JP2010108994A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】太陽電池10の製造方法は、下地電極12a,13aを互いに電気的に接続する接続配線15を形成する工程と、下地電極12a,13a上に、電解メッキ法によって第1メッキ層12b,13b及び第2メッキ層12c,13cを形成する工程と、接続配線15の一部を除去することによってp側電極12及びn側電極13を形成する工程とを備える。
【選択図】図2
Description
(太陽電池の構成)
本発明の実施形態に係る太陽電池10の構成について、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る太陽電池10の裏面側の平面図である。図2は、図1のA−A線における拡大断面図である。
以下において、太陽電池10の製造方法について、図3〜図7を参照しながら説明する。
第1実施形態に係る太陽電池10の製造方法は、下地電極12a,13aを互いに電気的に接続する接続配線15を形成する工程と、下地電極12a,13a上に、電解メッキ法によって第1メッキ層12b,13b及び第2メッキ層12c,13cを形成する工程と、接続配線15の一部を除去することによってp側電極12及びn側電極13を形成する工程とを備える。
以下において、本発明の第2実施形態に係る太陽電池について、図面を参照しながら説明する。第2実施形態の第1実施形態との相違点は、接続配線分離溝Mの内部に絶縁層を形成する点である。なお、以下においては、第1実施形態との相違点について主に説明する。
図8は、第2実施形態に係る太陽電池10の裏面側の平面図である。図9は、図8のD−D線における拡大断面図である。
ダイシングソーなどを用いて、接続配線分離溝Mを形成した後、絶縁層122,132の上面と接続配線分離溝M内とにポリイミド樹脂を約30μm塗布する。続いて、ポリイミド樹脂を約180℃で20分間加熱する。これによって、ポリイミド樹脂が硬化され絶縁層17が形成される。
第2実施形態に係る太陽電池10の製造方法は、絶縁層122,132の上面と、接続配線残部121,131及び半導体基板11のうち接続配線分離溝M内に露出された部分とを絶縁層17によって被覆する工程を備える。従って、半導体基板11のうちダイシングソーなどによって接続配線分離溝Mが形成された部分の強度を向上させることができる。その結果、後工程(例えば、収集電極への配線材の接続)において、半導体基板11のうち接続配線分離溝M付近においてクラックなどが発生することを抑制できる。なお、絶縁層17は、接続配線分離溝Mの形成に伴って半導体基板11の一部が除去されている場合に有効である。
以下において、本発明の第3実施形態に係る太陽電池について、図面を参照しながら説明する。第3実施形態の第1実施形態との相違点は、接続配線15が半導体基板11の裏面の第1方向中央に形成される点である。なお、以下においては、第1実施形態との相違点について主に説明する。
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
まず、(100)方位のn型単結晶シリコン基板(100mm角、200μm厚、抵抗率0.1Ωcm)を準備した。
実施例2では、ダイシングソーを入れた部分に、ディスペンス法によってポリイミド樹脂を約30μm塗布し、約180℃で20分間加熱した。
実施例3では、樹脂型銀ペーストを、p型領域の中央部とn型領域の中央部との間に印刷した。すなわち、接続配線をn型単結晶シリコン基板の所定方向中央に形成した。
比較例では、接続配線を形成しなかった。従って、電解メッキ法では、各下地電極に給電電極を押し当てることによって、各下地電極に給電を行なった。
電解メッキ工程における不良発生率は、実施例1では0%であったのに対し、比較例では15%(メッキ未着発生4.5%、メッキ厚不足発生10.5%)であった。なお、メッキ未着発生とは、下地電極上においてメッキ層が形成されない部分が1箇所以上確認されたことを示し、メッキ厚不足発生とは、目標厚みの80%以下のメッキ層が形成された部分が1箇所以上確認されたことを示す。
配線材接続工程における基板割れ発生率は、実施例2では1.5%、実施例3では0%であったのに対し、実施例1では4.0%であった。
11…半導体基板
11a…p型領域
11b…n型領域
12…p側電極
12a…下地電極
12b…第1メッキ層
12c…第2メッキ層
13…n側電極
13a…下地電極
13b…第1メッキ層
13c…第2メッキ層
14…反射防止層
15…接続配線
16…絶縁層
16T…貫通穴
17…絶縁層
121,131…接続配線残部
122,132…絶縁層
C…コネクトピン
M…接続配線分離溝
Claims (6)
- 光電変換部と、前記光電変換部の主面上に形成される複数の収集電極とを備える太陽電池の製造方法であって、
前記光電変換部の前記主面上に、複数の導電領域と、前記複数の導電領域を互いに電気的に接続する接続配線とを形成する接続配線形成工程と、
前記複数の導電領域上に、電解メッキ法によってメッキ層を形成するメッキ層形成工程と、
前記接続配線の少なくとも一部を除去することによって、前記複数の収集電極を形成する収集電極形成工程と
を備える太陽電池の製造方法。 - 前記複数の導電領域は、n型半導体領域とp型半導体領域とによって構成される
請求項1に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記複数の導電領域は、n型半導体領域上に形成された導電層と、p型半導体領域上に形成された導電層とによって構成される
請求項1又は2に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記接続配線上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を備える
請求項1乃至3の何れかに記載の太陽電池の製造方法。 - 前記光電変換部及び前記接続配線のうち前記収集電極形成工程において露出された部分を、絶縁層によって被覆する被覆工程を備える
請求項1乃至4の何れかに記載の太陽電池の製造方法。 - 前記接続配線形成工程において、
前記接続配線を前記主面の中央に近づけて形成する
請求項1乃至5の何れかに記載の太陽電池の製造方法。
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