TW202414515A - 微型led用接合型晶圓的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明是一種微型LED用接合型晶圓的製造方法，其特徵在於在該微型LED用接合型晶圓的製造方法中，將GaP窗層的厚度設為6 μm以上，該製造方法藉由如下步驟實行：使AlGaInP系的第一披覆層、活性層及第二批覆層磊晶成長於GaAs基板上作成磊晶層的步驟；使GaP窗層成長於第二批覆層上的步驟；將GaP窗層與透明基板隔著熱硬化型接合構件進行接合的步驟；將GaAs基板剝離的步驟；將磊晶層分離為微型LED元件的步驟；使微型LED元件的第二批覆層或GaP窗層露出的步驟；形成電極的步驟；將電極黏合於轉移基板的步驟；及，自透明基板側照射雷射來使透明基板與微型LED元件分離。藉此，可提供一種AlGaInP系微型LED用接合型晶圓的製造方法，該製造方法改善了LLO步驟時的微型LED元件的破裂所造成的產率降低。
Description
本發明關於一種微型LED用接合型晶圓的製造方法。
為了要實現藉由微型發光二極體(Micro LED)的顯示器，已揭示了一種轉移至驅動基板的技術，其使用雷射剝離(LLO，Laser Lift-off)的技術，自起始基板剝離GaN系LED來轉移至構裝用基板(專利文獻1)。
此外，具有適於上表面二電極型LED的LLO的技術揭示(專利文獻2)，但是其係關於GaN系LED的技術，其構成係較常見的膜厚構造。這是因為GaN系LED的機械強度強並且在LLO轉印製程中，在構造上所要求的條件較少的緣故。
另一方面，仍無使用AlGaInP系LED之LLO技術揭示。這是因為AlGaInP系LED的起始基板為GaAs，在原理上無法在附有起始基板的狀態下進行LLO的緣故。但是，只要去除起始基板，然後將磊晶層轉移至能進行LLO的基板，即能夠進行LLO。
雖然並非適用於LLO技術者，但是作為AlGaInP系LED的轉移技術揭示有一種技術，其藉由犧牲層蝕刻自起始基板進行分離(專利文獻3)。此外，也有如下技術揭示，去除犧牲層並隔著BCB(黏合劑)而接合於支撐基板(專利文獻4)，但是其並非適於LLO用途的構造，而仍無適於LLO的AlGaInP系LED構造的揭示。
AlGaInP系LED的機械強度低於GaN系LED。因此，於AlGaInP系LED的上表面2電極構造實行LLO轉印時，在與GaN系LED相同的條件下，會有在轉印步驟中LED破裂(被破壞)的問題。
[先前技術文獻]
(專利文獻)
專利文獻1：日本特表2020-521181號公報。
專利文獻2：日本特開2015-2324號公報。
專利文獻3：日本特開2021-153186號公報。
專利文獻4：日本特開2006-32952號公報。
[發明所欲解決的問題]
本發明是有鑑於上述問題而成者，目的在於提供一種AlGaInP系微型LED用接合型晶圓的製造方法，該製造方法改善了LLO步驟時的微型LED元件的破裂所造成的產率降低。
[解決問題的技術手段]
本發明是為了達成上述目的而成者，提供一種微型LED用接合型晶圓的製造方法，其特徵在於在該微型LED用接合型晶圓的製造方法中，將GaP窗層的厚度設為6 μm以上，該製造方法藉由如下步驟實行：使AlGaInP系且由第一導電型所構成之第一披覆層、AlGaInP系的未摻雜之活性層、AlGaInP系且由第二導電型所構成之第二批覆層磊晶成長於GaAs基板上作成磊晶層的步驟；使前述GaP窗層成長於前述第二批覆層上的步驟；將前述GaP窗層與作為相對於可見光及紫外光呈透明的被接合基板之透明基板，隔著熱硬化型接合構件進行接合的步驟；將前述GaAs基板剝離的步驟；將前述磊晶層分離為短邊邊長為50 μm以下的方形的微型LED元件的步驟；使前述微型LED元件的部分區域中的前述第二批覆層或前述GaP窗層露出的步驟；形成與前述第一導電型的層相接之第一電極及與前述第二導電型的層相接之第二電極，施行熱處理來形成歐姆接觸的步驟；將前述第一電極及前述第二電極隔著矽酮樹脂黏合於轉移基板的步驟；及，利用雷射剝離處理，將前述透明基板與前述微型LED元件分離，該雷射剝離處理是自前述透明基板側照射雷射，使與前述透明基板相接的前述熱硬化型接合構件昇華。
藉由如此地將GaP窗層的厚度設為6 μm以上，即便是短邊邊長為50 μm以下的方形這樣的微細的AlGaInP系微型LED元件，在進行雷射剝離處理時仍能夠抑制破裂並改善產率的降低。
此時，較佳是：將前述熱硬化型接合構件設為苯并環丁烯、矽酮樹脂、環氧樹脂、SOG、聚醯亞胺及非晶性氟樹脂中的至少任一種。
只要是如此的熱硬化型接合構件，能夠更可靠地實行藉由準分子雷射進行的雷射剝離處理。
此外，較佳是：將前述透明基板設為藍寶石基板或石英基板。
如此地將作為被接合基板之透明基板設為由藍寶石或石英所構成者，相對於準分子雷射呈透明且熱強度也充分而合適。
此外，較佳是：將前述磊晶層分離為前述微型LED元件的步驟中的方法設為藉由ICP蝕刻進行的方法，其藉由光刻法形成圖案並使用了氯氣及氬氣。
根據如此的方法，能夠較容易且可靠地實行元件分離。
此外，較佳是將前述轉移基板設為石英基板。
本發明的微型LED用接合型晶圓的製造方法中，能夠適用石英基板作為轉移基板。
[發明的效果]
只要是本發明的接合型發光元件晶圓的製造方法，藉由將GaP窗層的厚度設為6 μm以上這樣厚的層，即便是以AlGaInP系材料這樣強度較低的材料製作短邊邊長為50 μm以下的方形這樣的微細的微型LED元件時，仍能夠成為一種AlGaInP系微型LED用接合型晶圓的製造方法，其改善了LLO步驟時的微型LED元件的破裂所造成的產率降低。
以下，詳細地說明本發明，但是本發明不限於此。
本發明是一種微型LED用接合型晶圓的製造方法，其特徵在於在該微型LED用接合型晶圓的製造方法中，將GaP窗層的厚度設為6 μm以上，該製造方法藉由如下步驟實行：使AlGaInP系且由第一導電型所構成之第一披覆層、AlGaInP系的未摻雜之活性層、AlGaInP系且由第二導電型所構成之第二批覆層磊晶成長於GaAs基板上作成磊晶層的步驟；使前述GaP窗層成長於前述第二批覆層上的步驟；將前述GaP窗層與作為相對於可見光及紫外光呈透明的被接合基板之透明基板，隔著熱硬化型接合構件進行接合的步驟；將前述GaAs基板剝離的步驟；將前述磊晶層分離為短邊邊長為50 μm以下的方形的微型LED元件的步驟；使前述微型LED元件的部分區域中的前述第二批覆層或前述GaP窗層露出的步驟；形成與前述第一導電型的層相接之第一電極及與前述第二導電型的層相接之第二電極，施行熱處理來形成歐姆接觸的步驟；將前述第一電極及前述第二電極隔著矽酮樹脂黏合於轉移基板的步驟；及，利用雷射剝離處理，將前述透明基板與前述微型LED元件分離，該雷射剝離處理是自前述透明基板側照射雷射，使與前述透明基板相接的前述熱硬化型接合構件昇華。
以下，參照圖式說明本發明的態樣。
首先，於GaAs基板上形成AlGaInP系的發光元件構造。因此，如第1圖所示，於作為起始基板的GaAs基板11上，依序實行AlGaInP系且由第一導電型所構成之第一披覆層13、AlGaInP系的未摻雜之活性層14、AlGaInP系且由第二導電型所構成之第二批覆層15的磊晶成長，作成磊晶層。此外，使GaP窗層16成長於第二批覆層15上。如此地形成各層，來製作磊晶晶圓20。更具體而言，如以下操作來實行各層的磊晶成長。
如第1圖所示，於作為起始基板的第一導電型的GaAs基板11上使蝕刻停止層12進行磊晶成長。蝕刻停止層12例如能夠藉由如下方式形成：將第一導電型的GaAs緩衝層積層後，使第一導電型的Ga
xIn
1-xP(0.4≦x≦0.6)第一蝕刻停止層例如以0.1 μm、第一導電型的GaAs第二蝕刻停止層例如以0.1 μm成長。進一步，於蝕刻停止層12上，準備具有作為磊晶功能層的發光元件構造18之磊晶晶圓20，該磊晶功能層依序成長有例如：第一導電型的(Al
yGa
1-y)
xIn
1-xP(0.4≦x≦0.6，0.6≦y≦1.0)第一披覆層13例如1.0 μm、未摻雜之(Al
yGa
1-y)
xIn
1-xP(0.4≦x≦0.6，0≦y≦0.5)活性層14、第二導電型的(Al
yGa
1-y)
xIn
1-xP(0.4≦x≦0.6，0.6≦y≦1.0的第二披覆層15例如1.0 μm、第二導電型的Ga
xIn
1-xP(0.5≦x≦1.0)中間層(未圖示) 例如0.1 μm、第二導電型的GaP窗層16。在此處，自第一披覆層13起到第二披覆層15為止稱為DH(雙層異質，doublehetero)結構部(第1圖)。
前述膜厚僅為例示，並且膜厚僅為隨著元件的操作規範而應變更的參數，所以不限於此處所記載的膜厚。例示了第一披覆層13及第二披覆層15一併為1.0 μm的情況，但是在微型LED中，即便額定電流密度小於大尺寸的分離式LED並且該膜厚較薄，仍不會損及作為披覆層的功能。
如同後述，以與第一披覆層13相接的形態來形成電極，因此第一披覆層13考慮形成歐姆接觸時的金屬擴散，適於具有0.6 μm以上的厚度。較佳為0.6 μm以上的厚度，並且能夠選擇任一厚度。
當第二披覆層為p型時，孔(hole)的有效質量較大，因此即便第二披覆層15是例如大約0.2 μm的厚度，仍能夠與1.0 μm相同地作用。因此，較佳是0.2 μm以上的厚度，並且能夠選擇如此的任一厚度。
此外，作為概念還包含各層在例示的範圍的組成內具有複數組成層而非單一組成層的情況。此外，載體濃度的水準，作為概念還包含在各層不均勻且各層內具有複數種水準的情況。
活性層14可以是由單一組成所構成，並且還可以是阻障層與活性層交錯複數層地積層而成之超晶格結構，具有類似的功能即能夠選擇兩者中任一者。
在本發明中，GaP窗層16的厚度需要為6 μm以上，當薄於此情況時，在後述的LLO步驟中會成為由於微型LED元件的破裂而造成產率降低的主要原因。此外，GaP窗層16的厚度的上限只要是在薄於後述的元件分離的短邊邊長的範圍內的膜厚即可，能夠選擇任一膜厚。
繼而，如第2圖所示，將GaP窗層16與作為相對於可見光及紫外光呈透明的被接合基板之透明基板30，隔著熱硬化型接合構件25進行接合。具體而言，該接合能夠如以下方式實行。於磊晶晶圓20上將作為熱硬化型接合構件25的例如苯并環丁烯(BCB)進行旋塗，與作為被接合基板之透明基板30(例如藍寶石基板)相對向來重合，藉由進行熱壓接製成磊晶接合基板，其是隔著BCB接合磊晶晶圓與透明基板30(藍寶石基板)而成者。利用旋塗塗佈BCB時，設計膜厚例如能夠設為0.6 μm。
再者，作為被接合基板之透明基板30可以不限於藍寶石基板，只要相對於可見光及紫外光呈透明且可保證品坦性者即可，能夠選擇任一種材料。除了藍寶石以外，也能夠選擇石英。
此外，熱硬化型接合構件25不限於BCB，只要是適於後述的雷射製程材料的材料，亦即相對於可見光呈透明且可吸收紫外線的材料者即可，能夠選擇任一種材料。除了BCB以外，能夠使用矽酮樹脂、環氧樹脂、SOG(旋轉塗佈玻璃，spin-on-glass)、聚醯亞胺(PI，Polyimide)、CYTOP(註冊商標)等非晶性氟樹脂等。
此外，BCB等的熱硬化型接合構件25，除了塗佈為層狀以外，圖案化為孤立島狀或線狀、其他形狀來實行接合的步驟也可獲得相同的結果。此外，熱硬化型接合構件25的膜厚也不限於0.6 μm，只要在該厚度以上再薄也可獲得相同的效果。
繼而，如第3圖所示，將作為起始基板之GaAs基板11剝離。更具體而言，如下所述。GaAs基板能夠藉由利用氨過水(氨與過氧化氫之混合溶液)以濕式蝕刻進行剝離來去除。藉此，於蝕刻停止層12中，會使GaInP第一蝕刻停止層露出。繼而，藉由將蝕刻劑變更為氯系蝕刻劑，選擇性地去除蝕刻停止層12中的GaInP第一蝕刻停止層，並使蝕刻停止層12中的GaAs第二蝕刻停止層露出，繼而將蝕刻劑變更為硫酸過水(硫酸與過氧化氫之混合溶液)系蝕刻劑，選擇性地去除GaAs第二蝕刻停止層，使第一披覆層13露出。藉由實行以上處理，能夠製成僅保持有DH層與GaP窗層之磊晶接合基板。
繼而，如第4圖所示，將磊晶層分離為短邊邊長為50 μm以下的方形的微型LED元件。此外，使微型LED元件的部分區域的第二批覆層15或GaP窗層16露出。該元件分離加工步驟，較佳是設為藉由ICP(交感耦合電漿，Inductively Coupled Plasma)蝕刻進行的方法，其藉由光刻法形成圖案並使用了氯氣及氬氣(第4圖中的元件分離溝47)。ICP加工能夠將如下步驟實行兩次：使BCB層(熱硬化型接合構件25)露出的步驟與使第二批覆層15或GaP窗層16露出的步驟。
此處的元件分離的尺寸例如能夠設為25 μm×50 μm，但是其僅為例示，並且對於短邊邊長為50 μm以下的方形這樣的微細的微型LED元件，本發明仍可顯示顯著的效果。此外，較佳是GaP窗層16的厚度設為元件分離的短邊邊長以下(藉由上述元件分離的微型LED元件的尺寸為25 μm×50 μm時，為25 μm以下)。其理由在於，即便GaP窗層16為超過25 μm的厚度，LLO步驟本身也能夠進行，但是當GaP窗層16的厚度厚於短邊邊長時，在LLO後，微型LED元件會變得容易倒塌，即便改善了微型LED元件的破裂和產率，仍會有由於微型LED元件倒塌而造成轉移產率降低的疑慮。因此，GaP窗層16的高度適於預先設為短邊邊長以下。
於第4圖中例示了使第二批覆層15露出的情況，但是不限於使第二批覆層15露出的情況。至少活性層14被分離即可，並且在GaP窗層16露出而無第二批覆層15的露出的情況仍能夠獲得相同的效果。
第4圖所示的元件分離加工後，如第5圖所示，能夠形成保護膜52作為端面處理。作為保護膜52，能夠使用SiO
2。此外，保護膜52不限於SiO
2，只要能夠保護端面且具有絕緣性之材料即可，能夠選擇任一種材料。能夠選擇SiNx和氧化鈦、氧化鎂等。
形成保護膜52之後，如第6圖所示，形成與第一導電型的層相接之第一電極54及與第二導電型的層相接之第二電極56，施行熱處理來形成歐姆接觸。例如，能夠設計為將第一導電型設為n型並將第二導電型設為p型，於與n型層相接的電極使用含有Au與Si之金屬，於與p型層相接的電極使用含有Au與Be之金屬。
作為n型電極，不限於Au與Si之金屬，使用含有Au與Ge之金屬也可獲得相同的結果。此外，作為p型電極，不限於Au與Be之金屬，使用含有Au與Zn之金屬也可獲得相同的結果。
形成歐姆接觸後，如第7圖所示，將第一電極54及第二電極56隔著矽酮樹脂65黏合於轉移基板70。作為轉移基板70，適為石英基板。例如，如第7圖所示，使用將矽酮樹脂65塗佈於轉移基板70上而形成有凸起圖案者，使轉移基板70與歐姆電極(第一電極54及第二電極56)對向並施加壓力，即能夠使歐姆電極部(第一電極54及第二電極56)黏合於矽酮樹脂65。
繼而，如第8圖所示，利用雷射剝離處理，將透明基板30與微型LED元件分離，藉此來製造微型LED用接合型晶圓(第9圖)，該雷射剝離處理是自透明基板30側照射雷射(第7圖中圖示為6根的半側箭頭)，來使與透明基板30相接的熱硬化型接合構件25昇華。如此操作，利用雷射剝離處理，將透明基板30與微型LED元件分離，該雷射剝離處理是自藍寶石基板等透明基板30側，例如照射準分子雷射來使與透明基板30側相接的BCB層等熱硬化型接合構件25昇華。
在分離微型LED元件與藍寶石基板等透明基板30後，如第10圖所示，能夠利用灰化或電漿蝕刻去除殘留於微型LED元件表面的BCB等熱硬化型接合構件25。
[實施例]
以下，列舉實施例及比較例詳細地說明本發明，但是本發明不限於該等示例。
(實施例及比較例)
首先，如第1圖所示，於作為起始基板之n型(第一導電型)的GaAs基板11上，積層n型的GaAs緩衝層後，使n型的GaInP第一蝕刻停止層磊晶成長為厚度0.1 μm、n型的GaAs第二蝕刻停止層磊晶成長為厚度0.1 μm，來作成蝕刻停止層12。進一步，依序使如下層成長：厚度1.0 μm的n型的(Al
yGa
1-y)
xIn
1-xP(0.4≦x≦0.6，0.6≦y≦1.0)第一批覆層13、未摻雜之(Al
yGa
1-y)
xIn
1-xP(0.4≦x≦0.6，0≦y≦0.5)活性層14、厚度1.0 μm的p型的(Al
yGa
1-y)
xIn
1-xP(0.4≦x≦0.6，0.6≦y≦1.0)第二批覆層15、厚度0.1 μm 的p型的Ga
xIn
1-xP(0.5≦x≦1.0)中間層(未圖示)、p型的GaP窗層16，來準備具有作為磊晶功能層的發光元件構造18之磊晶晶圓20(第1圖)。在此處，GaP窗層16的厚度在2～5 μm(比較例)、6～15 μm(實施例)的範圍內變化。
繼而，如第2圖所示，於磊晶晶圓20上(發光元件構造18上)將作為熱硬化型接合構件25的苯并環丁烯(BCB)進行旋塗，與作為透明基板30之藍寶石基板相對向來重合，藉由進行熱壓接，隔著BCB接合磊晶晶圓與藍寶石基板。利用旋塗塗佈BCB時，設計膜厚設為0.6 μm。
繼而，如第3圖所示，以濕式蝕刻去除作為起始基板之GaAs基板11及蝕刻停止層12，來製成磊晶接合基板。
繼而，如第4圖所示，藉由光刻法形成圖案並使用氯氣及氬氣來藉由ICP實行50×100 μm的元件分離加工(元件分離溝47)。ICP加工將如下步驟實行兩次：使BCB層25露出的步驟與使第二批覆層15露出的步驟。
元件分離加工後，如第5圖所示，作為端面處理形成SiO
2保護膜52。
形成保護膜52後，如第6圖所示，形成與n型層或p型層分別相接之第一電極54、第二電極56，然後藉由施行熱處理來形成歐姆接觸。
形成歐姆接觸後，如第7圖所示，塗佈矽酮樹脂65，使形成有凸起圖案且由石英所構成之轉移基板70與歐姆電極(第一電極54、第二電極56)對向並施加壓力，使歐姆電極部(第一電極54、第二電極56)黏合於矽酮樹脂65。
繼而，如第8圖所示，自由藍寶石所構成之透明基板30側照射準分子雷射，利用使與藍寶石基板相接的BCB層部昇華的雷射剝離(LLO)處理，分離藍寶石基板與微型LED元件(第9圖)。進一步，如第10圖所示，去除BCB。
第11圖中，顯示調查GaP窗層16的厚度不同之各晶圓的產率的結果。如第11圖所示，當GaP窗層16的厚度為4 μm以下時(比較例)，全部的微型LED元件破裂而產率為0。自GaP窗層16的厚度為5 μm時(比較例)起良率已有提升，卻仍不充分。當GaP窗層16的厚度為6 μm時(實施例)，成為80%以上的良率，當GaP窗層16的厚度為8 μm以上時(實施例)，已沒有破裂而成為100%的產率。
本說明書包含以下態樣。
[1] 一種微型LED用接合型晶圓的製造方法，其特徵在於在該微型LED用接合型晶圓的製造方法中，將GaP窗層的厚度設為6 μm以上，該製造方法藉由如下步驟實行：
使AlGaInP系且由第一導電型所構成之第一披覆層、AlGaInP系的未摻雜之活性層、AlGaInP系且由第二導電型所構成之第二批覆層磊晶成長於GaAs基板上作成磊晶層的步驟；
使前述GaP窗層成長於前述第二批覆層上的步驟；
將前述GaP窗層與作為相對於可見光及紫外光呈透明的被接合基板之透明基板，隔著熱硬化型接合構件進行接合的步驟；
將前述GaAs基板剝離的步驟；
將前述磊晶層分離為短邊邊長為50 μm以下的方形的微型LED元件的步驟；
使前述微型LED元件的部分區域中的前述第二批覆層或前述GaP窗層露出的步驟；
形成與前述第一導電型的層相接之第一電極及與前述第二導電型的層相接之第二電極，施行熱處理來形成歐姆接觸的步驟；
將前述第一電極及前述第二電極隔著矽酮樹脂黏合於轉移基板的步驟；及，
利用雷射剝離處理，將前述透明基板與前述微型LED元件分離，該雷射剝離處理是自前述透明基板側照射雷射，使與前述透明基板相接的前述熱硬化型接合構件昇華。
[2] 如上述[1]所述之微型LED用接合型晶圓的製造方法，其中，將前述熱硬化型接合構件設為苯并環丁烯、矽酮樹脂、環氧樹脂、SOG、聚醯亞胺及非晶性氟樹脂中的至少任一種。
[3] 如上述[1]或上述[2]所述之微型LED用接合型晶圓的製造方法，其中，將前述透明基板設為藍寶石基板或石英基板。
[4] 如上述[1]、上述[2]或上述[3]所述之微型LED用接合型晶圓的製造方法，其中，將前述磊晶層分離為前述微型LED元件的步驟中的方法，設為藉由ICP蝕刻進行的方法，其藉由光刻法形成圖案並使用了氯氣及氬氣。
[5] 如上述[1]、上述[2]、上述[3]或上述[4]所述之微型LED用接合型晶圓的製造方法，其中，將前述轉移基板設為石英基板。
再者，本發明並未限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，具有與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想實質地相同的構成而能發揮相同的作用效果者，全部都包含在本發明的技術範圍內。
11:GaAs基板
12:蝕刻停止層
13:第一批覆層
14:活性層
15:第二批覆層
16:GaP窗層
18:發光元件構造
20:磊晶晶圓
25:熱硬化型接合構件
30:透明基板
47:元件分離溝
52:保護膜
54:第一電極
56:第二電極
65:矽酮樹脂
70:轉移基板
第1圖是顯示本發明的微型LED用接合型晶圓的製造方法的一部分的示意剖面圖。
第2圖是顯示本發明的微型LED用接合型晶圓的製造方法的另一部分的示意剖面圖。
第3圖是顯示本發明的微型LED用接合型晶圓的製造方法的另一部分的示意剖面圖。
第4圖是顯示本發明的微型LED用接合型晶圓的製造方法的另一部分的示意剖面圖。
第5圖是顯示本發明的微型LED用接合型晶圓的製造方法的另一部分的示意剖面圖。
第6圖是顯示本發明的微型LED用接合型晶圓的製造方法的另一部分的示意剖面圖。
第7圖是顯示本發明的微型LED用接合型晶圓的製造方法的另一部分的示意剖面圖。
第8圖是顯示本發明的微型LED用接合型晶圓的製造方法的另一部分的示意剖面圖。
第9圖是顯示本發明的微型LED用接合型晶圓的製造方法的另一部分的示意剖面圖。
第10圖是顯示本發明的微型LED用接合型晶圓的製造方法的另一部分的示意剖面圖。
第11圖是顯示由實施例及比較例製成的微型LED用接合型晶圓中的GaP窗層的厚度不同之各晶圓的產率的結果之圖表。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
11:GaAs基板
12:蝕刻停止層
13:第一批覆層
14:活性層
15:第二批覆層
16:GaP窗層
18:發光元件構造
20:磊晶晶圓
Claims (5)
- 一種微型LED用接合型晶圓的製造方法，其特徵在於在該微型LED用接合型晶圓的製造方法中，將GaP窗層的厚度設為6 μm以上，該製造方法藉由如下步驟實行： 使AlGaInP系且由第一導電型所構成之第一披覆層、AlGaInP系的未摻雜之活性層、AlGaInP系且由第二導電型所構成之第二批覆層磊晶成長於GaAs基板上作成磊晶層的步驟； 使前述GaP窗層成長於前述第二批覆層上的步驟； 將前述GaP窗層與作為相對於可見光及紫外光呈透明的被接合基板之透明基板，隔著熱硬化型接合構件進行接合的步驟； 將前述GaAs基板剝離的步驟； 將前述磊晶層分離為短邊邊長為50 μm以下的方形的微型LED元件的步驟； 使前述微型LED元件的部分區域中的前述第二批覆層或前述GaP窗層露出的步驟； 形成與前述第一導電型的層相接之第一電極及與前述第二導電型的層相接之第二電極，施行熱處理來形成歐姆接觸的步驟； 將前述第一電極及前述第二電極隔著矽酮樹脂黏合於轉移基板的步驟；及， 利用雷射剝離處理，將前述透明基板與前述微型LED元件分離，該雷射剝離處理是自前述透明基板側照射雷射，使與前述透明基板相接的前述熱硬化型接合構件昇華。
- 如請求項1所述之微型LED用接合型晶圓的製造方法，其中，將前述熱硬化型接合構件設為苯并環丁烯、矽酮樹脂、環氧樹脂、SOG、聚醯亞胺及非晶性氟樹脂中的至少任一種。
- 如請求項1或請求項2所述之微型LED用接合型晶圓的製造方法，其中，將前述透明基板設為藍寶石基板或石英基板。
- 如請求項1或請求項2所述之微型LED用接合型晶圓的製造方法，其中，將前述磊晶層分離為前述微型LED元件的步驟中的方法，設為ICP蝕刻進行的方法，其藉由光刻法形成圖案並使用了氯氣及氬氣。
- 如請求項1或請求項2所述之微型LED用接合型晶圓的製造方法，其中，將前述轉移基板設為石英基板。
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