JP2009094144A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 化合物半導体層を有する基板上に、エッチングストップ層と犠牲層とを介して、発光層を有する第1の部材を用意し、
シリコン層を含み構成されている第2の部材と、前記第1の部材とを、前記発光層が内側に位置するようにはり合わせて、はり合わせ構造体を形成し、
前記第1の部材を、前記発光層側とは反対側からエッチングして、前記エッチングストップ層が露出するように前記基板に貫通溝を設け、且つ
前記犠牲層をエッチングすることにより、前記貫通溝が設けられた前記基板を前記はり合わせ構造体から除去することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
そこで、本発明は、従来にない新規な移設方法を含む、発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
化合物半導体層を有する基板上に、エッチングストップ層と犠牲層とを介して、発光層を有する第1の部材を用意する工程、
シリコン層を含み構成されている第2の部材と、前記第1の部材とを、前記発光層が内側に位置するようにはり合わせて、はり合わせ構造体を形成する工程、
前記第1の部材を、前記発光層側とは反対側からドライエッチングして、前記エッチングストップ層が露出するように前記基板に貫通溝を設ける工程、及び
前記犠牲層をエッチングすることにより、前記貫通溝が設けられた前記基板を前記はり合わせ構造体から除去する除去工程、
を有することを特徴とする。
図1では、前記第1の部材1000が、前記化合物半導体層を有する基板1010上に、該化合物半導体層側から前記エッチングストップ層1020と前記犠牲層1030をこの順に有する場合を説明した。実際には、図8に示すように、該化合物半導体層側1010から前記犠牲層1030と前記エッチングストップ層1020をこの順に有するように構成することもできる。斯かる場合、はり合わせ構造体は、図9に示すようになる。そして、前記化合物半導体層を有する基板に貫通溝や貫通孔をドライエッチングによって設ける場合、図10に示すように、前記犠牲層1030も除去されて、前記エッチングストップ層1020が露出することになる。その後、前記犠牲層1030を除去することにより、はり合わせ構造体から前記化合物半導体層を有する基板が除去される。
前記化合物半導体層を有する基板としては、GaAs基板自体が挙げられる。
前記発光層は、ダブルへテロ構造を用いることができるが、詳細は、実施例にて述べる。
前記第2の部材には、既述のように前記発光素子を駆動するための駆動回路を設けておくことができる。
前記除去工程後に、前記発光層がメサ形状になるようにエッチングする工程を有する。
なお、前記第1の部材は、図14に示すように、前記化合物半導体層を有する基板4010上に、該化合物半導体層側から第1の前記エッチングストップ層4020を形成する。更に、第1の前記発光層4040、前記犠牲層4030、第2の前記エッチングストップ層4021、及び第2の前記発光層4041を有するように構成することもできる。なお、4050と4051はそれぞれ必要に応じて設けることできる半導体多層膜(DBR)である。このように発光層を複数層設ける場合には、はり合わせ構造体は図15に示したようになる。所望のマスクを用いて、図16に示すようにGaAs等の基板4010を裏面側からドライエッチングする。第1のエッチングストップ層4020のところで、エッチングが止まることになるので、当該層が露出したら、塩酸などを用いたウェットエッチングにより除去する。そして、更に発光層側にドライエッチングを進めて、第2のエッチングストップ層4021を露出させる。
前記第1の部材を構成する基板に貫通溝を形成するエッチングをドライエッチング(RIBE)で行う場合のガス種としては、塩素系ガスとして、Cl2、SiCl4などがある。塩素系ガスにArなどの希ガスを混ぜて使用することも出来る。また、添加ガスとして、N2ガスやO2ガス、COガスなども適用できる。ドライエッチングの際のエッチングストッパー層としては、GaInP以外にも、例えばAlInPを用いることもできる。
なお、p型クラッド層は、p−Al0.4Ga0.6As:350nmである。
p型、n型ともに、コンタクト層の厚さは、200nmである。
1020 エッチングストップ層
1030 犠牲層
1040 発光層
1050 半導体多層膜
Claims (13)
- 発光素子の製造方法であって、
化合物半導体層を有する基板上に、エッチングストップ層と犠牲層とを介して、発光層を有する第1の部材を用意する工程、
シリコン層を含み構成されている第2の部材と、前記第1の部材とを、前記発光層が内側に位置するようにはり合わせて、はり合わせ構造体を形成する工程、
前記第1の部材を、前記発光層側とは反対側からエッチングして、前記エッチングストップ層が露出するように前記基板に貫通溝を設ける工程、及び
前記犠牲層をエッチングすることにより、前記貫通溝が設けられた前記基板を前記はり合わせ構造体から除去する除去工程、
を有することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記第1の部材は、前記化合物半導体層を有する基板上に、該基板側から前記エッチングストップ層と前記犠牲層をこの順に有することを特徴とする請求項1記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1の部材は、前記化合物半導体層を有する基板上に、該基板側から前記犠牲層と前記エッチングストップ層をこの順に有することを特徴とする請求項1記載の発光素子の製造方法。
- 前記化合物半導体層を有する基板は、GaAs基板、あるいは表面にGaAs層を有するサファイア基板、表面にGaAs層を有するSiC基板、表面にGaAs層を有するZnO基板、表面にGaAs層を有するGe基板、Siウエハ上にバッファー層を介してGaAs層を有するSi基板であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記Siウエハ上にバッファー層を介してGaAs層を有する基板とは、Siウエハ上にSiGe層を介してGe層を有し、且つGe層上にGaAs層を有する基板である請求項4に記載の発光素子の製造方法。
- 前記発光層上に半導体多層膜ミラーを有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第2の部材には、前記発光素子を駆動するための駆動回路が設けられていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第2の部材を構成する前記シリコン層上には有機絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記除去工程後に、前記発光層がメサ形状になるようにエッチングする工程を有することを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記発光層がメサ形状になるようにエッチングした後、前記はり合わせ構造体を形成することを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1の部材は、前記化合物半導体層を有する前記基板上に、該化合物半導体層側から第1の前記エッチングストップ層、第1の前記発光層、前記犠牲層、第2のエッチングストップ層、及び第2の前記発光層を有することを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1の部材は、
前記化合物半導体層を有する前記基板上に、該基板をエッチングする際にエッチングストッパーとして作用する第1の前記エッチングストップ層を介して第1の前記発光層を有し、且つ
前記犠牲層と第2のエッチングストップ層を介して、第2の前記発光層を有し構成されており、
前記犠牲層を除去することにより、前記第2の発光層を第2の部材に移設し、
前記第1のエッチングストップ層を除去することにより、前記第1の発光層を他の部材に移設することを特徴とする請求項1から11記載の発光素子の製造方法。 - 前記犠牲層がAlAs層であり、前記第1及び第2のエッチングストップ層がGaInPであることを特徴とする請求項12記載の発光素子の製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013542589A (ja) * | 2010-09-10 | 2013-11-21 | バーレイス テクノロジーズ エルエルシー | 半導体ドナーから分離された層を使用するオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法、およびそれによって製造されたデバイス |
KR101396281B1 (ko) | 2010-10-04 | 2014-05-16 | 에피스타 코포레이션 | 복수개의 접촉부를 구비한 발광 소자 |
JP2016522992A (ja) * | 2013-05-16 | 2016-08-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体チップを製造する方法 |
JP2019075569A (ja) * | 2018-12-12 | 2019-05-16 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 半導体素子を選択的にトランスファーする方法 |
WO2020196271A1 (ja) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
WO2021014972A1 (ja) * | 2019-07-25 | 2021-01-28 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
WO2021065918A1 (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
JP7457255B2 (ja) | 2019-05-08 | 2024-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI411129B (zh) | 2009-12-31 | 2013-10-01 | Epistar Corp | 發光二極體的形成方法 |
TWI429795B (zh) * | 2011-10-31 | 2014-03-11 | Univ Nat Taiwan | 於氮化鎵上製作氧化鋅之方法與其應用thereof |
CN103296155B (zh) * | 2013-06-06 | 2016-04-20 | 刘凤全 | 一种薄膜led外延芯片的制造方法 |
TWI671141B (zh) * | 2013-08-30 | 2019-09-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 支撐體供應裝置及供應支撐體的方法 |
CN105097430B (zh) * | 2014-05-05 | 2019-06-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件的制造方法 |
US10804407B2 (en) | 2016-05-12 | 2020-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and stack processing apparatus |
KR102634586B1 (ko) | 2018-06-11 | 2024-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자, 그 제조방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 |
KR102590984B1 (ko) | 2018-10-30 | 2023-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 구조물 및 발광 소자의 제조방법 |
JP7484078B2 (ja) * | 2019-05-10 | 2024-05-16 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
CN110854154B (zh) * | 2019-11-18 | 2024-04-30 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种硅基微型led芯片及其制作方法 |
CN117855339B (zh) * | 2024-03-05 | 2024-05-14 | 山西创芯光电科技有限公司 | 一种完全去除衬底的超晶格红外探测器制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106632A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体発光素子アレイ装置 |
JP2004179641A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-24 | Oki Data Corp | 半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
JP2005072422A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Nec Corp | 半導体素子のエピタキシャル層分離方法 |
WO2007025497A1 (de) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum lateralen zertrennen eines halbleiterwafers und optoelektronisches bauelement |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5750000A (en) * | 1990-08-03 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor member, and process for preparing same and semiconductor device formed by use of same |
KR950014609B1 (ko) * | 1990-08-03 | 1995-12-11 | 캐논 가부시끼가이샤 | 반도체부재 및 반도체부재의 제조방법 |
JP2693032B2 (ja) * | 1990-10-16 | 1997-12-17 | キヤノン株式会社 | 半導体層の形成方法及びこれを用いる太陽電池の製造方法 |
CA2069038C (en) * | 1991-05-22 | 1997-08-12 | Kiyofumi Sakaguchi | Method for preparing semiconductor member |
EP0534474B1 (en) * | 1991-09-27 | 2002-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of processing a silicon substrate |
JP3352118B2 (ja) * | 1992-08-25 | 2002-12-03 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3192000B2 (ja) * | 1992-08-25 | 2001-07-23 | キヤノン株式会社 | 半導体基板及びその作製方法 |
JPH06244389A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-09-02 | Canon Inc | 半導体基板の作製方法及び該方法により作製された半導体基板 |
JPH09331049A (ja) * | 1996-04-08 | 1997-12-22 | Canon Inc | 貼り合わせsoi基板の作製方法及びsoi基板 |
EP0851513B1 (en) * | 1996-12-27 | 2007-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell |
US6756289B1 (en) * | 1996-12-27 | 2004-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell |
CA2231625C (en) * | 1997-03-17 | 2002-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate having compound semiconductor layer, process for its production, and electronic device fabricated on semiconductor substrate |
CA2232796C (en) * | 1997-03-26 | 2002-01-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film forming process |
JP3647191B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3492142B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2004-02-03 | キヤノン株式会社 | 半導体基材の製造方法 |
CA2233115C (en) * | 1997-03-27 | 2002-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and method of manufacturing the same |
CA2233127C (en) * | 1997-03-27 | 2004-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for separating composite member using fluid |
EP0926709A3 (en) * | 1997-12-26 | 2000-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an SOI structure |
JP3697106B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2005-09-21 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法及び半導体薄膜の作製方法 |
US6331208B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor |
US6391743B1 (en) * | 1998-09-22 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing photoelectric conversion device |
TW400393B (en) * | 1999-02-12 | 2000-08-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | The metalization process of utilizing the sacrifice layer to avoid the damage of the etch stopping layer |
US6452091B1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing thin-film single-crystal device, solar cell module and method of producing the same |
JP2001284622A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 半導体部材の製造方法及び太陽電池の製造方法 |
JP2002359247A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-12-13 | Canon Inc | 半導体部材、半導体装置およびそれらの製造方法 |
ATE346410T1 (de) * | 2000-08-04 | 2006-12-15 | Amberwave Systems Corp | Siliziumwafer mit monolithischen optoelektronischen komponenten |
JP4803884B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2011-10-26 | キヤノン株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JP4708577B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2011-06-22 | キヤノン株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JP2002229473A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Canon Inc | 表示装置の製造方法 |
JP4211256B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2009-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
US7180099B2 (en) * | 2002-11-11 | 2007-02-20 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
JP4097510B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2008-06-11 | 株式会社沖データ | 半導体装置の製造方法 |
JP2004335642A (ja) * | 2003-05-06 | 2004-11-25 | Canon Inc | 基板およびその製造方法 |
EP1620583A4 (en) * | 2003-05-06 | 2009-04-22 | Canon Kk | SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, LUMINOUS DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
JP2005005509A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US6913985B2 (en) * | 2003-06-20 | 2005-07-05 | Oki Data Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
KR101063646B1 (ko) * | 2004-03-19 | 2011-09-07 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
JP4771510B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2011-09-14 | キヤノン株式会社 | 半導体層の製造方法及び基板の製造方法 |
JP4950047B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2012-06-13 | ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | ゲルマニウムの成長方法及び半導体基板の製造方法 |
JP4854336B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-01-18 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基板の製造方法 |
WO2007133044A1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Epivalley Co., Ltd. | Manufacturing method of nitride semiconductor substrate and iii-nitride semiconductor light emitting device |
JP5171016B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2013-03-27 | キヤノン株式会社 | 半導体部材、半導体物品の製造方法、その製造方法を用いたledアレイ |
-
2007
- 2007-10-04 JP JP2007261018A patent/JP2009094144A/ja active Pending
-
2008
- 2008-10-01 KR KR1020107009059A patent/KR101065990B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-10-01 US US12/669,790 patent/US20100197054A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-01 EP EP08835326A patent/EP2171758B1/en not_active Not-in-force
- 2008-10-01 TW TW097137752A patent/TWI395347B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-10-01 CN CN2008801095923A patent/CN101816072B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-01 WO PCT/JP2008/068254 patent/WO2009044923A1/en active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106632A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体発光素子アレイ装置 |
JP2004179641A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-24 | Oki Data Corp | 半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
JP2005072422A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Nec Corp | 半導体素子のエピタキシャル層分離方法 |
WO2007025497A1 (de) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum lateralen zertrennen eines halbleiterwafers und optoelektronisches bauelement |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101763984B1 (ko) | 2010-09-10 | 2017-08-01 | 베르라세 테크놀러지스 엘엘씨 | 반도체 도너로부터 분리된 층을 사용하여 광전자 디바이스를 제조하는 방법 및 그것에 의해 제조된 디바이스 |
US9269854B2 (en) | 2010-09-10 | 2016-02-23 | VerLASE TECHNOLOGIES LLC | Methods of fabricating optoelectronic devices using layers detached from semiconductor donors and devices made thereby |
JP2013542589A (ja) * | 2010-09-10 | 2013-11-21 | バーレイス テクノロジーズ エルエルシー | 半導体ドナーから分離された層を使用するオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法、およびそれによって製造されたデバイス |
US9525150B2 (en) | 2010-09-10 | 2016-12-20 | VerLASE TECHNOLOGIES LLC | Optoelectronic devices made using layers detached from inherently lamellar semiconductor donors |
KR101396281B1 (ko) | 2010-10-04 | 2014-05-16 | 에피스타 코포레이션 | 복수개의 접촉부를 구비한 발광 소자 |
US9799801B2 (en) | 2013-05-16 | 2017-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic semiconductor chip |
JP2016522992A (ja) * | 2013-05-16 | 2016-08-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体チップを製造する方法 |
JP2019075569A (ja) * | 2018-12-12 | 2019-05-16 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 半導体素子を選択的にトランスファーする方法 |
WO2020196271A1 (ja) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
US11476308B2 (en) | 2019-03-22 | 2022-10-18 | Nichia Corporation | Method for manufacturing image display device and image display device |
JP7457255B2 (ja) | 2019-05-08 | 2024-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
WO2021014972A1 (ja) * | 2019-07-25 | 2021-01-28 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
JP7428919B2 (ja) | 2019-07-25 | 2024-02-07 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
WO2021065918A1 (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
JP7489605B2 (ja) | 2019-10-01 | 2024-05-24 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
Also Published As
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