JP7367743B2 - 接合型半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
出発基板上にエッチストップ層をエピタキシャル成長する工程と、
エッチストップ層上に化合物半導体機能層をエピタキシャル成長する工程と、
ドライエッチング法にて、前記化合物半導体機能層に素子を形成するための分離溝を形成する工程と、
前記分離溝の表面に対してウェットエッチング法でエッチングを行う工程と、
前記化合物半導体機能層と異なる材料の可視光透過性基板を、可視光透過性熱硬化性接合材を介して、前記化合物半導体機能層と接合する工程と、
前記出発基板を、前記可視光透過性基板と接合した前記化合物半導体機能層から除去して、接合型半導体ウェーハを得る工程と
を有することを特徴とする接合型半導体ウェーハの製造方法を提供する。
前記分離溝を形成する工程と、前記ウェットエッチング法でエッチングを行う工程と、前記接合する工程と、前記出発基板を除去して接合型半導体ウェーハを得る工程とをこの第2の順で行うことができる。
出発基板上にエッチストップ層をエピタキシャル成長する工程と、
エッチストップ層上に化合物半導体機能層をエピタキシャル成長する工程と、
ドライエッチング法にて、前記化合物半導体機能層に素子を形成するための分離溝を形成する工程と、
前記分離溝の表面に対してウェットエッチング法でエッチングを行う工程と、
前記化合物半導体機能層と異なる材料の可視光透過性基板を、可視光透過性熱硬化性接合材を介して、前記化合物半導体機能層と接合する工程と、
前記出発基板を、前記可視光透過性基板と接合した前記化合物半導体機能層から除去して、接合型半導体ウェーハを得る工程と
を有することを特徴とする接合型半導体ウェーハの製造方法である。
以下、図1~図10を参照しながら、本発明の接合型半導体ウェーハの製造方法の第一の実施形態を説明する。
次に、図11~図20を参照しながら、本発明の接合型半導体ウェーハの製造方法の第二の実施形態を説明する。
次に、図21~図32を参照しながら、本発明の接合型半導体ウェーハの製造方法の第三の実施形態を説明する。
実施例1では、図1~図10を参照しながら先に説明した本発明の接合型半導体ウェーハの製造方法の第一の実施形態に従って、接合型半導体ウェーハを製造した。具体的には、以下の手順に従った。
実施例2では、図11~図20を参照しながら先に説明した本発明の接合型半導体ウェーハの製造方法の第二の実施形態に従って、接合型半導体ウェーハを製造した。具体的には、以下の手順に従った。
実施例3では、図21~図32を参照しながら先に説明した本発明の接合型半導体ウェーハの製造方法の第三の実施形態に従って、接合型半導体ウェーハを製造した。具体的には、以下の手順に従った。
比較例では、図33~図40を参照しながら以下に説明する手順で、図40に示す接合型半導体ウェーハ11を製造した。
更に、図41に、実施例1~3、比較例について電流密度8[A/cm2]におけるマイクロLED100の一辺のサイズを15~250μmの間で変化させたときのマイクロLEDサイズと外部量子効率(発光効率)との関係を示す。
Claims (8)
- 接合型半導体ウェーハの製造方法であって、
出発基板上にエッチストップ層をエピタキシャル成長する工程と、
エッチストップ層上に化合物半導体機能層をエピタキシャル成長する工程と、
ドライエッチング法にて、前記化合物半導体機能層に素子を形成するための分離溝を形成する工程と、
前記分離溝の表面に対してウェットエッチング法でエッチングを行う工程と、
前記化合物半導体機能層と異なる材料の可視光透過性基板を、可視光透過性熱硬化性接合材を介して、前記化合物半導体機能層と接合する工程と、
前記出発基板を、前記可視光透過性基板と接合した前記化合物半導体機能層から除去して、接合型半導体ウェーハを得る工程と
を有し、
前記ウェットエッチングのエッチング代を50nm以上とすることを特徴とする接合型半導体ウェーハの製造方法。 - 前記接合する工程と、前記出発基板を除去して接合型半導体ウェーハを得る工程と、前記分離溝を形成する工程と、前記ウェットエッチング法でエッチングを行う工程とを、この第1の順で行うか、又は
前記分離溝を形成する工程と、前記ウェットエッチング法でエッチングを行う工程と、前記接合する工程と、前記出発基板を除去して接合型半導体ウェーハを得る工程とをこの第2の順で行うことを特徴とする請求項1に記載の接合型半導体ウェーハの製造方法。 - 前記分離溝を形成する工程において、前記化合物半導体機能層に前記分離溝を形成して、前記素子の一辺を100μm以下とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の接合型半導体ウェーハの製造方法。
- 前記素子を発光層と窓層とを有するマイクロLED構造体とすることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の接合型半導体ウェーハの製造方法。
- 前記可視光透過性基板として、サファイア、石英、ガラス、SiC、LiTaO3、及びLiNbO3からなる群より選択されるもの用いることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の接合型半導体ウェーハの製造方法。
- 前記可視光透過性熱硬化性接合材として、BCB、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、SOG、ポリイミド、及びアモルファスフッ素系樹脂からなる群より選択されるものを用いることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の接合型半導体ウェーハの製造方法。
- 前記可視光透過性熱硬化性接合材として、厚さが0.01~0.6μmのものを用いることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の接合型半導体ウェーハの製造方法。
- 前記可視光透過性熱硬化性接合材を熱硬化させないことを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の接合型半導体ウェーハの製造方法。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005259832A (ja) | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
JP2005347647A (ja) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Sony Corp | 素子および素子転写方法 |
JP2007207981A (ja) | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2010092965A (ja) | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2018505567A (ja) | 2015-01-06 | 2018-02-22 | アップル インコーポレイテッド | 非発光性側壁再結合を低減させるled構造 |
JP2020181980A (ja) | 2019-04-23 | 2020-11-05 | シャープ株式会社 | 画像表示素子 |
WO2021024768A1 (ja) | 2019-08-08 | 2021-02-11 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板の仮接合方法 |
JP2021100120A (ja) | 2012-11-12 | 2021-07-01 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 半導体発光素子の製造方法 |
WO2021148803A1 (en) | 2020-01-22 | 2021-07-29 | Poro Technologies Ltd | Micro-led and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2014020906A1 (ja) | 2012-07-30 | 2016-07-21 | 住友化学株式会社 | 複合基板の製造方法および半導体結晶層形成基板の製造方法 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005259832A (ja) | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
JP2005347647A (ja) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Sony Corp | 素子および素子転写方法 |
JP2007207981A (ja) | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2010092965A (ja) | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2021100120A (ja) | 2012-11-12 | 2021-07-01 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2018505567A (ja) | 2015-01-06 | 2018-02-22 | アップル インコーポレイテッド | 非発光性側壁再結合を低減させるled構造 |
JP2020181980A (ja) | 2019-04-23 | 2020-11-05 | シャープ株式会社 | 画像表示素子 |
WO2021024768A1 (ja) | 2019-08-08 | 2021-02-11 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板の仮接合方法 |
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Also Published As
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