JP6218933B2 - オプトエレクトロニクス半導体チップを製造する方法 - Google Patents
オプトエレクトロニクス半導体チップを製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6218933B2 JP6218933B2 JP2016513348A JP2016513348A JP6218933B2 JP 6218933 B2 JP6218933 B2 JP 6218933B2 JP 2016513348 A JP2016513348 A JP 2016513348A JP 2016513348 A JP2016513348 A JP 2016513348A JP 6218933 B2 JP6218933 B2 JP 6218933B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- substrate
- functional semiconductor
- sacrificial layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 87
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 48
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 3
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
100:基板
110:バッファ層
120:犠牲層
125:酸化犠牲層
130:機能半導体層配列
140:第1のドープ層
150:活性層
160:第2のドープ層
170:トレンチ
171:チップサイズ
175:チャネル
180:担体
Claims (19)
- オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)を製造する方法であって、
基板(100)を提供する工程と、
犠牲層(120)を付着させる工程と、
機能半導体層配列(130)を付着させる工程と、
前記機能半導体層配列(130)内に、前記基板(100)に到達しないトレンチ(170)を形成することで、前記機能半導体層配列(130)を横方向にパターニングする工程と、
前記犠牲層(120)を湿式熱酸化工程で酸化させる工程と、
を含み、
前記犠牲層(120)に先立って、バッファ層(110)が前記基板(100)の最上部に配置され、
前記バッファ層(110)は、前記機能半導体層配列(130)のパターニングの間、エッチストップ層として機能する、
方法。 - 前記基板(100)は、GaAsを含むか又はGaAsのみから成り、
前記犠牲層(120)は、AlxGa1-xAsを含むか又はAlxGa1-xAsのみから成り、
アルミニウムとガリウムの比率は、80対20よりも大きく、好ましくは93対7よりも大きく、
AlOxHyは、前記犠牲層(120)の酸化中に形成される、請求項1に記載の方法。 - 前記犠牲層(120)は、AlAsを含むか又はAlAsのみから成る、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記犠牲層(120)は、AlxGa1-xAsを含むか又はAlxGa1-xAsのみから成り、
アルミニウムとガリウムの比率が、80対20よりも大きく、好ましくは93対7よりも大きく、
前記酸化させる工程の間、前記犠牲層(120)の領域内に多孔質層が形成される、
請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の方法。 - 前記犠牲層(120)の酸化中にAlOxHyが形成される、請求項1〜4のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記犠牲層(120)の酸化後に、
前記基板(100)から前記機能半導体層配列(130)を分離する工程が実行される、請求項1〜6のうちいずれか一項に記載の方法。 - 前記基板(100)から前記機能半導体層配列(130)を分離する工程は、前記犠牲層(120)の酸化中に形成された酸化物(125)のエッチング液による除去を含む、
請求項1〜6のうちいずれか一項に記載の方法。 - 前記フッ化水素酸を含むエッチング液が使用される、請求項1〜7のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板(100)からの前記機能半導体層配列(130)の分離中に、前記機能半導体層配列(130)に剪断力が加えられる、請求項1〜8のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板(100)が再利用される、請求項1〜9のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板(100)から前記機能半導体層配列(130)を分離する工程は、エッチングを含まず、純粋に機械的に行われる、請求項1〜10のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記機能半導体層配列(130)を担体(180)に接合する工程が更に行われ、
前記担体(180)は、前記機能半導体層配列(130)を機械的に安定させる働きをし、
前記機能半導体層配列(130)を電気接触するための電気接点が前記担体(180)上に配置されている、
請求項1〜11のうちいずれか一項に記載の方法。 - 前記機能半導体層配列(130)を前記担体(180)に接合する工程は、前記犠牲層(120)の酸化前に行われる、請求項1〜12のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記機能半導体層配列(130)を前記担体(180)に接合する工程は、前記犠牲層(120)の酸化後に行われる、請求項1〜13のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記担体(180)は、シリコン又はゲルマニウムを含む、請求項1〜14のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板(100)は、GaAsを含むか又はGaAsのみから成り、
前記機能半導体層配列は、InGaAlP系材料に基づく、
請求項1〜15のうちいずれか一項に記載の方法。 - オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)を製造する方法であって、
基板(100)を提供する工程と、
犠牲層(120)を付着させる工程と、
機能半導体層配列(130)を付着させる工程と、
前記機能半導体層配列(130)内に、前記基板(100)に到達しないトレンチ(170)を形成することで、前記機能半導体層配列(130)を横方向にパターニングする工程と、
前記犠牲層(120)を湿式熱酸化工程で酸化させる工程と、
を含み、
前記基板(100)は、GaAsを含むか又はGaAsのみから成り、
前記犠牲層(120)は、AlxGa1-xAsを含むか又はAlxGa1-xAsのみから成り、
アルミニウムとガリウムの比率は、80対20よりも大きく、好ましくは93対7よりも大きく、
AlOxHyは、前記犠牲層(120)の酸化中に形成され、
前記犠牲層(120)に先立って、バッファ層(110)が前記基板(100)の最上部に配置され、
前記バッファ層(110)は、前記機能半導体層配列(130)のパターニングの間、エッチストップ層として機能し、
前記基板(100)から前記機能半導体層配列(130)を分離する工程は、エッチングを含まず、純粋に機械的に行われ、
前記基板(100)からの前記機能半導体層配列(130)の分離中に、前記機能半導体層配列(130)に剪断力が加えられる、
方法。 - 前記湿式熱酸化工程は、300℃から500℃の間の温度で行われる、
請求項1〜17のうちいずれか一項に記載の方法。 - 前記トレンチ(170)は、異方性ドライエッチング工程によって形成され、
前記トレンチ(170)は、前記機能半導体層配列(130)を矩形又は正方形の個別の横方向部分に細分し、
前記横方向部分は、固有のチップサイズを有する、
請求項1〜18のうちいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013105035.2A DE102013105035A1 (de) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102013105035.2 | 2013-05-16 | ||
PCT/EP2014/059840 WO2014184240A1 (de) | 2013-05-16 | 2014-05-14 | Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterchips |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016522992A JP2016522992A (ja) | 2016-08-04 |
JP6218933B2 true JP6218933B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=50733060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016513348A Active JP6218933B2 (ja) | 2013-05-16 | 2014-05-14 | オプトエレクトロニクス半導体チップを製造する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9799801B2 (ja) |
JP (1) | JP6218933B2 (ja) |
KR (1) | KR102262228B1 (ja) |
CN (1) | CN105210200B (ja) |
DE (2) | DE102013105035A1 (ja) |
WO (1) | WO2014184240A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014115253A1 (de) * | 2014-10-20 | 2016-04-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Strukturierung einer Schichtenfolge und Halbleiterlaser-Vorrichtung |
US10062803B2 (en) * | 2016-03-29 | 2018-08-28 | X Development Llc | Micro-size devices formed by etch of sacrificial epitaxial layers |
KR101889352B1 (ko) | 2016-09-13 | 2018-08-20 | 한국과학기술연구원 | 변형된 저마늄을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자 |
FR3061357B1 (fr) * | 2016-12-27 | 2019-05-24 | Aledia | Procede de realisation d’un dispositif optoelectronique comportant une etape de gravure de la face arriere du substrat de croissance |
DE102017103041B4 (de) | 2017-02-15 | 2023-12-14 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement |
CN108807324B (zh) * | 2018-06-11 | 2020-06-23 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 微同轴结构的制备方法及微同轴结构 |
DE102019108701A1 (de) * | 2019-04-03 | 2020-10-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauteilen, Bauteil und Bauteilverbund aus Bauteilen |
DE102021128546A1 (de) * | 2021-11-03 | 2023-05-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung einer vielzahl optoelektronischer halbleiterchips |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100442852B1 (ko) | 1997-09-12 | 2004-09-18 | 삼성전자주식회사 | 트렌치 소자분리 영역 형성방법 |
US6320206B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks |
US6280523B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-08-28 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Thickness tailoring of wafer bonded AlxGayInzN structures by laser melting |
JP3923733B2 (ja) | 2001-01-29 | 2007-06-06 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 透過型電子顕微鏡の試料作製方法 |
KR100755656B1 (ko) * | 2006-08-11 | 2007-09-04 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법 |
JP5171016B2 (ja) | 2006-10-27 | 2013-03-27 | キヤノン株式会社 | 半導体部材、半導体物品の製造方法、その製造方法を用いたledアレイ |
JP2009094144A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Canon Inc | 発光素子の製造方法 |
KR101018244B1 (ko) * | 2008-11-05 | 2011-03-03 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법 |
TWI411129B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-10-01 | Epistar Corp | 發光二極體的形成方法 |
KR100993077B1 (ko) * | 2010-02-17 | 2010-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법, 발광소자 패키지 |
US9455242B2 (en) * | 2010-09-06 | 2016-09-27 | Epistar Corporation | Semiconductor optoelectronic device |
JP2012195407A (ja) | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
DE102011015725B4 (de) * | 2011-03-31 | 2022-10-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Vereinzeln eines Bauelementverbunds |
KR101235239B1 (ko) | 2011-05-20 | 2013-02-21 | 서울대학교산학협력단 | 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법 |
JP5770542B2 (ja) | 2011-06-14 | 2015-08-26 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2013
- 2013-05-16 DE DE102013105035.2A patent/DE102013105035A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-05-14 JP JP2016513348A patent/JP6218933B2/ja active Active
- 2014-05-14 CN CN201480027683.8A patent/CN105210200B/zh active Active
- 2014-05-14 DE DE112014002434.1T patent/DE112014002434B4/de active Active
- 2014-05-14 KR KR1020157032335A patent/KR102262228B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-14 WO PCT/EP2014/059840 patent/WO2014184240A1/de active Application Filing
- 2014-05-14 US US14/891,658 patent/US9799801B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016522992A (ja) | 2016-08-04 |
KR102262228B1 (ko) | 2021-06-09 |
DE112014002434A5 (de) | 2016-02-18 |
US20160104819A1 (en) | 2016-04-14 |
CN105210200A (zh) | 2015-12-30 |
DE112014002434B4 (de) | 2022-01-05 |
WO2014184240A1 (de) | 2014-11-20 |
KR20160009554A (ko) | 2016-01-26 |
CN105210200B (zh) | 2018-01-02 |
DE102013105035A1 (de) | 2014-11-20 |
US9799801B2 (en) | 2017-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6218933B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体チップを製造する方法 | |
TWI240434B (en) | Method to produce semiconductor-chips | |
JP5819923B2 (ja) | 基板分離成長のための空洞を有するエピタキシャル層ウエハ及びそれを用いて製造された半導体素子 | |
US7579202B2 (en) | Method for fabricating light emitting diode element | |
TW201225171A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
US9048086B2 (en) | Substrate recycling method | |
US8969175B2 (en) | Method for producing singulated semiconductor devices | |
TWI398022B (zh) | Separation method of epitaxial substrate of photovoltaic element | |
KR20120083307A (ko) | 화합물 반도체 결정의 제조 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 반도체 기판 | |
JP2014103397A (ja) | 基板再生方法及び再生基板 | |
WO2017171947A1 (en) | Micro-size devices formed by etch of sacrificial epitaxial layers | |
TWI474507B (zh) | 固態發光元件之製作方法 | |
US8330036B1 (en) | Method of fabrication and structure for multi-junction solar cell formed upon separable substrate | |
JP4638000B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
KR20130035685A (ko) | 질화물 반도체 소자 제조 방법 | |
CN110600990B (zh) | 一种基于柔性衬底的GaN基激光器与HEMT的器件转移制备方法 | |
KR100978568B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법 | |
KR20140011071A (ko) | 질화물 반도체층과 성장 기판 분리 방법 | |
JP6836191B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
KR101652791B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
US10453989B2 (en) | Method for producing a plurality of semiconductor chips and semiconductor chip | |
KR101018244B1 (ko) | 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법 | |
KR20140081068A (ko) | 기판 분리 방법, 반도체 소자 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 소자 | |
JP2011049565A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
KR20150016759A (ko) | 발광 소자 제조용 템플릿 재생 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161130 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170615 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170726 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170814 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6218933 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |