JP2000277804A - 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子、並びに発光素子 - Google Patents
窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子、並びに発光素子Info
- Publication number
- JP2000277804A JP2000277804A JP2000067673A JP2000067673A JP2000277804A JP 2000277804 A JP2000277804 A JP 2000277804A JP 2000067673 A JP2000067673 A JP 2000067673A JP 2000067673 A JP2000067673 A JP 2000067673A JP 2000277804 A JP2000277804 A JP 2000277804A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- layer
- substrate
- type layer
- conductive substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子を提
供する。 【構成】 絶縁性基板の上に窒化物半導体層が成長され
たウェーハの窒化物半導体層面に導電性基板を接着する
第一の工程と、導電性基板接着後、前記ウェーハの絶縁
性基板の一部、又は全部を除去して窒化物半導体層を露
出させる第二の工程とを備え、露出させた窒化物半導体
層と、導電性基板とに対向する電極を設ける。
Description
ダイオード等の発光デバイス、又はフォトダイオード等
の受光デバイスに使用される窒化物半導体(InXAlY
Ga1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなる素子
に関する。
ルギーが1.9eV〜6.0eVまであるので発光素
子、受光素子等の各種半導体デバイス用として注目され
ており、最近この材料を用いた青色LED、青緑色LE
Dが実用化されたばかりである。
PE等の気相成長法を用いて、基板上にn型、p型ある
いはi型等に導電型を規定した窒化物半導体を積層成長
させることによって得られる。基板には例えばサファイ
ア、スピネル、ニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウ
ム等の絶縁性基板の他、炭化ケイ素、シリコン、酸化亜
鉛、ガリウム砒素等の導電性基板が使用できることが知
られているが、窒化物半導体と完全に格子整合する基板
は未だ開発されておらず、現在のところ、格子定数が1
0%以上も異なるサファイアの上に窒化物半導体層を強
制的に成長させた青色、青緑色LED素子が実用化され
ている。
模式的な断面図である。従来のLED素子は、基本的に
サファイア基板61の上に窒化物半導体よりなるn型層
62と活性層63とp型層64とが順に積層されたダブ
ルへテロ構造を有している。前記のようにサファイアは
絶縁性であり基板側から電極を取り出すことができない
ので、同一窒化物半導体層表面に正電極65と負電極6
6とが設けられた、いわゆるフリップチップ方式の素子
とされている。
イアを基板とする従来のフリップチップ方式の素子には
数々の問題点がある。まず第一に、同一面側から両方の
電極を取り出すためチップサイズが大きくなり多数のチ
ップがウェーハから得られない。第二に、負電極と正電
極とが水平方向に並んでいるため電流が水平方向に流
れ、その結果電流密度が局部的に高くなりチップが発熱
する。第三にサファイアという非常に硬く、劈開性のな
い基板を使用しているので、チップ化するのに高度な技
術を必要とする。さらにLDを実現しようとする際には
基板の劈開性を用いた窒化物半導体の劈開面を共振面と
できないので共振面の形成が非常に困難である。
ように炭化ケイ素、シリコン、酸化亜鉛、ガリウム砒
素、ガリウムリン等の導電性基板の上に窒化物半導体を
成長する試みも成されているが、未だ成功したという報
告はされていない。
れたものであって、その目的とするところは、主として
上下より電極を取り出せる構造を有する窒化物半導体素
子の製造方法、および窒化物半導体素子を提供すること
にある。
子の製造方法は、絶縁性基板の上に、窒化物半導体から
なるn型層と、p型層とが成長されたウェーハの窒化物
半導体層面に導電性基板を接着する第一の工程と、導電
性基板接着後、前記ウェーハの絶縁性基板の一部、又は
全部を除去して前記n型層を露出させる第二の工程とを
備えることを特徴とする。また、本発明の窒化物半導体
素子は導電性基板と、その上に窒化物半導体とが接着さ
れてなり、該窒化物半導体の最上層がn型層であること
を特徴とする。
記のようにサファイア、スピネル、ニオブ酸リチウム、
ガリウム酸ネオジウム等が用いられ、好ましくはサファ
イア、スピネルの上に成長された窒化物半導体が結晶性
に優れている。一方、窒化物半導体に接着する導電性基
板には、導電性を有する基板材料であればどのようなも
のでも良く、例えばSi、SiC、GaAs、GaP、
InP、ZnSe、ZnS、ZnO等を用いることがで
きる。但し、導電性基板は窒化物半導体が積層された絶
縁性基板とほぼ同じ形状を有し、さらにほぼ同じ面積
か、あるいはそれよりも大きな面積を有するウェーハ状
の基板を選択することはいうまでもない。
ハの絶縁性基板を除去するには、例えば研磨、エッチン
グ等の技術を用いる。通常絶縁性基板の厚さは数百μm
あり、窒化物半導体層は厚くても20μm以下であるの
で、研磨により基板を除去する際に研磨厚が制御しにく
い場合は、最初研磨で大まかな部分を除去し、その後エ
ッチングで細かい部分を除去して、電極を形成するのに
必要とする窒化物半導体面を露出させても良い。また例
えばレーザ素子のように絶縁物を電流狭窄層として窒化
物半導体層表面に必要とする素子を作製する場合には、
絶縁性基板全てを除去せずに、選択エッチングにより窒
化物半導体層を露出させるのに必要な部分のみを除去す
ることも可能である。
化物半導体層に接着する導電性基板は劈開性を有するこ
とを特徴とする。この劈開性を有する導電性基板には、
例えばGaAs、GaP、InP、SiC等を好ましく
用いることができる。
層面と導電性基板とを電極、又は導電性材料を介して接
着することを特徴とする。この方法は導電性基板に劈開
性のある基板を使用しても同様に適用可能である。接着
する方法には、導電性基板の接着面と、窒化物半導体層
面とを鏡面として、それら鏡面同士を張り合わせた後、
熱圧着するいわゆるウェーハ接着の手法を用いてもよい
が、電極又は導電性材料を介することにより簡単に接着
することができる。導電性材料は窒化物半導体と導電性
基板を接着できる材料であればどのようなものでも良
く、例えばIn、Au、ハンダ、銀ペースト等の材料を
使用することができる。
半導体層表面に形成されたオーミック電極及び/又は導
電性基板表面に形成されたオーミック電極を含むことを
特徴とする。なお、オーミック電極とは、一般に窒化物
半導体表面に形成される膜厚の薄いオーミック電極と、
その電極の上に付けられた膜厚の厚い接着用の金属、例
えばAu、In、Al等の金属を含んで本明細書ではオ
ーミック電極と定義する。窒化物半導体層表面に形成す
るオーミック電極材料としては、n型層が接着面であれ
ば例えば特開平5−291621号公報に示されたA
l、Cr、Ti、Inの内の少なくとも一種の材料、特
に好ましくはTiをn型層と接する側とした電極、また
特開平7−45867号公報に示されたTi−Alを含
む材料を挙げることができる。また接着面がp型層であ
れば同じく特開平5−291621号公報に示されたA
u、Pt、Ag、Niの内の少なくとも一種の材料、特
に好ましくはNiをp型層と接する側とした電極を挙げ
ることができる。
型層を得るため例えば特開平3−218625号公報に
開示されるような電子線照射、また特開平5−1831
89号公報に開示されるような熱的アニーリング処理が
成長後に行われ、最表面のp型層が低抵抗化される。こ
のため窒化物半導体ウェーハは最上層がp型層になって
いることが多い。そこで、この窒化物半導体ウェーハと
導電性基板を接着する際には、p型層に形成されたオー
ミック電極を介してp型の導電性基板とを接着すること
が特に望ましい。
成するオーミック電極としては例えば導電性基板がn型
GaAsであれば、Ag−Sn、In−Sn、Ni−S
n、Au−Sn、Au−Si、Au−Ge等を用いるこ
とができ、p型GaAsであれば、Au−Zn、Ag−
Zn、Ag−In等を用いることができる。その他Si
C、Si等についても公知のオーミック電極材料を用い
ることができるが前記のようにp型の導電性基板をその
導電性基板のオーミック電極を介して接着することが特
に望ましい。
電性基板を接着している。つまり、窒化物半導体が絶縁
性基板の上に成長されたウェーハでは、窒化物半導体よ
り得られる各種素子はフリップチップ形式とならざるを
得ないが、導電性基板をウェーハ最上層の窒化物半導体
層に接着することにより、導電性基板が電極を形成する
基板となる。その後、絶縁性基板を除去すると窒化物半
導体層が露出するので、露出した窒化物半導体層面にも
う一方の電極を形成することができ、従来のような電極
が水平方向に並んだ素子ではなく、互いの電極が対向し
た素子を作製することができる。
料を選択すると、劈開性のない絶縁性基板の上に成長さ
れた窒化物半導体でも、接着された導電性基板の劈開性
を利用してチップ状に分割できる。このためチップサイ
ズの小さい素子が得られやすくなり、さらに窒化物半導
体の劈開面を光共振面とするレーザ素子が作製できるよ
うになる。
般にウェーハ接着と呼ばれる技術で接着する方法もある
が、特に窒化物半導体層の電極、若しくは導電性基板の
電極、又は導電性材料を介して接着すると導電性基板と
窒化物半導体層との間の電気的特性も安定化するため好
ましい。さらにこの導電性材料としてAu、Al、Ag
等の窒化物半導体の発光波長を反射できる材料を選択す
れば、発光素子を作製した際、これらの導電性材料が接
着した導電性基板に来る光を反射して、窒化物半導体層
の側に戻す作用があるので発光素子の発光効率が向上す
る。
に形成されたオーミック電極及び/又は導電性基板表面
に形成されたオーミック電極を含めば、例えば発光素子
のような発光デバイスを作製すると、抵抗値が低くなり
デバイスのVfを低下させる作用がある。
図3は本発明の方法の一工程を説明するウェーハ及び導
電性基板の模式的な断面図であり、図4は実施例1によ
り得られた窒化物半導体発光素子の構造を示す模式的な
断面図であり、以下これらの図を元に実施例1を述べ
る。
化物半導体層2が積層されたウェーハを用意する。なお
窒化物半導体層2はサファイア基板1から順にドナー不
純物がドープされたAlXGa1-XN(0≦X≦1)より
なるn型層21と、InYGa1-YN(0<Y<1)より
なる活性層22と、アクセプター不純物がドープされた
AlXGa1-XN(0≦X≦1)よりなるp型層23とを
少なくとも有するダブルへテロ構造を有している。なお
最上層のp型層23は400℃以上のアニーリングによ
り低抵抗化されている。
表面のほぼ全面にNiとAuを含むオーミック電極30
を500オングストロームの膜厚で形成する。つまり窒
化物半導体層2の最上層のp型層のほぼ全面にp型層と
好ましいオーミックが得られる第一のオーミック電極3
0を形成する。さらにそのオーミック電極30の上にに
接着性を良くするためにAu薄膜を0.1μm形成す
る。
1とほぼ同じ大きさを有するp型GaAs基板50を用
意し、このp型GaAs基板50の表面にAu−Znよ
りなる第二のオーミック電極40を500オングストロ
ームの膜厚で形成する。さらにその第二のオーミック電
極40の上に接着性を良くするためにAu薄膜を0.1
μm形成する。
電極30を有する窒化物半導体ウェーハと、第二のオー
ミック電極40を有するp型GaAs基板50とのオー
ミック電極同士を貼り合わせ、加熱により圧着する。但
し、圧着時ウェーハのサファイア基板1とp型GaAs
基板50とは平行となるようにする。平行でないと次の
サファイア基板を除去する工程において、露出される窒
化物半導体層の水平面が出ないからである。また第一の
オーミック電極30と第二のオーミック電極40とを接
着するためにAuを使用したが、この他電極30と40
との間にインジウム、錫、ハンダ、銀ペースト等の導電
性材料を介して接着することも可能である。なおp型G
aAs基板50を接着する際に窒化物半導体層の劈開性
と、基板50との劈開方向を合わせて接着してあること
は言うまでもない。
ーハを研磨器に設置し、サファイア基板1のラッピング
を行い、サファイア基板を除去して、窒化物半導体層2
のn型層21を露出させる。なおこの工程において、例
えばサファイア基板1を数μm程度の厚さが残るように
ラッピングした後、さらに残ったサファイア基板をエッ
チングにより除去することも可能である。サファイア基
板1除去後のウェーハの構造を図3に示す。
ングした後、n型層にオーミック用の電極としてTi−
Alよりなる負電極25を形成し、一方p型GaAs基
板50には同じくオーミック電極としてAu−Znより
なる正電極55を全面に形成する。
成されたウェーハを、p型GaAs基板の劈開性を利用
して200μm角の発光チップに分離する。分離後の発
光チップの構造を示す模式的な断面図を図4に示す。こ
の発光チップは電極25と55間に通電することによ
り、活性層22が発光するLED素子の構造を示してい
る。この発光素子は活性層22の発光が第一のオーミッ
ク電極30とp型層23との界面で反射され、p型Ga
As基板50に吸収されることがないので、従来の発光
素子に比べて発光出力が50%以上増大した。
電性基板がp型GaAsについて説明したが、絶縁性基
板にはサファイアの他に例えば前記したスピネル、ネオ
ジウムガレートのような絶縁性基板を用いても良く、ま
た導電性基板にはSi、ZnOのような基板を用いても
良い。
基板1をラッピングする際、サファイア基板1が5μm
の膜厚で残るようにラッピングする。次に残ったサファ
イア基板1の表面に電流狭窄層が形成できるような形状
のマスクを形成し、エッチング装置でマスク開口部のサ
ファイア基板1をエッチングにより除去し、n型層21
の一部を露出させる。露出後同様にしてn型層に負電極
25とp型GaAs基板50に正電極55を形成する。
て、チップ状に分離してレーザ素子とする。図5はその
レーザ素子の構造を示す模式的な断面図であり、故意に
残したサファイア基板1がレーザ素子の電流狭窄層とし
て作用している。この例は電流狭窄層としてサファイア
基板を残す例を示したが、この他にレーザ素子の電流狭
窄層を形成するには実施例1のようにサファイア基板1
を全部除去してから、例えばSiO2、TiO2のような
絶縁膜を露出した窒化物半導体層の上に形成しても良
い。
ると導電性基板を有する窒化物半導体素子が実現できる
ので、チップサイズの小さい素子を提供することができ
る。また素子に形成した電極同士が対向しているので、
電流が窒化物半導体層に均一に流れ発熱量が小さくな
り、レーザ素子を実現することも可能となる。さらに容
易に窒化物半導体の劈開が可能となり、その劈開面を共
振器とできるためレーザ素子の作製が容易となる。さら
にまた発光デバイスを実現すると、窒化物半導体層と導
電性基板とを接着した電極により、窒化物半導体層の発
光が電極表面で反射されるので発光出力も増大させるこ
とができる。
うにp型層64の表面のほぼ全面に光を透過する正電極
65が形成されていた。これはp型層の電流が広がりに
くいことによる。この正電極65により発光する光の5
0%以上が吸収されていた。しかし本発明の素子による
と図4および図5に示すように低抵抗なn型層21が最
上層となるので、従来のように全面電極を設ける必要が
なくなり、小さな部分電極でよい。従って窒化物半導体
層側からの光の取り出し効率が飛躍的に向上し発光出力
が向上する。このように本発明は窒化物半導体を用いた
デバイスを実現する上で産業上の利用価値は非常に大き
い。
体ウェーハの模式断面図。
体ウェーハの模式断面図。
体ウェーハの模式断面図。
構造を示す模式断面図。
の構造を示す模式断面図。
式断面図。
Claims (13)
- 【請求項1】絶縁性基板の上に、窒化物半導体からなる
n型層と、p型層とが成長されたウェーハの窒化物半導
体層面に、導電性基板を接着する第一の工程と、導電性
基板接着後、前記ウェーハの絶縁性基板の一部、又は全
部を除去して前記n型層を露出させる第二の工程とを備
えることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。 - 【請求項2】前記p型層が電流の広がりにくい層であっ
て、前記n型層が低抵抗なn型層であることを特徴とす
る請求項1記載の窒化物半導体素子の製造方法。 - 【請求項3】前記第一の工程において、窒化物半導体層
面と導電性基板とを電極、又は導電性材料を介して接着
することを特徴とする請求項1、又は2記載の窒化物半
導体素子の製造方法。 - 【請求項4】前記電極が窒化物半導体層面に形成された
オーミック電極及び/又は導電性基板表面に形成された
オーミック電極を含むことを特徴とする請求項3記載の
窒化物半導体素子の製造方法。 - 【請求項5】前記窒化物半導体層面が、前記p型層であ
ることを特徴とする請求項1乃至4記載の窒化物半導体
素子の製造方法。 - 【請求項6】導電性基板と、その上に窒化物半導体とが
接着されてなり、該窒化物半導体の最上層がn型層であ
ることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 【請求項7】前記窒化物半導体が、p型層を有すること
を特徴とする請求項6記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項8】前記窒化物半導体と前記導電性基板とが接
着される窒化物半導体層面が、前記p型層であることを
特徴とする請求項6、又は7記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項9】前記窒化物半導体と前記導電性基板とが、
電極及び/又は導電性材料を介して接着されていること
を特徴とする請求項6乃至8記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項10】前記電極が、窒化物半導体表面に形成さ
れたオーミック電極及び/又は導電性基板表面に形成さ
れたオーミック電極を含むことを特徴とする請求項9記
載の窒化物半導体素子。 - 【請求項11】前記導電性基板を接着する窒化物半導体
層面が、前記p型層であり、前記電極及び/又は導電性
材料が、p型層のほぼ全面に形成されていることを特徴
とする請求項9又は10記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項12】請求項6乃至11に記載の導電性基板が
接着された窒化物半導体を用いた発光素子であって、前
記最上層のn型層に、部分電極が設けられてなることを
特徴とする発光素子。 - 【請求項13】請求項9乃至11に記載の導電性基板が
接着された窒化物半導体を用いた発光素子、若しくは請
求項12記載の発光素子であって、前記電極及び/又は
導電性材料が、窒化物半導体の発光波長を反射できるこ
とを特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000067673A JP3511970B2 (ja) | 1995-06-15 | 2000-03-10 | 窒化物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14847095A JP3259811B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 |
JP2000067673A JP3511970B2 (ja) | 1995-06-15 | 2000-03-10 | 窒化物半導体発光素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14847095A Division JP3259811B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003170766A Division JP4371714B2 (ja) | 2003-06-16 | 2003-06-16 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000277804A true JP2000277804A (ja) | 2000-10-06 |
JP3511970B2 JP3511970B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=32095285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000067673A Expired - Lifetime JP3511970B2 (ja) | 1995-06-15 | 2000-03-10 | 窒化物半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3511970B2 (ja) |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005333130A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Lg Electron Inc | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
US7105857B2 (en) | 2002-07-08 | 2006-09-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
JP2006295188A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法 |
US7301175B2 (en) | 2001-10-12 | 2007-11-27 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
WO2008129963A1 (ja) * | 2007-04-16 | 2008-10-30 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2009049371A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-03-05 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
US7763477B2 (en) | 2004-03-15 | 2010-07-27 | Tinggi Technologies Pte Limited | Fabrication of semiconductor devices |
JP2010212738A (ja) * | 2001-12-21 | 2010-09-24 | Xerox Corp | 窒化物系共振器半導体構造の製造方法 |
US8004001B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-08-23 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of semiconductor devices for light emission |
US8022430B2 (en) | 2003-07-25 | 2011-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride-based compound semiconductor light-emitting device |
US8034643B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-10-11 | Tinggi Technologies Private Limited | Method for fabrication of a semiconductor device |
US8067269B2 (en) | 2005-10-19 | 2011-11-29 | Tinggi Technologies Private Limted | Method for fabricating at least one transistor |
US8124994B2 (en) | 2006-09-04 | 2012-02-28 | Tinggi Technologies Private Limited | Electrical current distribution in light emitting devices |
US8309377B2 (en) | 2004-04-07 | 2012-11-13 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of reflective layer on semiconductor light emitting devices |
US8324639B2 (en) | 2006-08-11 | 2012-12-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting device |
US8329556B2 (en) | 2005-12-20 | 2012-12-11 | Tinggi Technologies Private Limited | Localized annealing during semiconductor device fabrication |
US8395167B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-03-12 | Tinggi Technologies Private Limited | External light efficiency of light emitting diodes |
US8999019B2 (en) | 2005-10-21 | 2015-04-07 | Taylor Biomass Energy, Llc | Process and system for gasification with in-situ tar removal |
TWI487117B (zh) * | 2007-03-08 | 2015-06-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI489563B (zh) * | 2008-10-31 | 2015-06-21 | Fairchild Semiconductor | 預先模鑄成形且封裝粘著的多晶粒半導體封裝 |
TWI491078B (zh) * | 2011-03-17 | 2015-07-01 | Advanced Optoelectronic Tech | 貼片式發光二極體 |
TWI496219B (zh) * | 2010-11-18 | 2015-08-11 | Monolithic Power Systems Inc | 金屬氧化物半導體場效應電晶體及其製造方法 |
TWI496321B (zh) * | 2009-11-05 | 2015-08-11 | Toyoda Gosei Kk | Semiconductor light emitting element and manufacturing method of semiconductor light emitting element |
TWI497677B (zh) * | 2011-11-08 | 2015-08-21 | Inotera Memories Inc | 具有側邊矽貫通電極之半導體結構與其形成方法 |
KR20220057129A (ko) * | 2020-10-29 | 2022-05-09 | 웨이브로드 주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007032421A1 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Showa Denko K.K. | Nitride semiconductor light emitting device and production thereof |
WO2007032546A1 (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Showa Denko K.K. | Production method for nitride semiconductor light emitting device |
EP1928031B1 (en) | 2005-09-20 | 2019-11-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
JP4933130B2 (ja) | 2006-02-16 | 2012-05-16 | 昭和電工株式会社 | GaN系半導体発光素子およびその製造方法 |
US8207547B2 (en) | 2009-06-10 | 2012-06-26 | Brudgelux, Inc. | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
US8525221B2 (en) | 2009-11-25 | 2013-09-03 | Toshiba Techno Center, Inc. | LED with improved injection efficiency |
US8395165B2 (en) | 2011-07-08 | 2013-03-12 | Bridelux, Inc. | Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer |
US20130026480A1 (en) | 2011-07-25 | 2013-01-31 | Bridgelux, Inc. | Nucleation of Aluminum Nitride on a Silicon Substrate Using an Ammonia Preflow |
US8916906B2 (en) | 2011-07-29 | 2014-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon |
US9012939B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers |
US8865565B2 (en) | 2011-08-02 | 2014-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate |
US9343641B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
US9142743B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes |
US20130032810A1 (en) | 2011-08-03 | 2013-02-07 | Bridgelux, Inc. | Led on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer |
US8564010B2 (en) | 2011-08-04 | 2013-10-22 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
US8624482B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-01-07 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
US8669585B1 (en) | 2011-09-03 | 2014-03-11 | Toshiba Techno Center Inc. | LED that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer |
US8558247B2 (en) | 2011-09-06 | 2013-10-15 | Toshiba Techno Center Inc. | GaN LEDs with improved area and method for making the same |
US8686430B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-04-01 | Toshiba Techno Center Inc. | Buffer layer for GaN-on-Si LED |
US9178114B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-11-03 | Manutius Ip, Inc. | P-type doping layers for use with light emitting devices |
US20130082274A1 (en) | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Bridgelux, Inc. | Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers |
US9012921B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting devices having light coupling layers |
US8698163B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-04-15 | Toshiba Techno Center Inc. | P-type doping layers for use with light emitting devices |
US8664679B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes |
US8581267B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-11-12 | Toshiba Techno Center Inc. | Series connected segmented LED |
JP5440674B1 (ja) | 2012-09-18 | 2014-03-12 | ウシオ電機株式会社 | Led素子及びその製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5091292A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 | ||
JPS617671A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム半導体装置 |
JPS6159886A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
JPS61182292A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ−の製造方法 |
JPS61183986A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 半導体発光装置の製造方法 |
JPH02288371A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH0429374A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-01-31 | Omron Corp | 面出射型半導体発光素子およびその作製方法 |
JPH05251739A (ja) * | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Toshiba Corp | 半導体発光デバイス |
JPH0738147A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体発光装置 |
JPH07202265A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-08-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体の製造方法 |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000067673A patent/JP3511970B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5091292A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 | ||
JPS617671A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム半導体装置 |
JPS6159886A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
JPS61182292A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ−の製造方法 |
JPS61183986A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 半導体発光装置の製造方法 |
JPH02288371A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH0429374A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-01-31 | Omron Corp | 面出射型半導体発光素子およびその作製方法 |
JPH05251739A (ja) * | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Toshiba Corp | 半導体発光デバイス |
JPH0738147A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体発光装置 |
JPH07202265A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-08-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体の製造方法 |
Cited By (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7301175B2 (en) | 2001-10-12 | 2007-11-27 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
US7390684B2 (en) | 2001-10-12 | 2008-06-24 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
JP2010212738A (ja) * | 2001-12-21 | 2010-09-24 | Xerox Corp | 窒化物系共振器半導体構造の製造方法 |
US7105857B2 (en) | 2002-07-08 | 2006-09-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
US7378334B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-05-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
US8022430B2 (en) | 2003-07-25 | 2011-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride-based compound semiconductor light-emitting device |
US8034643B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-10-11 | Tinggi Technologies Private Limited | Method for fabrication of a semiconductor device |
US7763477B2 (en) | 2004-03-15 | 2010-07-27 | Tinggi Technologies Pte Limited | Fabrication of semiconductor devices |
US8309377B2 (en) | 2004-04-07 | 2012-11-13 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of reflective layer on semiconductor light emitting devices |
JP2005333130A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Lg Electron Inc | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP2006295188A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法 |
US8004001B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-08-23 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of semiconductor devices for light emission |
US8067269B2 (en) | 2005-10-19 | 2011-11-29 | Tinggi Technologies Private Limted | Method for fabricating at least one transistor |
US8999019B2 (en) | 2005-10-21 | 2015-04-07 | Taylor Biomass Energy, Llc | Process and system for gasification with in-situ tar removal |
US8329556B2 (en) | 2005-12-20 | 2012-12-11 | Tinggi Technologies Private Limited | Localized annealing during semiconductor device fabrication |
US9029884B2 (en) | 2006-08-11 | 2015-05-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting device |
TWI395351B (zh) * | 2006-08-11 | 2013-05-01 | Sharp Kk | 氮化物半導體發光元件及其製造方法 |
US8324639B2 (en) | 2006-08-11 | 2012-12-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting device |
US8395167B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-03-12 | Tinggi Technologies Private Limited | External light efficiency of light emitting diodes |
US8124994B2 (en) | 2006-09-04 | 2012-02-28 | Tinggi Technologies Private Limited | Electrical current distribution in light emitting devices |
TWI487117B (zh) * | 2007-03-08 | 2015-06-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
US9450145B2 (en) | 2007-04-16 | 2016-09-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US8536598B2 (en) | 2007-04-16 | 2013-09-17 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and fabrication method for the same |
US11616172B2 (en) | 2007-04-16 | 2023-03-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with frosted semiconductor layer |
EP2139052A4 (en) * | 2007-04-16 | 2014-01-01 | Rohm Co Ltd | Light-emitting semiconductor device and method for its production |
WO2008129963A1 (ja) * | 2007-04-16 | 2008-10-30 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子およびその製造方法 |
TWI481065B (zh) * | 2007-04-16 | 2015-04-11 | Rohm Co Ltd | Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof |
US9018650B2 (en) | 2007-04-16 | 2015-04-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US8106412B2 (en) | 2007-04-16 | 2012-01-31 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and fabrication method for the same |
US10483435B2 (en) | 2007-04-16 | 2019-11-19 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US10032961B2 (en) | 2007-04-16 | 2018-07-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US9786819B2 (en) | 2007-04-16 | 2017-10-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
JP2008270261A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
EP2139052A1 (en) * | 2007-04-16 | 2009-12-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same |
US9196808B2 (en) | 2007-04-16 | 2015-11-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
JP2009049371A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-03-05 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
TWI489563B (zh) * | 2008-10-31 | 2015-06-21 | Fairchild Semiconductor | 預先模鑄成形且封裝粘著的多晶粒半導體封裝 |
TWI496321B (zh) * | 2009-11-05 | 2015-08-11 | Toyoda Gosei Kk | Semiconductor light emitting element and manufacturing method of semiconductor light emitting element |
TWI496219B (zh) * | 2010-11-18 | 2015-08-11 | Monolithic Power Systems Inc | 金屬氧化物半導體場效應電晶體及其製造方法 |
TWI491078B (zh) * | 2011-03-17 | 2015-07-01 | Advanced Optoelectronic Tech | 貼片式發光二極體 |
TWI497677B (zh) * | 2011-11-08 | 2015-08-21 | Inotera Memories Inc | 具有側邊矽貫通電極之半導體結構與其形成方法 |
KR102544673B1 (ko) | 2020-10-29 | 2023-06-20 | 웨이브로드 주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
KR20220057129A (ko) * | 2020-10-29 | 2022-05-09 | 웨이브로드 주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3511970B2 (ja) | 2004-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3259811B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 | |
JP3511970B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
US6838704B2 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
US20180012929A1 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
JP5016808B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法 | |
TWI399865B (zh) | 具有降低溫度相依性之鋁銦鎵磷發光二極體 | |
US7554124B2 (en) | Nitride-based compound semiconductor light emitting device, structural unit thereof, and fabricating method thereof | |
US6462358B1 (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
US7268372B2 (en) | Vertical GaN light emitting diode and method for manufacturing the same | |
JP4091261B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
US7439551B2 (en) | Nitride-based compound semiconductor light emitting device | |
US20030155579A1 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
JP4597796B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
KR100609118B1 (ko) | 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
WO2007072871A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2004363532A (ja) | 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法 | |
JPH114020A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法、並びに半導体発光装置 | |
JP2019207925A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
US20050116309A1 (en) | Semiconductor light-emitting element, manufacturing method therefor and semiconductor device | |
JP4371714B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP5221166B2 (ja) | ZnO系半導体素子とその製造方法及び光半導体素子 | |
JP2005183592A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
KR101499954B1 (ko) | 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및제조방법 | |
JP4918245B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
KR100564303B1 (ko) | AlGaInP계 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031229 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140116 Year of fee payment: 10 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |