TWI401823B - 發光二極體元件的製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種半導體元件的製造方法，特別有關於一種形成發光二極體以及將發光二極體結構從生長基底分離的方法。
化合物半導體元件已廣泛地應用在光電產品上，例如由第三族至第五族(group III-V)的材料所組成的化合物半導體最適合用於發光二極體(light-emitting diode；LED)。發光二極體係經由在基底上形成主動區，以及在基底上沈積各種導體與半導體層所製成。藉由p-n接面的電流，可使用電子-電洞對的輻射再結合以產生電磁輻射，例如光。在一個由直接能帶隙(direct band gap)材料例如砷化鎵(GaAs)或氮化鎵(GaN)所製成的順向偏壓(forward-biased)p-n接面，電子-電洞對的再結合注入空乏區，會造成電磁輻射的放射，此電磁輻射可以在可見光範圍或非可見光範圍，使用具有不同能帶隙的化合物材料可產生不同顏色的發光二極體。
結晶的化合物半導體材料，例如氮化鎵(GaN)，通常係藉由磊晶生長(epitaxially growing)的方式在另一種材料的結晶基底，例如藍寶石(sapphire)基底上形成化合物半導體層，藍寶石基底具有相配的結晶面且較容易形成。基於氮化鎵(GaN)的特性，氮化鎵(GaN)層通常用於電子或光電元件上，例如發光二極體。然後，將化合物半導體元件從其生長基底上分離，接著再附著至其他半導體或非半導體基底，與其他電子元件整合，以符合其應用。
目前有許多技術用來從生長基底上分離化合物半導體層，其中一種技術為先形成磊晶犧牲層(epitaxial sacrificial layer)於基底上，然後磊晶性地生長化合物半導體層於犧牲層上，在化合物半導體層與期望的元件經加工處理後，藉由濕式蝕刻製程將化合物半導體層從其生長基底分離，其選擇性地蝕刻除去犧牲層，因此可剝離化合物半導體層。然後，此獨立的化合物半導體層可與其他基底接合。化合物薄膜可經由更進一步的處理，使得化合物半導體元件的功能與其他基底材料上的元件功能整合在一起。
上述的分離製程是利用液態蝕刻劑，由側邊溶解生長基底與磊晶形成的化合物半導體薄膜之間非常薄的犧牲層，此分離製程非常耗時，特別是在分離大面積薄膜時，並且此分離製程對於大規模的製造過程非常不經濟。
另一種技術為利用光學製程使得化合物薄膜從生長基底剝離，例如在藍寶石基底上磊晶地生長氮化鎵(GaN)薄膜，然後以強烈的雷射光束從藍寶石基底側照射此結構，此雷射的波長在藍寶石的能帶隙範圍內，使得其輻射可以穿透藍寶石基底，但輻射的波長稍微在氮化鎵(GaN)的吸收邊緣之外，使得大部分的雷射能量在緊鄰著界面的氮化鎵(GaN)內吸收。對氮化鎵(GaN)的強烈加熱使得鎵從氣態的氮中分離，因此可將氮化鎵(GaN)薄膜從藍寶石基底分離。
然而，上述製程會遭受各種困難，例如雷射輻射的高能量會打散覆蓋在上方的氮化鎵(GaN)薄膜，並且常使得氮化鎵(GaN)薄膜斷裂。此外，受限於高能量雷射光束的面積，使得大面積薄膜之分離較困難。
藉由本發明之實施例，提供一種發光二極體元件的製造方法，以及將發光二極體元件從生長基底分離的方式，其通常可以減少、解決或防止上述問題以及其他問題的發生，並且通常可達到一些技術上的優勢。
依據本發明之一實施例，提供一種發光二極體元件的製造方法，該方法包括：提供第一基底；以及形成並圖案化一遮罩層於第一基底上，產生圖案化遮罩層。該方法還包括形成第一接觸層於圖案化遮罩層之上，使得第一接觸層與圖案化遮罩層之間具有一空氣間隙。該方法更包括形成發光二極體結構，其中第一接觸層為發光二極體結構的接觸層；以及形成第二基底於發光二極體結構上，其中第二基底具有導電性。該方法更進一步地包括將發光二極體結構從第一基底分離。
依據本發明另一實施例，提供一種發光二極體元件的製造方法，該方法包括：提供第一基底；以及形成並圖案化一遮罩層於第一基底的第一側上，產生圖案化遮罩層。該方法還包括形成發光二極體結構於圖案化遮罩層之上，使得發光二極體結構與圖案化遮罩層之間具有一空氣架橋；形成第二基底於發光二極體結構之上，位於發光二極體結構的一相對於第一基底的相反側上；以及經由濕式蝕刻製程將第一基底從發光二極體結構分離。
依據本發明又另一實施例，提供一種發光二極體元件的製造方法，該方法包括：形成並圖案化一遮罩層於生長基底上，產生圖案化遮罩層。該方法還包括形成種子區於圖案化遮罩層內的一個或一個以上的開口中，種子區突出於圖案化遮罩層。該方法更包括從種子區側向性地生長，直至一連續的第一接觸層形成於圖案化遮罩層之上，使得第一接觸層與圖案化遮罩層之間具有一空氣架橋；形成發光二極體結構，其中第一接觸層為發光二極體結構的接觸層；以及在空氣架橋處將發光二極體結構從生長基底分離。
為了讓本發明之上述目的、特徵、及優點能更明顯易懂，以下配合所附圖式，作詳細說明如下：
以下所提供的較佳實施例之製造及使用係用以說明本發明之各種特徵的實施方式，可以理解的是，本發明提供許多應用的發明概念，其可以在各種特殊的背景中實施，以下所述僅作為實施例，並非用以限定本發明。
以下提供一種形成發光二極體之氮化鎵(GaN)層的方法，以及將發光二極體從生長基底分離的方法。以下說明形成本發明之較佳實施例的各中間階段，可以理解的是，以下各步驟係用以說明本發明之發明概念，但是其他的製程也可以實施。在本發明的各圖式及實施例中，使用相似的標號以標示相似的元件。
第1至6圖係顯示依據本發明之一實施例，形成發光二極體於基底上的各中間製程步驟。首先，參閱第1圖，提供一晶圓100，包含基底102以及覆蓋於其上的遮罩層104。基底102較佳為摻雜或未摻雜的塊材(bulk)半導體基底，較佳為具有(100)的表面晶向(surface orientation)。值得注意的是，雖然以下所述之實施例係採用塊材矽基底，然而其他的基底也可以使用，例如絕緣層上覆矽(Silicon on Insulator；SOI)基底、藍寶石(sapphire)基底、碳化矽(SiC)基底以及其他類似的基底也都可以使用。然而，本發明之實施例可特別適用於矽基底，因為其成本較低。此外，基底較佳為具有(100)的表面晶向，但是具有其他表面晶向，例如(110)或(111)的基底也可以使用。
遮罩層104較佳為硬遮罩，其包括一層或一層以上的介電層，例如為經由化學氣相沈積法(CVD)形成的氮化矽(silicon nitride；SiNx)。在另一實施例中，遮罩層104可以是二氧化矽層，其可藉由例如熱氧化法或者使用四乙氧基矽烷(tetra-ethyl-ortho-silicate；TEOS)與氧氣作為前驅物的化學氣相沈積法(CVD)所形成。另外，其他的介電材料，例如氮氧化矽或其他類似的材料也可以經由化學氣相沈積法(CVD)形成，以形成遮罩層104。多層的硬遮罩，例如二氧化矽層與氮化矽層也可以使用。硬遮罩層104的厚度較佳約為50至200。
接著，如第2a與2b圖所示，依據本發明之一實施例，將遮罩層104(如第1圖所示)圖案化，形成圖案化的遮罩206。在一實施例中，使用微影技術將遮罩層104圖案化，一般而言，微影技術包含沈積光阻材料，以及依據一圖案照射光阻材料，然後將光阻材料顯影，除去部分的光阻材料。接著，在晶圓100上進行蝕刻製程，於圖案化遮罩206中產生開口208，在蝕刻過程中，殘留的光阻材料可以保護其下的遮罩層材料。
於蝕刻製程之後，在圖案化遮罩206中產生開口208的矩陣，暴露出其下的基底102，每一個開口的長度h及寬度w較佳約為2μm至10μm，如第2b圖所示。相鄰的開口208之間的距離d約為5μm至10μm。值得注意的是，第2b圖之實施例僅用以說明方形的開口，在其他的實施例中也可以使用任何適合的形狀，包含矩形、條紋形(strip)、圓形、橢圓形、三角形以及/或其他類似的形狀。另外，在其他實施例中也可以不使用由行及列排列成的矩陣開口，而是包含以圖案排列、交錯排列或其他類似的排列方式之開口。然後，較佳為形成氮化鎵(GaN)種子220a於每個開口208中，如第2c圖所示。
第3圖係顯示依據本發明之一實施例，形成第一接觸層220。在一實施例中，第一接觸層220可以由第三族的氮化物或其他第五族元素的氮化物所形成，例如氮化鎵(GaN)，並且如下所述，第一接觸層220係作為發光二極體結構的第一接觸層。在一實施例中，第一接觸層220包含形成於開口208中的突起區域，有時也稱為種子區或種子220a，以及生長覆蓋在圖案化遮罩206之上的側向區220b。種子區220a在開口208中垂直地形成(如第3圖中所示的垂直箭頭)，突出於圖案化遮罩206。種子區220a突出的部分在其側面上提供結晶面，在種子區220a形成之後，從氮化鎵(GaN)種子區220a的側面上產生結晶面，藉由氮化鎵(GaN)的側向磊晶生長(lateral epitaxial growth)而形成側向區220b，橫向延伸(如第3圖中所示的橫向箭頭)於圖案化遮罩206之上。氮化鎵(GaN)220b(有時也稱為側向區)的側向生長在圖案化遮罩206之上進行，以形成連續的第一接觸層220。由於側向生長製程的結果，在氮化鎵(GaN)第一接觸層220與圖案化遮罩206之間形成空氣架橋(air bridge)210。在一實施例中，圖案化遮罩206上的第一接觸層220的厚度較佳約為500nm至3000nm，且因此所形成之空氣架橋210的深度約為0.3μm至約1.0μm。
在一實施例中，使用氮化鎵(GaN)作為第一接觸層220。具有圖案化遮罩206的晶圓100可先以選擇性金屬有機化學氣相沈積法(MOCVD)處理，使用三甲基鎵(trimethylgallium；TMG)及氨氣(NH3
)作為鎵(Ga)和氮(N)的來源，以形成氮化鎵(GaN)種子區220a。在氮化鎵(GaN)種子區220a形成之後，在相同的MOCVD反應室中連續地處理晶圓，以形成側向區220b。在另一實施例中，第一接觸層220之氮化鎵(GaN)種子區220a以及側向區220b的形成是在不同的MOCVD反應室中進行。在一實施例中，使用高溫MOCVD製程形成第一接觸層220，其溫度介於約700℃至約1100℃之間。此外，第一接觸層也可以在低溫MOCVD製程中形成，例如其溫度介於約300℃至約700℃之間。其他的製程，例如遙控電漿增強型化學氣相沈積法(remote plasma-enhanced chemical vapor deposition；RPCVD)、分子束磊晶法(molecular beam epitaxy；MBE)、有機金屬氣相磊晶法(metal organic vapor phase epitaxy；MOVPE)、氫化物氣相磊晶法(hydride vapor phase epitaxy；HVPE)、液相磊晶法(liquid phase epitaxy；LPE)或其他類似的方法也可以用來形成第一接觸層220。
在一實施例中，第一接觸層220摻雜n型雜質；在另一實施例中，第一接觸層220可摻雜p型雜質或大抵上未摻雜。此外，第一接觸層220也可包含其他第三族的氮化物，例如InN、AlN、Inx
Ga(1-x)
N、Alx
Ga(1-x)
N、Alx
Iny
Ga(1-x-y)
N或其他類似的材料，可以使用如上述之合適的沈積技術以類似的製程形成，在第一接觸層220與圖案化遮罩206之間形成空氣架橋210。其他材料，包含以其他第五族的元素代替所形成的氮化物也可以使用。
第4圖係顯示依據本發明之一實施例，在基底102上完成發光二極體結構300，其中第一接觸層220作為發光二極體的接觸層。發光二極體結構300可包含以上述方法形成的第一接觸層220、選擇性的第一披覆層(cladding layer)222、發光層224、選擇性的第二披覆層228以及第二接觸層230。
選擇性的第一披覆層222形成於第一接觸層220之上，與第一接觸層220相似，第一披覆層222也可以由第三族或其他第五族元素的氮化物之化合物形成。在一實施例中，第一披覆層222包括具有n型導電性的第三族氮化物化合物，例如n-AlGaN。第一披覆層222的形成方法可與第一接觸層220的形成方法相同。
發光層(有時也可稱為主動層)224形成於第一披覆層222上，發光層224可包括均質接面(homojunction)、異質接面(heterojunction)、單量子井(single-quantum well；SQW)、多量子井(multiple-quantum well；MQW)或其他類似的結構。在一實施例中，發光層224包括未摻雜的鎵銦氮化物(gallium indium nitride；Gax
Iny
N(1-x-y)
)；在另一實施例中，發光層224包含其他常用的材料，例如Alx
Iny
Ga(1-x-y)
N。在又另一實施例中，發光層224可以是多量子井，包含多井層(multiple well layers)例如InGaN以及阻障層例如GaN，以互相交替的形式配置。再者，發光層的形成方法包含金屬有機化學氣相沈積法(MOCVD)、分子束磊晶法(MBE)、氫化物氣相磊晶法(HVPE)、液相磊晶法(LPE)或其他合適的化學氣相沈積法(CVD)方法。發光層224的總厚度較佳為介於約5nm至約200nm之間。
選擇性的第二披覆層228形成於發光層224上，在一實施例中，第二披覆層228的材料包括與第一披覆層222相似的材料，例如AlGaN，除了第二披覆層228可以是p型摻雜之外。第二披覆層228的形成方法可與第一披覆層222的形成方法相同，除了其具有相反型的導電性之外。
第二接觸層230形成於第二披覆層228上，第二接觸層230可由與第一接觸層220相同或不同的材料形成，並且可使用相似的方法形成，只除了第二接觸層230的導電性與第一接觸層220的導電性相反之外。
如第4圖所示，反射層250形成於第三族至第五族發光二極體結構300之上，反射層250可反射來自發光層224發射的光，使其朝向並穿過第二接觸層230，回到第一接觸層220，如下所述，反射層可以作為發光二極體元件的發光表面。反射層250可包括單層的反射材料，例如鋁、銀或其他類似的材料。因此，在一實施例中，反射層250也可作為電極，提供電性接觸至P型第二接觸層230。反射層250可包括多層結構，例如分佈式布拉格反射鏡(distributed Bragg reflector)、全方位反射鏡(omni-directional reflector)或其他類似的結構。反射層250的厚度較佳約為50至500。在其他實施例中，第二接觸層230具有高反射率，此時可不需要反射層250。
第5圖係顯示依據本發明之一實施例，在發光二極體結構300上形成導電基底280。導電基底280形成於發光二極體結構300及反射層250之上，並提供電性接觸至導電反射層250，以及/或第二接觸層230。導電基底280可由任何合適的導電材料形成，例如摻雜的矽、金屬、金屬合金或其他類似的材料。導電基底280的厚度較佳約為大於50μm。
在一實施例中，導電基底280由電鍍方式形成，在此實施例中，晶圓上鍍有單層或多層結構的金屬，例如鋁、鎳、鉻、銅或其他類似的材料。
在另一實施例中，導電基底280由矽形成，在此實施例中，矽基底接合至反射層250的表面上，藉此形成如第5圖所示的導電基底280。在一實施例中，所接合的矽基底較佳為摻雜離子的塊材矽基底，具有與發光二極體結構300之第二接觸層230相同的導電性。在另一實施例中，導電基底280經過預先處理，具有一個或一個以上的直通矽穿孔(through silicon vias；TSVs)263，經由一個或一個以上的金屬導線264，其可以與預先形成在相同或不同基底內的一個或一個以上的半導體元件265耦合。在基底280接合之後，這些半導體元件265電性耦合至發光二極體結構300。
第6圖係顯示依據本發明之一實施例，移除基底102以及圖案化遮罩206。在一實施例中，基底102與圖案化遮罩206可藉由濕式化學蝕刻製程移除，在此實施例中，可使用溫度約為120℃至160℃的磷酸溶液從矽基底102蝕刻氮化矽圖案化遮罩206，因為相對於矽基底102以及發光二極體結構300的其他層，磷酸對於氮化矽遮罩206具有高度的蝕刻選擇比。在移除圖案化遮罩206之後，矽基底102可藉由例如浸泡在氫氟酸、硝酸以及醋酸溶液(通常稱為HNA溶液)中去除。
值得注意的是，因為在發光二極體結構300與圖案化遮罩206之間存在有空氣架橋210(如第5圖所示)，因此可以有效地將發光二極體結構從生長基底102分離。一旦晶圓浸沒於蝕刻溶液中，液態蝕刻劑可經由空氣架橋210到達整個基底表面，並且可以明顯地促進分離製程的進行。分離的基底102可再利用，因此可減少廢棄物並降低成本。空氣架橋210也可幫助從大的生長基底上分離大面積薄膜，因此可提升生產率。
更值得注意的是，在從矽基底102分離發光二極體結構300之後，發光二極體元件的第一接觸層220具有特定結構的面，因為在移除圖案化遮罩206與生長基底102之後，留下突出的GaN特徵(如第6圖所示)。此突出的特徵可具有任何合適的形狀，其係由圖案化遮罩206上的蝕刻圖案所決定，例如方形、條紋形、矩形、圓形、橢圓形、三角形以及/或其他類似的形狀。在發光二極體元件上特定結構的發光面通常為有利的特徵，其形成可以避免在發光面的光線反射。
之後，進行一些製程以完成發光二極體元件，例如可形成電性接觸(正面以及/或背面接點)至第一和第二接觸層，形成保護層以及切割並封裝發光二極體元件。
雖然上述實施例係將發光二極體結構設定為具有p型表面面對導電基底280，在此技術領域中具有通常知識者當可瞭解，本發明之實施例也可以利用一發光二極體結構，使得其n型表面面對導電基底。在這些實施例中，第一接觸層220以及選擇性的第一披覆層222可以具有p型導電性，並且第二披覆層228以及第二接觸層230可以具有n型導電性。
雖然本發明已揭露較佳實施例如上，然其並非用以限定本發明，在此技術領域中具有通常知識者當可瞭解，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
100．．．晶圓
102．．．基底
104．．．遮罩層
206．．．圖案化遮罩
208．．．開口
210．．．空氣架橋
220．．．第一接觸層
220a．．．種子區
220b．．．側向區
222．．．第一披覆層
224．．．發光層
228．．．第二披覆層
230．．．第二接觸層
250．．．反射層
263．．．直通矽穿孔
264．．．金屬導線
265．．．半導體元件
280．．．導電基底
300．．．發光二極體結構
第1至6圖係顯示依據本發明之一實施例，製造發光二極體元件的各中間製程步驟。
102．．．基底
206．．．圖案化遮罩
210．．．空氣架橋
220．．．第一接觸層
222．．．第一披覆層
224．．．發光層
228．．．第二披覆層
230．．．第二接觸層
250．．．反射層
263．．．直通矽穿孔
264．．．金屬導線
265．．．半導體元件
280．．．導電基底
300．．．發光二極體結構
Claims (21)
- 一種發光二極體元件的製造方法，包括：提供一第一基底；形成並圖案化一遮罩層於該第一基底之一平坦表面上，產生一圖案化遮罩層；形成一第一接觸層於該圖案化遮罩層之上，使得該第一接觸層與該圖案化遮罩層之間具有一空氣間隙；形成一發光二極體結構，其中該第一接觸層為該發光二極體結構的一接觸層；形成一第二基底於該發光二極體結構上，該第二基底具有導電性；以及將該發光二極體結構與該第一基底分離。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件的製造方法，其中形成該第一接觸層於該第一基底之上的步驟包括：形成一種子區於該圖案化遮罩層內的一個或一個以上的開口中，該種子區突出於該圖案化遮罩層；以及從該種子區側向性地生長一側向區，該側向區延伸至該圖案化遮罩層之上。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件的製造方法，更包括形成一光反射層於該發光二極體結構上。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件的製造方法，其中形成該第二基底的步驟包括電鍍。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件的 製造方法，其中形成該導電性第二基底的步驟包括形成一摻雜的矽層於該發光二極體結構之上。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件的製造方法，其中將該發光二極體結構與該第一基底分離的步驟包括一濕式蝕刻製程。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件的製造方法，其中在該發光二極體結構上的該第二基底更包括半導體元件以及直通矽穿孔。
- 一種發光二極體元件的製造方法，包括：提供一第一基底；形成並圖案化一遮罩層於該第一基底的一第一側上，產生一圖案化遮罩層，其中該圖案化遮罩層形成於一平坦的表面上；形成一第一接觸層於該圖案化遮罩層之上，使得該第一接觸層與該圖案化遮罩層之間具有一空氣間隙；形成一發光二極體結構，其中該第一接觸層為該發光二極體結構的一接觸層；形成一第二基底於該發光二極體結構之上，位於該發光二極體結構的一相對於該第一基底的相反側上；以及經由一濕式蝕刻製程將該第一基底從該發光二極體結構分離。
- 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體元件的製造方法，其中該第二基底包括一個或一個以上的半導體元件以及一個或一個以上的直通矽穿孔。
- 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體元件的製造方法，其中形成該發光二極體結構的步驟包括：形成複數個種子區於該圖案化遮罩層內的複數個開口中，該些種子區突出於該圖案化遮罩層；以及從該些種子區側向性地生長複數個側向區，該些側向區延伸至該圖案化遮罩層之上。
- 如申請專利範圍第10項所述之發光二極體元件的製造方法，其中形成該些種子區以及側向性地生長該第一接觸層的步驟包括一選擇性金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)製程。
- 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體元件的製造方法，其中該發光二極體結構包括：一發光層於一第一接觸層之上；一第二接觸層於該發光層之上；以及一反射層於該第二接觸層之上，其中該反射層具有導電性，且提供電性接觸至該第二接觸層。
- 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體元件的製造方法，其中位於該發光二極體結構之上的該第二基底具有導電性。
- 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體元件的製造方法，其中在該發光二極體結構之上形成該第二基底的步驟包括電鍍。
- 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體元件的製造方法，其中形成該第二基底的步驟包括接合一摻雜的矽層至該發光二極體結構。
- 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體元件的製造方法，其中將該第一基底從該發光二極體結構分離的步驟包括以一第一濕式蝕刻製程移除該圖案化遮罩層，接著以一第二濕式蝕刻製程將該第一基底從該發光二極體結構分離。
- 一種發光二極體元件的製造方法，包括：形成並圖案化一遮罩層於一生長基底上，產生一圖案化遮罩層，其中該圖案化遮罩層形成於一平坦的表面上；形成一種子區於該圖案化遮罩層內的一個或一個以上的開口中，該種子區突出於該圖案化遮罩層；從該種子區側向性地生長，直至一連續的第一接觸層形成於該圖案化遮罩層之上，使得該第一接觸層與該圖案化遮罩層之間具有一空氣架橋；形成一發光二極體結構，其中該第一接觸層為該發光二極體結構的一接觸層；以及將該發光二極體結構與該生長基底分離。
- 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體元件的製造方法，更包括接合一第二基底於該發光二極體結構之上，該第二基底位於該發光二極體結構的一相對於該生長基底的相反側上。
- 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體元件的製造方法，其中在該發光二極體結構上的該第二基底具有導電性。
- 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體元件 的製造方法，其中該第二基底包括一個或一個以上的半導體元件以及一個或一個以上的直通矽穿孔，其中在該接合步驟之後，該一個或一個以上的半導體元件經由該一個或一個以上的直通矽穿孔電性耦合至該發光二極體結構。
- 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體元件的製造方法，其中將該發光二極體結構與該生長基底分離的步驟包括沿著該空氣架橋進行一濕式化學蝕刻製程。
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