TWI411129B - 發光二極體的形成方法 - Google Patents

Description

發光二極體的形成方法

本發明係關於具發光二極體的製造方法，特別是關於利用犧牲層轉換發光二極體之基板的方法。

發光二極體的磊晶薄膜通常是成長於GaAs基板上。由於GaAs基板會吸光，為了改善發光效率，習知的作法會在磊晶薄膜成長後，將合適的基板與磊晶薄膜之另一面貼合。之後，再用蝕刻方式將GaAs基板溶解。然而，溶解可再被利用的GaAs基板是相當浪費的作法，而且溶解後所殘留的As很容易造成環境的污染。

本發明係提供可使成長基板保留而重覆使用的發光二極體製作方法。

於一實施例，本發明提供一種發光二極體的形成方法，包含提供一成長基板，依序形成一犧牲層及一磊晶層於成長基板上；形成一或數個磊晶層開口穿透磊晶層而露出犧牲層；形成一支撐層於磊晶層上，支撐層具有一或數個支撐層開口穿透支撐層而連通一或數個磊晶層開口；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離磊晶層。

於另一實施例，本發明提供一種發光二極體的形成方法，包含提供一成長基板，具有一或數個基板開口穿透成長基板；形成一犧牲層於成長基板上；形成一磊晶層於犧牲層上，磊晶層具有一或數個磊晶層開口穿透磊晶層；提供一承接基板與磊晶層相接；以及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離磊晶層。

於更另一實施例，本發明提供一種發光二極體的形成方法，包含提供一成長基板，依序成長一犧牲層及一磊晶層於成長基板上；提供一支撐基板，支撐基板具有一正面及一背面，背面形成一或數個凹槽；將支撐基板之背面接合於磊晶層；從正面移除支撐基板之一部分以暴露至少一凹槽，並形成一或數個支撐基板開口穿透該支撐基板；以支撐基板為遮罩，蝕刻磊晶層以形成一或數個磊晶層開口穿透磊晶層而露出犧牲層；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離磊晶層。

於再另一實施例，本發明提供一種發光二極體的形成方法，包含提供一成長基板，依序成長一犧牲層及一磊晶層於成長基板上；提供一支撐基板並使支撐基板與一暫時基板接合；形成一或數個支撐基板開口穿透支撐基板；將支撐基板接合於磊晶層；移除暫時基板；以支撐基板為遮罩，蝕刻磊晶層以形成一或數個磊晶層開口穿透磊晶層而露出犧牲層；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離磊晶層。

於再更另一實施例，本發明提供一種發光二極體的形成方法，包含提供一成長基板，依序成長一犧牲層及一磊晶層於成長基板上；提供一支撐基板；形成一或數個支撐基板開口穿透支撐基板；將支撐基板接合於磊晶層；以支撐基板為遮罩，蝕刻該磊晶層以形成一或數個磊晶層開口穿透磊晶層而露出犧牲層；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離磊晶層。

本發明尚包含其他方面以解決其他問題並合併上述之各方面詳細揭露於以下實施方式中。

以下將參考所附圖式示範本發明之較佳實施例。所附圖式中相似元件係採用相同的元件符號。應注意為清楚呈現本發明，所附圖式中之各元件並非按照實物之比例繪製，而且為避免模糊本發明之內容，以下說明亦省略習知之零組件、相關材料、及其相關處理技術。

圖1A及1A’至圖1E及1E’係顯示依據本發明一實施例之發光二極體190製作過程中各步驟之剖面圖與上視圖，其中圖1A’至圖1E’為上視圖，圖1A至圖1E為沿圖1A’至圖1E’之線I-I’的剖面圖。

首先，參考圖1A及1A’，提供一成長基板100，依序成長一犧牲層120及一磊晶層140於成長基板100上。成長基板100之組成元素可包含氮、鋁、鎵、砷、鋅、矽、氧中至少其一，例如：n-型GaAs。磊晶層140為多層結構，其組成元素可包含氮、鋁、鎵、銦、砷、磷、矽、氧中至少其一，且各層所含元素不以相同為必要，例如：其可依序包含n-型GaAs下接觸層、n-型Al_x Ga_1-x As下包覆層、Al_y Ga_1-y As活性層、p-型Al_z Ga_1-z As上包覆層及p-型GaAs上接觸層，x,y及z係分別介於0與1之間。磊晶層140的厚度可在1至100μm之間，但不此為限。於本實施例中，犧牲層120與磊晶層140係皆以磊晶方式形成。犧牲層120之組成元素可包含鋁、砷中至少其一，例如：AlAs，此材料係可使一蝕刻劑，相對於成長基板100、磊晶層140及後續將形成的支撐層，選擇性地將犧牲層120侵蝕者。犧牲層120厚度較佳在3000與5000之間。此外，成長基板100之電性亦可為p-型，使用者當可依其需要任意組合搭配。

參考圖1B及1B’，圖案化磊晶層140以形成一或數個磊晶層開口141穿透磊晶層140而露出底下的犧牲層120。形成複數個磊晶層開口141可有多個目的，譬如可以用來進行每個發光二極體晶片的定位、或可作讓蝕刻劑接觸犧牲層120的孔洞。本發明於其他實施例所製作之開口或凹槽，不限於磊晶層，亦可基於如上所述之目的。可使用黃光蝕刻技術完成此步驟。複數個磊晶層開口141的位置可如圖1B所示陣列式地排列、或隨機地分佈在磊晶層140的表面。磊晶層開口141的形狀可為圓形、矩形、多邊形、或其他合適形狀，其大小則依實作需求而定。於一實施例中，圖案化後，磊晶層開口141四周之磊晶層142(即圖案化後剩餘的磊晶層140)仍相互連接。舉例而言，圖1B’顯示環繞開口141a的磊晶層部分142a；環繞開口141b的磊晶層部分142b；環繞開口141c的磊晶層部分142c。如圖所示，磊晶層部分142a、142b及142c係一體地相互連接。換言之，圖案化後剩餘之磊晶層142係呈現一連續結構，即其不會因為多個磊晶層開口141的形成而有分立不相連的島狀部分。此外，應注意實施例中雖例示穿透磊晶層140的磊晶層開口141，然於其他實施例中磊晶層開口141亦可部分或完全穿過犧牲層120。詳言之，於另一實施例，除形成磊晶層開口141，也於犧牲層120上形成犧牲層凹槽(未顯示)以對應至少一磊晶層開口141；又於再一實施例，除形成磊晶層開口141，也形成貫穿犧牲層120並對應至少一磊晶層開口141的犧牲層開口(未顯示)。

參考圖1C及1C’，形成一支撐層150於具複數個磊晶層開口141之磊晶層140上。支撐層150具有複數個支撐層開口151穿透支撐層150而連通相對應的磊晶層開口141。換言之，支撐層150係形成在磊晶層140上表面磊晶層開口141以外的區域。於一實施例中，支撐層150具有與圖案化後之磊晶層140相同的圖案，故承上所述應可明瞭所有環繞複數個支撐層開口151的支撐層152皆相互連接。然而，於另一實施例中，支撐層150具有與圖案化後之磊晶層140不相同的圖案，換言之，磊晶層開口141與支撐層開口151之排列方式、開口圖案、或數量中至少其一並不相同。支撐層150主要用來取代成長基板100以支撐磊晶層140，如此成長基板100才能於後續步驟中移除。沒有支撐層150的磊晶層140由於厚度太薄將很難操作。在此實施例中，支撐層150可為光阻、金屬、或電鍍金屬，其厚度在50μm至300μm之間，然不以此為限。

參考圖1C及1C’，支撐層150形成之後，選擇性蝕刻犧牲層120而使成長基板100脫離磊晶層140。詳言之，可使用相對於成長基板100、磊晶層140及支撐層150，選擇性侵蝕犧牲層120之一蝕刻劑，使其流過磊晶層開口140與支撐層開口150進而逐漸移除犧牲層120，進而使成長基板100脫離磊晶層140，然而，犧牲層120並不以完全被去除為必要，只要其與上下層相接觸之體積或面積削減至足以使成長基板100脫離磊晶層140即可。在此實施例中使用檸檬酸為蝕刻劑進行選擇性濕蝕刻。然本發明不排除其他合適的濕蝕刻或乾蝕刻。

圖1D及1D’為犧牲層120移除及成長基板100脫離後之結構示意圖。應注意此結構中，磊晶層140與支撐層150上下接合；磊晶層開口141四周的磊晶層142係相互連接；且支撐層開口151四周的支撐層152係相互連接。由於此結構完全或幾乎不含分立不相連之島狀部分，因此，只要支撐層150的厚度足夠，即可以此操作磊晶薄膜進行之後續各製程步驟。

圖1E及1E’顯示此實施例之一選擇性(optional)步驟，即提供一承接基板160並使其與圖1D及1D’之支撐層150接合。此步驟可有多個目的，譬如可加強支撐層150的功能。承接基板160的材質可為玻璃、金屬、半導體材料、塑膠、陶瓷、或其他合適材料，其厚度可視需要而定。

圖2A及2A’至圖2D及2D’係顯示依據本發明一實施例之發光二極體290製作過程中各步驟之剖面圖與上視圖，其中圖2A’至圖2D’為上視圖，圖2A至圖2D為沿圖2A’至圖2D’之線I-I’的剖面圖。相較於前述實施例，本實施例之主要特點在於成長基板具有開口，且使用承接基板而不用支撐層。與前述實施例名稱類似之元件，其使用材料也可類似；至於其厚度，除非特別說明否則也與前述實施例類似，文中不再贅述。

如圖2A及2A’所示，提供一成長基板200，並使成長基板200具有一或數個基板開口201穿透成長基板200，其中基板開口201四周的成長基板202係相互連接。換言之，如上述，基板開口201形成後剩餘成長基板部分202係呈現一整體結構，其不會因為多個基板開口201的形成而有分立不相連的島狀部分。可用機械加工、雷射、乾蝕刻、濕蝕刻形成複數個基板開口201。

然後，如圖2B及2B’所示，成長一犧牲層220於成長基板200上，其中犧牲層220具有複數個犧牲層開口221穿透犧牲層220而連通基板開口201，犧牲層開口221四周的犧牲層部分222係相互連接。犧牲層220可以磊晶形成。

然後，同樣參考圖2B及2B’，形成一磊晶層240於犧牲層220上，其中磊晶層240具有複數個磊晶層開口241穿透磊晶層240而連通犧牲層開口221，磊晶層開口241四周的磊晶層部分242皆一體成型地相互連接。犧牲層220可以磊晶形成。磊晶層240同樣可磊晶形成。

然後，如圖2C及2C’所示，提供一承接基板260與圖2B及2B’所形成之結構的磊晶層240相接。承接基板260之材質可為玻璃、金屬、半導體材料、塑膠、陶瓷、或其他合適材料。此實施例欲以承接基板260取代成長基板200。然後，參考圖2C及2C’，承接基板260與磊晶層240相接之後，選擇性蝕刻犧牲層220而使成長基板200脫離磊晶層240。詳言之，可使用相對於成長基板200、磊晶層240及承接基板260，選擇性侵蝕犧牲層220之一蝕刻劑，使其經由基板開口201及犧牲層開口221接觸犧牲層220而將其移除，進而使成長基板200脫離磊晶層240，然而，犧牲層220並不以完全被去除為必要，只要其與上下層相接觸之體積或面積削減至足以使成長基板200脫離磊晶層240即可。在此實施例中使用檸檬酸為蝕刻液進行選擇性濕蝕刻。然本發明不排除其他合適的濕蝕刻或乾蝕刻。

圖2D及2D’為犧牲層220移除及成長基板200脫離後之結構示意圖。應注意此結構中只有磊晶層240與承接基板260上下接合。因此，應可瞭解只要承接基板260的厚度足夠，即可以此操作磊晶薄膜進行後續各製程步驟。

圖3A及3A’至圖3F及3F’係依據本發明第三實施例顯示發光二極體390製作過程中各步驟之剖面圖與上視圖，其中圖3A’至圖3F’為上視圖，圖3A至圖3F為沿圖3A’至圖3F’之線I-I’的剖面圖。相較於圖1之說明，本實施例之主要特點在於提供圖案化支撐基板，並以其作為遮罩，圖案化磊晶層以使犧牲層露出後再進行蝕刻。本實施例與前述實施例名稱類似之元件，其使用材料也可類似；至於其厚度，除非特別說明否則也與第一實施例類似，文中不再贅述。

如圖3A及3A’所示，提供一成長基板300，依序成長一犧牲層320及一磊晶層340於成長基板300。另一方面，參考圖3B及3B’，提供一支撐基板350，具有一正面350a及一背面350b。支撐基板350具有足夠予以操作的厚度，其材質可為Si、Al₂ O₃ 、金屬、半導體材料、塑膠、陶瓷中至少其一。形成一或數個凹槽351於背面350b上，例如雷射、乾蝕刻或濕蝕刻。注意，於此時點，凹槽351沒有穿透支撐基板350。

參考圖3C及3C’，將支撐基板350之背面350b接合於磊晶層340，以使凹槽351面向磊晶層340。接著，從正面350a移除一部分之支撐基板350(如圖3C之虛線以上部分)，以使凹槽351露出。換言之，移除後凹槽351已露出支撐基板350，故亦可稱為開口351。移除方法可用蝕刻、研磨或其他合適方式。

圖3D及3D’顯示移除一部分之支撐基板350以使凹槽(開口)351露出之結構。於此結構，凹槽351四周的支撐基板部分352係相互連接。然後，以支撐基板350為遮罩，蝕刻磊晶層340以形成磊晶層開口341穿透磊晶層340而露出犧牲層320。圖3E及3E’顯示蝕刻磊晶層340後所形成之結構，其中磊晶層開口341四周的磊晶層部分342皆一體成型地相互連接。

參考圖3E及3E’，選擇性蝕刻犧牲層320而使成長基板300脫離磊晶層340。詳言之，可使用相對於成長基板300、磊晶層340及支撐基板350，選擇性侵蝕犧牲層320之一蝕刻劑，使其經由支撐基板凹槽(開口)351及磊晶層開口341接觸犧牲層320而將其移除，進而使成長基板300脫離磊晶層340，然而，犧牲層320並不以完全被去除為必要，只要其與上下層相接觸之體積或面積削減至足以使成長基板300脫離磊晶層340即可。在此實施例中使用檸檬酸為蝕刻液進行選擇性濕蝕刻。然本發明不排除其他合適的濕蝕刻或乾蝕刻。

圖3F及3F’為犧牲層320移除及成長基板300脫離後之結構示意圖。應注意此結構中只有磊晶層340與支撐基板350上下接合。此結構完全或幾乎不含分立不相連之島狀部分。因此，應可瞭解只要支撐基板350的厚度足夠，即可以此操作磊晶薄膜進行後續各製程步驟。

圖4A及4A’至圖4E及4E’係顯示依據本發明一實施例發光二極體490製作過程中各步驟之剖面圖與上視圖，其中圖4A’至圖4E’為上視圖，圖4A至圖4E為沿圖4A’至圖4E’之線I-I’的剖面圖。相較於圖3之說明，本實施例之主要特點在於支撐基板先形成於一暫時基板上再圖案化；且圖案化支撐基板具有穿透支撐基板的開口。本實施例與前述實施例名稱類似之元件，其使用材料也類似；至於其厚度，除非特別說明否則也與前述實施例類似，文中不再贅述。

如圖4A及4A’所示，提供一成長基板400，依序磊晶成長一犧牲層420及一磊晶層440於成長基板400上。另一方面，如圖4B及4B’所示，提供一暫時基板470並選擇一支撐基板450使其與暫時基板470接合。暫時基板470之材質可為玻璃、金屬、半導體材料、塑膠、陶瓷、或其他合適材料中至少其一。然後，圖案化支撐基板450使其具有一或多個支撐基板開口451穿透支撐基板450，其中支撐基板開口451四周的支撐基板部分452係相互連接。圖案化支撐基板450可用雷射、乾蝕刻、濕蝕刻或切割。支撐基板450與暫時基板470接合之面稱為正面450a，相對正面450a之面為背面450b。

然後，如圖4C及4C’所示，將支撐基板450之背面450b與磊晶層440接合。接著，將暫時基板470移除，使支撐基板開口451露出於正面450a。然後，以支撐基板450為遮罩，蝕刻磊晶層440以形成一或數個磊晶層開口441穿透磊晶層440而露出犧牲層420。蝕刻後之磊晶層440具有與圖案化之支撐基板450相同或相異的圖案亦即可藉由選擇遮罩被蝕刻之區域以形成磊晶層440上之蝕刻圖案。蝕刻磊晶層440後之結構如圖4D及4D’所示。

參考圖4D及4D’，選擇性蝕刻犧牲層420而使成長基板400脫離磊晶層440。詳言之，可使用相對於成長基板400、磊晶層440及支撐基板450，選擇性侵蝕犧牲層420之一蝕刻劑，使其經由複數個支撐基板開口451及磊晶層開口441接觸犧牲層420而將其移除，進而使成長基板400脫離磊晶層440，然而，犧牲層420並不以完全被去除為必要，只要其與上下層相接觸之體積或面積削減至足以使成長基板400脫離磊晶層440即可。在此實施例中使用檸檬酸為蝕刻液進行選擇性濕蝕刻。然本發明不排除其他合適的濕蝕刻或乾蝕刻。

圖4E及4E’為犧牲層420移除及成長基板400脫離後之結構示意圖。應注意此結構中只有磊晶層440與支撐基板450上下接合。此結構完全或幾乎不含分立不相連之島狀部分。因此，應可瞭解只要支撐基板450的厚度足夠，即可以此操作磊晶薄膜進行後續各製程步驟。

圖5A及5A’至圖5E及5E’係顯示依據本發明一實施例發光二極體590製作過程中各步驟之剖面圖與上視圖，其中圖5A’至圖5E’為上視圖，圖5A至圖5E為沿圖5A’至圖5E’之線I-I’的剖面圖。相較於前述實施例，本實施例之主要特點在於沒有使用暫時基板。本實施例與前述實施例名稱類似之元件，其使用材料也類似；至於其厚度，除非特別說明否則也與前述實施例類似，文中不再贅述。

如圖5A及5A’所示，提供一成長基板500，依序磊晶成長一犧牲層520及一磊晶層540於成長基板500上。另一方面，如圖5B及5B’所示，提供一支撐基板550。支撐基板550需有足夠之厚度以便於操作。然後，圖案化支撐基板550使其具有一或數個支撐基板開口551穿透支撐基板550，其中支撐基板開口551四周的支撐基板部分552皆係相互連接。圖案化支撐基板550可用雷射、乾蝕刻或濕蝕刻。

然後，如圖5C及5C’所示，將支撐基板550與磊晶層540接合。接著，以支撐基板550為遮罩，蝕刻磊晶層540以形成一或數個磊晶層開口541穿透磊晶層540而露出犧牲層520。蝕刻後之磊晶層540具有與圖案化之支撐基板550相同或相異的圖案亦即可藉由選擇遮罩被蝕刻之區域以形成磊晶層540上之蝕刻圖案。蝕刻磊晶層540後之結構如圖5D及5D’所示。

參考圖5D及5D’，選擇性蝕刻犧牲層520而使成長基板500脫離磊晶層540。詳言之，可使用相對於成長基板500、磊晶層540及支撐基板550，選擇性侵蝕犧牲層520之一蝕刻劑，使其經由複數個支撐基板開口551及磊晶層開口541接觸犧牲層520而將其移除，進而使成長基板500脫離磊晶層540，然而，犧牲層520並不以完全被去除為必要，只要其與上下層相接觸之體積或面積削減至足以使成長基板500脫離磊晶層540即可。在此實施例中使用檸檬酸為蝕刻液進行選擇性濕蝕刻。然本發明不排除其他合適的濕蝕刻或乾蝕刻。

圖5E及5E’為犧牲層520移除及成長基板500脫離後之結構示意圖。應注意此結構中只有磊晶層540與支撐基板550上下接合。此結構完全或幾乎不含分立不相連之島狀部分。因此，應可瞭解只要支撐基板550的厚度足夠，即可以此操作磊晶薄膜進行後續各製程步驟。

以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。

100,200,300,400,500．．．成長基板

201．．．基板開口

202．．．成長基板部分

120,220,320,420,520．．．犧牲層

221．．．犧牲層開口

222．．．犧牲層部分

140,240,340,440,540．．．磊晶層

190,290,390,490．．．發光二極體

141,141a,141b,141c,241,341,441,541．．．磊晶層開口

142,142a,142b,142c,242,342,442,542．．．磊晶層部分

150．．．支撐層

151．．．支撐層開口

152．．．支撐層部分

160,260．．．承接基板

350,450,550．．．支撐基板

352,452,552．．．支撐基板部分

350a,450a．．．正面

350b,450b．．．背面

351,451,551．．．凹槽，支撐基板開口

470．．．暫時基板

I-I’．．．剖面線

圖1A及1A’至圖1E及1E’係顯示依據本發明一實施例之發光二極體190製作過程中各步驟之剖面圖與上視圖。

圖2A及2A’至圖2D及2D’係顯示依據本發明一實施例之發光二極體290製作過程中各步驟之剖面圖與上視圖。

圖3A及3A’至圖3F及3F’係顯示依據本發明一實施例發光二極體390製作過程中各步驟之剖面圖與上視圖。

圖4A及4A’至圖4E及4E’係顯示依據本發明一實施例發光二極體490製作過程中各步驟之剖面圖與上視圖。

圖5A及5A’至圖5E及5E’係顯示依據本發明一實施例發光二極體590製作過程中各步驟之剖面圖與上視圖。

150．．．支撐層

151．．．支撐層開口

152．．．支撐層部分

I-I’．．．剖面線

Claims (14)

1. 一種發光二極體的形成方法，包含：提供一成長基板，具有一或數個基板開口穿透該成長基板；形成一犧牲層於該成長基板上，該犧牲層具有一或數個犧牲層開口穿透該犧牲層而連通該一或數個基板開口；形成一磊晶層於該犧牲層上，該磊晶層具有一或數個磊晶層開口穿透該磊晶層；提供一承接基板與該磊晶層相接；及選擇性蝕刻該犧牲層而使該成長基板脫離該磊晶層。
2. 如請求項1所述之發光二極體的形成方法，其中該基板開口四周的成長基板係相互連接。
3. 如請求項1所述之發光二極體的形成方法，其中該犧牲層開口四周的犧牲層係相互連接。
4. 如請求項1所述之發光二極體的形成方法，其中該一或數個磊晶層開口至少其一與該一或數犧牲層開口中至少其一相連通。
5. 如請求項1所述之發光二極體的形成方法，其中選擇性蝕刻該犧牲層之該步驟包含使一蝕刻劑經由該一或數個基板開口與該一或數個犧牲層開口接觸該犧牲層。
6. 如請求項5所述之發光二極體的形成方法，其中該成長基板包含氮、鋁、鎵、砷、鋅、矽、氧中至少其一；該犧牲層包含鋁、 砷中至少其一；該承接基板包含玻璃、金屬、半導體材料、塑膠、陶瓷中至少其一；且該蝕刻劑包含檸檬酸。
7. 一種發光二極體的形成方法，包含：提供一成長基板，依序成長一犧牲層及一磊晶層於該成長基板上；提供一支撐基板，該支撐基板具有一正面及一背面，且該背面形成一或數個凹槽；將該支撐基板之該背面接合於該磊晶層；移除該支撐基板之該全部正面以露出該凹槽中至少其一；以該支撐基板為遮罩，蝕刻該磊晶層以形成一或數個磊晶層開口穿透該磊晶層而露出該犧牲層；及選擇性蝕刻該犧牲層而使該成長基板脫離該磊晶層。
8. 如請求項7所述之發光二極體的形成方法，其中選擇性蝕刻該犧牲層之該步驟包含使一蝕刻劑經由該支撐基板開口與該磊晶層開口接觸該犧牲層。
9. 如請求項8所述之發光二極體的形成方法，其中該成長基板之組成元素包含氮、鋁、鎵、砷、鋅、矽、氧中至少其一；該犧牲層之組成元素包含鋁、砷中至少其一；該支撐基板包含Si、Al₂ O₃ 、金屬、半導體材料、塑膠、陶瓷中至少其一；且該蝕刻劑包含檸檬酸。
10. 一種發光二極體的形成方法，包含：提供一成長基板，依序成長一犧牲層及一磊晶層於該成長基板上； 提供一暫時基板；提供一支撐基板，且將該支撐基板與該暫時基板接合；形成一或數個支撐基板開口穿透該支撐基板；將該支撐基板接合於該磊晶層；移除該暫時基板；以該支撐基板為遮罩，蝕刻該磊晶層以形成一或數個磊晶層開口穿透該磊晶層而露出該犧牲層；及選擇性蝕刻該犧牲層而使該成長基板脫離該磊晶層。
11. 如請求項10所述之發光二極體的形成方法，其中提供該支撐基板之該步驟包含使該支撐基板開口四周的支撐基板相互連接。
12. 如請求項10所述之發光二極體的形成方法，其中選擇性蝕刻該犧牲層之該步驟包含使一蝕刻劑經由該支撐基板開口與該磊晶層開口接觸該犧牲層。
13. 如請求項12所述之發光二極體的形成方法，其中該成長基板之組成元素包含氮、鋁、鎵、砷、鋅、矽、氧中至少其一；該犧牲層之組成元素包含鋁、砷中至少其一；該支撐基板包含Si、Al₂ O₃ 、金屬、半導體材料、塑膠、陶瓷中至少其一；且該蝕刻劑包含檸檬酸。
14. 如請求項10所述之發光二極體的形成方法，其中該暫時基板包含玻璃、金屬、半導體材料、塑膠、陶瓷中至少其一。