JP7457255B2 - 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 - Google Patents
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- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略する。
図1は、実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。
図1には、本実施形態の画像表示装置のサブピクセル20の構成が模式的に示されている。画像表示装置に表示される画像を構成するピクセル10は、複数のサブピクセル20によって構成されている。
以下では、XYZの3次元座標系を用いて説明することがある。サブピクセル20は、2次元平面上に配列されている。サブピクセル20が配列された2次元平面をXY平面とする。サブピクセル20は、X軸方向およびY軸方向に沿って配列されている。
図1に示すように、画像表示装置のサブピクセル20は、トランジスタ103と、第1の配線層110と、第1の層間絶縁膜(第1絶縁膜)112と、第2の配線層(第2配線層)130と、発光素子150と、第2の層間絶縁膜(第2絶縁膜)156と、第3の配線層(第3配線層)160と、ビア(第1ビア)161dと、を備える。サブピクセル20は、カラーフィルタ180をさらに備える。カラーフィルタ(波長変換部材)180は、表面樹脂層170上に、透明薄膜接着層188を介して設けられている。表面樹脂層170は、発光素子150、層間絶縁膜156および配線層160上に設けられている。
サブピクセルの構成の変形例について説明する。
図2Aおよび図2Bは、本実施形態の画像表示装置の変形例をそれぞれ例示する模式的な断面図である。
図2A以降のサブピクセルの断面図では、煩雑さを避けるため、表面樹脂層170およびカラーフィルタ180の表示が省略されている。特に記載のない場合には、第2の層間絶縁膜および第3の配線層上には、表面樹脂層170およびカラーフィルタ180が設けられる。後述の他の実施形態およびその変形例の場合についても同様である。
図2Aに示すように、サブピクセル20aは、配線160a1を含む。配線160a1は、第3の配線層160に含まれる配線として形成されている。本変形例では、p形半導体層153との電気的接続は、配線160a1の一端を発光面153Sの一部に接続することにより行われる。本変形例では、透明電極を含む透明導電膜を形成する工程を省略することができる。
図3に示すように、本実施形態の画像表示装置1は、表示領域2を備える。表示領域2には、サブピクセル20が配列されている。サブピクセル20は、たとえば格子状に配列されている。たとえば、サブピクセル20は、X軸に沿ってn個配列され、Y軸に沿ってm個配列される。
本実施形態では、図1において説明したように、発光素子22(150)と駆動トランジスタ26(103)が、Z軸方向に積層されており、ビア161dによって、発光素子22(150)のカソード電極と駆動トランジスタ26(103)のドレイン電極とを電気的に接続している。
発光素子150は、X軸方向の長さL1およびY軸方向の長さW1を有する長方形状の底面を有している。遮光プレート(部分)130aは、X軸方向の長さL2およびY軸方向の長さW2を有する長方形状を有する。発光素子150は、遮光プレート130a上に設けられている。
図5A~図9Bは、本実施形態の画像表示装置の製造方法を例示する模式的な断面図である。
図5Aに示すように、半導体成長基板1194を準備する。半導体成長基板1194は、結晶成長用基板(第1基板)1001上に成長させた半導体層1150を有する。結晶成長用基板1001は、たとえばSi基板やサファイア基板等である。好ましくは、Si基板が用いられる。
図7Aおよび図7Bに示すように、回路基板1100は、ウェハボンディングによってメタル層1130を介して半導体層1150に接合される。メタル層1130および半導体層1150は、エッチングによって、必要な形状に形成される。メタル層1130は、エッチングされて第2の配線層130が形成される。この配線層130は、遮光プレート130aを含む。遮光プレート130aは、エッチングによって、上述した形状に成形される。半導体層1150は、さらにエッチングされ、発光素子150の形状に成形される。発光素子150の成形には、たとえばドライエッチングプロセスが用いられ、好適には、異方性プラズマエッチング(Reactive Ion Etching、RIE)が用いられる。
図10に示すように、複数の半導体成長基板1194を準備して、1つの回路基板1100に、複数の結晶成長用基板1001に形成された半導体層1150を接合するようにしてもよい。
なお、図11では、煩雑さを避けるために、回路基板100内や層間絶縁膜112,156内等の配線等については、表示が省略されている。また、図11には、カラーフィルタ180等の色変換部材の一部が表示されている。ここでは、配線層130、発光素子150、ビア161k,161d、配線層160、層間絶縁膜156および表面樹脂層170を含む構造物を発光回路部172と呼ぶ。また、回路基板100上に発光回路部172を設けた構造物を構造体1192と呼ぶ。
図12A~図12Dには、カラーフィルタをインクジェットで形成する方法が示されている。
本実施形態の画像表示装置1の製造方法では、発光素子150を駆動するトランジスタ103等の回路素子を含む回路基板1100(100)に、発光素子150のための発光層1152を含む半導体層1150を貼り合わせる。その後、半導体層1150をエッチングして発光素子150を形成する。そのため、回路基板1100(100)に個片化された発光素子を個々に転写するのに比べて、発光素子を転写する工程を著しく短縮することができる。
図13は、本実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。
図13は、サブピクセル220をXZ平面に平行な面で切断した場合の断面を模式的に示している。この断面図は、上述した図4のA-A’線における矢視断面に相当する断面図である。
本実施形態では、発光素子250の構成および発光素子250を駆動するトランジスタ203の構成が上述の他の実施形態の場合と相違する。上述の他の実施形態の場合と同一の構成要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略する。
図14に示すように、本実施形態の画像表示装置201は、表示領域2、行選択回路205および信号電圧出力回路207を備える。表示領域2には、上述の他の実施形態の場合と同様に、たとえばサブピクセル220が格子状に配列されている。
図15A~図16Cは、本実施形態の画像表示装置の製造方法を例示する模式的な断面図である。
本実施形態では、図5Aにおいてすでに説明した半導体成長基板1194とは異なる半導体成長基板1294を準備する。半導体成長基板1294は、結晶成長用基板1001上に成長させた半導体層1150を有する。半導体層1150は、この例では、バッファ層1140を介して結晶成長用基板1001上に成長されているが、バッファ層1140を介さずに成長させてもよいのは、上述の他の実施形態の場合と同様である。
本実施形態では、上述の他の実施形態の場合と同様の効果を有する。すなわち、回路基板1100に半導体層1150を貼り合わせた後、個別の発光素子250をエッチングにより形成するので、発光素子の転写工程を著しく短縮することができる。
上述した他の実施形態では、第2の配線層130は、複数の異なる電位に接続される場合があり、第2の配線層130に含まれる遮光プレート130aは、各サブピクセルの下層の半導体をビアを介して、駆動用のトランジスタ103,203の主電極に接続する。そのため、遮光プレート130aは、各サブピクセルで異なる電位に設定され得る。本実施形態では、第2の配線層330は、遮光プレートを兼ねており、すべての発光素子を遮光する。また、本実施形態では、第2の配線層330は、単一の電位に接続される。配線層330は、この例では、電源線に接続される。
図17は、サブピクセル320をXZ平面に平行な面で切断した場合の断面を模式的に示している。この断面図は、後述する図18のB-B’線における矢視断面である。
本実施形態では、発光素子250の構成は、第2の実施形態の場合と同じである。すなわち、発光素子250は、下層のp形半導体層253、発光面251Sを有するn形半導体層251を有する。発光素子250の駆動用のトランジスタ103は、第1の実施形態の場合と同様のnチャネルトランジスタである。上述の他の実施形態と同一の構成要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略する。
本実施形態では、nチャネルトランジスタで発光素子を駆動する。駆動回路は、図3の回路構成が適用される。
図19Aおよび図19Bは、本実施形態の画像表示装置の製造方法を例示する模式的な断面図である。
本実施形態では、半導体層1150と回路基板1100とを貼り合わせる工程は、上述した第2の実施形態の場合と同じである。以下では、図16Aまでの処理を行った後の工程から説明する。
本実施形態の画像表示装置では、上述した他の実施形態の効果のほか、第2の配線層330を貫通孔332のみの簡単なパターンとすることができるので、パターン設計が容易になり、画像表示装置の開発期間等を短縮することができる。
上述した他の実施形態では、第2の配線層130,330は、少なくとも1つのサブピクセルについては、単一の電位に接続される。本実施形態では、1つのサブピクセルについて、第2の配線層は、異なる電位に接続され得る複数の配線を含むことができる。
本実施形態では、pチャネルのトランジスタ203で発光素子250を駆動する。駆動回路は、図14の回路構成が適用される。nチャネルのトランジスタ103で発光素子150を駆動する場合には、図3の回路が適用される。
図20に示すように、本実施形態の画像表示装置のサブピクセル420は、発光素子250とpチャネルのトランジスタ203とを含む。発光素子250は、第2の配線層430の配線430a上に設けられている。配線430aは、遮光プレートを兼ねている。第2の層間絶縁膜156を貫通してビア461aが設けられている。ビア461aの一端は、配線430aに接続されている。ビア461aの他端は、層間絶縁膜156上に形成された第3の配線層460の配線460aに接続されている。なお、配線460a上には、透明電極459aが形成されている。
図21Aおよび図21Bは、本実施形態の画像表示装置の製造方法を例示する模式的な断面図である。
本実施形態では、半導体層1150と回路基板1100とを貼り合わせる工程は、上述した第2の実施形態の場合と同じである。以下では、図16Aまでの処理を行った後の工程から説明する。
本実施形態の画像表示装置では、上述の他の実施形態の場合の効果に加えて、第2の配線層は、異なる電位に接続し得る配線460a,460kを含むので、発光面251Sと同一面上に接地線や電源線等を引き回す必要がなく、内層において自由度の高い配線パターンとすることができる。
本実施形態では、発光層を含む単一の半導体層に、複数の発光素子に相当する複数の発光面を形成することによって、より発光効率の高い画像表示装置を実現する。以下の説明では、上述の他の実施形態の場合と同一の構成要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略する。
図22は、本実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。
図22に示すように、画像表示装置は、サブピクセル群520を備える。サブピクセル群520は、トランジスタ203-1,203-2と、第1の配線層510と、第1の層間絶縁膜112と、半導体層550と、第2の層間絶縁膜556と、第2の配線層530と、ビア561d1,561d2と、を含む。
図23A~図24Bは、本実施形態の画像表示装置の製造方法を例示する模式的な断面図である。
図23Aに示すように、半導体層1150がエピタキシャル成長された結晶成長用基板1001を含む半導体成長基板1194は、回路基板5100と、ウェハボンディングによって互いに接合される。半導体層1150の回路基板5100と接合される面には、メタル層1130が形成されている。
図25は、本実施形態の変形例に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。
本変形例では、発光層552上に2つのp形半導体層5553a1,5553a2を設けた点で上述の第5の実施形態の場合と異なっている。他の点では、第5の実施形態の場合と同じであり、同一の構成要素に同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略する。
本変形例では、半導体層1150にメタル層1130を形成し、回路基板5100と接合するまでは、第5の実施形態の場合に図23Aおよび図23Bにおいて説明した工程と同様の工程が適用される。以下では、それ以降の工程について説明する。
図27は、画素LED素子の特性を例示するグラフである。
図27の縦軸は、発光効率[%]を表している。横軸は、画素LED素子に流す電流の電流密度を相対値によって表している。
図27に示すように、電流密度の相対値が1.0より小さい領域では、画素LED素子の発光効率は、ほぼ一定か、単調に増加する。電流密度の相対値が1.0よりも大きい領域では、発光効率は単調に減少する。つまり、画素LED素子には、発光効率が最大になるような適切な電流密度が存在する。
上述した画像表示装置は、適切なピクセル数を有する画像表示モジュールとして、たとえばコンピュータ用ディスプレイ、テレビ、スマートフォンのような携帯用端末、あるいは、カーナビゲーション等とすることができる。
図28には、コンピュータ用ディスプレイの構成の主要な部分が示されている。
図28に示すように、画像表示装置601は、画像表示モジュール602を備える。画像表示モジュール602は、たとえば上述した第1の実施形態の場合の構成を備えた画像表示装置である。画像表示モジュール602は、サブピクセル20が配列された表示領域2、行選択回路5および信号電圧出力回路7を含む。
図29は、本変形例の画像表示装置を例示するブロック図である。
図29には、高精細薄型テレビの構成が示されている。
図29に示すように、画像表示装置701は、画像表示モジュール702を備える。画像表示モジュール702は、たとえば上述した第1の実施形態の場合の構成を備えた画像表示装置1である。画像表示装置701は、コントローラ770およびフレームメモリ780を備える。コントローラ770は、バス740によって供給される制御信号にもとづいて、表示領域2の各サブピクセルの駆動順序を制御する。フレームメモリ780は、1フレーム分の表示データを格納し、円滑な動画再生等の処理のために用いられる。
図30に示すように、第1~第5の実施形態の画像表示装置は、上述したように、回路基板100上に、多数のサブピクセルを有する発光回路172が設けられている。発光回路部172上には、カラーフィルタ180が設けられている。なお、第6の実施形態においては、回路基板100、発光回路部172およびカラーフィルタ180を含む構造物は、画像表示モジュール602,702とされ、画像表示装置601,701に組み込まれている。
Claims (22)
- 発光層を含む半導体層を、第1基板上に形成された基板を準備する工程と、
前記半導体層上にメタル層を形成する工程と、
前記半導体層を、回路素子を含む回路が形成された第2基板に前記メタル層を介して貼り合わせる工程と、
前記半導体層を加工して発光素子を形成する工程と、
前記メタル層を加工して第1の配線層を形成する工程と、
前記発光素子および前記第1の配線層を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を貫通して前記回路に達する第1ビアを形成する工程と、
前記絶縁膜上に第2の配線層を形成する工程と、
前記第1の配線層、前記第2の配線層、前記第1ビア、前記発光素子および前記回路素子を直列に接続する工程と、
を備え、
前記第1ビアは、前記第1の配線層を貫通し、前記第1の配線層から絶縁されて形成され、前記第2の配線層に電気的に接続された画像表示装置の製造方法。 - 前記半導体層を前記第2基板に貼り合わせた後に、前記第1基板を除去する工程をさらに備えた請求項1記載の画像表示装置の製造方法。
- 前記半導体層を前記第2基板に貼り合わせる前に前記第1基板を除去する工程と、
前記半導体層を前記第2基板に貼り合わせる前に前記半導体層に第3基板を貼付する工程と、
をさらに備えた請求項1記載の画像表示装置の製造方法。 - 前記半導体層は、前記第1基板の側から、第1導電形の第1半導体層、前記発光層および前記第1導電形とは異なる第2導電形の第2半導体層の順に積層され、
前記第1導電形は、n形であり、
前記第2導電形は、p形である請求項1~3のいずれか1つに記載の画像表示装置の製造方法。 - 前記半導体層を前記第2基板に貼り合わせる前に、前記第2基板の貼り合わせ面に第2メタル層を形成する工程
をさらに備えた請求項1~4のいずれか1つに記載の画像表示装置の製造方法。 - 前記絶縁膜の一部を除去して前記発光素子の表面を露出させる工程をさらに備えた請求項1~5のいずれか1つに記載の画像表示装置の製造方法。
- 露出された前記発光素子の露出面と前記第2の配線層とを電気的に接続する透明電極を形成する工程をさらに備えた請求項6記載の画像表示装置の製造方法。
- 前記第1基板は、シリコンまたはサファイアを含む請求項1~7のいずれか1つに記載の画像表示装置の製造方法。
- 前記半導体層は、窒化ガリウム系化合物半導体を含み、
前記第2基板は、シリコンを含む請求項1~8のいずれか1つに記載の画像表示装置の製造方法。 - 前記発光素子上に波長変換部材を形成する工程をさらに備えた請求項1~9のいずれか1つに記載の画像表示装置の製造方法。
- 回路素子と、
前記回路素子に電気的に接続された第1配線層と、
前記回路素子および前記第1配線層を覆う第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に設けられた第2配線層と、
前記第2配線層上に設けられ、前記第2配線層に接続された第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられ、前記第1導電形と異なる第2導電形の第2半導体層を含む発光素子と、
前記発光素子の少なくとも一部および前記第2配線層を覆う第2絶縁膜と、
前記発光素子に電気的に接続され、前記第2絶縁膜上に設けられた第3配線層と、
前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜を貫通し、前記第1配線層および前記第3配線層を電気的に接続する第1ビアと、
を備え、
前記第2配線層は、部分を有し、
前記部分の外周は、平面視で、前記部分に投影された前記発光素子の外周を含み、
前記発光素子の前記第1絶縁膜の側の面に対向する発光面を露出させる開口を有しており、前記発光面上に透明電極を備えた画像表示装置。 - 前記開口から露出された露出面は、粗面を含む請求項11記載の画像表示装置。
- 前記第2絶縁膜を貫通し、前記部分と前記第3配線層を電気的に接続する第2ビア
をさらに備えた請求項11または12に記載の画像表示装置。 - 前記第1ビアは、前記第3配線層を介して前記第2半導体層に接続された請求項11または12に記載の画像表示装置。
- 前記第1ビアは、前記第2配線層を貫通し、前記第2配線層から絶縁されて設けられた請求項14記載の画像表示装置。
- 前記第2配線層は、異なる電位に接続された複数の配線を含む請求項11~13のいずれか1つに記載の画像表示装置。
- 前記第1導電形は、p形であり、
前記第2導電形は、n形である請求項11~16のいずれか1つに記載の画像表示装置。 - 前記発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体を含み、
前記回路素子は、基板に形成され、前記基板は、シリコンを含む請求項11~17のいずれか1つに記載の画像表示装置。 - 前記発光素子上に波長変換部材をさらに備えた請求項11~18のいずれか1つに記載の画像表示装置。
- 複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタに電気的に接続された第1配線層と、
前記複数のトランジスタおよび前記第1配線層を覆う第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に設けられた第2配線層と、
前記第2配線層上に設けられた第1導電形の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられ、前記第1導電形とは異なる第2導電形の第2半導体層と、
前記第1絶縁膜、前記第2配線層、前記第1半導体層および前記発光層を覆うとともに前記第2半導体層の少なくとも一部を覆う第2絶縁膜と、
前記複数のトランジスタに応じて前記第2絶縁膜からそれぞれ露出された、前記第2半導体層の複数の露出面上に配設された透明電極に接続された第3配線層と、
前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜を貫通し、前記第1配線層の配線および前記第3配線層の配線を電気的に接続する第1ビアと、
を備え、
前記第2配線層は、部分を有し、
前記部分の外周は、平面視で、前記部分に投影された前記第1半導体層、前記発光層および前記第2半導体層の外周を含む画像表示装置。 - 前記第1配線層は、前記複数のトランジスタのうちの第1トランジスタの主電極に接続された第1配線と、第2トランジスタの主電極に接続された第2配線と、を含み、
前記第3配線層は、前記複数の露出面のうちの第1露出面に接続された第3配線と、第2露出面に接続された第4配線と、を含み、
前記第2配線と前記第4配線との間に設けられた第2ビア
をさらに備え、
前記第1ビアは、前記第1配線と前記第3配線との間に設けられた請求項20記載の画像表示装置。 - 前記第2半導体層は、前記第2絶縁膜によって分離された請求項20または21に記載の画像表示装置。
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Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007242645A (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-20 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2008135419A (ja) | 2006-10-27 | 2008-06-12 | Canon Inc | 半導体部材、半導体物品の製造方法、その製造方法を用いたledアレイ |
JP2009094144A (ja) | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Canon Inc | 発光素子の製造方法 |
JP2010219310A (ja) | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Sharp Corp | 光デバイスおよび光デバイス構造 |
JP2013037139A (ja) | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Panasonic Corp | 自発光型表示装置 |
US20130292731A1 (en) | 2006-10-17 | 2013-11-07 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
JP2016522585A (ja) | 2013-06-17 | 2016-07-28 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | 反射バンク構造及び発光デバイスを組み込むための方法 |
JP2018101785A (ja) | 2016-12-20 | 2018-06-28 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 発光ダイオードチップ及びこれを含む発光ダイオードディスプレイ装置 |
WO2018132070A1 (en) | 2017-01-13 | 2018-07-19 | Massachusetts Institute Of Technology | A method of forming a multilayer structure for a pixelated display and a multilayer structure for a pixelated display |
US20180294311A1 (en) | 2017-04-06 | 2018-10-11 | Acer Incorporated | Display devices and methods of manufacturing the same |
JP2018205456A (ja) | 2017-06-01 | 2018-12-27 | 株式会社ブイ・テクノロジー | フルカラーled表示パネル |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2021
- 2021-11-05 US US17/520,040 patent/US20220059518A1/en active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007242645A (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-20 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
US20130292731A1 (en) | 2006-10-17 | 2013-11-07 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
JP2008135419A (ja) | 2006-10-27 | 2008-06-12 | Canon Inc | 半導体部材、半導体物品の製造方法、その製造方法を用いたledアレイ |
JP2009094144A (ja) | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Canon Inc | 発光素子の製造方法 |
JP2010219310A (ja) | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Sharp Corp | 光デバイスおよび光デバイス構造 |
JP2013037139A (ja) | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Panasonic Corp | 自発光型表示装置 |
JP2016522585A (ja) | 2013-06-17 | 2016-07-28 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | 反射バンク構造及び発光デバイスを組み込むための方法 |
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WO2018132070A1 (en) | 2017-01-13 | 2018-07-19 | Massachusetts Institute Of Technology | A method of forming a multilayer structure for a pixelated display and a multilayer structure for a pixelated display |
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