JPH0677531A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
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- JPH0677531A JPH0677531A JP25228792A JP25228792A JPH0677531A JP H0677531 A JPH0677531 A JP H0677531A JP 25228792 A JP25228792 A JP 25228792A JP 25228792 A JP25228792 A JP 25228792A JP H0677531 A JPH0677531 A JP H0677531A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高発光出力、高集積、及び発光出力のばらつ
きの無い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 【構成】 発光層６の結晶をその発光層結晶より禁制帯
幅が広く互いに伝導型の異なる二つの結晶層５、７で挟
み込むように接合した二重ヘテロ構造８と、基板結晶２
との間に発光層６結晶よりも禁制帯幅が広く伝導型が基
板結晶２と同一であると共に２種以上の異なる屈折率を
有する半導体結晶を複数積層した反射層４を設ける。ま
た、分離溝１２を形成するためのメサエッチングは、基
板結晶２と反射層４との両者において、選択的にエッチ
ングをするなエッチング液を用いることで反射層４と基
板結晶２との境界面１４で停止する。
きの無い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 【構成】 発光層６の結晶をその発光層結晶より禁制帯
幅が広く互いに伝導型の異なる二つの結晶層５、７で挟
み込むように接合した二重ヘテロ構造８と、基板結晶２
との間に発光層６結晶よりも禁制帯幅が広く伝導型が基
板結晶２と同一であると共に２種以上の異なる屈折率を
有する半導体結晶を複数積層した反射層４を設ける。ま
た、分離溝１２を形成するためのメサエッチングは、基
板結晶２と反射層４との両者において、選択的にエッチ
ングをするなエッチング液を用いることで反射層４と基
板結晶２との境界面１４で停止する。
Description
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光素子及びそ
の製造方法に係わり、特にメサ構造の面発光半導体発光
素子を有する半導体発光素子モノリシックアレイ及びそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に係わり、特にメサ構造の面発光半導体発光
素子を有する半導体発光素子モノリシックアレイ及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００１】
【従来の技術】近年、半導体発光素子を光プリンタ用光
源あるいは光を用いた情報用素子に使用するために高密
度に集積するための技術が提案または開発されている。
これらの発光素子は発光ダイオードをリニアに集積する
ことでアレイ化した発光素子を用いているが、プリンタ
の小型化、高画質化によってより高い集積度が求められ
てきている。発光素子の集積度を高くするには、基板結
晶上のそれぞれの素子の間隔を５０μｍ以下にしなくて
はならない。従来より、発光素子を電気的に分離する方
法として、エッチング液を用いて素子と素子の間に分離
溝を形成する方法や、素子と素子との間に不純物を拡散
させて行う方法などがあった。上記のように、素子と素
子との間隔を５０μｍ以下にするには、エッチングや、
拡散の性質上、分離溝の深さ、または不純物拡散による
拡散深さを１０μｍ以下程度にする必要がある。
源あるいは光を用いた情報用素子に使用するために高密
度に集積するための技術が提案または開発されている。
これらの発光素子は発光ダイオードをリニアに集積する
ことでアレイ化した発光素子を用いているが、プリンタ
の小型化、高画質化によってより高い集積度が求められ
てきている。発光素子の集積度を高くするには、基板結
晶上のそれぞれの素子の間隔を５０μｍ以下にしなくて
はならない。従来より、発光素子を電気的に分離する方
法として、エッチング液を用いて素子と素子の間に分離
溝を形成する方法や、素子と素子との間に不純物を拡散
させて行う方法などがあった。上記のように、素子と素
子との間隔を５０μｍ以下にするには、エッチングや、
拡散の性質上、分離溝の深さ、または不純物拡散による
拡散深さを１０μｍ以下程度にする必要がある。
【０００２】不純物の拡散によって発光素子を分離する
技術が特開昭５９−２３８２号公報によって開示されて
いる。この発光素子は、まず液相成長法によって基板結
晶上にｐ型ＧａＡｌＡｓ層、ｎ型ＧａＡｌＡｓを順次積
層して半導体ウェーハを形成する。そして次に、このウ
ェーハ表面にＳｉＯ2 等の絶縁膜を被着し、ｎ型ＧａＡ
ｌＡｓ層の発光領域とすべき部分に対応したところの絶
縁膜を残すように写真蝕刻する。そして、この絶縁膜を
マスクとしてウェーハ表面から亜鉛を拡散してｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓ層に達するｐ型分離領域を形成してｎ型ＧａＡ
ｌＡｓ層の分離を行って発光素子を分離するものであ
る。このような発光素子によればｐ型分離領域を形成す
るｎ型ＧａＡｌＡｓ層を１０μｍ以下と薄くすれば、亜
鉛の拡散は浅いもので良いので素子の間隔を５０μｍ以
下にすることができた。
技術が特開昭５９−２３８２号公報によって開示されて
いる。この発光素子は、まず液相成長法によって基板結
晶上にｐ型ＧａＡｌＡｓ層、ｎ型ＧａＡｌＡｓを順次積
層して半導体ウェーハを形成する。そして次に、このウ
ェーハ表面にＳｉＯ2 等の絶縁膜を被着し、ｎ型ＧａＡ
ｌＡｓ層の発光領域とすべき部分に対応したところの絶
縁膜を残すように写真蝕刻する。そして、この絶縁膜を
マスクとしてウェーハ表面から亜鉛を拡散してｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓ層に達するｐ型分離領域を形成してｎ型ＧａＡ
ｌＡｓ層の分離を行って発光素子を分離するものであ
る。このような発光素子によればｐ型分離領域を形成す
るｎ型ＧａＡｌＡｓ層を１０μｍ以下と薄くすれば、亜
鉛の拡散は浅いもので良いので素子の間隔を５０μｍ以
下にすることができた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような
半導体発光素子アレイの製造方法では不純物拡散法を用
いてｐｎ接合を形成しているが、この方法で得られるホ
モ接合の半導体発光素子は、二重ヘテロ接合のものに比
べ発光出力が劣った。また、１０μｍ以上の膜厚の成長
に適している液相成長法を用いて薄膜を形成させるた
め、１０μｍ以下の薄膜を形成すると膜厚の均一性に欠
け、特に分離された発光素子の発光出力のばらつきを十
分に小さくすることは困難であった。そこで近年、有機
金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー
法（ＭＢＥ法）等、数μｍ程度の半導体結晶製膜に適す
る製造方法が開発された。この技術によって、結晶層の
薄膜制御性が向上し、均一性のある薄膜を製造できるよ
うになった。
半導体発光素子アレイの製造方法では不純物拡散法を用
いてｐｎ接合を形成しているが、この方法で得られるホ
モ接合の半導体発光素子は、二重ヘテロ接合のものに比
べ発光出力が劣った。また、１０μｍ以上の膜厚の成長
に適している液相成長法を用いて薄膜を形成させるた
め、１０μｍ以下の薄膜を形成すると膜厚の均一性に欠
け、特に分離された発光素子の発光出力のばらつきを十
分に小さくすることは困難であった。そこで近年、有機
金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー
法（ＭＢＥ法）等、数μｍ程度の半導体結晶製膜に適す
る製造方法が開発された。この技術によって、結晶層の
薄膜制御性が向上し、均一性のある薄膜を製造できるよ
うになった。
【０００４】しかし、この有機金属気相成長法、及び分
子線エピタキシー法は薄膜制御性には優れているが逆に
１０μｍ以上の厚膜を製造するのには適していない。よ
って基板結晶として用いるＧａＡｓ結晶をエッチング除
去できるまでの厚膜を成長させることができないため、
基板結晶を取り除くことができず、基板結晶の光吸収に
よる光出力の損失を招いた。また、基板結晶を除去でき
るだけの厚膜を生成する場合でも、基板結晶上の半導体
発光素子を電気的に分離するためのメサエッチングは、
前述したように素子の高集積のために基板結晶上の厚膜
の途中で停止しなければならなので、分離溝の深さの均
一性に欠け、それによって分離された発光素子のインピ
ーダンスのばらつきが生じ、結局発光出力がばらついて
しまった。
子線エピタキシー法は薄膜制御性には優れているが逆に
１０μｍ以上の厚膜を製造するのには適していない。よ
って基板結晶として用いるＧａＡｓ結晶をエッチング除
去できるまでの厚膜を成長させることができないため、
基板結晶を取り除くことができず、基板結晶の光吸収に
よる光出力の損失を招いた。また、基板結晶を除去でき
るだけの厚膜を生成する場合でも、基板結晶上の半導体
発光素子を電気的に分離するためのメサエッチングは、
前述したように素子の高集積のために基板結晶上の厚膜
の途中で停止しなければならなので、分離溝の深さの均
一性に欠け、それによって分離された発光素子のインピ
ーダンスのばらつきが生じ、結局発光出力がばらついて
しまった。
【０００５】そこで、本発明は上記の点に着目してなさ
れたものであり、半導体発光素子を基板結晶上で二重ヘ
テロ構造で構成するに当たり、基板結晶による光の吸収
による発光損失を無くすために二重ヘテロ構造と基板結
晶との間に反射層を設けて基板結晶による光吸収を無く
して発光出力を向上させると共に、メサエッチングの均
一性を向上させることで発光出力のばらつきを無くした
高出力の半導体発光素子及びその製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
れたものであり、半導体発光素子を基板結晶上で二重ヘ
テロ構造で構成するに当たり、基板結晶による光の吸収
による発光損失を無くすために二重ヘテロ構造と基板結
晶との間に反射層を設けて基板結晶による光吸収を無く
して発光出力を向上させると共に、メサエッチングの均
一性を向上させることで発光出力のばらつきを無くした
高出力の半導体発光素子及びその製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するための手段として、伝導型の異なる半導体結晶層
で発光層を挟み込むように接合した二重ヘテロ構造の半
導体を基板結晶上でメサ構造を有した分離溝によって複
数個に分離してアレイ化した半導体発光素子であって、
前記基板結晶と、前記二重ヘテロ構造との間に、前記発
光層結晶よりも禁制帯幅が大きく伝導型が前記基板結晶
と同一であり、かつ少なくとも２種以上の異なる屈折率
を有した半導体結晶を複数組積層した反射層を設けたこ
とを特徴とする半導体発光素子を提供しようとするもの
である。また、前記二重ヘテロ構造の膜厚の合計が２０
μｍ以下であることを特徴とする半導体発光素子を提供
しようとするものである。また、基板結晶上に、反射
層、二重ヘテロ構造より成る半導体結晶を順次積層した
後に、メサエッチングによって分離溝を形成して複数個
のメサ構造の半導体発光素子を互いに分離して製造する
半導体発光素子の製造方法であって、前記メサエッチン
グは前記反射層と前記基板結晶との境界面で停止するこ
とを特徴とする半導体発光素子の製造方法を提供しよう
とするものである。
成するための手段として、伝導型の異なる半導体結晶層
で発光層を挟み込むように接合した二重ヘテロ構造の半
導体を基板結晶上でメサ構造を有した分離溝によって複
数個に分離してアレイ化した半導体発光素子であって、
前記基板結晶と、前記二重ヘテロ構造との間に、前記発
光層結晶よりも禁制帯幅が大きく伝導型が前記基板結晶
と同一であり、かつ少なくとも２種以上の異なる屈折率
を有した半導体結晶を複数組積層した反射層を設けたこ
とを特徴とする半導体発光素子を提供しようとするもの
である。また、前記二重ヘテロ構造の膜厚の合計が２０
μｍ以下であることを特徴とする半導体発光素子を提供
しようとするものである。また、基板結晶上に、反射
層、二重ヘテロ構造より成る半導体結晶を順次積層した
後に、メサエッチングによって分離溝を形成して複数個
のメサ構造の半導体発光素子を互いに分離して製造する
半導体発光素子の製造方法であって、前記メサエッチン
グは前記反射層と前記基板結晶との境界面で停止するこ
とを特徴とする半導体発光素子の製造方法を提供しよう
とするものである。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面を用いて本発明の一実施例を
説明する。図１は、本発明の一実施例の半導体発光素子
の側断面図である。同図において、本実施例の半導体発
光素子１は、ｎ−ＧａＡｓ基板（基板結晶）２上に、ｎ
−ＧａＡｓバッファ層３、反射層４、ｎ−Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 Ａｓクラッド層５、ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ発光
層６、ｐ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓクラッド層７を順次積
層し、ｎ−ＧａＡｓ基板２の下面とｐ−Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 Ａｓクラッド層７の上面とにそれぞれ設けた電極１
５、１６によって構成されている。この半導体発光素子
１において、発光層６から上側に出力された光はそのま
ま発光面１７から外部に出るが、下側に出力された光
は、反射層４によって反射された後に発光面１７から外
部へ出力される。これによって、発光層６から下側に出
力された光は反射層４に反射され、基板結晶２に吸収さ
れない構造となっている。
説明する。図１は、本発明の一実施例の半導体発光素子
の側断面図である。同図において、本実施例の半導体発
光素子１は、ｎ−ＧａＡｓ基板（基板結晶）２上に、ｎ
−ＧａＡｓバッファ層３、反射層４、ｎ−Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 Ａｓクラッド層５、ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ発光
層６、ｐ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓクラッド層７を順次積
層し、ｎ−ＧａＡｓ基板２の下面とｐ−Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 Ａｓクラッド層７の上面とにそれぞれ設けた電極１
５、１６によって構成されている。この半導体発光素子
１において、発光層６から上側に出力された光はそのま
ま発光面１７から外部に出るが、下側に出力された光
は、反射層４によって反射された後に発光面１７から外
部へ出力される。これによって、発光層６から下側に出
力された光は反射層４に反射され、基板結晶２に吸収さ
れない構造となっている。
【０００８】次に図２を用いて、本実施例の半導体発光
素子１の製造方法について説明する。図２（Ａ）〜
（Ｄ）は、本発明の一実施例の半導体発光素子の製造工
程を示したもので、各図は主要製造工程での側断面図を
概略的に示している。最初に、ｎ−ＧａＡｓ基板２上
に、０．５μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ層３を積層し、
次に膜厚５０ｎｍのｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓと、膜厚
５７ｎｍのｎ−ＡｌＡｓとを１組として全部で２５組積
層した反射層４を積層する。ここで、反射層４を構成す
る部材の膜厚ｄは、その反射率の中心波長が発光波長の
ピークに適合するように選ぶのであるが、通常この膜厚
ｄは、部材の屈折率をｎ、中心波長をλp としたとき、
ｄ＝λp ／（４ｎ）で与えられる。即ち、発光層６から
出力される光の中心波長λp によってその膜厚ｄが決定
される。また、ｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓとｎ−ＡｌＡ
ｓとで形成される反射層を積層する組数を増やすことに
よって最大反射率を向上させることもできるが、本実施
例においては、実験結果によって２５組積層させた。そ
して次に、この反射層４の上にｎ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａ
ｓクラッド層５を５μｍ、ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ発
光層６を０．５μｍ、ｐ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3Ａｓクラッ
ド層７を２μｍを有機金属気相成長法、または分子線エ
ピタキシー法等を用いて順次積層した二重ヘテロ構造８
を形成して、図２（Ａ）に示すようなウェーハ９とす
る。
素子１の製造方法について説明する。図２（Ａ）〜
（Ｄ）は、本発明の一実施例の半導体発光素子の製造工
程を示したもので、各図は主要製造工程での側断面図を
概略的に示している。最初に、ｎ−ＧａＡｓ基板２上
に、０．５μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ層３を積層し、
次に膜厚５０ｎｍのｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓと、膜厚
５７ｎｍのｎ−ＡｌＡｓとを１組として全部で２５組積
層した反射層４を積層する。ここで、反射層４を構成す
る部材の膜厚ｄは、その反射率の中心波長が発光波長の
ピークに適合するように選ぶのであるが、通常この膜厚
ｄは、部材の屈折率をｎ、中心波長をλp としたとき、
ｄ＝λp ／（４ｎ）で与えられる。即ち、発光層６から
出力される光の中心波長λp によってその膜厚ｄが決定
される。また、ｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓとｎ−ＡｌＡ
ｓとで形成される反射層を積層する組数を増やすことに
よって最大反射率を向上させることもできるが、本実施
例においては、実験結果によって２５組積層させた。そ
して次に、この反射層４の上にｎ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａ
ｓクラッド層５を５μｍ、ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ発
光層６を０．５μｍ、ｐ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3Ａｓクラッ
ド層７を２μｍを有機金属気相成長法、または分子線エ
ピタキシー法等を用いて順次積層した二重ヘテロ構造８
を形成して、図２（Ａ）に示すようなウェーハ９とす
る。
【０００９】次に、ウェーハ９表面に、ＣＶＤ法等を用
いてＳｉＯ2 膜１０を被着して図２（Ｂ）に示す構造と
し、通常のリソグラフィー技術を用いてＳｉＯ2 膜１０
を図２（Ｃ）に示すように所望のパターンにエッチング
する。次に、残ったＳｉＯ2 膜１０をエッチングマスク
として塩酸エッチング液を用いて分離溝１２を形成する
のであるが、基板結晶２と反射層４とを構成する半導体
結晶との両者において、選択的にエッチングを行うよう
なエッチング液を用いているのでｎ−ＧａＡｓバッファ
層２はエッチングされないため、メサエッチングは反射
層４とｎ−ＧａＡｓバッファ層３との境界面１４で停止
し、図２（Ｄ）に示す構造のウェーハ１１となる。そし
て、この後にエッチングマスクとして被着したＳｉＯ2
膜１０を除去し、ｐ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓクラッド層
７の上面に電極１５を、ｎ−ＧａＡｓ基板２の下面に電
極１６をそれぞれ設置すれば図１に示す半導体発光素子
１を得ることができる。
いてＳｉＯ2 膜１０を被着して図２（Ｂ）に示す構造と
し、通常のリソグラフィー技術を用いてＳｉＯ2 膜１０
を図２（Ｃ）に示すように所望のパターンにエッチング
する。次に、残ったＳｉＯ2 膜１０をエッチングマスク
として塩酸エッチング液を用いて分離溝１２を形成する
のであるが、基板結晶２と反射層４とを構成する半導体
結晶との両者において、選択的にエッチングを行うよう
なエッチング液を用いているのでｎ−ＧａＡｓバッファ
層２はエッチングされないため、メサエッチングは反射
層４とｎ−ＧａＡｓバッファ層３との境界面１４で停止
し、図２（Ｄ）に示す構造のウェーハ１１となる。そし
て、この後にエッチングマスクとして被着したＳｉＯ2
膜１０を除去し、ｐ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓクラッド層
７の上面に電極１５を、ｎ−ＧａＡｓ基板２の下面に電
極１６をそれぞれ設置すれば図１に示す半導体発光素子
１を得ることができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体発光
素子によれば発光層を挟み込むように接合した二重ヘテ
ロ構造で形成し、かつ前記基板結晶と、前記二重ヘテロ
構造との間に、前記発光層結晶よりも禁制帯幅が大きく
伝導型が前記基板結晶と同一であり、かつ少なくとも２
種以上の異なる屈折率を有した半導体結晶を複数組積層
した反射層を設けたので、高出力の半導体発光素子を得
ることができる。また、反射層を設けることで二重ヘテ
ロ構造を薄く形成できるので、高い集積度の半導体発光
素子を得ることができる。また、半導体発光素子の製造
方法において、基板結晶と反射層とを構成する半導体結
晶は組成又は材料が異なるため、両者において選択的に
エッチングを行うようなエッチング液を用いて分離溝を
形成するので、メサエッチングが基板結晶と反射層との
境界面で停止し分離溝の深さが均一となり分離された素
子同士間の発光出力のばらつきが無くなる等の効果があ
る。
素子によれば発光層を挟み込むように接合した二重ヘテ
ロ構造で形成し、かつ前記基板結晶と、前記二重ヘテロ
構造との間に、前記発光層結晶よりも禁制帯幅が大きく
伝導型が前記基板結晶と同一であり、かつ少なくとも２
種以上の異なる屈折率を有した半導体結晶を複数組積層
した反射層を設けたので、高出力の半導体発光素子を得
ることができる。また、反射層を設けることで二重ヘテ
ロ構造を薄く形成できるので、高い集積度の半導体発光
素子を得ることができる。また、半導体発光素子の製造
方法において、基板結晶と反射層とを構成する半導体結
晶は組成又は材料が異なるため、両者において選択的に
エッチングを行うようなエッチング液を用いて分離溝を
形成するので、メサエッチングが基板結晶と反射層との
境界面で停止し分離溝の深さが均一となり分離された素
子同士間の発光出力のばらつきが無くなる等の効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例の半導体発光素子の側断面図
である。
である。
【図２】本発明の半導体発光素子の製造工程を示した図
である。
である。
【符号の説明】 １ 半導体発光素子 ２ ｎ−ＧａＡｓ基板 ３ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ４ 反射層 ５ ｎ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓクラッド層 ６ ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ発光層 ７ ｐ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓクラッド層 ８ 二重ヘテロ構造
Claims (3)
- 【請求項１】伝導型の異なる半導体結晶層で発光層を挟
み込むように接合した二重ヘテロ構造の半導体を基板結
晶上でメサ構造を有した分離溝によって複数個に分離し
てアレイ化した半導体発光素子であって、 前記基板結晶と、前記二重ヘテロ構造との間に、前記発
光層結晶よりも禁制帯幅が大きく伝導型が前記基板結晶
と同一であり、かつ少なくとも２種以上の異なる屈折率
を有した半導体結晶を複数組積層した反射層を設けたこ
とを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体発光素子において、 前記二重ヘテロ構造の膜厚の合計が２０μｍ以下である
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項３】基板結晶上に、反射層、二重ヘテロ構造よ
り成る半導体結晶を順次積層した後に、メサエッチング
によって分離溝を形成して複数個のメサ構造の半導体発
光素子を互いに分離して製造する半導体発光素子の製造
方法であって、 前記メサエッチングは前記反射層と前記基板結晶との境
界面で停止することを特徴とする半導体発光素子の製造
方法。 【０００１】
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25228792A JPH0677531A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US08/112,669 US5406095A (en) | 1992-08-27 | 1993-08-26 | Light emitting diode array and production method of the light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25228792A JPH0677531A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677531A true JPH0677531A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=17235159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25228792A Pending JPH0677531A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677531A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5501990A (en) * | 1994-05-09 | 1996-03-26 | Motorola, Inc. | High density LED arrays with semiconductor interconnects |
| US7229848B2 (en) | 1993-12-17 | 2007-06-12 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| KR101018936B1 (ko) * | 2005-01-28 | 2011-03-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 대면적 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-08-27 JP JP25228792A patent/JPH0677531A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7229848B2 (en) | 1993-12-17 | 2007-06-12 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| US5501990A (en) * | 1994-05-09 | 1996-03-26 | Motorola, Inc. | High density LED arrays with semiconductor interconnects |
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