JPH0738147A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPH0738147A JPH0738147A JP20274993A JP20274993A JPH0738147A JP H0738147 A JPH0738147 A JP H0738147A JP 20274993 A JP20274993 A JP 20274993A JP 20274993 A JP20274993 A JP 20274993A JP H0738147 A JPH0738147 A JP H0738147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- active layer
- layer
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光取り出し効率が高く、かつ生産性が優れた
半導体発光装置を提供することを目的とする。 【構成】 ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層２、ｎ−ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層４、これらのクラッド層２、４間に配
置したｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層３、下部電極５、上部電
極１０及び光取り出し面９から構成された半導体発光装
置１において、下部電極５を、格子状とし、その電極の
隙間部分７の距離をｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４での
電流の横方向拡散距離より小さくなるようにして、そこ
にＳｉＯ2 膜を形成した。
半導体発光装置を提供することを目的とする。 【構成】 ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層２、ｎ−ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層４、これらのクラッド層２、４間に配
置したｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層３、下部電極５、上部電
極１０及び光取り出し面９から構成された半導体発光装
置１において、下部電極５を、格子状とし、その電極の
隙間部分７の距離をｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４での
電流の横方向拡散距離より小さくなるようにして、そこ
にＳｉＯ2 膜を形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード等の半
導体発光装置に係り、特に面発光型半導体発光装置に関
する。
導体発光装置に係り、特に面発光型半導体発光装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信や、表示器として半導体発
光装置が多用されている。これらの半導体発光装置は、
例えばＧａＡｓ基板などの上にＬＰＥ法（液相成長法）
やＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）等の結晶成長法
を用いてＰＮ接合を形成して、半導体発光装置として製
造されている。特に、伝導型の異なる半導体結晶層で活
性層を挟み込むようにしてなり、その上部と下部に電極
を形成して、光取り出し面から光を取り出すよう構成し
たダブルヘテロ構造の半導体発光装置は高出力が得られ
るので、良く用いられている。
光装置が多用されている。これらの半導体発光装置は、
例えばＧａＡｓ基板などの上にＬＰＥ法（液相成長法）
やＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）等の結晶成長法
を用いてＰＮ接合を形成して、半導体発光装置として製
造されている。特に、伝導型の異なる半導体結晶層で活
性層を挟み込むようにしてなり、その上部と下部に電極
を形成して、光取り出し面から光を取り出すよう構成し
たダブルヘテロ構造の半導体発光装置は高出力が得られ
るので、良く用いられている。
【０００３】このような半導体発光装置の活性層では、
光を出射する際に、熱が発生する。そこで、この熱を効
率的に電極を介して外部へ逃すように、電極と活性層と
の距離を非常に近付けた構成としたものがある。また、
電流が活性層の発光領域のみに流れるようにして、効率
の良い発光を得ようと活性層の発光領域を分離して構成
したものでは、電極と活性層との距離を近付けること
は、例えば、エッチング溝によって活性層を分離するこ
とが容易となり、有効な手段である。
光を出射する際に、熱が発生する。そこで、この熱を効
率的に電極を介して外部へ逃すように、電極と活性層と
の距離を非常に近付けた構成としたものがある。また、
電流が活性層の発光領域のみに流れるようにして、効率
の良い発光を得ようと活性層の発光領域を分離して構成
したものでは、電極と活性層との距離を近付けること
は、例えば、エッチング溝によって活性層を分離するこ
とが容易となり、有効な手段である。
【０００４】図３は、従来の半導体発光装置の一例の構
造を示す断面図である。同図において、従来の半導体発
光装置２１は図示されていない基板上に、ｐ−ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層２、ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層３及びｎ−
ＧａＡｌＡｓクラッド層４をＬＰＥ法により、順次成長
させた後、基板を除去する。ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド
層２は約１００μｍ、ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層３は約
０．５μｍ、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４は約５μｍ
とする。Ａｕ膜をｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４下面及
びｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層２上面に蒸着法により形
成する。次に、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４下面のＡ
ｕ膜をエッチングして、円形の下部電極１５を形成し、
更に円環状の電流狭窄溝６をエッチングにより形成す
る。ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層２上面のＡｕ膜をエッ
チングして、円形の光取り出し面９と上部電極１０とを
形成する。最後に、電極と半導体結晶層とをオーム性接
触とするために熱処理を施す。すると、下部電極１５と
ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４との界面、上部電極１０
とｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層２との界面には、それぞ
れ合金化部分１８、１１が形成されて、電極は半導体結
晶層とオーム性接触される。
造を示す断面図である。同図において、従来の半導体発
光装置２１は図示されていない基板上に、ｐ−ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層２、ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層３及びｎ−
ＧａＡｌＡｓクラッド層４をＬＰＥ法により、順次成長
させた後、基板を除去する。ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド
層２は約１００μｍ、ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層３は約
０．５μｍ、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４は約５μｍ
とする。Ａｕ膜をｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４下面及
びｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層２上面に蒸着法により形
成する。次に、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４下面のＡ
ｕ膜をエッチングして、円形の下部電極１５を形成し、
更に円環状の電流狭窄溝６をエッチングにより形成す
る。ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層２上面のＡｕ膜をエッ
チングして、円形の光取り出し面９と上部電極１０とを
形成する。最後に、電極と半導体結晶層とをオーム性接
触とするために熱処理を施す。すると、下部電極１５と
ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４との界面、上部電極１０
とｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層２との界面には、それぞ
れ合金化部分１８、１１が形成されて、電極は半導体結
晶層とオーム性接触される。
【０００５】ところが、このような構造の半導体発光装
置２１では、活性層３から下方へ出射された光は、合金
化部分１８で吸収され、外部へ取り出せず、光取り出し
効率が低いという問題点があった。
置２１では、活性層３から下方へ出射された光は、合金
化部分１８で吸収され、外部へ取り出せず、光取り出し
効率が低いという問題点があった。
【０００６】そこで、特開平３−２４７６９号公報に開
示されるように、活性層と前記下部電極との間に半導体
多層膜を形成して、活性層から光取り出し面反対側へ出
射された光をこの半導体多層膜により反射させて外部へ
取り出し、光取り出し効率を高める方法が提案されてい
る。図４は従来の半導体発光装置の他の例の構造を示す
断面図である。同図において、他の従来例の半導体発光
装置２２は、前述した従来例の半導体発光装置２１と
は、活性層３と下部電極１５との間に半導体多層膜１２
がＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法により形成されている点
が異なる。この半導体多層膜１２は、光波干渉によって
活性層３より発生した光を反射するようにした半導体結
晶層を複数積層したものである。このように構成するこ
とで、活性層３から下方へ出射された光は、この半導体
多層膜１２によって反射されて光取り出し面９から外部
へ取り出すことができる。
示されるように、活性層と前記下部電極との間に半導体
多層膜を形成して、活性層から光取り出し面反対側へ出
射された光をこの半導体多層膜により反射させて外部へ
取り出し、光取り出し効率を高める方法が提案されてい
る。図４は従来の半導体発光装置の他の例の構造を示す
断面図である。同図において、他の従来例の半導体発光
装置２２は、前述した従来例の半導体発光装置２１と
は、活性層３と下部電極１５との間に半導体多層膜１２
がＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法により形成されている点
が異なる。この半導体多層膜１２は、光波干渉によって
活性層３より発生した光を反射するようにした半導体結
晶層を複数積層したものである。このように構成するこ
とで、活性層３から下方へ出射された光は、この半導体
多層膜１２によって反射されて光取り出し面９から外部
へ取り出すことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな構造の従来例の半導体発光装置２１によれば、活性
層３から下方へ出射された光は、合金化部分１８で吸収
され、外部へ取り出せず、光取り出し効率が低いという
問題点があった。また、他の従来例の半導体発光装置２
２によれば、半導体多層膜１２は膜厚が１μｍ以下の薄
膜を複数積層したものであり、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法
によってしか作製できず、これらの結晶成長方法では生
産性が低いという問題点があった。
うな構造の従来例の半導体発光装置２１によれば、活性
層３から下方へ出射された光は、合金化部分１８で吸収
され、外部へ取り出せず、光取り出し効率が低いという
問題点があった。また、他の従来例の半導体発光装置２
２によれば、半導体多層膜１２は膜厚が１μｍ以下の薄
膜を複数積層したものであり、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法
によってしか作製できず、これらの結晶成長方法では生
産性が低いという問題点があった。
【０００７】そこで、本発明は上記の点に着目してなさ
れたものであって、光取り出し効率が高く、かつ生産性
に優れた半導体発光装置を提供することを目的とする。
れたものであって、光取り出し効率が高く、かつ生産性
に優れた半導体発光装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光装置
は、伝導型の異なる半導体結晶層で活性層を挟み込むよ
うに接合した複数の半導体結晶層の上部と下部とに電極
を形成し、前記活性層の上部の対向面に前記活性層から
の出射光を外部へ出射する光取り出し面を形成すると共
に、前記下部電極を前記活性層の下部の対向面に配置し
た面発光型半導体発光装置において、前記下部電極と前
記活性層との間の前記半導体結晶層を、電流の横方向拡
散距離が大となるｎ型層で形成し、前記下部電極を、前
記ｎ型層を流れる電流の横方向拡散距離より小となるよ
うな隙間部分をもつ構造とすると共に、この隙間部分に
反射部材を形成したことにより上述の目的を達成するも
のである。
は、伝導型の異なる半導体結晶層で活性層を挟み込むよ
うに接合した複数の半導体結晶層の上部と下部とに電極
を形成し、前記活性層の上部の対向面に前記活性層から
の出射光を外部へ出射する光取り出し面を形成すると共
に、前記下部電極を前記活性層の下部の対向面に配置し
た面発光型半導体発光装置において、前記下部電極と前
記活性層との間の前記半導体結晶層を、電流の横方向拡
散距離が大となるｎ型層で形成し、前記下部電極を、前
記ｎ型層を流れる電流の横方向拡散距離より小となるよ
うな隙間部分をもつ構造とすると共に、この隙間部分に
反射部材を形成したことにより上述の目的を達成するも
のである。
【０００９】
【作用】光取り出し面反対側の隙間部分をもった電極よ
り注入された電流は、ｎ型層を通って活性層に至るが、
電流の横方向拡散距離が大きいｎ型層を通る間に横方向
に拡散する。電極の隙間はｎ型層を流れる電流の横方向
拡散距離より小であるので、活性層には均一に電流が注
入され、均一に発光される。そして、活性層から光取り
出し面反対側に出射された光の内、下部電極の隙間部分
の反射部材に到達した光は、上方に反射され、光取り出
し面から外部に取り出される。
り注入された電流は、ｎ型層を通って活性層に至るが、
電流の横方向拡散距離が大きいｎ型層を通る間に横方向
に拡散する。電極の隙間はｎ型層を流れる電流の横方向
拡散距離より小であるので、活性層には均一に電流が注
入され、均一に発光される。そして、活性層から光取り
出し面反対側に出射された光の内、下部電極の隙間部分
の反射部材に到達した光は、上方に反射され、光取り出
し面から外部に取り出される。
【００１０】
【実施例】以下、図１、図２を参照して本発明の一実施
例を説明する。なお、上述した従来例と同様の構成部
分、または従来例と対応する構成部分には、同様の符号
を用いてその説明を省略することがある。図１は、本発
明の半導体発光装置の一実施例の構造を示す断面図であ
る。図２は、本発明の半導体発光装置の一実施例の構造
を示す底面図である。
例を説明する。なお、上述した従来例と同様の構成部
分、または従来例と対応する構成部分には、同様の符号
を用いてその説明を省略することがある。図１は、本発
明の半導体発光装置の一実施例の構造を示す断面図であ
る。図２は、本発明の半導体発光装置の一実施例の構造
を示す底面図である。
【００１１】両図において、半導体発光装置１は、従来
例の半導体発光素子２１と同様にＬＰＥ法によって結晶
成長させて作製され、構成も、従来例の半導体発光素子
２１とほぼ同様であるが、下部電極５が格子状となって
いる点が異なる。上述したように、円形の下部電極５
は、Ａｕ膜をｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４下面に蒸着
法により形成した後、エッチングにより形成される。更
に、エッチングにより円環状の電流狭窄溝６が形成され
る。次に、下部電極５を所望のパターン（例えば格子
状）にエッチングする。このパターンニングは、下部電
極の隙間部分７の距離が、電流のｎ−ＧａＡｌＡｓクラ
ッド層４を流れる間の横方向拡散距離より小さくなるよ
うに設定されている。そして、上述したように、電極と
半導体結晶層とをオーム性接触するために熱処理を施
す。下部電極の隙間部分７には例えばＳｉＯ2 膜を気相
成長法（ＣＶＤ法）により形成する。このＳｉＯ2 膜は
活性層３から下方へ出射された光を反射させるものであ
る。
例の半導体発光素子２１と同様にＬＰＥ法によって結晶
成長させて作製され、構成も、従来例の半導体発光素子
２１とほぼ同様であるが、下部電極５が格子状となって
いる点が異なる。上述したように、円形の下部電極５
は、Ａｕ膜をｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４下面に蒸着
法により形成した後、エッチングにより形成される。更
に、エッチングにより円環状の電流狭窄溝６が形成され
る。次に、下部電極５を所望のパターン（例えば格子
状）にエッチングする。このパターンニングは、下部電
極の隙間部分７の距離が、電流のｎ−ＧａＡｌＡｓクラ
ッド層４を流れる間の横方向拡散距離より小さくなるよ
うに設定されている。そして、上述したように、電極と
半導体結晶層とをオーム性接触するために熱処理を施
す。下部電極の隙間部分７には例えばＳｉＯ2 膜を気相
成長法（ＣＶＤ法）により形成する。このＳｉＯ2 膜は
活性層３から下方へ出射された光を反射させるものであ
る。
【００１２】以上のような構成よりなる本発明の一実施
例の半導体発光装置１によれば、下部電極５より注入さ
れた電流は、ｎ型層４を流れる間に横方向に拡散する。
ここで、下部電極５の隙間部分７の距離は、電流の横方
向拡散距離よりも小さいので、活性層３には均一に電流
は注入され、均一な発光が得られる。下部へ出射された
光の内、下部電極５とｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４と
の界面の合金化部分８に到達した光は吸収されるが、隙
間部分７に到達した光は、ＳｉＯ2 膜により反射されて
光取り出し面９より出射される。従って、下部へ出射さ
れた光の一部も光取り出し面９より取り出すことがで
き、光取り出し効率を向上させることができる。例え
ば、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４のキャリア濃度１．
０×１０18ｃｍ-3、層厚５μｍのとき、電流の横方向拡
散距離は約１５μｍであり、格子状の下部電極５の電極
幅は２μｍ、隙間部分７は８μｍ×８μｍと設定した。
このとき、発光出力は、約３０％向上した。また、この
半導体発光装置１は、ＬＰＥ法によって結晶成長させる
ので、生産性よく作製することができる。
例の半導体発光装置１によれば、下部電極５より注入さ
れた電流は、ｎ型層４を流れる間に横方向に拡散する。
ここで、下部電極５の隙間部分７の距離は、電流の横方
向拡散距離よりも小さいので、活性層３には均一に電流
は注入され、均一な発光が得られる。下部へ出射された
光の内、下部電極５とｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４と
の界面の合金化部分８に到達した光は吸収されるが、隙
間部分７に到達した光は、ＳｉＯ2 膜により反射されて
光取り出し面９より出射される。従って、下部へ出射さ
れた光の一部も光取り出し面９より取り出すことがで
き、光取り出し効率を向上させることができる。例え
ば、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４のキャリア濃度１．
０×１０18ｃｍ-3、層厚５μｍのとき、電流の横方向拡
散距離は約１５μｍであり、格子状の下部電極５の電極
幅は２μｍ、隙間部分７は８μｍ×８μｍと設定した。
このとき、発光出力は、約３０％向上した。また、この
半導体発光装置１は、ＬＰＥ法によって結晶成長させる
ので、生産性よく作製することができる。
【００１３】なお、本実施例で用いた材料や製造方法等
は、それらに限定されることはなく、適宜変更可能であ
る。
は、それらに限定されることはなく、適宜変更可能であ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体発
光装置によれば、生産性を低下させることなく、光取り
出し効率が向上し、高出力が得られる。
光装置によれば、生産性を低下させることなく、光取り
出し効率が向上し、高出力が得られる。
【図１】本発明の半導体発光装置の一実施例の構造を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明の半導体発光装置の一実施例の構造を示
す底面図である。
す底面図である。
【図３】従来の半導体発光装置の一例の構造を示す断面
図である。
図である。
【図４】従来の半導体発光装置の他の例の構造を示す断
面図である。
面図である。
１ 半導体発光装置 ２ ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層（半導体結晶層） ３ ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層（活性層） ４ ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層（半導体結晶層）（ｎ
型層） ５ 下部電極（電極） ６ 電流狭窄溝 ７ 隙間部分（反射部材） ８ 合金化部分 ９ 光取り出し面 １０ 上部電極（電極） １１ 半導体多層膜
型層） ５ 下部電極（電極） ６ 電流狭窄溝 ７ 隙間部分（反射部材） ８ 合金化部分 ９ 光取り出し面 １０ 上部電極（電極） １１ 半導体多層膜
Claims (1)
- 【請求項１】伝導型の異なる半導体結晶層で活性層を挟
み込むように接合した複数の半導体結晶層の上部と下部
とに電極を形成し、前記活性層の上部の対向面に前記活
性層からの出射光を外部へ出射する光取り出し面を形成
すると共に、前記下部電極を前記活性層の下部の対向面
に配置した面発光型半導体発光装置において、 前記下部電極と前記活性層との間の前記半導体結晶層
を、電流の横方向拡散距離が大となるｎ型層で形成し、 前記下部電極を、前記ｎ型層を流れる電流の横方向拡散
距離より小となるような隙間部分をもつ構造とすると共
に、この隙間部分に反射部材を形成したことを特徴とす
る半導体発光装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20274993A JPH0738147A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20274993A JPH0738147A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738147A true JPH0738147A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16462532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20274993A Pending JPH0738147A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738147A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000277804A (ja) * | 1995-06-15 | 2000-10-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子、並びに発光素子 |
| US6897488B2 (en) | 2000-11-06 | 2005-05-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting chip |
| JP2006245058A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＧａＮ系発光ダイオードおよび発光装置 |
| JP2007005591A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPWO2018038105A1 (ja) * | 2016-08-26 | 2019-06-27 | スタンレー電気株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子および該素子構成を含むウエハ |
-
1993
- 1993-07-23 JP JP20274993A patent/JPH0738147A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000277804A (ja) * | 1995-06-15 | 2000-10-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子、並びに発光素子 |
| US6897488B2 (en) | 2000-11-06 | 2005-05-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting chip |
| JP2006245058A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＧａＮ系発光ダイオードおよび発光装置 |
| JP4678211B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2011-04-27 | 三菱化学株式会社 | 発光装置 |
| JP2007005591A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPWO2018038105A1 (ja) * | 2016-08-26 | 2019-06-27 | スタンレー電気株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子および該素子構成を含むウエハ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6420732B1 (en) | Light emitting diode of improved current blocking and light extraction structure | |
| US6846686B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| JP5776535B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 | |
| JP2001223384A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP5729328B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH04186679A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH10275934A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3511213B2 (ja) | 光半導体デバイス | |
| US7154127B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JPH07176788A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH0738147A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2004363206A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US6169298B1 (en) | Semiconductor light emitting device with conductive window layer | |
| JPH1168149A (ja) | 半導体素子及び半導体素子アレイ | |
| US20040113225A1 (en) | Semiconductor epitaxial structure and semiconductor light-emitting device | |
| JPH05218498A (ja) | 横方向に接合を有する発光ダイオード | |
| JP2003243699A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2870449B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH09172198A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JPH11168239A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| KR101138978B1 (ko) | 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
| JPH10209565A (ja) | 横方向電流注入型面発光半導体レーザ装置、その製造方法および半導体レーザアレイ | |
| JPH06188456A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP5152520B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH03190287A (ja) | 発光ダイオードアレイ |