JPH0547312A - 蛍光体の下地層およびその製法 - Google Patents
蛍光体の下地層およびその製法Info
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- JPH0547312A JPH0547312A JP20207991A JP20207991A JPH0547312A JP H0547312 A JPH0547312 A JP H0547312A JP 20207991 A JP20207991 A JP 20207991A JP 20207991 A JP20207991 A JP 20207991A JP H0547312 A JPH0547312 A JP H0547312A
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、蛍光体の下地層およびその製法に
関し、基板上に設けた蛍光体薄膜の下地層に、この下地
層の蛍光体薄膜側の表部に複数の凹部を有する反射膜を
設け、または、蛍光体薄膜側に突出した柱上結晶を形成
し、または、下地層に蛍光体薄膜側を向いた金属膜の溝
側壁を有する溝を形成することにより、蛍光体薄膜から
発生する蛍光を反射、または散乱させて、光取出し効果
を大幅に向上でき、かつ簡単な工程により製造できるこ
とを目的とする。 【構成】 基板13上に下地層11を形成し該下地層の表部
上に蛍光18を発生する蛍光体薄膜12を形成可能な蛍光体
の下地層11において、前記下地層は該下地層の表部に蛍
光を蛍光体側に反射する複数の凹面を有す反射膜17を備
えるように構成する。
関し、基板上に設けた蛍光体薄膜の下地層に、この下地
層の蛍光体薄膜側の表部に複数の凹部を有する反射膜を
設け、または、蛍光体薄膜側に突出した柱上結晶を形成
し、または、下地層に蛍光体薄膜側を向いた金属膜の溝
側壁を有する溝を形成することにより、蛍光体薄膜から
発生する蛍光を反射、または散乱させて、光取出し効果
を大幅に向上でき、かつ簡単な工程により製造できるこ
とを目的とする。 【構成】 基板13上に下地層11を形成し該下地層の表部
上に蛍光18を発生する蛍光体薄膜12を形成可能な蛍光体
の下地層11において、前記下地層は該下地層の表部に蛍
光を蛍光体側に反射する複数の凹面を有す反射膜17を備
えるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蛍光体の下地層および
その製法、例えば、ディスプレイ装置や光源等に用いる
蛍光体の下地層およびその製造に関する。
その製法、例えば、ディスプレイ装置や光源等に用いる
蛍光体の下地層およびその製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の蛍光体の下地層の製法としては、
例えば、特開昭５７−１５７４３８号公報および特開昭
６３−６２１３５号公報に記載されたようなものがあ
る。前者は、高分解能及び高光出力の蛍光面を得るため
に、ガラス基地の表面に規則的な凹凸パターンを有する
溝を形成したものであり、この凹凸はガラス基板をフォ
トエッチングして形成している。
例えば、特開昭５７−１５７４３８号公報および特開昭
６３−６２１３５号公報に記載されたようなものがあ
る。前者は、高分解能及び高光出力の蛍光面を得るため
に、ガラス基地の表面に規則的な凹凸パターンを有する
溝を形成したものであり、この凹凸はガラス基板をフォ
トエッチングして形成している。
【０００３】また、後者は、図７（ａ）に示すように、
粗面加工したガラス基板２の上に、その面粗さよりも薄
い薄膜蛍光体３を配向性が低くなる方法で形成したもの
である。この粗面加工はサンドブラスト＃100 〜1000で
行い、この上に蛍光体の成膜を化学気相成長法により行
ったものである。このようなガラス基板の表面に凹凸パ
ターンを形成して面粗さを粗くするのは、図７（ｂ）に
示すように、平滑なガラス基板２上に薄膜蛍光体３が形
成された場合、電子線６が入射し、薄膜蛍光体３内の発
光点Ｐにより発光した光７が膜表面３ａでの光の臨界角
θ0 以上の入射角θで入射した場合は、光７は全反射を
起こして薄膜蛍光体３内にとじ込められてしまうからで
あり、それを防止するために、界面３ａの面粗さを粗く
したり、凹凸を形成し、光の膜外への発光を増加したも
のである。
粗面加工したガラス基板２の上に、その面粗さよりも薄
い薄膜蛍光体３を配向性が低くなる方法で形成したもの
である。この粗面加工はサンドブラスト＃100 〜1000で
行い、この上に蛍光体の成膜を化学気相成長法により行
ったものである。このようなガラス基板の表面に凹凸パ
ターンを形成して面粗さを粗くするのは、図７（ｂ）に
示すように、平滑なガラス基板２上に薄膜蛍光体３が形
成された場合、電子線６が入射し、薄膜蛍光体３内の発
光点Ｐにより発光した光７が膜表面３ａでの光の臨界角
θ0 以上の入射角θで入射した場合は、光７は全反射を
起こして薄膜蛍光体３内にとじ込められてしまうからで
あり、それを防止するために、界面３ａの面粗さを粗く
したり、凹凸を形成し、光の膜外への発光を増加したも
のである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の蛍光体の下地層にあっては、前者の場合、ガ
ラス基板をフォトエッチングにより凹凸を形成し、すな
わち規則的な溝を形成するので、フォトレジストの塗
布、シャドウマスクを通して露光、フォトエッチング、
フォトレレジストの除去等と、工程が複雑で手間がかか
るという問題点がある。
うな従来の蛍光体の下地層にあっては、前者の場合、ガ
ラス基板をフォトエッチングにより凹凸を形成し、すな
わち規則的な溝を形成するので、フォトレジストの塗
布、シャドウマスクを通して露光、フォトエッチング、
フォトレレジストの除去等と、工程が複雑で手間がかか
るという問題点がある。
【０００５】また、後者の場合、ガラス基板の表面を粗
面にするのに、基板表面を情浄にした後、特定の粒子径
を有する微粒子サンド＃100 〜1000を吹付け加工し、さ
らに情浄化処理しなければならず処理工程が複雑になる
という問題点がある。そこで本発明は、基板上に設けた
蛍光体薄膜の下地層に、この下地層の蛍光体薄膜側の表
部に複数の凹部を有する反射膜を設け、または、下地層
にアルミニウム膜からなり、蛍光体薄膜側に突出した柱
上結晶を形成し、さらに、下地層に蛍光体薄膜側を向い
た金属膜の溝側壁を有する溝を形成することにより、蛍
光体薄膜から発生する蛍光を反射、または散乱させて、
光取出し効率を大幅に向上できる蛍光体の下地層を提供
し、かつ、これらの反射膜の凹部が十分大きく、簡単な
工程により製造でき、さらにまたアルミニウム膜の柱上
結晶が簡単な工程により容易にでき、さらにまた、金属
膜の外方を向いた傾斜した傾斜溝を有する溝がフォトプ
ロセスにより容易に、かつ基板の材質によらずに製造で
きる蛍光体の下地層の製法を提供することを目的とす
る。
面にするのに、基板表面を情浄にした後、特定の粒子径
を有する微粒子サンド＃100 〜1000を吹付け加工し、さ
らに情浄化処理しなければならず処理工程が複雑になる
という問題点がある。そこで本発明は、基板上に設けた
蛍光体薄膜の下地層に、この下地層の蛍光体薄膜側の表
部に複数の凹部を有する反射膜を設け、または、下地層
にアルミニウム膜からなり、蛍光体薄膜側に突出した柱
上結晶を形成し、さらに、下地層に蛍光体薄膜側を向い
た金属膜の溝側壁を有する溝を形成することにより、蛍
光体薄膜から発生する蛍光を反射、または散乱させて、
光取出し効率を大幅に向上できる蛍光体の下地層を提供
し、かつ、これらの反射膜の凹部が十分大きく、簡単な
工程により製造でき、さらにまたアルミニウム膜の柱上
結晶が簡単な工程により容易にでき、さらにまた、金属
膜の外方を向いた傾斜した傾斜溝を有する溝がフォトプ
ロセスにより容易に、かつ基板の材質によらずに製造で
きる蛍光体の下地層の製法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１は、蛍
光体の下地層として、基板上に下地層を形成し該下地層
の表部上に蛍光を発生する蛍光体薄膜を形成可能な蛍光
体の下地層において、前記下地層は該下地層の表部に蛍
光を蛍光体側に反射する複数の凹面を有する反射膜を備
えていることを特徴とし、また、本発明の請求項２は、
請求項１に記載の蛍光体の下地層において、前記下地層
は、前記表部にアルミニユウムの陽極酸化被膜と、該陽
極酸化被膜上に形成されたアルミニウムからなる複数の
凹面を有する反射膜と、を備えたことを特徴とし、ま
た、本発明の請求項３は、蛍光体の下地層の製法とし
て、真空内において基板上にアルミニウム膜を形成した
アルミ成膜基板をつくる工程と、前記アルミ成膜基板を
陽極酸化処理し表部に複数の小凹部を有する陽極酸化被
膜を形成する工程と、前記陽極酸化被膜をエッチングし
て前記小凹部から該小凹部より大きい開口を有する大凹
部を形成する工程と、前記陽極酸化被膜の大凹部の凹面
上をアルミニウム膜で被覆した反射膜を形成する工程
と、を備え、前記反射膜を有する下地層上に蛍光体薄膜
を形成可能にすることを特徴とし、また、本発明の請求
項４は、蛍光体の下地層として、基板上に下地層を形成
し、該下地層の表部上に蛍光を発生する蛍光体薄膜を形
成可能な蛍光体の下地層において、前記下地層は前記表
部に前記蛍光体薄膜側に突出し柱上に成長した複数の柱
状結晶を有する金属膜層からなることを特徴とし、ま
た、本発明の請求項５は、請求項４記載の蛍光体の下地
層の製法として、真空内において基板の温度を摂氏200
度以上に保持するとともに前記基板上に毎秒10Å以下の
成膜速度で金属膜を形成し、前記基板上をほぼ全面に金
属膜が成膜された後、金属膜の上側に複数の柱状結晶が
成長し柱状に突出すると成膜を終了することを特徴と
し、また、本発明の請求項６は、蛍光体の下地層とし
て、基板上に下地層を形成し、該下地層の表部上に蛍光
を発生する蛍光体薄膜を形成可能な蛍光体の下地層にお
いて、前記下地層は、金属膜から形成され該金属膜の蛍
光体薄膜側の表部に金属膜の外方を向いて傾斜した傾斜
溝壁を有する溝を備えることを特徴とし、また、本発明
の請求項７は、請求項６記載の蛍光体の下地層の製法と
して、基板上に金属膜層を形成する工程と、該金属膜層
上にフォトレジストを塗布し、露光・現像を行う工程
と、基板上に金属膜の一部を残すようハーフエッチング
をする工程と、前記フォトレジストを除去し金属膜層の
上部に溝を形成する工程と、を備え、該溝内に蛍光体薄
膜を形成可能にすることを特徴としている。
光体の下地層として、基板上に下地層を形成し該下地層
の表部上に蛍光を発生する蛍光体薄膜を形成可能な蛍光
体の下地層において、前記下地層は該下地層の表部に蛍
光を蛍光体側に反射する複数の凹面を有する反射膜を備
えていることを特徴とし、また、本発明の請求項２は、
請求項１に記載の蛍光体の下地層において、前記下地層
は、前記表部にアルミニユウムの陽極酸化被膜と、該陽
極酸化被膜上に形成されたアルミニウムからなる複数の
凹面を有する反射膜と、を備えたことを特徴とし、ま
た、本発明の請求項３は、蛍光体の下地層の製法とし
て、真空内において基板上にアルミニウム膜を形成した
アルミ成膜基板をつくる工程と、前記アルミ成膜基板を
陽極酸化処理し表部に複数の小凹部を有する陽極酸化被
膜を形成する工程と、前記陽極酸化被膜をエッチングし
て前記小凹部から該小凹部より大きい開口を有する大凹
部を形成する工程と、前記陽極酸化被膜の大凹部の凹面
上をアルミニウム膜で被覆した反射膜を形成する工程
と、を備え、前記反射膜を有する下地層上に蛍光体薄膜
を形成可能にすることを特徴とし、また、本発明の請求
項４は、蛍光体の下地層として、基板上に下地層を形成
し、該下地層の表部上に蛍光を発生する蛍光体薄膜を形
成可能な蛍光体の下地層において、前記下地層は前記表
部に前記蛍光体薄膜側に突出し柱上に成長した複数の柱
状結晶を有する金属膜層からなることを特徴とし、ま
た、本発明の請求項５は、請求項４記載の蛍光体の下地
層の製法として、真空内において基板の温度を摂氏200
度以上に保持するとともに前記基板上に毎秒10Å以下の
成膜速度で金属膜を形成し、前記基板上をほぼ全面に金
属膜が成膜された後、金属膜の上側に複数の柱状結晶が
成長し柱状に突出すると成膜を終了することを特徴と
し、また、本発明の請求項６は、蛍光体の下地層とし
て、基板上に下地層を形成し、該下地層の表部上に蛍光
を発生する蛍光体薄膜を形成可能な蛍光体の下地層にお
いて、前記下地層は、金属膜から形成され該金属膜の蛍
光体薄膜側の表部に金属膜の外方を向いて傾斜した傾斜
溝壁を有する溝を備えることを特徴とし、また、本発明
の請求項７は、請求項６記載の蛍光体の下地層の製法と
して、基板上に金属膜層を形成する工程と、該金属膜層
上にフォトレジストを塗布し、露光・現像を行う工程
と、基板上に金属膜の一部を残すようハーフエッチング
をする工程と、前記フォトレジストを除去し金属膜層の
上部に溝を形成する工程と、を備え、該溝内に蛍光体薄
膜を形成可能にすることを特徴としている。
【０００７】
【作用】本発明の請求項１では、蛍光体薄膜から発生し
た蛍光が蛍光体薄膜の薄膜表面で臨界角θ0 以上で入射
し全反射した後、反射膜の凹面に入射すると、凹面が薄
膜表面に対して弯曲しているので、蛍光は反射膜の凹面
で薄膜表面に対する入射角を大きく変更するように反射
し、かつ一部散乱する。また、反射膜の凹面は複数形成
しているので、蛍光は凹面で多数回反射および散乱を操
返し、薄膜表面に対する入射角が臨界角θ0 以下になる
ように大きく変更する。
た蛍光が蛍光体薄膜の薄膜表面で臨界角θ0 以上で入射
し全反射した後、反射膜の凹面に入射すると、凹面が薄
膜表面に対して弯曲しているので、蛍光は反射膜の凹面
で薄膜表面に対する入射角を大きく変更するように反射
し、かつ一部散乱する。また、反射膜の凹面は複数形成
しているので、蛍光は凹面で多数回反射および散乱を操
返し、薄膜表面に対する入射角が臨界角θ0 以下になる
ように大きく変更する。
【０００８】本発明の請求項２では、反射膜がアルミニ
ウムからなり反射効率がよいので、反射膜の凹面に入射
した蛍光は、さらに効率よく反射および散乱され、かつ
反射および散乱を操返すとともに薄膜表面に対する入射
角が臨界角θ0 以下になるように大きく変更する。本発
明の請求項３では、請求項１記載の下地層の反射膜の凹
面を製造するのに、アルミニウム成膜基板を陽極酸化処
理し小凹部有する陽極酸化被膜を形成している。これ
は、従来のフォトエッチングにより規則的な凹凸を形成
する場合に比例し、フォトレジストの塗布、露光、フォ
トエッチング、フォトレジストの除去等の工程が不要で
凹部形成が簡単な工程となる。
ウムからなり反射効率がよいので、反射膜の凹面に入射
した蛍光は、さらに効率よく反射および散乱され、かつ
反射および散乱を操返すとともに薄膜表面に対する入射
角が臨界角θ0 以下になるように大きく変更する。本発
明の請求項３では、請求項１記載の下地層の反射膜の凹
面を製造するのに、アルミニウム成膜基板を陽極酸化処
理し小凹部有する陽極酸化被膜を形成している。これ
は、従来のフォトエッチングにより規則的な凹凸を形成
する場合に比例し、フォトレジストの塗布、露光、フォ
トエッチング、フォトレジストの除去等の工程が不要で
凹部形成が簡単な工程となる。
【０００９】本発明の請求項４では、蛍光体薄膜から発
生した蛍光が直接に柱状結晶に、または、薄膜表面で全
反射した後、柱状結晶に当たると、柱状結晶は柱状に不
規則に成長し突出した金属膜層であるので、蛍光は不規
則な方向を向いた結晶面に当てて反射および散乱を操返
し、薄膜表面に値する入射角が臨界角θ0 以下になるよ
うに大きく変更する。また、蛍光は金属の柱状結晶面で
反射するので、反射効率が従来のガラスより大きい。
生した蛍光が直接に柱状結晶に、または、薄膜表面で全
反射した後、柱状結晶に当たると、柱状結晶は柱状に不
規則に成長し突出した金属膜層であるので、蛍光は不規
則な方向を向いた結晶面に当てて反射および散乱を操返
し、薄膜表面に値する入射角が臨界角θ0 以下になるよ
うに大きく変更する。また、蛍光は金属の柱状結晶面で
反射するので、反射効率が従来のガラスより大きい。
【００１０】本発明の請求項５では、請求項４記載の金
属膜の柱状結晶を製造するのに、真空内で、基板を200
℃以上に保持し、成膜速度を低くして、直接スパッタ等
により形成できるので、従来のガラス基板にフォトエッ
チングにより規則的な凹凸を形成したり、ガラス基板の
表面を粗面にするのに対して大幅に簡単な工程ででき
る。
属膜の柱状結晶を製造するのに、真空内で、基板を200
℃以上に保持し、成膜速度を低くして、直接スパッタ等
により形成できるので、従来のガラス基板にフォトエッ
チングにより規則的な凹凸を形成したり、ガラス基板の
表面を粗面にするのに対して大幅に簡単な工程ででき
る。
【００１１】本発明の請求項６では、蛍光体薄膜から発
生した蛍光が、直接にまたは全反射した後、下地層を形
成する金属膜の溝の溝底および傾斜した傾斜溝壁に当た
ると、傾斜溝壁が金属膜の外方を向いているので、蛍光
は傾斜溝壁面で反射または散乱するうちに臨界角θ0 以
下となり外方に放出される。また、傾斜溝壁が金属膜で
あるので、蛍光の反射効率は優れている。
生した蛍光が、直接にまたは全反射した後、下地層を形
成する金属膜の溝の溝底および傾斜した傾斜溝壁に当た
ると、傾斜溝壁が金属膜の外方を向いているので、蛍光
は傾斜溝壁面で反射または散乱するうちに臨界角θ0 以
下となり外方に放出される。また、傾斜溝壁が金属膜で
あるので、蛍光の反射効率は優れている。
【００１２】本発明の請求項７では、請求項６記載の溝
を製造するのに、金属膜層にフォトプロセスにより、実
施するので基板の材質によらずに使用することができ
る。
を製造するのに、金属膜層にフォトプロセスにより、実
施するので基板の材質によらずに使用することができ
る。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。図１は本発明の請求項１、２に係る蛍光体の下地層
の一実施例を示す図である。まず、構成について説明す
る。図１において、11は蛍光体薄膜12の下地層であり、
下地層11は蛍光体薄膜12の下地としてガラス基板13例え
ば、コーニング社製＃7059の上に形成されている。下地
層11はガラス基板13上に形成されたアルミニウム膜15
と、アルミニウム膜15の上部で下地層11の表部11ａを形
成する複数の凹面16ａを有する陽極酸化被膜16と、アル
ミニウムからなり、陽極酸化被膜16の凹面16ａの形状に
沿ってほぼ均一な厚さを有し陽極酸化被膜16上を覆い、
すなわち蛍光体薄膜12側に向って半球面状の凹面17ａを
形成する反射膜17と、を有している。反射膜17および陽
極酸化被膜16は下地層11の表部11ａを形成している。下
地層11の表部11ａ上には蛍光18を発生する蛍光体薄膜12
が形成される。反射膜17は蛍光体薄膜12側を向いた直径
0.3 〜１μｍの開口を形成する多数の凹面17ａを有して
おり、電子線19の照射により蛍光体薄膜12内で発生する
蛍光18が蛍光体薄膜12内で全反射および散乱する内に反
射膜17の凹面17ａに入射すると、入射した蛍光18を蛍光
体薄膜12側に反射し、さらに蛍光体薄膜12の表面12ａで
の入射角を臨界角度以下になるようにして、真空20側に
放出できるようになっている。
る。図１は本発明の請求項１、２に係る蛍光体の下地層
の一実施例を示す図である。まず、構成について説明す
る。図１において、11は蛍光体薄膜12の下地層であり、
下地層11は蛍光体薄膜12の下地としてガラス基板13例え
ば、コーニング社製＃7059の上に形成されている。下地
層11はガラス基板13上に形成されたアルミニウム膜15
と、アルミニウム膜15の上部で下地層11の表部11ａを形
成する複数の凹面16ａを有する陽極酸化被膜16と、アル
ミニウムからなり、陽極酸化被膜16の凹面16ａの形状に
沿ってほぼ均一な厚さを有し陽極酸化被膜16上を覆い、
すなわち蛍光体薄膜12側に向って半球面状の凹面17ａを
形成する反射膜17と、を有している。反射膜17および陽
極酸化被膜16は下地層11の表部11ａを形成している。下
地層11の表部11ａ上には蛍光18を発生する蛍光体薄膜12
が形成される。反射膜17は蛍光体薄膜12側を向いた直径
0.3 〜１μｍの開口を形成する多数の凹面17ａを有して
おり、電子線19の照射により蛍光体薄膜12内で発生する
蛍光18が蛍光体薄膜12内で全反射および散乱する内に反
射膜17の凹面17ａに入射すると、入射した蛍光18を蛍光
体薄膜12側に反射し、さらに蛍光体薄膜12の表面12ａで
の入射角を臨界角度以下になるようにして、真空20側に
放出できるようになっている。
【００１４】次に、本発明の請求項３に係る蛍光体の下
地層の製法、すなわち下地層11の表部11ａに凹面17ａを
有する反射膜17を形成する形成方法につき図２に示す工
程により説明する。まず、図２（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに、真空内においてガラス基板13上、例えば、コーニ
ング社製＃7059上に、通常の真空蒸着法、スパッタ法、
イオンプレーティング法などの真空成膜法により、アル
ミニウム膜15Ａを10〜20μｍの厚さに形成したアルミ成
膜基板22をつくる。次いで、下記の陽極酸化条件で、ア
ルミニウム膜15Ａを通常の陽極酸化処理を行う。
地層の製法、すなわち下地層11の表部11ａに凹面17ａを
有する反射膜17を形成する形成方法につき図２に示す工
程により説明する。まず、図２（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに、真空内においてガラス基板13上、例えば、コーニ
ング社製＃7059上に、通常の真空蒸着法、スパッタ法、
イオンプレーティング法などの真空成膜法により、アル
ミニウム膜15Ａを10〜20μｍの厚さに形成したアルミ成
膜基板22をつくる。次いで、下記の陽極酸化条件で、ア
ルミニウム膜15Ａを通常の陽極酸化処理を行う。
【００１５】すなわち、温度10〜20℃で濃度0.2 〜0.6
モル／リットルの燐酸溶液内で、アルミニウム膜15Ａを
陽極とし、白金電極を陰極として60〜280 Ｖの直流電圧
を10〜30分間印加しながら陽極酸化処理を行う。 （陽極酸化条件） （ａ）処理液：燐酸溶液（燐酸濃度は0.2 〜0.6 モル／
リットルである。） （ｂ）温度： 10〜20℃ （ｃ）電圧： 60〜280 Ｖ （ｄ）時間： 10〜30分 アルミ成膜基板22の表部には図２（ｃ）に示すような、
半球面状の多数の小凹部である小孔23を有する陽極酸化
被膜16Ａが形成される。小孔23の直径は0.1 〜0.3 μ
ｍ，一つのセル24の大きさは直径0.3 〜１μｍで、深さ
が約５μｍである。陽極酸化の処理溶液として硫酸溶液
等もあるが、硫酸溶液では、一つのセルのサイズは0.03
μｍ程度であり、かつ、このあとに行う被膜のエッチン
グの時に膜面が平坦化してしまい凹面の効果が出ない。
モル／リットルの燐酸溶液内で、アルミニウム膜15Ａを
陽極とし、白金電極を陰極として60〜280 Ｖの直流電圧
を10〜30分間印加しながら陽極酸化処理を行う。 （陽極酸化条件） （ａ）処理液：燐酸溶液（燐酸濃度は0.2 〜0.6 モル／
リットルである。） （ｂ）温度： 10〜20℃ （ｃ）電圧： 60〜280 Ｖ （ｄ）時間： 10〜30分 アルミ成膜基板22の表部には図２（ｃ）に示すような、
半球面状の多数の小凹部である小孔23を有する陽極酸化
被膜16Ａが形成される。小孔23の直径は0.1 〜0.3 μ
ｍ，一つのセル24の大きさは直径0.3 〜１μｍで、深さ
が約５μｍである。陽極酸化の処理溶液として硫酸溶液
等もあるが、硫酸溶液では、一つのセルのサイズは0.03
μｍ程度であり、かつ、このあとに行う被膜のエッチン
グの時に膜面が平坦化してしまい凹面の効果が出ない。
【００１６】次いで、陽極酸化被膜16Ａは塩酸、硫酸、
硝酸等でエッチングを行う。エッチングは小孔23を中心
として進行し、小孔23から小孔23より大きい直径0.3 〜
１μｍの開口を有する大凹部である大穴25を有する陽極
酸化被膜16ができる。このとき、陽極酸化被膜16の大穴
25の深さは約５μｍである。さらに、陽極酸化被膜16の
大穴25の凹面16上を真空蒸着法、スパッタ法、イオンプ
レーティング法等の通常の真空成膜法により、アルミニ
ウムからなる反射膜17を厚さ50〜500 μｍに形成し、図
２（ｅ）に示す下地層11を完成する。蛍光体薄膜12はこ
の下地層11の上に形成される。
硝酸等でエッチングを行う。エッチングは小孔23を中心
として進行し、小孔23から小孔23より大きい直径0.3 〜
１μｍの開口を有する大凹部である大穴25を有する陽極
酸化被膜16ができる。このとき、陽極酸化被膜16の大穴
25の深さは約５μｍである。さらに、陽極酸化被膜16の
大穴25の凹面16上を真空蒸着法、スパッタ法、イオンプ
レーティング法等の通常の真空成膜法により、アルミニ
ウムからなる反射膜17を厚さ50〜500 μｍに形成し、図
２（ｅ）に示す下地層11を完成する。蛍光体薄膜12はこ
の下地層11の上に形成される。
【００１７】次に、作用について説明する。本発明で
は、真空20側から蛍光体薄膜12内に入射した電子線19に
より蛍光体薄膜12内の発光点Ｐで蛍光18が発生し、蛍光
18が蛍光体薄膜12と真空20側の薄膜表面12ａで臨界角θ
0 以上で入射し、全反射されても、全反射した蛍光18が
反射膜17の凹面17ａに当ると、凹面17ａが薄膜面12ａに
対して弯曲しているので、凹面17ａにより反射した蛍光
18の薄膜面12ａへの入射角θは大きく変化し、反射散乱
される。反射した蛍光18は臨界角θ0 以下となり、薄膜
面12ａで屈折して蛍光体薄膜12外に放出される。このと
き蛍光18の薄膜面12ａへの入射角θがたとえ、臨界角θ
0 以下であっても薄膜面12ａおよび凹面17ａとの反射・
散乱を操返すうちに蛍光18は薄膜面12ａへの入射角θが
臨界角θ0 以下となり、殆ど蛍光体薄膜12外に放出され
る。このため、蛍光体薄膜12内の蛍光18の蛍光体薄膜12
外への取出し効率は大幅に向上し、蛍光輝度が増加す
る。
は、真空20側から蛍光体薄膜12内に入射した電子線19に
より蛍光体薄膜12内の発光点Ｐで蛍光18が発生し、蛍光
18が蛍光体薄膜12と真空20側の薄膜表面12ａで臨界角θ
0 以上で入射し、全反射されても、全反射した蛍光18が
反射膜17の凹面17ａに当ると、凹面17ａが薄膜面12ａに
対して弯曲しているので、凹面17ａにより反射した蛍光
18の薄膜面12ａへの入射角θは大きく変化し、反射散乱
される。反射した蛍光18は臨界角θ0 以下となり、薄膜
面12ａで屈折して蛍光体薄膜12外に放出される。このと
き蛍光18の薄膜面12ａへの入射角θがたとえ、臨界角θ
0 以下であっても薄膜面12ａおよび凹面17ａとの反射・
散乱を操返すうちに蛍光18は薄膜面12ａへの入射角θが
臨界角θ0 以下となり、殆ど蛍光体薄膜12外に放出され
る。このため、蛍光体薄膜12内の蛍光18の蛍光体薄膜12
外への取出し効率は大幅に向上し、蛍光輝度が増加す
る。
【００１８】また、本発明の請求項２では、反射膜17の
凹面17ａがアルミニウムからなるので、凹面17ａに入射
した蛍光18の反射効率が高くなる。このため、蛍光体薄
膜12から取出される蛍光18の取出し効率はさらに向上
し、蛍光輝度はさらに増加する。本発明の請求項３で
は、反射膜17の凹面17ａの形成が陽極酸化処理により陽
極酸化被膜が形成されているので、従来のフォトエッチ
ングによる場合に対して、フォトレジストの塗布、露
光、フォトエッチング、フォトレジストの除去等の工程
がなく、成膜工程が大幅に簡素化でき、製造コストが低
減できる。また、陽極酸化処理に燐酸溶液を用いている
ので、一つのセルサイズが硫酸溶液など他の溶液の場合
に比較して大きくできるため、エッチング時の平坦化も
起こらず、大穴25の開口直径が大きい凹面17ａが容易に
形成できる。
凹面17ａがアルミニウムからなるので、凹面17ａに入射
した蛍光18の反射効率が高くなる。このため、蛍光体薄
膜12から取出される蛍光18の取出し効率はさらに向上
し、蛍光輝度はさらに増加する。本発明の請求項３で
は、反射膜17の凹面17ａの形成が陽極酸化処理により陽
極酸化被膜が形成されているので、従来のフォトエッチ
ングによる場合に対して、フォトレジストの塗布、露
光、フォトエッチング、フォトレジストの除去等の工程
がなく、成膜工程が大幅に簡素化でき、製造コストが低
減できる。また、陽極酸化処理に燐酸溶液を用いている
ので、一つのセルサイズが硫酸溶液など他の溶液の場合
に比較して大きくできるため、エッチング時の平坦化も
起こらず、大穴25の開口直径が大きい凹面17ａが容易に
形成できる。
【００１９】図３、４は本発明の請求項４に係る蛍光体
の下地層の一実施例を示す図であり、図１、２に示すも
のと同じ構成には同じ符号をつける。図３において、31
は蛍光体薄膜12の下地層であり、下地層31は蛍光体薄膜
12の下地としてガラス基板13上に形成されている。下地
層31はアルミニウムからなりガラス基板13上をほぼ全面
にわたって覆った金属層であるアルミニウム膜33と、ア
ルミニウム膜33から蛍光体薄膜12側に向かって柱状に不
規則に成長した多数の柱状結晶35と、を有している。す
なわち、下地層31は下地層31の表部31ａに蛍光体薄膜12
側に突出した多数の柱状結晶35を有するアルミニウム金
属膜層である。下地層31の表面粗さはＲmax 70.3ｎｍで
従来のものの32.8ｎｍに対し２倍以上の表面の粗さを有
している。下地層31の表面粗さはＲmax 40ｎｍ以上が好
ましい。40ｎｍ未満では蛍光の取出し効率が低くなり過
ぎる。
の下地層の一実施例を示す図であり、図１、２に示すも
のと同じ構成には同じ符号をつける。図３において、31
は蛍光体薄膜12の下地層であり、下地層31は蛍光体薄膜
12の下地としてガラス基板13上に形成されている。下地
層31はアルミニウムからなりガラス基板13上をほぼ全面
にわたって覆った金属層であるアルミニウム膜33と、ア
ルミニウム膜33から蛍光体薄膜12側に向かって柱状に不
規則に成長した多数の柱状結晶35と、を有している。す
なわち、下地層31は下地層31の表部31ａに蛍光体薄膜12
側に突出した多数の柱状結晶35を有するアルミニウム金
属膜層である。下地層31の表面粗さはＲmax 70.3ｎｍで
従来のものの32.8ｎｍに対し２倍以上の表面の粗さを有
している。下地層31の表面粗さはＲmax 40ｎｍ以上が好
ましい。40ｎｍ未満では蛍光の取出し効率が低くなり過
ぎる。
【００２０】また、本発明の請求項５に係るガラス基板
13上に蛍光体の下地層31を製造するには、真空蒸着法、
スパッタ法、およびスプレー法などの一般的な膜形成法
でよい。以下、アルミニウム膜のスパッタ法につき説明
する。真空度２×10-3〜２×10-2Ｔｏｒｒの真空容器中
にスパッタガスとしてアルゴンガスを導入し、この真空
容器中に、ガラス基板13を陽極として温度200 ℃以上に
加熱保持するとともに、陰極ターゲットとして高純度ア
ルミニウム板を用い、二極間に直流高圧をかけてグロー
放電を起こさせる。アルゴンイオンが陰極のアルミニウ
ム板に衝突してアルミニウム原子をたたき出し、これが
ガラス基板13上に付着し成膜する。ガラス基板13上に毎
秒10Å以下の成膜速度で金属膜層であるアルミニウム膜
33が形成するようになされている。この場合アルミニウ
ム膜33の成膜速度が毎秒10Å以下とおそいので、アルミ
ニウム結晶は柱状で大きい結晶で形成される。アルミニ
ウム膜の成膜は、ガラス基板13上にほぼ全面にアルミニ
ウム結晶が成膜されアルミニウム膜33を形成するととも
に、さらにアルミニウム膜33の上側に大きな多数の柱状
結晶35が成長する。柱状に突出した柱状結晶35が形成さ
れると成膜を終了する。ガラス基板13上には図４（ａ）
に示す顕微鏡写真の模式図のように、下地層31として、
アルミニウムの大きい柱状結晶がガラス基板13上に突出
して形成される。図４（ｂ）に示す顕微鏡写真の模式図
はガラス基板13の温度は同じで成膜速度を図４（ａ）の
場合の倍の速度にした場合であり、ガラス基板13上に細
かい柱状結晶が形成されている。
13上に蛍光体の下地層31を製造するには、真空蒸着法、
スパッタ法、およびスプレー法などの一般的な膜形成法
でよい。以下、アルミニウム膜のスパッタ法につき説明
する。真空度２×10-3〜２×10-2Ｔｏｒｒの真空容器中
にスパッタガスとしてアルゴンガスを導入し、この真空
容器中に、ガラス基板13を陽極として温度200 ℃以上に
加熱保持するとともに、陰極ターゲットとして高純度ア
ルミニウム板を用い、二極間に直流高圧をかけてグロー
放電を起こさせる。アルゴンイオンが陰極のアルミニウ
ム板に衝突してアルミニウム原子をたたき出し、これが
ガラス基板13上に付着し成膜する。ガラス基板13上に毎
秒10Å以下の成膜速度で金属膜層であるアルミニウム膜
33が形成するようになされている。この場合アルミニウ
ム膜33の成膜速度が毎秒10Å以下とおそいので、アルミ
ニウム結晶は柱状で大きい結晶で形成される。アルミニ
ウム膜の成膜は、ガラス基板13上にほぼ全面にアルミニ
ウム結晶が成膜されアルミニウム膜33を形成するととも
に、さらにアルミニウム膜33の上側に大きな多数の柱状
結晶35が成長する。柱状に突出した柱状結晶35が形成さ
れると成膜を終了する。ガラス基板13上には図４（ａ）
に示す顕微鏡写真の模式図のように、下地層31として、
アルミニウムの大きい柱状結晶がガラス基板13上に突出
して形成される。図４（ｂ）に示す顕微鏡写真の模式図
はガラス基板13の温度は同じで成膜速度を図４（ａ）の
場合の倍の速度にした場合であり、ガラス基板13上に細
かい柱状結晶が形成されている。
【００２１】ガラス基板13上には蛍光体薄膜12が成膜さ
れる。次に、作用について説明する。下地層31ではアル
ミニウム膜33およびアルミニウム膜33からさらに成長し
た柱状結晶35はアルミニウム金属であり、これらの表面
33a および表面35a は蛍光18の反射効率は高く、かつ柱
状結晶35が不規則に蛍光体薄膜12側に突出し、柱状結晶
35の表面35a は蛍光体薄膜12の表面12ａとは大きく傾斜
しているので、図２（ｂ）に示すように、蛍光体薄膜12
内で発生した蛍光18が表面12ａで全反射されても、全反
射された蛍光18が傾斜した表面35a で反射され、表面12
ａへの入射角θを大きく変えて臨界角θ0 以下となり、
表面12ａで屈折して蛍光体薄膜12外に放出される。柱状
結晶35の表面35a および表面12ａで全反射するのがあっ
ても、表面35a および表面33a で反射および散乱を繰返
すうちに、表面12ａでの入射角θが臨界角θ0 以下とな
り蛍光体薄膜12外に放出される。
れる。次に、作用について説明する。下地層31ではアル
ミニウム膜33およびアルミニウム膜33からさらに成長し
た柱状結晶35はアルミニウム金属であり、これらの表面
33a および表面35a は蛍光18の反射効率は高く、かつ柱
状結晶35が不規則に蛍光体薄膜12側に突出し、柱状結晶
35の表面35a は蛍光体薄膜12の表面12ａとは大きく傾斜
しているので、図２（ｂ）に示すように、蛍光体薄膜12
内で発生した蛍光18が表面12ａで全反射されても、全反
射された蛍光18が傾斜した表面35a で反射され、表面12
ａへの入射角θを大きく変えて臨界角θ0 以下となり、
表面12ａで屈折して蛍光体薄膜12外に放出される。柱状
結晶35の表面35a および表面12ａで全反射するのがあっ
ても、表面35a および表面33a で反射および散乱を繰返
すうちに、表面12ａでの入射角θが臨界角θ0 以下とな
り蛍光体薄膜12外に放出される。
【００２２】また、表面33a および表面35a はアルミニ
ウム金属膜であるので、蛍光18の反射効率は高く蛍光体
薄膜12から取出される蛍光18の取出し効率は大きい。ま
た、ガラス基板13上に表部に柱状結晶35を有する下地層
31を成膜するのは、スパッタ法等で容易に形成すること
ができるので、従来のようにガラス基板13上にフォトエ
ッチングにより規則的な凹凸を形成したり、ガラス基板
13を粗面に加工するのに比較し、製造工程が大幅に簡素
化され簡便で製造コストも安値にできる。
ウム金属膜であるので、蛍光18の反射効率は高く蛍光体
薄膜12から取出される蛍光18の取出し効率は大きい。ま
た、ガラス基板13上に表部に柱状結晶35を有する下地層
31を成膜するのは、スパッタ法等で容易に形成すること
ができるので、従来のようにガラス基板13上にフォトエ
ッチングにより規則的な凹凸を形成したり、ガラス基板
13を粗面に加工するのに比較し、製造工程が大幅に簡素
化され簡便で製造コストも安値にできる。
【００２３】図５、６は本発明の請求項６に係る蛍光体
の下地層の一実施例を示す図であり、図１、２に示すも
のと同じ構成には同じ符号をつける。図５において、41
は蛍光体薄膜12の下地層であり、下地層41は蛍光体薄膜
12の下地として、ガラス基板13上に形成されている。下
地層41は金属膜であるアルミニウム膜43と、アルミニウ
ム膜43の表部43ａすなわち下地層41の蛍光体薄膜12側の
表部にアルミニウム膜43の外方を向いた傾斜した傾斜溝
壁45ａを有する溝45と、を有している。溝45の内には蛍
光体薄膜12が通常の成膜法により形成される。
の下地層の一実施例を示す図であり、図１、２に示すも
のと同じ構成には同じ符号をつける。図５において、41
は蛍光体薄膜12の下地層であり、下地層41は蛍光体薄膜
12の下地として、ガラス基板13上に形成されている。下
地層41は金属膜であるアルミニウム膜43と、アルミニウ
ム膜43の表部43ａすなわち下地層41の蛍光体薄膜12側の
表部にアルミニウム膜43の外方を向いた傾斜した傾斜溝
壁45ａを有する溝45と、を有している。溝45の内には蛍
光体薄膜12が通常の成膜法により形成される。
【００２４】図６（ａ）〜（ｄ）は、本発明の請求項７
に係る蛍光体の下地層の製法の一実施例を示す工程説明
図である。ガラス基板13上に下地層41を形成するには、
まず、ガラス基板13上に図２（ａ）、（ｂ）に示す場合
と同様に真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティン
グ法などの真空成膜法により、金属膜であるアルミニウ
ム膜43を成膜する。次いで、フォトレジスト47を塗布し
たのち、所要のパターンの画かれたマスクなどをのせ、
露光・現像し、図６（ｂ）に示すようなものを得る。
に係る蛍光体の下地層の製法の一実施例を示す工程説明
図である。ガラス基板13上に下地層41を形成するには、
まず、ガラス基板13上に図２（ａ）、（ｂ）に示す場合
と同様に真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティン
グ法などの真空成膜法により、金属膜であるアルミニウ
ム膜43を成膜する。次いで、フォトレジスト47を塗布し
たのち、所要のパターンの画かれたマスクなどをのせ、
露光・現像し、図６（ｂ）に示すようなものを得る。
【００２５】次いで、図６（ｃ）に示すように、ガラス
基板13上にアルミニウム膜層43の一部である下層部43Ａ
を残すようにハーフエッチングを行う。次いで、フォト
レジスト47を除去し、表面洗浄・乾燥して溝45を得る。
溝45はエッチング時にサイドエッチの効果により溝壁は
傾斜し、溝45の外方を向いた傾斜溝壁45ａを有してい
る。
基板13上にアルミニウム膜層43の一部である下層部43Ａ
を残すようにハーフエッチングを行う。次いで、フォト
レジスト47を除去し、表面洗浄・乾燥して溝45を得る。
溝45はエッチング時にサイドエッチの効果により溝壁は
傾斜し、溝45の外方を向いた傾斜溝壁45ａを有してい
る。
【００２６】次に、作用について説明する。下地層41は
ガラス基板13上に形成され、下地層41の溝45内には蛍光
体薄膜12が成膜されており、溝45は傾斜溝壁45ａを有し
ているので、蛍光体薄膜12内の発光点Ｐにおいて、蛍光
18が発生すると、蛍光18が蛍光体薄膜12の薄膜面12ａに
おいて、全反射され溝45の傾斜溝壁45ａに当ると、傾斜
溝壁45ａは溝45の外方を向き表面12ａに対して傾斜して
いるので、蛍光18は薄膜面12ａに対する角度を大きく変
化し、薄膜面12ａに臨界角θ0 より小さい入射角θで入
射し、薄膜面12ａで屈折して蛍光体薄膜12外に放射す
る。このとき、再び薄膜面12ａで臨界角θ0 以上で全反
射しても蛍光体薄膜12内で反射または散乱を操返すうち
に溝45の傾斜溝壁45ａに当って、薄膜面12ａに対する入
射方向が変更され、遂には薄膜面12ａに臨界角θ0 より
小さい入射角θで入射し蛍光体薄膜12外に放射する。こ
のため、蛍光体薄膜12内から発生した蛍光18の取出効率
を、従来の蛍光体薄膜12内にとじこめられる場合に比較
し、大幅に向上させることができる。また、下地層41は
アルミニウム膜43により形成されているので、溝45の溝
側壁45ａの反射効率は従来のガラス基板13の場合より高
く、蛍光18の取出効率をさらに向上できる。さらに、ア
ルミニウム膜43に形成する溝45はフォトエッチングによ
り形成され細く、高出力にできる。
ガラス基板13上に形成され、下地層41の溝45内には蛍光
体薄膜12が成膜されており、溝45は傾斜溝壁45ａを有し
ているので、蛍光体薄膜12内の発光点Ｐにおいて、蛍光
18が発生すると、蛍光18が蛍光体薄膜12の薄膜面12ａに
おいて、全反射され溝45の傾斜溝壁45ａに当ると、傾斜
溝壁45ａは溝45の外方を向き表面12ａに対して傾斜して
いるので、蛍光18は薄膜面12ａに対する角度を大きく変
化し、薄膜面12ａに臨界角θ0 より小さい入射角θで入
射し、薄膜面12ａで屈折して蛍光体薄膜12外に放射す
る。このとき、再び薄膜面12ａで臨界角θ0 以上で全反
射しても蛍光体薄膜12内で反射または散乱を操返すうち
に溝45の傾斜溝壁45ａに当って、薄膜面12ａに対する入
射方向が変更され、遂には薄膜面12ａに臨界角θ0 より
小さい入射角θで入射し蛍光体薄膜12外に放射する。こ
のため、蛍光体薄膜12内から発生した蛍光18の取出効率
を、従来の蛍光体薄膜12内にとじこめられる場合に比較
し、大幅に向上させることができる。また、下地層41は
アルミニウム膜43により形成されているので、溝45の溝
側壁45ａの反射効率は従来のガラス基板13の場合より高
く、蛍光18の取出効率をさらに向上できる。さらに、ア
ルミニウム膜43に形成する溝45はフォトエッチングによ
り形成され細く、高出力にできる。
【００２７】さらに下地層41の溝45はアルミニウム膜43
にフォトプロセスにより形成できるので、ガラス基板13
の材質によらずに適用でき、適用範囲を拡大できる。
にフォトプロセスにより形成できるので、ガラス基板13
の材質によらずに適用でき、適用範囲を拡大できる。
【００２８】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の請求項
１、２によれば、基板上に設けた蛍光体薄膜の下地層
に、この下地層の蛍光体薄膜側の表部に複数の凹部を有
する反射膜を設け、また、請求項４によれば、下地層に
アルミニウム膜からなり、蛍光体薄膜側に突出した柱上
結晶を形成し、さらに、請求項６によれば、下地層に蛍
光体薄膜側を向いた金属膜の傾斜溝壁を有する溝を形成
することにより、それぞれ、蛍光体薄膜から発生する蛍
光を反射、または散乱させて、光取出し効果を大幅に向
上できる蛍光体の下地層を提供し、また、請求項３によ
れば、これらの反射膜の凹部が十分大きく、簡単な工程
により製造でき、さらに、請求項５によれば、アルミニ
ウム膜の柱上結晶が簡単な工程により容易にでき、さら
にまた、請求項７によれば、金属膜の外方を向いた傾斜
した傾斜溝壁を有する溝がフォトプロセスにより容易
に、かつ基板の材質によらずに製造できる。
１、２によれば、基板上に設けた蛍光体薄膜の下地層
に、この下地層の蛍光体薄膜側の表部に複数の凹部を有
する反射膜を設け、また、請求項４によれば、下地層に
アルミニウム膜からなり、蛍光体薄膜側に突出した柱上
結晶を形成し、さらに、請求項６によれば、下地層に蛍
光体薄膜側を向いた金属膜の傾斜溝壁を有する溝を形成
することにより、それぞれ、蛍光体薄膜から発生する蛍
光を反射、または散乱させて、光取出し効果を大幅に向
上できる蛍光体の下地層を提供し、また、請求項３によ
れば、これらの反射膜の凹部が十分大きく、簡単な工程
により製造でき、さらに、請求項５によれば、アルミニ
ウム膜の柱上結晶が簡単な工程により容易にでき、さら
にまた、請求項７によれば、金属膜の外方を向いた傾斜
した傾斜溝壁を有する溝がフォトプロセスにより容易
に、かつ基板の材質によらずに製造できる。
【図１】本発明の請求項１、２に係る蛍光体の下地層の
一実施例を示す図で、（ａ）はその要部概略断面図、
（ｂ）はその作用を示す断面図である。
一実施例を示す図で、（ａ）はその要部概略断面図、
（ｂ）はその作用を示す断面図である。
【図２】図１に示す蛍光体の下地層の製法を示す図で、
（ａ）〜（ｅ）はそれぞれその工程を示す要部概略断面
図である。
（ａ）〜（ｅ）はそれぞれその工程を示す要部概略断面
図である。
【図３】本発明の請求項４に係る蛍光体の下地層の一実
施例を示す図で、（ａ）はその要部概略断面図、（ｂ）
はその作用を示す概略断面図である。
施例を示す図で、（ａ）はその要部概略断面図、（ｂ）
はその作用を示す概略断面図である。
【図４】図３に示す蛍光体の下地層の顕微鏡写真を模式
的に示す図で、（ａ）はその成膜速度が毎秒10Å以下の
場合の模式図、（ｂ）はその成膜速度が速い場合の模式
図である。
的に示す図で、（ａ）はその成膜速度が毎秒10Å以下の
場合の模式図、（ｂ）はその成膜速度が速い場合の模式
図である。
【図５】本発明の請求項６に係る蛍光体の下地層の一実
施例を示す要部概略断面図である。
施例を示す要部概略断面図である。
【図６】図５に示す蛍光体の下地層の製法を示す図で、
（ａ）〜（ｄ）それぞれその工程を示す要部概略断面図
である。
（ａ）〜（ｄ）それぞれその工程を示す要部概略断面図
である。
【図７】従来の蛍光体の下地層を示す図で（ａ）はその
要部概略断面図、（ｂ）はその蛍光の光跡を示す概略断
面図である。
要部概略断面図、（ｂ）はその蛍光の光跡を示す概略断
面図である。
11、31、41 下地層 12 蛍光体薄膜 13 ガラス基板 17 反射膜 18 蛍光 22 アルミ成膜基板 23 小孔 25 大穴 33 アルミニウム膜 35 柱状結晶 43 アルミニウム膜 45 溝
フロントページの続き (72)発明者 小林 寛史 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に下地層を形成し該下地層の表部上
に蛍光を発生する蛍光体薄膜を形成可能な蛍光体の下地
層において、前記下地層は該下地層の表部に蛍光を蛍光
体側に反射する複数の凹面を有する反射膜を備えている
ことを特徴とする蛍光体の下地層。 - 【請求項２】前記下地層は、前記表部にアルミニユウム
の陽極酸化被膜と、該陽極酸化被膜上に形成されたアル
ミニウムからなる複数の凹面を有する反射膜と、を備え
たことを特徴とする請求項１記載の蛍光体の下地層。 - 【請求項３】真空内において基板上にアルミニウム膜を
形成したアルミ成膜基板をつくる工程と、前記アルミ成
膜基板を陽極酸化処理し表部に複数の小凹部を有する陽
極酸化被膜を形成する工程と、前記陽極酸化被膜をエッ
チングして前記小凹部から該小凹部より大きい開口を有
する大凹部を形成する工程と、前記陽極酸化被膜の大凹
部の凹面上をアルミニウム膜で被覆した反射膜を形成す
る工程と、を備え、前記反射膜を有する下地層上に蛍光
体薄膜を形成可能にすることを特徴とする蛍光体の下地
層の製法。 - 【請求項４】基板上に下地層を形成し、該下地層の表部
上に蛍光を発生する蛍光体薄膜を形成可能な蛍光体の下
地層において、前記下地層は前記表部に前記蛍光体薄膜
側に突出し柱上に成長した複数の柱状結晶を有する金属
膜層からなることを特徴する蛍光体の下地層。 - 【請求項５】真空内において基板の温度を摂氏200 度以
上に保持するとともに前記基板上に毎秒10Å以下の成膜
速度で金属膜を形成し、前記基板上をほぼ全面に金属膜
が成膜された後、金属膜の上側に複数の柱状結晶が成長
し柱状に突出すると成膜を終了することを特徴とする蛍
光体の下地層の製法。 - 【請求項６】基板上に下地層を形成し、該下地層の表部
上に蛍光を発生する蛍光体薄膜を形成可能な蛍光体の下
地層において、前記下地層は、金属膜から形成され該金
属膜の蛍光体薄膜側の表部に金属膜の外方を向いて傾斜
した傾斜溝壁を有する溝を備えることを特徴とする蛍光
体の下地層。 - 【請求項７】基板上に金属膜層を形成する工程と、該金
属膜層上にフォトレジストを塗布し、露光・現像を行う
工程と、基板上に前記金属膜層の一部を残すようハーフ
エッチングをする工程と、前記フォトレジストを除去し
金属膜層の上部に溝を形成する工程と、を備え、該溝内
に蛍光体薄膜を形成可能にすることを特徴とする蛍光体
の下地層の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20207991A JPH0547312A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 蛍光体の下地層およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20207991A JPH0547312A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 蛍光体の下地層およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547312A true JPH0547312A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16451613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20207991A Pending JPH0547312A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 蛍光体の下地層およびその製法 |
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| JP (1) | JPH0547312A (ja) |
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