JP2013074276A - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 被覆層の剥がれを抑制することが可能な光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、受光面および該受光面から入射した光を光電変換する光電変換層を有する基板を準備する工程と、前記受光面上の前記基板の外周から間を空けた内側に位置する領域に、前記基板よりも電気抵抗の小さい透光性材料からなる導電層を形成する工程と、該導電層上および該導電層周囲の前記受光面の露出部上に、アルミニウムを主成分とする被覆層を形成する工程と、前記被覆層を酸性溶液内に浸して電界を印加し、前記被覆層を陽極酸化して多孔質とする工程と、陽極酸化された前記被覆層を通して前記導電層および前記受光面の露出部をエッチングする工程とを有する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、光電変換素子の製造方法に関するものである。

現在、光を電気に変換する光電変換素子の研究開発において、光電変換効率を向上させることが重要となっている。そこで、光電変換効率を向上させる技術として、光電変換層を有する基板の受光面側に複数のナノメートルサイズの凹部を設けることによって、近接場光を利用する技術が開示されている（例えば、特許文献１を参照）。

特開2010−34499号公報

しかしながら、特許文献１に記載された光電変換素子によれば、受光面側に導電層を予め形成した後、導電層および基板にナノメートルサイズの凹部を形成する必要があった。基板および導電層に凹部を形成する技術として、導電層上に形成した被覆層を陽極酸化させてエッチングのマスクとして用いる場合、被覆層を陽極酸化する際に被覆層の剥がれが生じやすかった。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、被覆層の剥がれを抑制することが可能な光電変換素子の製造方法を提供することにある。

本発明の光電変換素子の製造方法は、受光面および該受光面から入射した光を光電変換する光電変換層を有する基板を準備する工程と、前記受光面上の前記基板の外周から間を空けた内側に位置する領域に、前記基板よりも電気抵抗の小さい透光性材料からなる導電層を形成する工程と、該導電層上および該導電層周囲の前記受光面の露出部上に、アルミニウムを主成分とする被覆層を形成する工程と、前記被覆層を酸性溶液内に浸して電界を印加し、前記被覆層を陽極酸化して多孔質とする工程と、陽極酸化された前記被覆層を通して前記導電層および前記受光面の露出部をエッチングする工程とを有する。

本発明の光電変換素子の製造方法によれば、導電層を基板の外周から間を開けた内側に位置する領域に形成することから、被覆層の陽極酸化を行なった際に、被覆層の剥がれを抑制することができる。

本発明の一実施形態に係る光電変換素子の製造方法を用いて作製した光電変換素子の断面図である。 図１に示す光電変換素子の平面図であり、Ａ−Ａ’線で切断したときの断面が図１に示す断面に相当する。 図１の光電変換素子の一部を拡大した断面図である。 図１の変形例に係る光電変換素子の一部を拡大した断面図である。 本発明の実施形態に係る光電変換素子の製造方法の一工程を示す断面図であり、図２のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。 本発明の実施形態に係る光電変換素子の製造方法の一工程を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る光電変換素子の製造方法の一工程を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る光電変換素子の製造方法の一工程を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る光電変換素子の製造方法の一工程を示す図であり、（ａ）は図２のＡ−Ａ’線で切断したときの断面を示しており、（ｂ）は一部を拡大して平面視したときの平面を示している。 本発明の実施形態に係る光電変換素子の製造方法の一工程を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る光電変換素子の製造方法の変形例における一工程を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る光電変換素子の製造方法の変形例における一工程を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態の一例について図を参照しながら説明する。なお、本発明は以下の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことができる。

＜光電変換素子＞
図１は、本発明の一実施形態に係る光電変換素子の製造方法を用いて製造された光電変換素子１を示す図である。図１に示すように、光電変換素子１は、具体的に、光電変換層を有する基板２、導電層３および被覆層４を主に備えている。

基板２は、例えば半導体基板などを用いることができる。基板２は、板状のものを用いることができる。基板２は、光が入射する受光面（図１における上面であり、以下では第１面という）２Ａと、この第１面１Ａに対して裏側に位置する裏面（図１における下面であり、以下では第２面という）２Ｂとを有する。

基板２は、第１面２Ａと第２面２Ｂとの間に、光を電気に変換する光電変換層を有している。光電変換層は、例えば一導電型半導体と逆導電型半導体との界面に形成することができる。そのため、基板２は、例えば、一導電型を持つ半導体基板を用いることができ、この基板２の第１面２Ａ側に逆導電型層２’を形成することによって、一導電型と逆導電型との間に光電変換層を形成することができる。

基板２としては、一導電型（例えば、ｐ型）を有する板状の半導体を用いることができる。基板２を構成する半導体としては、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン等のシリコン結晶を用いることができる。基板２の厚みは、例えば、250μｍ以下に設定することができる。基板２の形状は、特に限定されるものではないが、製法上の観点から平面視で四角形状としてもよい。

本実施形態においては、基板２としてｐ型の導電型を持つシリコン基板を用いた例について説明する。シリコン基板からなる基板２がｐ型を持つようにする場合、ドーパント元素としては、例えば、ボロンあるいはガリウムなどを用いることができる。

逆導電型層２’は、基板２とｐｎ接合を形成する半導体層である。逆導電型層２’は、基板２と逆の導電型を持つ層であり、基板２における第１面２Ａ側に設けられている。基板２がｐ型の導電型を持つ場合であれば、逆導電型層２’はｎ型の導電型を持つように形
成される。一方、基板２がｎ型の導電型を持つ場合であれば、逆導電型層２’はｐ型の導電型を持つように形成される。

逆導電型層２’は、基板２の第１面２Ａ上に形成または接合されていてもよいし、基板２内にイオンを注入および拡散させることによって基板２内に形成してもよい。具体的に、基板２がｐ型の導電型を持つシリコン基板において、逆導電型層２’がシリコン基板内に形成されている場合には、例えば逆導電型層２’はシリコン基板における第１面２Ａ側にリン等の不純物を拡散させることによって形成できる。

第１面２Ａ側には、図１および図２に示すように、基板２の外周から間隔を空けた内側に位置する領域に、導電層３が設けられている。なお、以下の説明において、基板２の外周から間を空けた内側の領域、すなわち導電層３から露出した基板２の第１面２Ａの一部を露出領域２Ａ’という。導電層３は、一部でも基板２の外周から間を空けた内側の領域に位置していればよい。本実施形態では、露出領域２Ａ’が環状となるように位置している。導電層３は、外周から、例えば0.5μｍ以上５μｍ以下の間隔Ｔｈをあけて配置することができる。

導電層３は、基板２よりも電気抵抗の小さい材料から選択される。本実施形態では、基板２としてシリコン基板を用いていることから、シリコンよりも電気抵抗の小さい材料を選択すればよい。なお、導電層３は、逆導電型層２’上に設けられているため、逆導電型層２’の電気抵抗よりも小さい材料で形成すればよい。基板２の電気抵抗または逆導電型層２’の電気抵抗としては、それぞれ例えば基板２のシート抵抗または逆導電型層２’のシート抵抗を用いることができる。

また、導電層３は、入射した光を透過する透光性材料から選択される。透光性材料としては、入射した光を、例えば60％以上透過することができる材料から選択すればよい。このような導電層３としては、例えば、インジウムおよびスズを含む酸化物などまたは金属薄膜などを用いることができる。導電層３の厚みは、例えば0.05μｍ以上５μｍ以下となるように設定されている。

被覆層４は、導電層３上、および基板２の露出領域２Ａ’上に形成されている。具体的に、被覆層４は、基板２の露出領域２Ａ’から導電層３の上面３Ａにかけて配置されている。被覆層４は、アルミニウムを主成分とする材料によって構成されている。被覆層４に含まれる他の元素としては、例えばシリコンなどがある。被覆層４の厚みは、例えば0.5μｍ以上20μｍ以下となるように設定することができる。本実施形態では、被覆層４が、例えば、酸化アルミニウムなどによって構成されている。

被覆層４、導電層３および基板２には、複数の凹部５が設けられている。複数の凹部５は、貫通孔４ａ、貫通孔３ａおよび基板凹部２ａからなる第１凹部５ａと、貫通孔４ａおよび基板凹部２ａからなる第２凹部５ｂとから構成されている。第１凹部５ａは、平面透視して、導電層３と重なる領域に設けられている。第２凹部５ｂは、平面透視して、基板２の露出領域２Ａ’と重なる領域に設けられている。第１凹部５ａおよび第２凹部５ｂは、平面視形状が、例えば円形状または多角形状となるように設定されている。また第１凹部５ａおよび第２凹部５ｂは、その径を、入射する光の波長よりも小さくすればよく、例えば10ｎｍ以上200nm以下となるように設定されている。

次に、第１凹部５ａおよび第２凹部５ｂのそれぞれの構成について述べる。第１凹部５ａは、被覆層４の貫通孔４ａ、導電層３の貫通孔３ａおよび基板凹部２ａのそれぞれの側面が連続して一つの凹部を構成している。第２凹部５ｂは、被覆層４の貫通孔４ａおよび基板凹部２ａのそれぞれの側面が連続して一つの凹部を構成している。第１凹部５ａおよ
び第２凹部５ｂは、表面からの深さが同じとなるように設定されている。なお、第１凹部５ａは、基板２と被覆層４との間に導電層３が介在していることから、例えばエッチングガスなどの製造上の条件次第で、第２凹部５ｂの深さと異らせることができる。

このような光電変換素子１は、ナノスケールの凹部５を有していることから、光が入射した際に、当該凹部５によって近接場光が発生し、この近接場光によって長波長側の光が光電変換されやすくなる。その結果、光電変換素子１の光電変換効率を向上させることができる。

（光電変換素子の変形例）
第１凹部５ａは、図４に示すように、基板凹部２ａの底面が、逆導電型層２’と基板２との界面付近に近づけるように、逆導電型層２’内に配置されていてもよい。このように第１凹部５ａの基板凹部２ａの底面が、光電変換層である逆導電型層２’と基板２との界面付近に位置することによって、当該第１凹部５ａの底面付近で発生する近接場光が光電変換に効果的に寄与することとなる。その結果、入射した光の長波長側の光が光電変換されやすくなり、光電変換素子１の光電変換効率を向上させることができる。

また、第２凹部５ｂの底面は、逆導電型層２’と基板２との界面よりも下方に配置されている。そのため、例えば、光電変換素子１の側面方向から入射する光を、導電層３と重なる領域の光電変換層に入射しやすくすることができる。その結果、光電変換層に入射する光の量を多くすることができるため、光電変換効率をさらに高めることができる。

＜光電変換素子の製造方法＞
本実施形態に係る光電変換素子１の基本的な製造方法は、基板２を準備する工程、導電層３を形成する工程、被覆層４を形成する工程、陽極酸化を行なう工程およびエッチングを行なう工程とを有している。各工程について、詳細に以下説明する。

（基板を準備する工程）
まず、光電変換層を有する基板２を準備する工程について説明する。本実施形態において基板２は、ｐ型シリコン基板を用いて、ｎ型の逆導電型層２’が形成されることによって、光電変換層であるｐｎ接合が形成されている。基板２が単結晶シリコン基板の場合は、例えば引き上げ法などによって形成される。また基板２が、多結晶シリコン基板の場合は、例えば鋳造法などによって形成される。なお、以下の説明において、基板２がｐ型の多結晶シリコン基板を用いた例について説明する。

最初に、例えば、鋳造法により多結晶シリコンのインゴットを作製する。次いで、そのインゴットを、例えば、250μｍ以下の厚みにスライスする。このとき、初めから砥粒をワイヤーに固着させた砥粒固着ワイヤーでスライスする固着砥粒タイプのワイヤーソー装置を用いて、インゴットをスライスする。その後、スライス工程で汚染された基板２は洗浄液を用いて清浄化される。このとき、基板２の切断面には機械的ダメージ層が存在する。走査型電子顕微鏡で基板２の切断面を観察すると、遊離砥粒タイプを用いた場合に比べて、マイクロクラックの数は少なく、その深さも約１μｍ以下と小さくすることができる。

また、顕微ラマン分光法を用いて基板２の表面の残留応力を評価すると、固着砥粒タイプの場合には、200ＭＰａ以上500ＭＰａ以下の圧縮応力が存在するのに対して、遊離砥粒タイプの場合には、200ＭＰａ以下の圧縮応力となる。すなわち、固着砥粒タイプを用いることにより、機械的ダメージ層が少なく且つマイクロクラック等の発生による残留応力の開放が少ない基板２が得られると推察することができる。

逆導電型層２’は、基板２の第１面２Ａ側から形成される。逆導電型層２’は、ペースト状態にしたＰ_２Ｏ_５を半導体基板１の表面に塗布して熱拡散させる塗布熱拡散法、ガス状態にしたＰＯＣｌ_３（オキシ塩化リン）を拡散源とした気相熱拡散法などによって形成される。逆導電型層２’は、例えば0.2μｍ以上２μｍ以下の深さ、例えば40Ω／□以上200以下Ω／□以下のシート抵抗を有するように形成される。

気相熱拡散法では、ＰＯＣｌ_３等からなる拡散ガスを有する雰囲気中で、例えば600℃以上800℃以下の温度において、基板２を５分以上30分以下熱処理して燐ガラスを基板２の表面に形成する。その後、アルゴンや窒素等の不活性ガス雰囲気中で、例えば800℃以上900℃以下の高い温度において基板２を例えば10分以上40分以下の間、熱処理することにより燐ガラスから基板２にリンが拡散して逆導電型層２’が形成される。

このようにして、基板２に逆導電型層２’が形成されることによって、基板２と逆導電型層２’との界面付近がｐｎ接合となり、この界面付近が光電変換層となる。このようにして、図５に示すような、光電変換層を有する基板２を準備することができる。

（導電層を形成する工程）
基板２上には、基板２の外周から間を空けた内側に位置する領域に導電層３が形成される。なお、以下の説明において、基板２の外周から間を空けて、導電層３から露出した第１面２Ａの領域を、露出領域２Ａ’と称する。基板２に露出領域２Ａ’を露出させて、第１面２Ａに導電層３を形成する方法としては、例えばリフトオフ法または選択エッチング法などを用いることができる。リフトオフ法を用いて導電層３を形成する場合には、エッチングによって基板２が損傷することを抑制することができる。

次に、導電層３をリフトオフ法によって形成する場合について、図６を参照しつつ説明する。図６（ａ）に示すように、基板２の第１面２Ａに、マスクパターン６を形成する。マスクパターン６は、後に露出領域２Ａ’となる位置に設けられる。マスクパターン６は、厚みが、例えば１μｍ以上10μｍ以下となるように設定される。マスクパターン６の厚みを導電層３の厚みよりも厚くなるように設定することによって、この後に積層される導電膜３’を段切れさせることができ、意図した領域に導電層３を容易に形成することができる。マスクパターン６の材料としては、例えばシリコンの酸化物若しくは窒化物などの絶縁材料またはフォトレジストを用いることができる。

その後、図６（ｂ）に示すように、基板２の第１面２Ａのマスクパターン６から露出した領域およびマスクパターン６上に、導電膜３’が形成される。導電膜３’は、厚みが、例えば0.05μｍ以上５μｍ以下となるように設定される。導電膜３’の材料は、基板２よりも電気抵抗が小さい透光性の材料を用いることができ、例えばインジウムおよびスズを含む酸化物または金属薄膜などを用いることができる。導電膜３’は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法などを用いることができる。

そして、図６（ｃ）に示すように、マスクパターン６を除去することによって、マスクパターン６を除去するとともにマスクパターン６上の導電膜３’の一部を除去することができる。このようにして、基板２の第１面２Ａの外周から間を空けた内側に位置する領域に導電層３を形成することができる。なお、マスクパターン６を除去することによって、基板２の第１面２Ａの外周から間を空けたるとともに導電層３から露出した露出領域２Ａ’が形成される。また、露出領域２Ａ’の外周からの間隔Ｔｈは、マスクパターン６を形成するときに任意に設定することができる。

（被覆層を形成する工程）
そして、図７に示すように、導電層３上および露出領域２Ａ’上に、被覆層４’が形成
される。具体的に、被覆層４’は、基板２の第１面２Ａの露出領域２Ａ’から導電層３の上面３Ａにかけて連続して設けられる。そのため、被覆層４’の厚みは、導電層３の厚みよりも厚く設定されており、例えば0.5μｍ以上20μｍ以下となるように設定されている。

被覆層４’は、アルミニウムを主成分とする材料によって構成されている。被覆層４’は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法などによって、形成される。被覆層４’を形成する際に、スパッタリング法またはＣＶＤ法を用いた場合には、分子が導電層３の周囲にまで回り込みやすくなるため、被覆層４’として良好な層を形成することができる。また、導電層３および被覆層４’をスパッタリング法で形成する場合には、原料を変更するだけでよいので、工数を減らすことができ、生産性を向上させることができる。

（陽極酸化を行なう工程）
その後、図８に示すように、被覆層４’を酸性溶液７内に浸す。具体的には、導電層３および被覆層４’が形成された基板２の積層体８が、酸性溶液７内に浸される。酸性溶液７は、例えばビーカーなどの容器９内に配置されている。容器９内には、電極10が配置されており、当該電極10と積層体８とが電源11を介して電気的に接続されている。電源11は、例えば直流電源を用いることができ、積層体８が陽極、電極10が陰極とそれぞれなるように配置されている。

電極10としては、板状のものを用いることができる。電極10は、導電性材料であればよく、例えば金属材料を用いることができる。酸性溶液７は、例えば硫酸、シュウ酸またはリン酸などの２価以上の酸性溶液を用いることができる。電極10は、例えば、主面が積層体８の被覆層４’全体と向かい合うように配置される。

このような積層体８および電極10に電源11から電界が印加される。電源11の電圧は、酸性溶液７の種類または濃度によって調節すればよい。酸性溶液７として硫酸を用いた場合には、例えば10Ｖ以上100Ｖ以下となるように設定される。このように積層体６を酸性溶液７内に浸して電界を印加することによって、被覆層４’が陽極酸化されることとなる。このように被覆層４’が陽極酸化されると、被覆層４’内に含まれていたアルミニウムが酸化アルミニウムとなり、複数の貫通孔４ａを持つ多孔質の被覆層４となる。複数の貫通孔４ａは、その径が、例えば10ｎｍ以上200nm以下に設定される。なお、被覆層４’は陽極酸化される前の状態を示し、被覆層４は陽極酸化されて多孔質となった状態を示している。

（エッチングを行なう工程）
その後、図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、陽極酸化された被覆層４を通して、導電層３の露出部３Ａ”および第１面２Ａの露出部２Ａ”をエッチング行なう。具体的に、陽極酸化されて多孔質となった被覆層３は、複数の貫通孔４ａを有していることによって、図９（ｂ）に示すように、導電層３の上面３Ａの一部（露出部３Ａ”）を露出されるとともに、基板２の第１面２Ａの一部（露出部２Ａ”）を露出されている。

そのため、被覆層４を通してエッチングを行なうと、被覆層４の貫通孔４ａを通って、導電層３の露出部３Ａ”および基板２の第１面２Ａの露出部２Ａ”がエッチングされることとなる。そのため、導電層３と重なる領域においては、被覆層４の貫通孔４ａと通して、導電層３の一部および基板２の一部が除去されることとなる。また、基板２の露出領域２Ａ’と重なる領域においては、基板２の一部が除去されることとなる。このようにして、図10に示すような、光電変換素子１を製造することができる。

本実施形態においては、このように導電層３を基板２の外周から間を空けた内側に位置する領域に形成した後、基板２の導電層３から露出した露出領域２Ａ’および導電層３に被覆層４を形成し、陽極酸化を行なっている。そのため、基板２の露出領域２Ａ’および被覆層４が、導電層３および被覆層４よりも密着性が高くなっている。その結果、陽極酸化する際に露出領域２Ａ’において基板２と被覆層４とを剥がれにくくすることができる。

従来の光電変換素子の製造方法では、導電層を基板の第１面全体に形成していた。そのため、導電層上に形成された被覆層を陽極酸化した際に、被覆層が剥がれてしまっていた。その結果、良好に被覆層を陽極酸化することができず、ナノメートルサイズの凹部を複数持つ光電変換素子を製造することは困難だった。一方、導電層を設けずに基板に凹部を形成した場合、導電層を有していないことから光電変換された電力を取り出すことが難しかった。

本実施形態の光電変換素子の製造方法では、導電層３を設けても良好に光電変換素子を製造することができる。また、製造された光電変換素子は、基板２にナノメートルサイズの凹部５を複数有していることから、通常の光電変換素子よりも長波長側の光でも光電変換することができ、光電変換効率を向上させることができる。

（光電変換素子の製造方法の変形例１）
被覆層４’を形成する工程において、図11（ａ）に示すように、導電層３上および第１面２Ａの露出領域２Ａ’上に、チタンを主成分とする密着層12を形成してもよい。その後、図11（ｂ）に示すように、密着層12上にアルミニウムを主成分とする被覆層４’を形成してもよい。密着層12は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法などを用いることができる。

このように、基板２と被覆層４’との間に密着層12を形成することから、陽極酸化を行なう工程において、基板２と被覆層４とがさらに剥がれにくくすることができる。また、本実施形態では、導電層３と被覆層４’との間にも密着層12を形成することから、陽極酸化を行なう際に、導電層３と被覆層４とが剥がれにくくすることができる。

（光電変換素子の製造方法の変形例２）
被覆層４’を形成する工程において、図12に示すように、被覆層４’を基板２の第１面２Ａの露出領域２Ａ’から基板２の側面２Ｃにかけて延在させてもよい。すなわち、被覆層４’は、基板２の第１面２Ａの露出領域２Ａ’から基板２の側面２Ｃにかけて延在した延在部分４”を有していてもよい。延在部分４”は、被覆層４’を形成する際に、例えば材料の回り込みが多いスパッタリング法などを用いることによって形成することができる。

このように被覆層４’が延在部分４”を有していることによって、延在部分４”が基板２の側面２Ｃから剥がれにくくなっていることから、被覆層４が剥がれるのをさらに抑制することができる。また、このように基板２の側面２Ｃの一部が覆われていることから、陽極酸化を行なう際に、基板２が受ける損傷を抑制することができる。

（光電変換素子の製造方法の変形例３）
被覆層４を形成する工程と被覆層４’を陽極酸化して多孔質とする工程との間に、導電層３および被覆層４’を加熱する工程をさらに有していてもよい。この加熱工程は、便宜上、積層体６を加熱することによって行なわれる。加熱温度は、例えば150℃以上500℃以下となるように設定することができる。被覆層４’を形成する工程と被覆層４’を陽極酸化する工程との間で、導電層３および被覆層４’を加熱することによって、導電層３およ
び被覆層４’とを強固に密着させることができる。その結果、陽極酸化を行なう際に導電層３および被覆層４を剥がれにくくすることができる。

１ 光電変換素子
２ 基板
２Ａ 第１面（受光面）
２’ 逆導電型層
２ａ 基板凹部
２Ａ’ 露出領域
２Ａ” 露出部
２Ｂ 第２面
３ 導電層
３ａ 貫通孔
３Ａ 上面
３Ａ” 露出部
３’ 導電膜
４ 被覆層（陽極酸化後）
４’ 被覆層（陽極酸化前）
４” 延在部分
４ａ 貫通孔
５ 凹部
５ａ 第１凹部
５ｂ 第２凹部
６ マスクパターン
７ 酸性溶液
８ 積層体
９ 容器
10 電極
11 電源
12 密着層

Claims (4)

1. 受光面および該受光面から入射した光を光電変換する光電変換層を有する基板を準備する工程と、
   前記受光面上の前記基板の外周から間を空けた内側に位置する領域に、前記基板よりも電気抵抗の小さい透光性材料からなる導電層を形成する工程と、
   該導電層上および該導電層周囲の前記受光面の露出部上に、アルミニウムを主成分とする被覆層を形成する工程と、
   前記被覆層を酸性溶液内に浸して電界を印加し、前記被覆層を陽極酸化して多孔質とする工程と、
   陽極酸化された前記被覆層を通して前記導電層および前記受光面の露出部をエッチングする工程とを有する
   光電変換素子の製造方法。
2. 前記被覆層を形成する工程において、前記導電層上および該導電層周囲の前記受光面の露出部上に、チタンを主成分とする密着層を形成した後、該密着層上にアルミニウムを主成分とする前記被覆層を形成する請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
3. 前記被覆層を形成する工程において、前記被覆層を前記受光面の露出部から前記基板の側面にかけて延在させる請求項１または２に記載の光電変換素子の製造方法。
4. 前記被覆層を形成する工程と前記被覆層を陽極酸化して多孔質とする工程との間に、前記導電層および前記被覆層を加熱する工程をさらに有する請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
   

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