JP2011091443A - 発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光ダイオードの製造方法は、表裏の関係である第1表面及び第2表面を有し、前記第1表面上に基板が配置された発光エピタキシャル構造を準備する工程と、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面上に金属層を形成する工程と、陽極酸化ステップにより前記金属層を酸化し、金属酸化物層を形成する工程と、エッチングステップにより前記金属酸化物層の一部を除去し、前記金属酸化物層の中に複数のホールを形成する工程と、前記発光エピタキシャル構造に直接接触する金属電極を形成する工程と、を含む。
【選択図】図1D
Description
MQWなどの構造からなってもよい。
続いて、図3E及び図3Fに示すように、積層方式により誘電体層332を形成し、金属酸化物層330と、露出された基板300の表面上とを覆い、発光ダイオード素子の製作を完了する。誘電体層332は、全体の光取り出し効率を向上させるため、酸化ケイ素や窒化ケイ素などからなってもよい。
MQWなどの構造からなってもよい。発光エピタキシャル構造410を形成した後に、フォトリソグラフィ及びエッチング技術により、下方にある第1導電型の半導体層404が露出されるまで第2導電型の半導体層408の一部及び活性層406の一部を除去し、第1導電型の半導体層404に露出部分412を画定する。続いて、透明電極層426を形成して第2導電型の半導体層408上の一部を覆う。その後、スパッタリング法や蒸着法を利用し、図4Aに示すように、第1導電型の半導体層404の露出部分412と、第2導電型の半導体層408の上方にある透明電極層426上とに、電極428、430をそれぞれ形成する。電極428、430は、良好な導電性性能を備える金属電極であることが好ましい。
これにより発光ダイオード素子の光取出面を均一に粗化させることができる。ホール418のサイズ及び間隔は、エッチング液の成分や濃度、エッチングの時間や温度などのパラメータを変えて調整することができる。ホール418のサイズは、約1から1000nmの間である。図4Fに示すように、金属酸化物層416をエッチングすると、ホール434は、均一に分布された状態に形成されるが、金属酸化物層416に完全に貫設された状態ではない。そして、このようなナノスケール・ホールは、基板400の表面における光取り出し効率を向上させることができる。続いて、図4D又は図4Fに示すように、積層方式などにより誘電体層432を形成し、金属酸化物層416及び露出された基板400の表面上を覆う。
MQWなどの構造からなってもよい。
102 発光エピタキシャル構造
104 金属層
106 露出部分
108 金属酸化物層
110 ホール
112 電極
114 電極
116 ホール
200 成長基板
202 発光エピタキシャル構造
204 基板
206 金属層
208 露出部分
210 金属酸化物層
212 ホール
214 電極
216 電極
218 ホール
300 基板
302 バッファ層
304 第1導電型の半導体層
306 活性層
308 第2導電型の半導体層
310 発光エピタキシャル構造
312 露出部分
314 金属層
316 露出部分
318 金属酸化物層
320 ホール
322 電極
324 電極
326 透明電極
328 ホール
330 金属酸化物層
332 誘電体層
400 基板
402 バッファ層
404 第1導電型の半導体層
406 活性層
408 第2導電型の半導体層
410 発光エピタキシャル構造
412 露出部分
414 金属層
416 金属酸化物層
418 ホール
420 サブマウント
422 ボンディングバンプ
424 ボンディングバンプ
426 透明電極層
428 電極
430 電極
432 誘電体層
434 ホール
500 基板
502 第1導電型の半導体層
504 活性層
506 第2導電型の半導体層
508 発光エピタキシャル構造
510 基板
512 露出部分
514 電極
516 電極
518 金属酸化物層
520 ホール
522 透明電極層
524 酸化物層
526 誘電体層
528 サブマウント
530 ボンディングバンプ
532 ボンディングバンプ
Claims (6)
- 発光ダイオードを製造する発光ダイオードの製造方法であって、
表裏の関係である第1表面及び第2表面を有し、前記第1表面上に基板が配置された発光エピタキシャル構造を準備する工程と、
前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面上に金属層を形成する工程と、
陽極酸化ステップにより前記金属層を酸化し、金属酸化物層を形成する工程と、
エッチングステップにより前記金属酸化物層の一部を除去し、前記金属酸化物層の中に複数のホールを形成する工程と、
前記発光エピタキシャル構造に直接接触する金属電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 前記金属層は、Al、Mn、Zn、Ni、Ag又はTiであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記ホールのサイズは、1nmから1000nmの間であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記エッチングステップにおいて、燐酸、蓚酸又は硫酸溶液であるエッチング液を用いることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記ホールは、前記発光エピタキシャル構造の一部を露出することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記金属層の厚さは、1nmから1000nmの間であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
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