JPH07106632A - 半導体発光素子アレイ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高密度、高出力な、異なる複数の波長の光を
発光せしめる半導体発光素子アレイ装置を提供する。 【構成】 基板７上にバッファ層８，ｎ型第一クラッド
層９ａ，ｎ型第一活性層４ａ，ｎ型第二クラッド層９
ｂ，ｐ型第二活性層４ｂが順次積層され、ｐ型第二活性
層４ｂ及びｎ型第二クラッド層９ｂがストライプ状にエ
ッチングされている。更に、ｐ型第三クラッド層９ｃ，
ｎ型電流狭窄層１０が積層され、電流狭窄溝１０ａが形
成されている。更に、ｐ型第四クラッド層９ｄ，ｐ型コ
ンタクト層１１が積層され、ｐ型第四クラッド層９ｄ及
びｐ型コンタクト層１１に分離溝１３が形成され各発光
素子１４に分離されている。ｐ型第二活性層４ｂとｎ型
第二クラッド層９ｂとがｐｎ接合して第二発光部６ｂが
形成され、ｐ型第二活性層４ａとｐ型第三クラッド層９
ｃとがｐｎ接合して第一発光部６ａが形成され、第一発
光部６ａ，第二発光部６ｂが交互にアレイ配列方向に形
成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光装置に係
り、特に複数の発光中心波長の異なる光を発光する端面
発光型の半導体発光素子アレイ装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、光プリンタ用光源として、あるい
は光を用いた情報処理用素子として半導体発光素子を高
密度に集積することが提案され、開発が進められてい
る。また、実際に発光素子アレイを使用する状況下で
は、発光中心波長の異なる複数の波長の発光を同時に、
又は独立して駆動できるような発光素子アレイ装置が望
まれている。

【０００３】発光素子の集積方法としては、基板上に形
成されたｐ−ｎヘテロ接合構造あるいは２重ヘテロ構造
を、必要な部分をエッチング除去してメサ構造にする方
法、また、不純物拡散によりそれぞれの発光ドットを分
離する方法が提案され面発光型のアレイとして実施され
ている。発光材料としては、例えばＧａＡｓＰのシング
ルヘテロ接合や、それより高輝度が期待できるＡｌＧａ
Ａｓ二重ヘテロ接合が使用されている。実際の発光素子
としては、大きい発光強度を期待できるがモードホッピ
ングやコヒーレンシ、あるいは発光強度のコントロール
に問題のあるＬＤ（レーザーダイオード）や、作成が比
較的簡単で発光強度のコントロールも単純な電流制御が
可能だが発光強度は比較的小さいＬＥＤ（ライトエミッ
ティングダイオード）が一般的に用いられている。

【０００４】このように、現在用いられている素子構造
はそれぞれ一長一短があるものであるが、最近、その両
方の特徴を合せ持った素子としてＳＬＤ（スーパールミ
ネッセントダイオード）が注目されている。この素子
は、基本的に端面発光型とすることで十分な距離の電流
注入部で誘導利得を得ることができるため、非常に高出
力を達成できると共に、共振器を形成しないため発振状
態には至らず発光強度の電流制御が容易という特徴をも
っている。

【０００５】次に、従来例の２種類の波長の光を発光す
る発光ダイオードについて説明する。図４は、従来例の
２種類の波長の光を発光する発光ダイオードの構造を示
す断面図である。同図において、発光ダイオード２０
は、図示しないｐ型基板上に、ｐ型クラッド層２１ａ，
第一活性層２２ａ，ｎ型クラッド層２１ｂ，第二活性層
２２ｂからの光は反射して第一活性層２２ａからの光は
透過するような選択的な反射層２３、ｎ型クラッド層２
１ｃ，第二活性層２２ｂ，ｐ型クラッド層２１ｄが順次
積層されている。

【０００６】そして、エッチングによりｐ型クラッド層
２１ｄ，第二活性層２２ｂ，ｎ型クラッド層２１ｃ，反
射層２３を除去しｎ型クラッド層２１ｂ上に形成した電
極形成面に電極２４を、基板を除去しｐ型クラッド層２
１ａの下面全面に電極２５を、ｐ型クラッド層２１ｄの
上面に電極２６を設置した構造になっている。ここで、
光導電効果により、バンドギャップより大きいエネルギ
ーを持つ光は吸収されてしまうので、第一の活性層２２
ａからの光のほうが、第二の活性層２２ｂからの光より
もエネルギーが小さいように第一の活性層２２ａと第二
の活性層２２ｂの組成が選ばれている。そして、第一の
活性層２２ａは電極２４，２５により、また、第二の活
性層２２ｂは電極２４，２６によりそれぞれ独立して電
流が注入され、ｐ型クラッド層２１ｄ上面の光出力窓２
７より光が出力される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前述のような面発光型
の集積化発光素子アレイを作製する場合は、例えば不純
物拡散によりそれぞれの発光部を分離するか、あるいは
二重ヘテロ構造にフォトリソ加工を行いメサエッチング
によって発光部の分離を行い、発光素子アレイを形成す
るのが一般的である。近年の高密度化の要求を受けて、
これらの各発光素子間の距離は少なくとも２０μｍ以下
にする必要がある。しかしながら、拡散による各発光素
子の分離でこの距離を達成するには、拡散深さを１０μ
ｍ程度以下にコントロ−ルする必要があり、従来の拡散
工程で再現性良くこれを達成するのは困難であった。

【０００８】また、二重へテロ構造の発光素子アレイを
製造する場合には、一般的にＡｌＧａＡｓを液相成長法
（ＬＰＥ）によって成長させているが、エッチングによ
って微細加工する場合には、膜厚を数μｍ以下にする必
要があり、液相成長法によって膜厚を薄く制御するのは
困難であり、再現性が悪かった。そして、ＭＯＣＶＤ法
やＭＢＥ法によって積層する場合は、細かな制御が可能
なため、膜厚を薄くして微細加工可能にすることもでき
るが、膜厚を薄くすると、各発光素子の発光出力が低下
して高出力が得られないという課題があった。

【０００９】また、従来例の２種類の波長の光を発光す
る発光ダイオード２０を応用した２種類の波長の光を発
光する面発光型の半導体発光素子アレイ装置の作成で
は、高密度な集積や電極の形成等において非常に難しい
という問題点があった。

【００１０】そこで本発明は、異なる活性層を複数形成
して端面発光型の半導体発光素子アレイ装置を作製する
ことにより、複数の波長の光を発光する半導体発光素子
アレイ装置を提供し、また、この半導体発光素子アレイ
装置の発光素子をより高密度化、高出力化とすることを
目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
アレイ装置は、半導体結晶層を多層積層して形成した複
数の発光素子をアレイ状に平行に配列し、この配列方向
と直交方向の一端面から発光せしめる端面発光型の半導
体発光素子アレイ装置において、少なくとも、前記半導
体結晶層は、基板上に第一活性層を積層し、前記第一活
性層と伝導型が異なる第二活性層を、前記第一活性層上
部に前記直交方向に平行で前記配列方向に複数アレイ状
に形成し、前記第二活性層の間隙部の、前記第一活性層
を、それぞれｐｎ接合部を形成することにより第一発光
部とし、前記第二活性層を、それぞれｐｎ接合部を形成
することにより第二発光部とし、前記第一発光部と、前
記第二発光部とにそれぞれ独立して電流を注入して発光
せしめることにより前述の目的を達成するものである。

【００１２】また、本発明の半導体発光素子アレイ装置
は、上述のような半導体発光素子アレイ装置であって、
少なくとも、前記半導体結晶層は、基板上に伝導型が同
じである下部クラッド層と第一活性層とを積層し、前記
第一活性層と伝導型が異なる第二活性層を、前記第一活
性層上部に前記直交方向に平行で前記配列方向に複数ア
レイ状に形成し、前記第一活性層と伝導型の異なる上部
クラッド層を、前記第一活性層上面と前記第二活性層上
面に形成し、前記第二活性層の間隙部の、前記第一活性
層を、それぞれ前記下部クラッド層と、前記上部クラッ
ド層とで挟み込んで第一発光部とし、前記第二活性層下
部の前記第一活性層をクラッド層の一部として用いて、
前記第二活性層を、前記第二活性層下部の前記第一活性
層及び前記下部クラッド層を含むクラッド層と、前記上
部クラッド層とで挟み込んで第二発光部としたことによ
り前述の目的を達成するものである。

【００１３】また、本発明の半導体発光素子アレイ装置
は、上述のような半導体発光素子アレイ装置であって、
前記各発光素子は、前記直交方向に前記発光素子と対応
する電流狭窄溝が形成された電流狭窄層と、前記半導体
結晶層上面から前記直交方向に前記電流狭窄層まで達す
る分離溝とによって電気的に分離したことにより前述の
目的を達成するものである。

【００１４】また、本発明の半導体発光素子アレイ装置
は、上述のような半導体発光素子アレイ装置であって、
前記半導体結晶層の、前記直交方向の一方の端面側を電
流注入部、他方の端面側を光吸収部として、前記電流注
入部に前記発光素子を形成し、前記一方の端面を光出射
面とし、前記光吸収部では光を吸収するよう構成したこ
とにより前述の目的を達成するものである。

【００１５】

【実施例】図１は本発明の半導体発光素子アレイ装置の
一実施例の構造を示す平面図である。図２は図１のＡ−
Ａ線断面の側面図である。図３は図１のＢ−Ｂ線断面の
側面図である。これらの図に示す半導体発光素子アレイ
装置１は、端面反射による帰還が起こらない工夫をし、
一方向に進む光に誘導放出による利得を与えて増幅し、
端面から光を放出する構造で、いわゆるスーパールミネ
ッセントダイオード（ＳＬＤ）構造をなしてアレイを形
成している。２は電流注入部で、３は光吸収部である。
電流注入部２には電流は注入されるが、光吸収部３には
電流は注入されず、光の吸収領域となって、光帰還を防
いでおり、電流注入部２で発生した光は活性層４ａ，４
ｂを進むうちに一方向性的に増幅され、電流注入部２側
の端面の光出射面５から光は放出される。また、組成の
異なる第一活性層４ａと第二活性層４ｂが形成され、そ
れぞれ第一発光部６ａ，第二発光部６ｂがアレイ配列方
向に交互に形成され、それぞれ独立して発光されるよう
に構成されている。

【００１６】半導体発光素子アレイ装置１は、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板７上にｎ型ＧａＡｓバッファ層８，ｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ第一クラッド層９ａ，ｎ型ＧａＩｎＰ第一活性
層４ａが順次積層され、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第二クラッド
層９ｂがアレイ配列方向と直交方向にストライプ状に形
成され、その上面でｐｎ接合してｐ型ＧａＡｓ第二活性
層４ｂが形成され、第二発光部６ｂが形成されている。
そして、この半導体結晶層上面全体にｐ−ＡｌＧａＡｓ
第三クラッド層９ｃ，ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１０が順
次積層されており、第三クラッド層９ｃは第一活性層４
ａと第二活性層４ｂ上面に接し、特に４ａとはｐｎ接合
して第一発光部４ａが形成されている。この第一活性層
４ａ，第二活性層４ｂはどちらもその上面と下面とを伝
導型の異なるクラッド層で挟み込まれるダブルヘテロ接
合を形成している。また、電流狭窄層１０は、電流注入
部２において、アレイ配列方向と直交方向の電流狭窄溝
１０ａがアレイ配列方向に複数形成されている。

【００１７】更に、この半導体結晶層上にｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ第四クラッド層９ｄ，ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
１が積層され、その上に電極１２が設けられている。こ
れらは、電流注入部２において、アレイ配列方向と直交
方向の分離溝１３によって、アレイ配列方向に複数分離
されて複数の発光素子１４が形成されている。光吸収部
３には、コンタクト層１１の上に絶縁層１５である窒化
膜または酸化膜が形成されており、各発光素子１４上の
電極１２は、絶縁層１５上まで引き伸ばされており、絶
縁層１５上では千鳥形状のボンディングパッド１２ａが
形成されている。また、光出射面５である端面にはＳｉ
Ｎ等の表面無反射層１６が形成され、基板７下面全体に
は電極１７が形成されている。なお、ｎ型ＧａＩｎＰ第
一活性層４ａは、不純物濃度の極めて低いもので構成す
れば、発光強度を高めることができる。

【００１８】このような構造の半導体発光素子アレイ装
置１は、第四クラッド層９ｄにアレイ配列方向と直交方
向に設けられた分離溝１３と電流狭窄層１０によって、
各発光素子１４が電気的に分離されているので、各発光
素子１４を独立して動作させることができる。電流狭窄
溝１０ａの下部の活性層が発光部となるが、第二活性層
４ｂの第二発光部６ｂの下部の第一活性層４ａはクラッ
ド層の一部として機能し、発光しない。各発光部６ａ，
６ｂから発光した光は、誘導放出により増幅されて、一
方向性的に光出射面５から外部に出力される。また、光
吸収部３上部には、絶縁層１５を介して電極１２のボン
ディングパッド１２ａが形成され、電流は注入されるこ
とがないので、光吸収部３は光の吸収領域となる。

【００１９】次に、この半導体発光素子アレイ装置１の
製造方法を説明する。ｎ型ＧａＡｓ基板７上にｎ型Ｇａ
Ａｓバッファ層８，ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッド層
９ａ，ｎ型ＧＩｎＰ第一活性層４ａ，ｎ型ＡｌＧａＡｓ
第二クラッド層９ｂ，ｐ型ＧａＡｓ第二活性層４ｂをＭ
ＯＣＶＤ法により、順次積層する。

【００２０】そして、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第二クラッド層
９及びｐ型ＧａＡｓ第二活性層４ｂを、その電流注入部
２においてアレイ配列方向と直交方向にストライプ状に
フォトリソ工程によりエッチングする。このとき、選択
エッチングによりｐ型ＧＩｎＰ第一活性層４ａはエッチ
ングしない。

【００２１】再び、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ第三クラッド層９ｃ，ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０
を積層する。そして、フォトリソ工程によりエッチング
マスクを設けて、アンモニア／過酸化水素水系のエッチ
ング液を使用してエッチングを行い、電流狭窄層１０の
電流注入部２にアレイ配列方向と直交方向の電流狭窄溝
１０ａをストライプ状に複数形成する。このとき、この
エッチング溶液は、第三クラッド層９ｃをほとんどエッ
チングしないので、正確な選択エッチングが可能であ
る。ここで、電流狭窄溝１０ａは第二活性層４ｂ上方
と、第二活性層４ｂが取り除かれた部分の第一活性層４
ａ上方に形成されている。

【００２２】さらに、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓ第四クラッド層９ｄ，ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１１を積層する。その後、フォトリソ工程によりエッチ
ングマスクを設けて、アンモニア／過酸化水素水系のエ
ッチング液及び塩酸系のエッチング液を用いて、第四ク
ラッド層９ｄ及びコンタクト層１１を、電流注入部２に
おいて上面から電流狭窄層１０までアレイ配列方向と直
交方向に選択エッチングして分離溝１３を形成し、各発
光素子１４に分離する。また、このとき、電流狭窄層１
０をエッチングストッパー層として利用することによ
り、精度の良いエッチングを可能としている。

【００２３】そして、光吸収部３上面に絶縁層１５とな
る窒化膜あるいは酸化膜を形成する。最後に、電極１２
となる金属を蒸着してフォトリソ工程後にエッチングま
たはリフトオフ法により、分離された各発光素子１４上
から絶縁層１５上面に至って、電極１２及びボンディン
グパット１２ａを形成する。また、同様に基板７下面全
体にも電極１２を形成する。なお、必要に応じて、光出
射面５である端面にＳｉＮ等の表面無反射層１６を形成
する。

【００２４】以上のような本発明の一実施例の半導体発
光素子アレイ装置１は、第一活性層は電流狭窄溝１０ａ
下部で第二クラッド層９ｂとｐｎ接合し、第一発光部６
ａを形成する。第二活性層９ｂ下部の第一活性層４ａは
クラッド層として機能して、第二活性層４ｂは第三クラ
ッド層９ｃとｐｎ接合し、第二発光部６ｂを形成する。
従って、波長の異なる光が、それぞれ第一発光部６ａと
第二発光部６ｂとから発せられる。これらは、電気的に
分離されているので独立して駆動することができる。

【００２５】また、第一活性層６ａ及び第二活性層６ｂ
はその上面と下面を伝導型の異なるクラッド層で挟み込
まれる、いわゆるダブルヘテロ接合により発光部を形成
しているので、発光出力を非常に高くすることができ
る。

【００２６】また、誘導放出による高い利得が得られる
端面発光型のＳＬＤ構造とすると共に、アレイ配列方向
と直交方向の電流狭窄溝１０ａを有する電流狭窄層１０
と、上面からアレイ配列方向と直交方向に電流狭窄層１
０まで達する分離溝１３とによって各発光素子１４を電
気的に分離して構成したので、各発光素子１４の高出力
化と高密度化が実現できる。

【００２７】また、電流狭窄溝１０ａのエッチングにお
いては第三クラッド層９ｃをエッチングストッパーとし
て、また、分離溝１３のエッチングにおいては電流狭窄
層１０をエッチングストッパーとして利用して製造する
ことにより、製造時のエッチング制御が容易にできるの
で、特にクラッド層を薄くする必要がない。従って、高
出力が得られ、各発光素子１４の分離を精度良く、より
高密度に行うことができる。

【００２８】更に、光吸収部３上部に絶縁層１５を形成
して、その上面に引き渡された電極１２のボンディング
パッド１２ａを千鳥形状とすることで、高密度実装に不
可欠な高密度配線も精度良く可能となる。

【００２９】なお、本実施例で用いた材料や製造方法等
は、これらに限定されるものではなく、適宜変更可能で
ある。また、本実施例は、ＳＬＤ構造の半導体発光素子
アレイ装置としたが、これに限定されるものではなく、
例えば端面発光型のＬＥＤやＬＤ等に関しては、本実施
例の光吸収部は形成されていないが、主要となる発光素
子の構成は同様に構成することができ、同様の効果が得
られる。また、本実施例では、第一活性層上部に第二ク
ラッド層、第二活性層を積層し、これらをエッチングし
て、アレイ状に配列したが、第二活性層のみを積層し、
エッチングによりアレイ状に配列してもよい。このと
き、第二活性層は第一活性層とｐｎ接合し、第二発光部
が形成される。また、本実施例では、２種類の活性層を
積層し、２種類の異なる波長の光を発光せしめるもので
あったが、２種類以上の光を発光せしめる方法として
は、例えば、第二活性層４ｂは、ストライプ状に形成さ
れるから、これを列単位で異なる活性層を形成して構成
すれば、複数の異なる波長の光を発光せしめる半導体発
光素子アレイ装置を提供できる。

【００３０】

【発明の効果】以上のような構成よりなる本発明の半導
体発光素子アレイ装置によれば、半導体結晶層を多層積
層して形成した複数の発光素子をアレイ状に平行に配列
し、この配列方向と直交方向の一端面から発光せしめる
端面発光型の半導体発光素子アレイ装置において、少な
くとも、前記半導体結晶層は、基板上に第一活性層を積
層し、前記第一活性層と伝導型が異なる第二活性層を、
前記第一活性層上部に前記直交方向に平行で前記配列方
向に複数アレイ状に形成し、前記第二活性層の間隙部
の、前記第一活性層を、それぞれｐｎ接合部を形成する
ことにより第一発光部とし、前記第二活性層を、それぞ
れｐｎ接合部を形成することにより第二発光部とし、前
記第一発光部と、前記第二発光部とにそれぞれ独立して
電流を注入して発光せしめるよう構成したので、複数の
波長の異なる光を発光する端面発光型の半導体発光素子
アレイ装置を提供することができる。

【００３１】また、少なくとも、前記半導体結晶層は、
基板上に伝導型が同じである下部クラッド層と第一活性
層とを積層し、前記第一活性層と伝導型が異なる第二活
性層を、前記第一活性層上部に前記直交方向に平行で前
記配列方向に複数アレイ状に形成し、前記第一活性層と
伝導型の異なる上部クラッド層を、前記第一活性層上面
と前記第二活性層上面に形成し、前記第二活性層の間隙
部の、前記第一活性層を、それぞれ前記下部クラッド層
と、前記上部クラッド層とで挟み込んで第一発光部と
し、前記第二活性層下部の前記第一活性層をクラッド層
の一部として用いて、前記第二活性層を、前記第二活性
層下部の前記第一活性層及び前記下部クラッド層を含む
クラッド層と、前記上部クラッド層とで挟み込んで第二
発光部としたので、高出力な、複数の波長の異なる光を
発光する端面発光型の半導体発光素子アレイ装置を提供
することができる。

【００３２】また、前記各発光素子は、前記直交方向に
前記発光素子と対応する電流狭窄溝が形成された電流狭
窄層と、前記半導体結晶層上面から前記直交方向に前記
電流狭窄層まで達する分離溝とによって電気的に分離し
たので、高密度でかつ高出力な、複数の波長の異なる光
を発光する半導体発光素子アレイ装置を容易に提供する
ことができる。

【００３３】また、前記半導体結晶層の、前記直交方向
の一方の端面側を電流注入部、他方の端面側を光吸収部
として、前記電流注入部に前記発光素子を形成し、前記
一方の端面を光出射面とし、前記光吸収部では光を吸収
するよう構成したので、更に、高密度でかつ高出力な、
複数の波長の異なる光を発光する半導体発光素子アレイ
装置を容易に提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体発光素子アレイ装置の一実施例
の構造を示す平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面の側面図である。

【図３】図１のＢ−Ｂ線断面の側面図である。

【図４】従来例の２種類の波長の光を発光する発光ダイ
オードの構造を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体発光素子アレイ装置 ２ 電流注入部 ３ 光吸収部 ４ａ 第一活性層 ４ｂ 第二活性層 ５ 光出射面 ６ａ 第一発光部 ６ｂ 第二発光部 ７ 基板 ９ａ 第一クラッド層（下部クラッド層） ９ｂ 第二クラッド層（下部クラッド層） ９ｃ 第三クラッド層（上部クラッド層） ９ｄ 第四クラッド層（上部クラッド層） １０ 電流狭窄層 １０ａ 電流狭窄溝 １２ 電極 １３ 分離溝 １４ 発光素子 １５ 絶縁膜 １６ 無反射膜

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体結晶層を多層積層して形成した複数
   の発光素子をアレイ状に平行に配列し、この配列方向と
   直交方向の一端面から発光せしめる端面発光型の半導体
   発光素子アレイ装置において、 少なくとも、前記半導体結晶層は、基板上に第一活性層
   を積層し、 前記第一活性層と伝導型が異なる第二活性層を、前記第
   一活性層上部に前記直交方向に平行で前記配列方向に複
   数アレイ状に形成し、 前記第二活性層の間隙部の、前記第一活性層を、それぞ
   れｐｎ接合部を形成することにより第一発光部とし、 前記第二活性層を、それぞれｐｎ接合部を形成すること
   により第二発光部とし、 前記第一発光部と、前記第二発光部とにそれぞれ独立し
   て電流を注入して発光せしめることを特徴とする半導体
   発光素子アレイ装置。
2. 【請求項２】少なくとも、前記半導体結晶層は、基板上
   に伝導型が同じである下部クラッド層と第一活性層とを
   積層し、 前記第一活性層と伝導型が異なる第二活性層を、前記第
   一活性層上部に前記直交方向に平行で前記配列方向に複
   数アレイ状に形成し、 前記第一活性層と伝導型の異なる上部クラッド層を、前
   記第一活性層上面と前記第二活性層上面に形成し、 前記第二活性層の間隙部の、前記第一活性層を、それぞ
   れ前記下部クラッド層と、前記上部クラッド層とで挟み
   込んで第一発光部とし、 前記第二活性層下部の前記第一活性層をクラッド層の一
   部として用いて、 前記第二活性層を、前記第二活性層下部の前記第一活性
   層及び前記下部クラッド層を含むクラッド層と、前記上
   部クラッド層とで挟み込んで第二発光部としたことを特
   徴とする請求項１記載の半導体発光素子アレイ装置。
3. 【請求項３】前記各発光素子は、前記直交方向に前記発
   光素子と対応する電流狭窄溝が形成された電流狭窄層
   と、前記半導体結晶層上面から前記直交方向に前記電流
   狭窄層まで達する分離溝とによって電気的に分離したこ
   とを特徴とする請求項１又は２記載の半導体発光素子ア
   レイ装置。
4. 【請求項４】前記半導体結晶層の、前記直交方向の一方
   の端面側を電流注入部、他方の端面側を光吸収部とし
   て、前記電流注入部に前記発光素子を形成し、前記一方
   の端面を光出射面とし、前記光吸収部では光を吸収する
   よう構成したことを特徴とする請求項１又は２又は３記
   載の半導体発光素子アレイ装置。