JPS61182292A - 半導体レ−ザ−の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ−の製造方法Info
- Publication number
- JPS61182292A JPS61182292A JP2187685A JP2187685A JPS61182292A JP S61182292 A JPS61182292 A JP S61182292A JP 2187685 A JP2187685 A JP 2187685A JP 2187685 A JP2187685 A JP 2187685A JP S61182292 A JPS61182292 A JP S61182292A
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- Japan
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- substrate
- layer
- crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体レーザーの製造方法に関し、特に量産化
、集積化等に適した製造方法に関する。
、集積化等に適した製造方法に関する。
半導体レーザーは光通信用光源、光情報処理装置用光源
として実用化が始まっている。その主なものはファブリ
ペロ−共振器型であり、小規模な量産も開始されている
。しかしながらファブリベロー型共振器端面の形成には
へき開による方法が用いられるため量産性に乏しい問題
があった。
として実用化が始まっている。その主なものはファブリ
ペロ−共振器型であり、小規模な量産も開始されている
。しかしながらファブリベロー型共振器端面の形成には
へき開による方法が用いられるため量産性に乏しい問題
があった。
このため従来エツチングによシ共振器端面を形成する方
法がいくつか試みられている。その方法としてはケミカ
ルエツチングによるものと反応性イオンエツチングによ
るものがある。しかしケミカルエツチングの場合エツチ
ングによって垂直面が得られ易い結晶方位とへき開の方
位が一致しなかったり、へき開方位が一致していても安
定して垂直な面を帰ることが難しい問題があった。
法がいくつか試みられている。その方法としてはケミカ
ルエツチングによるものと反応性イオンエツチングによ
るものがある。しかしケミカルエツチングの場合エツチ
ングによって垂直面が得られ易い結晶方位とへき開の方
位が一致しなかったり、へき開方位が一致していても安
定して垂直な面を帰ることが難しい問題があった。
第４図に例としてＩｎＰ結晶の異方性ケミカルエツチン
グを行った例を示す。この場合（１１０）面及び（１１
０）面がへき開の容易な面である。またエツチングによ
り容易に垂直な面が得られるのは（１００）面及び（０
１０）面であシ図に示す通りへき開方向とは約４５°の
角度差がある。通常（１００）面（０１０）面にレーザ
ー共振器が構成されることは少い。それはレーザー素子
分離の際（１１０）面、（１１０）面方向に亀裂が起っ
て分離が良好に行われないことによる。このためレーザ
ー共振器は（１１０）面、（１１０’）面方向に形成す
ることが多い。ところがこれらの方向では図に示す様に
ケミカルエツチングによって得られる垂直面は１つの方
向だけに限られており、図に示した（１１０）面がそれ
である。しかも実際にはこの面は不安定な面であり垂直
な状態を安定に得ることは難しい。
グを行った例を示す。この場合（１１０）面及び（１１
０）面がへき開の容易な面である。またエツチングによ
り容易に垂直な面が得られるのは（１００）面及び（０
１０）面であシ図に示す通りへき開方向とは約４５°の
角度差がある。通常（１００）面（０１０）面にレーザ
ー共振器が構成されることは少い。それはレーザー素子
分離の際（１１０）面、（１１０）面方向に亀裂が起っ
て分離が良好に行われないことによる。このためレーザ
ー共振器は（１１０）面、（１１０’）面方向に形成す
ることが多い。ところがこれらの方向では図に示す様に
ケミカルエツチングによって得られる垂直面は１つの方
向だけに限られており、図に示した（１１０）面がそれ
である。しかも実際にはこの面は不安定な面であり垂直
な状態を安定に得ることは難しい。
次に、反応性イオンエツチングによる方法では結晶方位
によらず垂直に近い面を得ることができるがこの場合で
も安定に垂直な面を得ることが難しい問題があった。第
５図にそのエツチング例を示す。図に示したのは垂直か
ら少しはずれた面でエツチングされた状態である。この
ような状態では端面での反射率が変化したり、レーザー
ビームの変形が起きたりし易す。また第５図に示した状
態とは逆に垂直面よシ内側に傾いた状態になることもあ
る。これら”の状態はエツチングガスの圧力、流量、温
度等によって変化し、はぼ垂直な状態を得ることも可能
であるが、そのためにはエツチングガスの状態を精密に
制御する必要があった。また垂直にエツチングされても
良好な鏡面が得られるとは限らず、更に反応性イオンエ
ツチングではプラズマ放電によるエツチングガスのイオ
ン化を行っているため、プラズマによる半導体結晶への
損傷がしばしば起ることがあった。
によらず垂直に近い面を得ることができるがこの場合で
も安定に垂直な面を得ることが難しい問題があった。第
５図にそのエツチング例を示す。図に示したのは垂直か
ら少しはずれた面でエツチングされた状態である。この
ような状態では端面での反射率が変化したり、レーザー
ビームの変形が起きたりし易す。また第５図に示した状
態とは逆に垂直面よシ内側に傾いた状態になることもあ
る。これら”の状態はエツチングガスの圧力、流量、温
度等によって変化し、はぼ垂直な状態を得ることも可能
であるが、そのためにはエツチングガスの状態を精密に
制御する必要があった。また垂直にエツチングされても
良好な鏡面が得られるとは限らず、更に反応性イオンエ
ツチングではプラズマ放電によるエツチングガスのイオ
ン化を行っているため、プラズマによる半導体結晶への
損傷がしばしば起ることがあった。
これらの理由により、エツチングによるレーザー共振器
の形成は本質的に安定な垂直結晶面をケミカルなエツチ
ングで形成するのが望ましい≧〔発明の目的〕 本発明はこのような従来技俯の問題を考慮して成された
もので、ケミカルエツチングによる良好な共振器端面が
形成できしかも量産性の高い半導体レーザーの製造方法
の提供を目的としている。
の形成は本質的に安定な垂直結晶面をケミカルなエツチ
ングで形成するのが望ましい≧〔発明の目的〕 本発明はこのような従来技俯の問題を考慮して成された
もので、ケミカルエツチングによる良好な共振器端面が
形成できしかも量産性の高い半導体レーザーの製造方法
の提供を目的としている。
本発明は共振器端面の形成は垂直面の得られ易い結晶方
位を用い、素子の分離は基板結晶のへき開方位に合わせ
て行うことを特徴としている。その方法としては第１の
半導体基板上に活性層を含む半導体多層膜を形成し、そ
のケミカルエツチングによって垂直面の得られ易い結晶
方位を第２の半導体基板のへき開方位に合わせて半導体
の接着を行い、第１の半導体基板は選択的に除去するも
のである。その後、半導体多層膜はケミカルエツチング
によって垂直端面を形成し、第２の半導体基板をへき開
方向に分離せしめるものである。
位を用い、素子の分離は基板結晶のへき開方位に合わせ
て行うことを特徴としている。その方法としては第１の
半導体基板上に活性層を含む半導体多層膜を形成し、そ
のケミカルエツチングによって垂直面の得られ易い結晶
方位を第２の半導体基板のへき開方位に合わせて半導体
の接着を行い、第１の半導体基板は選択的に除去するも
のである。その後、半導体多層膜はケミカルエツチング
によって垂直端面を形成し、第２の半導体基板をへき開
方向に分離せしめるものである。
尚、第１及び第２の半導体基板を接着する場合、その接
着面を鏡面研磨し、清浄な雰囲気下で行う必要がある。
着面を鏡面研磨し、清浄な雰囲気下で行う必要がある。
本発明によれば、良好なエツチング端面（共振器面）が
容易に得られ、しかも素子の分離も容易に行えるという
効果を奏する。
容易に得られ、しかも素子の分離も容易に行えるという
効果を奏する。
以下図面を用いて説明を行っていく。
第１図は本発明方法による半導体レーザーであり、素子
分離を行う直前の状態である。図中エツチングによる左
右の面がレーザー共振器面となる。
分離を行う直前の状態である。図中エツチングによる左
右の面がレーザー共振器面となる。
この状態での各結晶面は第２図に示すととくに構成され
名。つまり１〜４の半導体多層膜のエツチング部分にお
ける面は垂直面の得られ易い（１００）又は（０１０）
であり、第２の半導体基板５のエツチング部分の面は（
１１０）のへき開面方向に特有の逆三角形のエツチング
面となる。このように構成されれば、この後５をローラ
ー等のような曲面にあてがい、１の側から適度な圧力を
加えることで容易に素子を分離することができる。
名。つまり１〜４の半導体多層膜のエツチング部分にお
ける面は垂直面の得られ易い（１００）又は（０１０）
であり、第２の半導体基板５のエツチング部分の面は（
１１０）のへき開面方向に特有の逆三角形のエツチング
面となる。このように構成されれば、この後５をローラ
ー等のような曲面にあてがい、１の側から適度な圧力を
加えることで容易に素子を分離することができる。
次に第１図のような構成をさせる九めの本発明実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
第３図は本発明の実施例の工程を示す図で為る。
ここでは例としてＩｎＰ系結晶を例に用いて説明を行う
。まず（ａ）図は第１のＩｎＰ基板６上にＩｎＧａＡｓ
Ｐオーミックコンタクト層１．ＩｎＰクラッド層２、Ｉ
ｎＧａ入ｓＰ活性層３、ＩｎＰクラツＰ層４を結晶成長
させ元状態である。結晶の方位はば図に示す通りである
。次に（４）の表面を平担化処理を行い、超純水中で洗
浄処理を行った後、同様な処理を行った第２のＩｎＰ基
板６をほぼ４５°結晶方位を変えて清浄な雰囲気で接触
させる。しかる後約３００℃以（１１０）面方向だった
方位は第２の基板５では（１００）面方向となる。次に
、１〜５の各結晶を保護ワックスで覆い第１の基板６を
塩酸（ＨＣｌ）等の選択エツチング液で（Ｃ１図の如く
除去する。この後オーミックコンタクト層１上に（１０
０）面方向又は（０１０）面方向に溝をもった８ｉ０２
等によるエツチングマスク７を形成し、ブロム・メタノ
ール等の異方性ケミカルエツチング液で第２の半導体基
板５に達する溝状エツチングを（ｄ）図の如く施す。
。まず（ａ）図は第１のＩｎＰ基板６上にＩｎＧａＡｓ
Ｐオーミックコンタクト層１．ＩｎＰクラッド層２、Ｉ
ｎＧａ入ｓＰ活性層３、ＩｎＰクラツＰ層４を結晶成長
させ元状態である。結晶の方位はば図に示す通りである
。次に（４）の表面を平担化処理を行い、超純水中で洗
浄処理を行った後、同様な処理を行った第２のＩｎＰ基
板６をほぼ４５°結晶方位を変えて清浄な雰囲気で接触
させる。しかる後約３００℃以（１１０）面方向だった
方位は第２の基板５では（１００）面方向となる。次に
、１〜５の各結晶を保護ワックスで覆い第１の基板６を
塩酸（ＨＣｌ）等の選択エツチング液で（Ｃ１図の如く
除去する。この後オーミックコンタクト層１上に（１０
０）面方向又は（０１０）面方向に溝をもった８ｉ０２
等によるエツチングマスク７を形成し、ブロム・メタノ
ール等の異方性ケミカルエツチング液で第２の半導体基
板５に達する溝状エツチングを（ｄ）図の如く施す。
そしてエツチングマスク７を除去すると第１図に示すよ
うな状態となる。
うな状態となる。
ここで各結晶の導電型は１．２を第１導伝型（Ｐ又はＮ
）、４．５を第２導伝型（Ｎ又はＰ）とし、３はどちら
でも良い。また電極金属等の形成は（Ｃ）図の状態の直
後、又は第１図の状態の直後に行えばよい。
）、４．５を第２導伝型（Ｎ又はＰ）とし、３はどちら
でも良い。また電極金属等の形成は（Ｃ）図の状態の直
後、又は第１図の状態の直後に行えばよい。
以上説明してきたように、本発明は良好なエツチング垂
直面が容易に得られ、素子の分離も容易に行える特徴を
有する。このため本発明では大量にウェハーを処理する
ことも可能となり、半導体レーザーの低価格化等にも有
効である。
直面が容易に得られ、素子の分離も容易に行える特徴を
有する。このため本発明では大量にウェハーを処理する
ことも可能となり、半導体レーザーの低価格化等にも有
効である。
本発明は前記実施例に限定されるものではなく、例えば
使用材料、加工条件等は適用する対象によって決定すれ
ばよく、また半導体レーザーの層構成や電流狭搾方法等
についても同様である。要するに本発明はその主旨と範
囲を逸脱することなく種々の変形が可能である。
使用材料、加工条件等は適用する対象によって決定すれ
ばよく、また半導体レーザーの層構成や電流狭搾方法等
についても同様である。要するに本発明はその主旨と範
囲を逸脱することなく種々の変形が可能である。
第１図、第２図は本発明による半導体レーザーの構成断
面図、第３図は本発明実施例を示す工種断面図、第４図
は結晶方位によるエツチング特性の例を示す上面及び断
面図、第５図は従来例の構成断面図である。 １・・・オーミックコンタクト層（Ｎ又はＰ）、２・・
・クラッド層（Ｎ又はＰ）、 ３・・・活性層、 ４・・・クラッド層（Ｐ又はＮ）、 ５・・・第２の半導体基板（Ｐ又はＮ）、６・・・第１
の半導体基板、 ７・・・エツチングマスク、 ８・・・ＩｎＰ基板。 代理人弁理士 則近憲佑 （ほか１名）−１／）勢η勾
＼ ト＼〜℃斗カ ＼／１．１℃外 勺 〜 力 外 つ 第 ４ 図 第 ５ 図
面図、第３図は本発明実施例を示す工種断面図、第４図
は結晶方位によるエツチング特性の例を示す上面及び断
面図、第５図は従来例の構成断面図である。 １・・・オーミックコンタクト層（Ｎ又はＰ）、２・・
・クラッド層（Ｎ又はＰ）、 ３・・・活性層、 ４・・・クラッド層（Ｐ又はＮ）、 ５・・・第２の半導体基板（Ｐ又はＮ）、６・・・第１
の半導体基板、 ７・・・エツチングマスク、 ８・・・ＩｎＰ基板。 代理人弁理士 則近憲佑 （ほか１名）−１／）勢η勾
＼ ト＼〜℃斗カ ＼／１．１℃外 勺 〜 力 外 つ 第 ４ 図 第 ５ 図
Claims (1)
- 第１の半導体基板上に発光層を含む半導体多層膜を形
成する工程と、該半導体多層膜上にへき開性を有した第
２の半導体基板を半導体多層膜に異方性ケミカルエッチ
ングを第１の半導体基板側から施すことによって得られ
る垂直な結晶面に対してへき開方向がほぼ一致するよう
接着せしめる工程と、第１の半導体基板を選択的に除去
する工程と、第１の半導体基板を除去した面から異方性
ケミカルエッチングを施すことによって半導体多層膜に
垂直端面を形成する工程と、該垂直端面とほぼ平行なへ
き開を第２の半導体基板の垂直端面近傍に施す工程とを
具備して成ることを特徴とする半導体レーザーの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2187685A JPH0638536B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体レ−ザ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2187685A JPH0638536B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体レ−ザ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182292A true JPS61182292A (ja) | 1986-08-14 |
| JPH0638536B2 JPH0638536B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=12067325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2187685A Expired - Lifetime JPH0638536B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体レ−ザ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638536B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63131135U (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-26 | ||
| JPS63215089A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
| JP2000277804A (ja) * | 1995-06-15 | 2000-10-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子、並びに発光素子 |
| US7105857B2 (en) | 2002-07-08 | 2006-09-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| US7301175B2 (en) | 2001-10-12 | 2007-11-27 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| JP5023229B1 (ja) * | 2011-04-27 | 2012-09-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP2187685A patent/JPH0638536B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63131135U (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-26 | ||
| JPS63215089A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
| JP2000277804A (ja) * | 1995-06-15 | 2000-10-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子、並びに発光素子 |
| US7301175B2 (en) | 2001-10-12 | 2007-11-27 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| US7390684B2 (en) | 2001-10-12 | 2008-06-24 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| US7105857B2 (en) | 2002-07-08 | 2006-09-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| US7378334B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-05-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| US8030665B2 (en) | 2002-07-08 | 2011-10-04 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| JP5023229B1 (ja) * | 2011-04-27 | 2012-09-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0638536B2 (ja) | 1994-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |