内である。
好ましくは、前記裏面電極の厚さは1〜8μmの範囲内である。
本発明の別の局面によれば、基板上に半導体層を積層する工程と、該半導体層をエッチングして該半導体層の主面上に表面電極を形成する工程と、前記基板を除去する工程と、前記半導体層において前記表面を形成した面と対向する面に裏面電極を形成する工程と、を含む光電変換装置の製造方法であって、前記裏面電極において前記半導体層に接触している側の面は、前記半導体層における接触面より大きいことを特徴とする光電変換装置の製造方法が提供される。
好ましくは、前記基板を除去する工程の前でかつ前記表面電極を形成する工程の後に、前記半導体層をエッチングして前記基板上にメサを形成する工程と、前記半導体層、前記表面電極および前記メサを覆うように樹脂を形成する工程と、前記樹脂上に支持基板を形成する工程と、前記支持基板に対して前記基板方向に圧力を印加する工程とをさらに含む。
好ましくは、前記裏面電極を形成する工程の後、前記樹脂をエッチングして除去し、あわせて前記支持基板も除去する工程をさらに含む。
好ましくは、前記半導体層は単結晶半導体よりなる。
好ましくは、前記半導体層の厚さは2〜50μmの範囲内である。
好ましくは、前記裏面電極の厚さは1〜8μmの範囲内である。
本発明によれば、半導体層の膜厚が極薄膜であっても、光電変換装置を歩留良く製造できる方法および当該光電変換装置が提供される。
本発明の光電変換装置は、半導体層と、該半導体層の主面上に形成された表面電極と、該半導体層の主面と対向する面上に形成された裏面電極と、を備える光電変換装置であって、前記裏面電極において前記半導体層に接触している側の面は、前記半導体層における接触面より大きいことを特徴とする。
また、本発明の光電変換装置の製造方法によれば、基板上に半導体層を積層する工程と、該半導体層をエッチングして該半導体層の主面上に表面電極を形成する工程と、前記基板を除去する工程と、前記半導体層において前記表面を形成した面と対向する面に裏面電極を形成する工程と、を含む光電変換装置の製造方法であって、前記裏面電極において前記半導体層に接触している側の面は、前記半導体層における接触面より大きいことを特徴とする。
このように、裏面電極の接触側の面が半導体層の接触面より大きいことにより、光電変換装置の製造プロセスにおける半導体層の割れや欠けを防止することができ、製造の歩留まりを向上することができる。
以下、本発明を、図を用いて詳細に説明する。図1は、本発明の光電変換装置の概略図であって、(a)は、表面電極側からみた平面図であり、(b)は裏面電極側からみた平面図であり、(c)は、光電返還装置の断面図である。
図1に示すように、本発明の光電変換装置は、半導体層2の両主面に表面電極3および裏面電極4が形成されている。表面電極3は、図1(a)に示すように、櫛型の形状で半導体層2の主面に形成されており、裏面電極4は、図1(b)に示すように、半導体層2の接触面から外側を含めて半導体層2と接触している。
図1(b)および(c)からわかるように、本発明の光電変換装置は、裏面電極4において前記半導体層2に接触している側の面は、前記半導体層2における接触面より大きいことを特徴とする。これにより、半導体層を極めて薄くした場合であっても、製造プロセスにおいて割れや欠け等の欠陥を防止し、歩留まりを向上することができる。
ここで、本発明において、半導体層における接触面とは、半導体層2の主面のうち裏面電極4と接触している側の面である。また、裏面電極において半導体層2に接触している側の面とは、裏面電極4が有する主面のうち半導体層2と接触している側の面をいう。すなわち、本発明においては、裏面電極4の、半導体層2と接触している側の面は、対応して接触している半導体層2の面よりも大きいことになる。
次に、本発明の光電変換の製造方法について、図2〜図6を用いて説明する。図2〜図6は、本発明の光電変換装置の製造工程のそれぞれを示す概略断面図である。まず、図2に示すように、半導体基板5上に半導体層2を積層し、当該半導体層2の主面に表面電極3を形成する。
本発明において、半導体基板としては、Si、Geなどの元素単体の半導体基板を用いることができ、また、GaAsなどの化合物半導体基板を用いてもよい。半導体基板は、好ましくは単結晶半導体基板である。単結晶とすることで、当該半導体基板上に容易に半導体層をエピタキシャル成長して積層することができるからである。
半導体基板上には、pn接合を含む半導体層を形成する。必要に応じて、pn接合を含む多層膜からなる半導体層であってもよい。本発明において用いることができる半導体層の材料としては特に限定されず、用途に応じて公知のものを用いることができるが、一例を挙げると、Si、Ge、GaAs、InP、InGaP、InGaAsを用いることができる。また、当該半導体層は半導体基板を全てまたはその一部を除去するために歪の小さいエピタキシャル層が望ましい。
本発明において、半導体層は上述のとおりエピタキシャル成長により積層することができるが、その方法としては、MBE法、MOCVD法、VPE法などを用いることができる。また、当該半導体層は光電変換装置として用いるためには2μm以上50μm以下の層厚が好ましい。2μm未満であると、光の吸収が不十分であるため、光電変換効率が劣化するおそれがあり、50μmを超えると、光電変換装置の重量が増すが光電変換効率は頭打ちになるため、重量あたりの光電変換効率が劣化するという問題がある。好ましくは、3μm以上10μm以下である。
次に、半導体層の主面に表面電極を形成する工程について説明する。具体的には、半導体層上に例えば通常のフォトリソグラフィ法、蒸着法、リフトオフ法、シンター法により表面電極を形成する。また、その他の通常の電極形成法を用いることができる。本発明のいて、表面電極に用いることができる材料は特に限定されず当該分野で公知のものを用いることができるが、例えば、銀(Ag)からなる導電材料を一例として挙げることができる。
ここで、表面電極は、図1(a)および図2に示すように、櫛型形状にすることが好ましい。本発明においては、当該櫛型形状に限定されず、その他、光電変換装置として機能できる全ての電極形状を採用することができる。
また、当該櫛型形状等の形成方法は、公知の方法を用いることができるが、具体的には、半導体層を所望する形状にマスクを介してエッチングし、当該エッチング部分に表面電極を形成する等の方法が挙げられる。
次に、図3に示すように、フォトリソグラフィ法により、半導体層2および表面電極3上の所望する部分にマスク6を形成し、不要部を例えばエッチング工程によりエッチング除去することによって、メサ7を形成する。
当該メサを形成する工程において、エッチングをする深さは、目的に応じて適宜選択することができる。たとえば、半導体層2の一部を光電変換装置に使用する場合、半導体層を形成する層のより下層の部分までエッチング除去するか、または少なくとも半導体基板の一部までエッチング除去するのが好ましい。また、半導体層2の全部を光電変換装置に使用する場合、半導体層2を全部エッチング除去するか、またはは少なくとも半導体基板5の一部までエッチング除去するのが好ましい。また、半導体層2の全層に加え半導体基板5の一部を含め光電変換装置に使用する場合、不要な半導体基板5の厚さまでエッチング除去するのが好ましい。
当該メサ形成のためのエッチングは、ドライエッチング法またはウェットエッチング法でも構わないが、特定の層で実質上エッチングの進行が停止する選択エッチング法を用いるのが好ましい。また、表面電極を形成する工程を行う前に、メサを形成する工程を先に行っていてもよい。
次に、図4に示すように、メサ7、半導体層2および表面電極3を覆うようにして樹脂8を形成する。当該樹8の形成には、スピンコート法を用いて塗布することができる。また、当該樹脂8の材料としては、フェノール樹脂をイソプロピルアルコール、シクロヘキサンなどの有機溶剤に溶解させたものを用いることができる。
次に、半導体基板5のエッチング後のプロセスを平易にするために、予め支持基板9を、樹脂8を解して半導体層2上に形成するのが好ましい。支持基板9は適当な硬度をもったものが好ましい。当該支持基板9は、上述のようにスピンコート法で表面電極3、半導体層2およびメサ7を被覆するように塗布して得た樹脂8を介して、支持基板9を接着させる。
その後、図5に示すように、通常のエッチング工程により半導体基板5の一部または全部、あるいは、半導体層2の一部を含めエッチング除去する。
次に、半導体基板5のエッチング後、図6に示すように、通常のマスキング法により、用途に応じて適宜不要部にマスク10を形成し、蒸着法などにより裏面電極4を形成する。当該裏面電極4の形成には、その他、当該分野で公知である通常の電極形成方法を用いることができる。
当該裏面電極形成において、樹脂8がメサ7側面まで被覆されているので、メサ7側面に電極が形成されることがない。よって裏面電極4がメサ7側面部に接触することがなく、リーク電流などによる光電変換装置の特性を損なうことがない。
裏面電極4は例えば、銀(Ag)からなる導電材料からなる。また、裏面電極4は、全面電極である。その他、光電変換装置として機能できる全ての電極形状を採用することができる。ただし、半導体層2の接触面よりも大きくする必要がある。
本発明において、裏面電極4の膜厚は1μm以上8μm以下であることが好ましい。裏面電極4を半導体層2の支持体として機能させるには1μm以上の膜厚が必要となるからである。裏面電極の膜厚が8μmを超えると半導体層2と裏面電極4の熱線膨張係数の差異により、半導体層2が湾曲するおそれがある。より好ましくは、2μm以上5μm以下である。
その後、樹脂8をエッチングして除去することにより、あわせて支持基板9も除去されることとなる。また、マスク10もエッチング等により除去する。このようにして、図1に示すような本発明の光電変換装置を製造することができる。
また、本発明において、表面電極3上にさらに反射防止膜を形成する工程を備えてもよい。またさらに、外部に電気的接続を得るためのインターコネクタを接続する工程を備えてもよい。
上述した本発明の光電変換装置の製造方法により、メサ側面部に裏面電極が接触することなく、少なくとも太陽光を受光する主面外周側面部より外側を含め裏面電極が形成された光電変換装置を作製することができる。
本発明の光電変換装置において、裏面電極は少なくとも太陽光を受光する主面外周側面部より外側を含め形成されているので、極薄膜の単結晶半導体が単独で存在する部分がなく、よって機械的強度が高くなり、衝撃などで当該半導体層に割れ・欠けが発生しない特徴を有し、光電変換装置の低コスト化、軽量化を達成することができる。
実施例において、図1に示すような光電変換装置を作製した。まず、図2に示すように、Ge材料を用いた半導体基板5上に、有機金属気相積層(MOCVD)法により、多層半導体層2をエピタキシャル成長した。ここで、当該多層半導体層2は、膜厚1μmのp型GaAs層および膜厚3μmのn型GaAs層とした。光電変換装置を太陽電池として機能させる場合は、半導体層2が2μm以上の総膜厚であればよい。次いで、従来知られているフォトリソグラフィ法と蒸着工程法とリフトオフ法と熱処理を組み合わせて、銀(Ag)を主材料とする表面電極3を、多層半導体層2の主面上に形成した。
次に、図3に示すように、多層半導体層2の主面上の必要な部分に、従来知られているフォトリソグラフィ工程によりエッチングマスク6を形成し、不必要な多層半導体層2を、ウェットエッチング法を用いてエッチング除去し、メサ7を形成した。エッチング液には、クエン酸と過酸化水素水の混合水溶液を用いた。
次に、図4に示すように、メサ7を形成した多層半導体層2上にイソプロピルアルコール、シクロヘキサンなどの有機溶剤に溶解したフェノール樹脂8をスピンコート法で表面電極3およびメサ7を被覆するように塗布し、オーブンで100℃で溶剤を軽く揮発させることにより、樹脂8を形成した。さらに樹脂8上にガラス製支持基板9を乗せ、140℃で加熱し、ガラス上から均一に圧力を加えることにより樹脂8を介して、多層半導体2を含むGe基板5とガラス製支持基板9を一体化させた。
次いで、図5に示すように、ガラス製支持基板9と一体化したGe基板5をフッ酸(HF)と過酸化水素水(H2O2)の混合水溶液に浸漬させることにより、Ge基板5をエッチング除去した。
次いで、図6に示すように、多層半導体層2主面と反対の面上の不必要な部分に、従来知られているマスキング工程によりマスク10を形成し、蒸着法により銀(Ag)を主材料とする裏面電極4を多層半導体層2の主面の反対面上に形成した。裏面電極4の膜厚は、裏面電極4を半導体層2の支持体として機能に必要な1μm以上の膜厚でかつ、半導体層2の湾曲が少ない8μm以下とした。
この時、メサ7の側面には樹脂8が存在するために裏面電極4はメサ側面に形成されることなく、太陽光を受光する主面外周側面部より外側を含め形成することが可能となる。またメサ形成で得られる面と基板エッチングで得られる面は一致させることが必要である。本実施例においては、クエン酸系のエッチング液はGaAs層のみをフッ酸系のエッチング液はGeのみを実質上エッチングすることが可能である。本実施例では、上記半導体材料とエッチング液の組み合わせで行ったが、実質上選択的にエッチングできるエッチング液と半導体材料の組み合わせを選択することにより他半導体材料、エッチング液を使用することも可能である。
その後、図示していないが、リフトオフ法によりマスク10およびマスク10上に蒸着された金属膜を除去する。その後、アセトンに浸漬することにより樹脂8を溶解させ、ガラス製支持基板9を除去し、従来知られている有機洗浄工程を経て、図1に示す光電変換装置が得られる。この光電変換装置は、例えば宇宙用太陽電池(人工衛星搭載用)に用いることができる。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 光電変換装置、2,101 半導体層、3,102 表面電極、4,103 裏面電極、5 半導体基板、6,10 マスク、7 メサ、8 樹脂、9 支持基板。
Claims (10)
- 半導体層と、該半導体層の主面上に形成された表面電極と、該半導体層の主面と対向する面上に形成された裏面電極と、を備える光電変換装置であって、
前記裏面電極において前記半導体層に接触している側の面は、前記半導体層における接触面より大きいことを特徴とする、光電変換装置。 - 前記半導体層は単結晶半導体よりなることを特徴とする、請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記半導体層の厚さは2〜50μmの範囲内であることを特徴とする、請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 前記裏面電極の厚さは1〜8μmの範囲内であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の光電変換装置。
- 基板上に半導体層を積層する工程と、該半導体層をエッチングして該半導体層の主面上に表面電極を形成する工程と、前記基板を除去する工程と、前記半導体層において前記表面を形成した面と対向する面に裏面電極を形成する工程と、を含む光電変換装置の製造方法であって、前記裏面電極において前記半導体層に接触している側の面は、前記半導体層における接触面より大きいことを特徴とする、光電変換装置の製造方法。
- 前記基板を除去する工程の前でかつ前記表面電極を形成する工程の後に、前記半導体層をエッチングして前記基板上にメサを形成する工程と、前記半導体層、前記表面電極および前記メサを覆うように樹脂を形成する工程と、前記樹脂上に支持基板を形成する工程と、前記支持基板に対して前記基板方向に圧力を印加する工程とをさらに含むことを特徴とする、請求項5に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記裏面電極を形成する工程の後、前記樹脂をエッチングして除去し、あわせて前記支持基板も除去する工程をさらに含む、請求項6に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記半導体層は単結晶半導体よりなることを特徴とする、請求項5〜7のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記半導体層の厚さは2〜50μmの範囲内であることを特徴とする、請求項5〜8のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記裏面電極の厚さは1〜8μmの範囲内であることを特徴とする、請求項5〜9のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP2004320860A Pending JP2006135017A (ja) | 2004-11-04 | 2004-11-04 | 光電変換装置およびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009043872A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Sharp Corp | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
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JPWO2011052466A1 (ja) * | 2009-10-28 | 2013-03-21 | 日立化成株式会社 | 太陽電池セル |
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091006 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100223 |