JPS63158888A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
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- JPS63158888A JPS63158888A JP30696186A JP30696186A JPS63158888A JP S63158888 A JPS63158888 A JP S63158888A JP 30696186 A JP30696186 A JP 30696186A JP 30696186 A JP30696186 A JP 30696186A JP S63158888 A JPS63158888 A JP S63158888A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ装置の製造方法に関し、特にエツ
チングにより半導体レーザの共振器を形成する方法に関
する。
チングにより半導体レーザの共振器を形成する方法に関
する。
従来の技術
近年、半導体レーザ装置の共振器を形成するのに時間と
熟練を要するへき開法にかわり共振器をエツチングによ
り形成する方法の研究が盛んである。
熟練を要するへき開法にかわり共振器をエツチングによ
り形成する方法の研究が盛んである。
半導体レーザ装置の共振器をエツチングによシ形成する
方法としては液相エツチングによる方法と気相エツチン
グによる方法に大別されるが、いずれの方法でも、共振
器となるエツチング側面が垂直であることと平坦平滑で
あることがよい共振器を得るための条件となる。
方法としては液相エツチングによる方法と気相エツチン
グによる方法に大別されるが、いずれの方法でも、共振
器となるエツチング側面が垂直であることと平坦平滑で
あることがよい共振器を得るための条件となる。
液相エツチングによる方法は、InP/InGaAsP
系の場合、例えばアイイーイーイー、ジャーナルオグ
り1ンタム エレクトロニクス(IICEIC。
系の場合、例えばアイイーイーイー、ジャーナルオグ
り1ンタム エレクトロニクス(IICEIC。
Jounal of Quantum IClectr
onicss)。
onicss)。
Mal、1 6 、 ノff11 0 、 P
、 1 044〜1 047(1980) 、 Ga
Ag/ムlGaAg系の場合、例えばアイイーイーイー
、ジャーナル オン クア/タムエレクトo=クス(I
IEKIC,Jounal of’Qu!Lntum
Electronics)、 Val、 21. 、
A6゜P、658〜662 (1985)に報告例が
あるように数種類の液状化学物質を適切な比で混合しエ
ツチング液として用いるものである。
、 1 044〜1 047(1980) 、 Ga
Ag/ムlGaAg系の場合、例えばアイイーイーイー
、ジャーナル オン クア/タムエレクトo=クス(I
IEKIC,Jounal of’Qu!Lntum
Electronics)、 Val、 21. 、
A6゜P、658〜662 (1985)に報告例が
あるように数種類の液状化学物質を適切な比で混合しエ
ツチング液として用いるものである。
気相エツチングによる方法は、InP/InGa人sP
系の場合、例えば電子通信学会技術研究報告Val。
系の場合、例えば電子通信学会技術研究報告Val。
85 、/FllL110 、 P、35〜41 、
(SSD85−47)。
(SSD85−47)。
(1985) 、 GaAs/AlGaAs系の場合、
電子通信学会技術研究報告Va1.85 、 A136
、 P、99〜1oe、(oqx−8o)、(198
5) に示されているように成分元素としてC4を含
むガスのプラズマによる反応性イオンエツチングあるい
は反応性イオンビームエシチングが用いられている。
電子通信学会技術研究報告Va1.85 、 A136
、 P、99〜1oe、(oqx−8o)、(198
5) に示されているように成分元素としてC4を含
むガスのプラズマによる反応性イオンエツチングあるい
は反応性イオンビームエシチングが用いられている。
発明が解決しようとする問題点
しかじ液相エツチングと気相エツチングには双方ともに
一長一短がある。
一長一短がある。
液相エツチングでは化学反応によりエツチングが進行す
るためエツチング側面は平坦かつ平滑であるが、エツチ
ング形状即ちエツチング側面の角度およびエツチング深
さはエツチング液の液温。
るためエツチング側面は平坦かつ平滑であるが、エツチ
ング形状即ちエツチング側面の角度およびエツチング深
さはエツチング液の液温。
エバ内でもエツチング形状のばらつきが生じる。
したがってエツチング側面の垂直性が悪くなる。
気相エツチングでは多くの場合、化学反応と。
加速電界によりイオンが加速され被エツチング物質に衝
突するさいの物理的スパッタリングとの両方の効果によ
りエツチングが進行する。加速電界は基板に対して垂直
に印加されるのでエツチング側面は垂直に近くなり形状
のばらつきも小さい。
突するさいの物理的スパッタリングとの両方の効果によ
りエツチングが進行する。加速電界は基板に対して垂直
に印加されるのでエツチング側面は垂直に近くなり形状
のばらつきも小さい。
しかし物理的スパッタリングの効果によりエツチング側
面、エツチング底面に荒れを生じ平坦性。
面、エツチング底面に荒れを生じ平坦性。
平滑性が悪くなりあるいは損傷を生じる。
エツチング側面の垂直性が悪い場合、あるいはエツチン
グ側面の平担性、平滑性が悪い場合共振器の損失となっ
て発振しきい値が上昇する。また損傷は半導体レーザの
寿命を短かくする。
グ側面の平担性、平滑性が悪い場合共振器の損失となっ
て発振しきい値が上昇する。また損傷は半導体レーザの
寿命を短かくする。
従来の液相エツチングあるいは気相エツチングによる方
法はこのような欠点を有していた。本発明はかかる点に
鑑み、垂直性、平坦性、平滑性のよいエツチング側面を
得る方法を提供するものである。
法はこのような欠点を有していた。本発明はかかる点に
鑑み、垂直性、平坦性、平滑性のよいエツチング側面を
得る方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は半導体レーザウェハ上にエツチングマスクを選
択的に形成する工程と、前記半導体レーザウェハを気相
エツチングにより現出したエツチング面を液相エツチン
グによりエツチングする工程とを含むことを特徴とする
半導体レーザ装置の製造方法である。
択的に形成する工程と、前記半導体レーザウェハを気相
エツチングにより現出したエツチング面を液相エツチン
グによりエツチングする工程とを含むことを特徴とする
半導体レーザ装置の製造方法である。
作用
本発明は前記した方法により、まず気相エツチングによ
り平坦性と平滑性は悪いが垂直性のよいエツチング側面
が形状のばらつきなく得られる。
り平坦性と平滑性は悪いが垂直性のよいエツチング側面
が形状のばらつきなく得られる。
次にエツチング側面の凹凸や損傷を液相エツチング側面
を得ることができる。したがって非常に優れた半導体レ
ーザ装置の共振器が得られる。
を得ることができる。したがって非常に優れた半導体レ
ーザ装置の共振器が得られる。
実施例
第1図は本発明の第1の実施例における半導体レーザ装
置の製造方法を示している。n−InP基板1上にIn
G4ASP2 、P−InF3が順次液相成長されたダ
ブルヘラロ構造の半導体レーザウェハ上にエツチングマ
スクとしてTiが蒸着されている。マスクのパターニン
グはリフトオフ法またはTiの選択エツチング等により
行なう(第1図(a))。
置の製造方法を示している。n−InP基板1上にIn
G4ASP2 、P−InF3が順次液相成長されたダ
ブルヘラロ構造の半導体レーザウェハ上にエツチングマ
スクとしてTiが蒸着されている。マスクのパターニン
グはリフトオフ法またはTiの選択エツチング等により
行なう(第1図(a))。
次にn−InP基板1まで達するようにBr2ガスを用
いる反応性イオンエツチング法によって気相エツチング
を行なう。このときエツチング条件としてガス流量F
(SGcM)、ガス圧力p (torr)、高周波電力
密度Q(W/c11)をそれぞれ6≦F≦10゜5X1
0 ’≦P≦1.0X10’、0.4≦Q≦0.6とす
るとほぼ垂直なエツチング側面が得られるが反応性イオ
ンエツチングでは物理的スパッタリングの効果によりエ
ツチング側面に荒れを生じ、凹凸のある側面5を生じる
(第1図(b))。
いる反応性イオンエツチング法によって気相エツチング
を行なう。このときエツチング条件としてガス流量F
(SGcM)、ガス圧力p (torr)、高周波電力
密度Q(W/c11)をそれぞれ6≦F≦10゜5X1
0 ’≦P≦1.0X10’、0.4≦Q≦0.6とす
るとほぼ垂直なエツチング側面が得られるが反応性イオ
ンエツチングでは物理的スパッタリングの効果によりエ
ツチング側面に荒れを生じ、凹凸のある側面5を生じる
(第1図(b))。
次に、HBr:CH3CO0H:に20r20.水溶液
=1:1:1(体積比)の混合液を用いて、液温16°
C〜3o′Cにおいて6分間の液相エツチングを行なう
と、凹凸のあるエツチング側面6は、平担・平滑なエツ
チング側面6となる(第1図(a))。
=1:1:1(体積比)の混合液を用いて、液温16°
C〜3o′Cにおいて6分間の液相エツチングを行なう
と、凹凸のあるエツチング側面6は、平担・平滑なエツ
チング側面6となる(第1図(a))。
また、Br2を0.1重量%含有するブロムメタノール
を液温2o〜30’Cで1分間エツチングしても凹凸の
あるエツチング側面6は、平坦かつ平滑なエツチング側
面6が得られる。この平坦かつ平滑なエツチング側面6
は半導体レーザ装置用共振器の反射鏡として十分実用に
供し得るものである。
を液温2o〜30’Cで1分間エツチングしても凹凸の
あるエツチング側面6は、平坦かつ平滑なエツチング側
面6が得られる。この平坦かつ平滑なエツチング側面6
は半導体レーザ装置用共振器の反射鏡として十分実用に
供し得るものである。
またG&ムS/ム1GaAS系の半導体レーザ装置にお
ける実施例を第2図に示す。n+−G!LAS基板11
上にn−ムlG&A11i 12 、 GILAS 1
3 。
ける実施例を第2図に示す。n+−G!LAS基板11
上にn−ムlG&A11i 12 、 GILAS 1
3 。
P−ム1GaAs 14 、 P −GaAs 15
が順にエピタキシャル成長されている。P−GaA
!115上にはエツチングマスクとしてTi0216
が選択的に形成されている。Ti0216の選択的形
成はホトレジストマスクおよびCF4 を用いる反応性
イオンエツチングにより容易に行なうことができる。
が順にエピタキシャル成長されている。P−GaA
!115上にはエツチングマスクとしてTi0216
が選択的に形成されている。Ti0216の選択的形
成はホトレジストマスクおよびCF4 を用いる反応性
イオンエツチングにより容易に行なうことができる。
Ce2 ガスを用いる反応性イオンビームエツチング法
によりP−G!LA1115 、 P−ムIGILAs
14 。
によりP−G!LA1115 、 P−ムIGILAs
14 。
GaAg13 、n−ムIGILA!l 12をエツチ
ングする。
ングする。
この場合もエツチング形状は垂直であるがエツチング側
面は荒れを生じ凹凸のあるエツチング側面17を生じる
(第2図(b))。次にH2SO4:H2O2:H2O
=1 : 8 : 1混合液を用い16〜26°Cで3
分間のエツチングを行なうと、凹凸のある側面は平滑化
され、平坦かつ平滑なエツチング側面18が得られる(
第2図(C))。平坦かつ平滑なエツチング側面1Bは
、半導体レーザ装置の反射鏡として十分使用可能である
。
面は荒れを生じ凹凸のあるエツチング側面17を生じる
(第2図(b))。次にH2SO4:H2O2:H2O
=1 : 8 : 1混合液を用い16〜26°Cで3
分間のエツチングを行なうと、凹凸のある側面は平滑化
され、平坦かつ平滑なエツチング側面18が得られる(
第2図(C))。平坦かつ平滑なエツチング側面1Bは
、半導体レーザ装置の反射鏡として十分使用可能である
。
なお、この実施例では気相エツチングの方法として反応
性イオンエツチング法2反応性イオンビームエツチング
法を用いたが、これらの方法に限定されるものではなく
、例えば、プラズマエツチング法や、収束イオンビーム
エツチング法でもよく、また光励起や赤外線加熱などの
方法を併用してもよい。
性イオンエツチング法2反応性イオンビームエツチング
法を用いたが、これらの方法に限定されるものではなく
、例えば、プラズマエツチング法や、収束イオンビーム
エツチング法でもよく、また光励起や赤外線加熱などの
方法を併用してもよい。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば垂直かつ平坦・平滑
なエツチング側面が容易に得られ優れた半導体レーザ用
共振器を得ることができるのでその実用的効果は大きい
。
なエツチング側面が容易に得られ優れた半導体レーザ用
共振器を得ることができるのでその実用的効果は大きい
。
第1図および第2図は本発明の実施例における半導体レ
ーザ装置の製造方法の工程を示す断面図である。 1・・・・・・n−InP基板、6・・・・・・凹凸の
あるエツチング側面、6・・・・・・平坦かつ平滑なエ
ツチング側面、11・・・・・・n+−G&A!!基板
、17・・・・・・凹凸のあるエツチング側面、18・
・・・・・平坦かつ平滑なエツチング側面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名イー
−n−rJ基不( ”−1nGiAsア
ーザ装置の製造方法の工程を示す断面図である。 1・・・・・・n−InP基板、6・・・・・・凹凸の
あるエツチング側面、6・・・・・・平坦かつ平滑なエ
ツチング側面、11・・・・・・n+−G&A!!基板
、17・・・・・・凹凸のあるエツチング側面、18・
・・・・・平坦かつ平滑なエツチング側面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名イー
−n−rJ基不( ”−1nGiAsア
Claims (1)
- 半導体レーザ装置の共振器をエッチングにより形成する
に際し、半導体レーザウェハ上にエッチングマスクを選
択的に形成する工程と、前記半導体レーザウェハを、成
分元素としてBrまたはCl_2を含む気体プラズマ中
で気相エッチングする工程と、前記気相エッチングによ
り現出したエッチング面を、少なくともHBr、Br_
2、H_2SO_4のうちいずれかを含む溶液によって
溶相エッチングする工程とを含んでなる半導体レーザ装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30696186A JPS63158888A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30696186A JPS63158888A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63158888A true JPS63158888A (ja) | 1988-07-01 |
Family
ID=17963355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30696186A Pending JPS63158888A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63158888A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0294682A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子の製造方法 |
EP0590870A2 (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-06 | AT&T Corp. | Method of making a buried heterostructure laser |
EP0713275A1 (en) * | 1994-11-19 | 1996-05-22 | Lg Electronics Inc. | Method for fabricating a semiconductor laser diode |
WO2000016390A1 (de) * | 1998-09-15 | 2000-03-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung einer stufe auf der oberfläche eines substrats aus halbleitermaterial, anwendung des verfahrens und substrat mit einer stufe |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP30696186A patent/JPS63158888A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0294682A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子の製造方法 |
EP0590870A2 (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-06 | AT&T Corp. | Method of making a buried heterostructure laser |
EP0590870A3 (en) * | 1992-09-30 | 1994-07-27 | At & T Corp | Method of making a buried heterostructure laser |
EP0713275A1 (en) * | 1994-11-19 | 1996-05-22 | Lg Electronics Inc. | Method for fabricating a semiconductor laser diode |
JPH0927654A (ja) * | 1994-11-19 | 1997-01-28 | Lg Electron Inc | 半導体レーザダイオードの製造方法 |
WO2000016390A1 (de) * | 1998-09-15 | 2000-03-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung einer stufe auf der oberfläche eines substrats aus halbleitermaterial, anwendung des verfahrens und substrat mit einer stufe |
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