KR20130035685A - 질화물 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents

질화물 반도체 소자 제조 방법 Download PDF

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KR20130035685A KR1020110100138A KR20110100138A KR20130035685A KR 20130035685 A KR20130035685 A KR 20130035685A KR 1020110100138 A KR1020110100138 A KR 1020110100138A KR 20110100138 A KR20110100138 A KR 20110100138A KR 20130035685 A KR20130035685 A KR 20130035685A
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Abstract

질화물 반도체 소자 제조 방법이 개시된다. 이 방법은, 성장 기판 상에 n형 불순물이 도핑된 질화갈륨계열의 희생층을 성장시키고, 이 희생층을 다공 구조의 희생층으로 변환함과 아울러 다공 구조의 희생층 내에 보이드 패턴을 형성하고, 보이드 패턴을 갖는 다공 구조의 희생층 상에 에피층들을 성장시키고, 다공 구조의 희생층에 열을 가하여 공극들을 성장시키는 것을 포함한다. 전기화학적 식각 기술과 열에 의한 공극 성장을 이용하여 물리적 충격 없이 에피층들을 성장 기판으로부터 쉽게 분리할 수 있으며, 따라서 활성층의 손상 없이 에피층들을 분리할 수 있다.

Description

질화물 반도체 소자 제조 방법{METHOD OF FABRICATING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 질화물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 특히 질화물 반도체층으로부터 성장 기판을 분리하는 기술에 관한 것이다.
질화갈륨과 같은 III-V족 질화물계 반도체 소자는 청색 레이저 다이오드나 발광 다이오드 등 다양한 분야에 사용되고 있다. 이러한 질화물계 반도체 소자를 제조하기 위해 통상 C-면(0001) 사파이어 기판 상에 AlxGa1 - xN과 같은 버퍼층을 형성한 후 그 위에 에피층들을 성장시키고 있다. 상기 에피층들은 통상 n-GaN, InGaN/GaN의 양자 우물 구조의 활성층, p-GaN을 포함한다.
사파이어 기판은 비도전성이므로, 위와 같이 성장된 에피층들을 이용하여 주로 수평형 발광 다이오드가 제조되어 왔다. 상기 n-GaN층이 노출되도록 p-GaN층 및 활성층을 식각하고 동일 측에 전극들을 형성함으로써 수평형 발광 다이오드가 제조된다.
그러나 수평형 발광 다이오드는 그 전극 구조에 기인하여 전류 집중, 높은 동작 전압 및 광 손실 등이 초래되고, 더욱이, 사파이어 기판의 상대적으로 낮은 열전도율에 기인하여 방열 특성이 좋지 않은 문제점을 갖는다.
한편, 수평형 발광 다이오드의 문제점을 해결하기 위해 성장 기판을 분리하여 수직형 발광 다이오드를 제조하는 기술이 개발되어 왔다. 수직형 발광 다이오드(VLED)는 사파이어 기판과 같은 성장 기판 상에, 앞서 설명한 바와 같이, n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층을 성장시킨다. 그 후 AuSn과 같은 접합 금속을 이용하여 금속 또는 열 전도율이 높은 비금속의 이차 기판을 p-GaN층에 접합하고, 성장기판을 n-GaN층으로부터 분리한다. 그 후, 상기 n-GaN층 상에 전극을 형성함으로써 수직형 구조의 발광 다이오드가 제작된다.
이러한 수직형 발광 다이오드는 p-GaN에 접촉하는 p-전극이 에피층의 넓은 영역에 걸쳐 형성되기 때문에 전류 분산이 쉽고 또한 열전도율이 높은 이차기판을 이용하기 때문에 방열 특성이 우수하다.
에피층들로부터 사파이어 기판을 분리하는 방법으로는 엑시머 레이저를 이용한 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off; LLO) 기술이 일반적으로 사용되고 있다. 그러나 레이저를 이용한 기판 분리 방법은 고에너지 레이저에 의해 에피층이 손상되고 전위(dislocation) 밀도가 증가되는 것으로 알려져 있다(비특허문헌 1 참조).
한편, 기판을 분리하는 방법으로 화학적 리프트 오프(Chemmical Lift-Off; CLO) 기술이 연구되고 있다(비특허문헌 1 참조). 예컨대, 사파이어 기판과 같은 성장기판 상에 질화물 반도체층 성장시키고, 이것을 0.3M 옥살산에 담그고 고전압(25V ~ 60V)를 인가하면 실리콘 도핑이 되어 있는 n-GaN 영역이 전기화학적으로 식각되어 다공 구조로 된다. 이러한 다공 구조의 n형 반도체층 상에 다시 n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층을 성장시킨 후, 물리적 충격을 가함으로써 다공 구조의 n형 반도체층을 이용하여 성장기판으로부터 에피층들을 분리할 수 있다. 그러나 이러한 물리적 충격은 활성층 등의 에피층에 손상을 주기 쉬우며, 성장 기판이 4인치 이상으로 대면적화함에 따라 그 적용이 더욱 어려워진다.
비특허문헌 1은 도핑 선택성을 갖는 전기화학적 식각 기술을 이용하여 성장기판으로부터 질화물 반도체층들을 분리하는 기술을 소개하고 있다. 이 기술은 n형 불순물이 도핑된 n-GaN층을 언도프트-GaN층들 사이에 배치하고, 그 위에 에피층들을 성장시킨 후, 전기 화학적 식각 기술을 이용하여 n-GaN층을 식각함으로써, 에피층들을 성장기판으로부터 분리한다.
비특허문헌 1은 물리적 충격 없이 전기화학적 식각을 이용하여 에피층들을 분리할 수 있지만, n-GaN층을 측면 방향으로 식각하기 때문에 소요되는 시간이 많이 걸려 고비용을 초래하는 문제점이 있다.
비특허문헌 1. Doping selective lateral electrochemical etching of GaN for chemical lift-off, Applied Physics Letters 94, 221907(2009)
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 물리적 충격 없이 기판을 분리함으로써 기판을 분리하는 동안 활성층에 손상을 주지 않고 질화물 반도체 소자를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 4인치 이상의 대면적의 성장기판을 분리하기에 적합한 질화물 반도체 소자 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 질화물 반도체 소자 제조 방법은, 성장 기판 상에 n형 불순물이 도핑된 질화갈륨계열의 희생층을 성장시키고, 상기 희생층을 전기 화학적으로 식각함과 아울러, 상기 희생층을 패터닝하여 보이드 패턴을 갖는 다공 구조의 희생층을 형성하고, 상기 보이드 패턴을 갖는 다공 구조의 희생층 상에 에피층들을 성장시키고, 상기 다공 구조의 희생층에 열을 가하여 공극들을 성장시키는 것을 포함한다.
상기 보이드 패턴을 갖는 다공 구조의 희생층은 상기 희생층을 전기 화학적으로 식각하여 상기 희생층을 다공 구조의 희생층으로 변환하고, 상기 다공 구조의 희생층을 패터닝하여 상기 다공 구조의 희생층 내에 보이드 패턴을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 희생층 내에 보이드 패턴을 먼저 형성하고, 그 후, 상기 희생층을 다공 구조의 희생층으로 변환할 수도 있다.
전기화학적 식각 기술과 열에 의한 공극 성장을 이용하여 물리적 충격 없이 에피층들을 성장 기판으로부터 쉽게 분리할 수 있으며, 따라서 활성층의 손상 없이 에피층들을 성장 기판으로부터 분리할 수 있다. 더욱이, 물리적 충격 없이 성장 기판으로부터 에피층들을 분리할 수 있으므로, 4인치 이상의 대면적 성장 기판을 분리하는 경우에도 적용될 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6 내지 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 12 내지 도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타내며, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 전형적인 실시예에 따른 질화물 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 여기서, 질화물 반도체 소자는 발광 다이오드인 것으로 설명하지만, 발광 다이오드에 한정되는 것은 아니며, 레이저 다이오드 또는 그 이외의 다른 질화물 반도체 소자일 수도 있다.
도 1을 참조하면, 우선, 성장 기판(21) 상에 n형 불순물이 도핑된 질화갈륨계열의 희생층(25)이 성장된다. 상기 희생층(25)을 성장시키기 전에 질화갈륨계열의 언도프트 층(23)이 성장될 수 있으며, 언도프트 층(23)을 성장하기 전에 핵층(도시하지 않음)이 또한 성장될 수 있다.
상기 희생층(25)은 예컨대 Si이 1×1018/cm3 이상 10×1019/cm3 이하로 도핑된 GaN층일 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 희생층(25)이 전기화학적 식각에 의해 다공 구조의 희생층(25a)으로 변환된다. 상기 전기화학적 식각은, 예컨대 약 10℃ 옥살산 용액(0.3M 옥살산) 내에 상기 희생층(25)을 갖는 성장 기판(21)과 Pt 전극을 담그고, 상기 희생층(25)에 양극, Pt에 음극을 연결하여 DC 전압(25~60V)을 인가함으로써 수행될 수 있다.
다공 구조는 도 2에 도시한 바와 같이 희생층(25a)의 표면으로부터 언도프트 층(23)에 이르는 나노 스케일의 로드 형태의 공극들을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 희생층(25a) 내에서 부분적으로 존재하는 공극들을 가질 수도 있다.
도 3을 참조하면, 상기 희생층(25a)을 패터닝하여 보이드(void, 25v) 패턴을 갖는 희생층(25b)이 형성된다. 상기 보이드 패턴은 사진 및 식각 기술을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 보이드(25v)는 나노 스케일의 공극들에 비해 상대적으로 크게 형성될 수 있다. 상기 보이드(25v)는 다공 구조의 희생층(25a) 영역들을 서로 고립시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 다공 구조의 희생층(25a)이 형성된 후, 보이드(25v) 패턴이 형성되는 것으로 설명하지만, 희생층(25)에 보이드 패턴을 먼저 형성하고, 희생층(25)을 전기화학적으로 식각하여 다공 구조의 희생층으로 변환할 수도 있다.
도 4를 참조하면, 보이드(25v) 패턴을 갖는 희생층(25b) 상에 질화갈륨 계열의 에피층들을 성장시킨다. 상기 에피층들은, 예컨대 n형 질화물 반도체층(27), 활성층(29) 및 p형 질화물 반도체층(31)을 포함할 수 있다. n형 질화물 반도체층(27) 및 p형 질화물 반도체층(31)은 단일층 또는 다중층일 수 있다. 또한, 활성층(29)은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조일 수 있다. 이들 에피층들은 MOCVD 또는 MBE 기술을 이용하여 형성될 수 있다.
특히, 보이드 패턴에 의해 n형 질화물 반도체층(27)이 수평 성장할 수 있어 결정질이 우수한 에피층들이 성장될 수 있다.
도 5를 참조하면, 에피층들이 성장된 후, 상기 희생층(25b)에 열을 가하여 에피층들(27, 29, 31)을 성장 기판(21)으로부터 분리한다.
예컨대, 석영 퍼니스 내에 성장 기판(21)을 배치한 후, 약 1000℃의 온도로 가열하면, 희생층(25b) 내의 공극들이 성장되며, 이렇게 성장된 공극들은 보이드(25v)와 만나게 되어 에피층들(27, 29, 31)이 성장기판(21) 상의 언도프트 층(23)으로부터 쉽게 분리된다. 이어서, 분리된 에피층들을 이용하여 발광 다이오드 칩이 제작될 수 있다.
이하에서는, 상기 에피층들(27, 29, 31)을 성장 기판(21)으로부터 분리하기 위한 더욱 구체적인 방법을 설명하기로 한다.
도 6 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6을 참조하면, 앞서, 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 희생층(25b) 상에 에피층들(27, 29, 31)이 성장된 후, 에피층들이 성장 기판(21)과 함께 하부 틀(51) 내에 배치된다. 하부 틀(51)은 성장 기판(21)을 수용하는 오목부를 가지며, 에피층들(27, 29, 31)을 갖는 성장 기판(21)이 상기 오목부 내에 배치된다.
한편, 덮개(53)가 하부 틀(51)의 오목부를 덮는다. 덮개(53)는 나사와 같은 체결 수단(55)에 의해 하부 틀(51)에 고정된다. 덮개(53)는 성장 기판(21)과 에피층들(27, 29, 31)의 이동을 방지하도록 에피층을 누른다. 에피층들이 덮개(53)와 하부 틀(51)에 의해 고정되므로, 성장 기판(21)으로부터 에피층들(27, 29, 31)이 분리되는 동안, 에피층들(27, 29, 31)이 휘거나 깨지는 것을 방지할 수 있다.
상기 덮개(53)는 상기 에피층들 상부에서 메쉬 형상 구조를 가질 수 있으며, 따라서 복수의 개구부들(53a)을 통해 에피층들이 노출된다.
도 7을 참조하면, 상기 하부 틀(51)과 함께 성장 기판(21)을 가열하여 희생층(25b) 내의 공극들을 성장시킨다. 예컨대, 상기 하부 틀(51)은 석영 퍼니스 내에 배치될 수 있으며, 석영 퍼니스 내부의 온도가 약 1000℃가 되도록 가열될 수 있다. 이에 따라, 상기 다공 구조의 희생층(25b) 내 공극들의 성장이 발생하며, 희생층(25b)은 밀도가 더 낮은 물질층(25c)으로 변환된다. 희생층(25c)은 밀도가 낮아 작은 스트레스에 의해서도 쉽게 파괴되며, 따라서 에피층들(27, 29, 31)이 성장 기판(21)으로부터 쉽게 분리될 수 있다.
도 8을 참조하면, 이어서, 상기 개구부들(53a)을 통해 내산성 접착제(57)를 주입하여 덮개(53)를 에피층(31)에 부착시킨다. 상기 접착제(57)는 임시로 상기 덮개(53)를 에피층(31)에 부착하기 위한 것으로, 예컨대 에폭시일 수 있다.
도 9를 참조하면, 이어서, 상기 하부 틀(51)을 성장 기판(21)으로부터 분리하고, n형 질화물 반도체층(27)의 노출된 표면에 거칠어진 표면(R)을 형성한다. 거칠어진 표면(R)은 PEC 식각 기술을 이용하여 형성될 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 사진 및 식각 기술 등 다양한 기술을 이용하여 다양한 패턴으로 형성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 그 후, 상기 노출된 n형 질화물 반도체층(27)에 이차 기판(61)이 부착된다. 이차 기판(61)은 금속 기판 또는 비도전성 기판일 수 있으며, 접착 금속층(59)을 통해 n형 질화물 반도체층(27)에 부착될 수 있다. 상기 접착 금속층(59)은 AuSn을 포함할 수 있으며, 또한 Ag와 같은 반사 금속층을 포함할 수 있다. 반사 금속층은 활성층(29)에서 생성된 광을 반사시켜 광 추출 효율을 향상시킨다. 더욱이, 상기 n형 질화물 반도체층(27)의 표면에 거칠어진 면(R)이 형성될 경우, 반사에 의한 광 추출 효율이 더욱 증가된다.
도 11을 참조하면, 상기 덮개(53) 및 접착제(57)가 분리되어 p형 질화물 반도체층(31)이 다시 노출된다. 상기 p형 질화물 반도체층(31) 상에 투명 전극(63) 및 전극(65)이 형성되고, 개별 발광 다이오드 칩으로 분할됨으로써 발광 다이오드가 완성된다.
본 실시예에 있어서, 이차 기판(61)은 n형 질화물 반도체층(27) 측에 부착되며, 이를 위해, 접착제에 의해 부착된 덮개(53)가 임시 캐리어 기판으로 이용된다.
도 12 내지 도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 여기서는 이차 기판이 p형 질화물 반도체층(31) 측에 부착되는 것에 대해 설명한다.
도 12를 참조하면, 도 6을 참조하여 설명한 바와 같이, 에피층들(27, 29, 31)이 성장 기판(21)과 함께 하부 틀(51) 내에 배치되고, 덮개(63)가 하부 틀(51)의 오목부를 덮는다. 다만, 도 12에서 덮개(53)는 복수의 개구부들(53a)을 갖는 메쉬 형상의 구조이지만, 본 실시예에서 덮개(63)는 에피층(31)의 가장자리를 제외한 에피층(31)의 거의 전 영역을 노출시키는 단일의 개구부(63a)를 갖는다. 덮개(63)는 에피층(31)의 가장자리를 국부적으로 눌러 에피층(27, 29, 31) 및 성장 기판(21)의 이동을 방지한다.
도 13을 참조하면, 그 후, 도 7을 참조하여 설명한 바와 같이, 상기 하부 틀(51)과 함께 성장 기판(21)을 가열하여 희생층(25b) 내의 공극들을 성장시킨다. 이에 따라, 상기 다공 구조의 희생층(25b) 내 공극들의 성장이 발생하며, 희생층(25b)은 밀도가 더 낮은 물질층(25c)으로 변환된다. 희생층(25c)은 밀도가 낮아 작은 스트레스에 의해서도 쉽게 파괴되며, 따라서 에피층들(27, 29, 31)이 성장 기판(21)으로부터 쉽게 분리될 수 있다.
도 14를 참조하면, 이어서, 상기 개구부(63a)을 통해 이차 기판(71)을 에피층(31) 상에 부착한다. 이차 기판(71)은 AuSn과 같은 접착 금속층(69)을 통해 에피층, 즉 p형 질화물 반도체층(31)에 부착될 수 있다. 또한, 접착 금속층(69)은 활성층(29)에서 생성된 광을 반사시키기 위한 Ag와 같은 반사 금속층을 포함할 수 있다.
도 15를 참조하면, 상기 이차 기판(71)이 부착된 에피층들(27, 29, 31)을 하부 틀(51) 및 성장 기판(21)으로부터 분리한다. 이에 따라, n형 질화물 반도체층(27)의 표면이 노출되며, 도 9를 참조하여 설명한 바와 같이, 노출된 표면에 거칠어진 표면(R)이 형성될 수 있다. 또한, 노출된 n형 질화물 반도체층(27) 상에 전극(73)이 형성되며, 개별 발광 다이오드 칩으로 분할함으로써 반도체 소자가 완성된다.
본 실시예에 따르면, 이차 기판(71)이 p형 질화물 반도체층(31) 측에 부착된 반도체 소자가 제공된다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 방법과 유사하나, 성장 기판(21) 상에 희생층(25)을 형성하기 전에, 성장 기판(21)의 가장 자리의 일부를 제거하여 노치를 먼저 형성하고, 상기 노치를 절연 물질(22)로 덮는 것에 차이가 있다. 상기 노치는 기판(21)의 가장자리를 따라 연속적으로 형성될 수 있으며, 성장 기판(21)의 중심측에 가까울수록 노치의 두께가 작아질 수 있다. 도 16에 도시한 바와 같이, 노치는 기판(21)의 가장자리로부터 기판의 중심측을 향해 연속적으로 두께가 작아질 수도 있으나, 계단형으로 두께가 작아질 수도 있다. 상기 노치는 성장 기판(21)의 가장자리를 따라 성장 기판(21)을 습식 또는 건식 식각하여 형성될 수 있다.
그 후 제조 방법은 도 1 내지 도 5, 도 6 내지 도 11, 또는 도 12 내지 도 15를 참조하여 설명한 것과 같은 방법으로 반도체 소자가 제조될 수 있으며, 자세한 설명은 중복을 피하기 위해 생략한다.
한편, 상기 노치를 덮는 절연물질(22)을 제거함으로써 노치를 이용하여 희생층(25b) 또는 언도프트 층(23)을 성장 기판(21)으로부터 용이하게 분리할 수 있으며, 따라서 성장 기판(21)을 재활용하기 쉽다.

Claims (13)

  1. 성장 기판 상에 n형 불순물이 도핑된 질화갈륨계열의 희생층을 성장시키고,
    상기 희생층을 전기 화학적으로 식각함과 아울러, 상기 희생층을 패터닝하여 보이드 패턴을 갖는 다공 구조의 희생층을 형성하고,
    상기 보이드 패턴을 갖는 다공 구조의 희생층 상에 에피층들을 성장시키고,
    상기 다공 구조의 희생층에 열을 가하여 공극들을 성장시키는 것을 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 성장 기판 상에 상기 희생층을 성장시키기 전에, 질화갈륨 계열의 언도프트층을 성장시키는 것을 더 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 보이드 패턴을 갖는 다공 구조의 희생층을 형성하는 것은,
    상기 희생층을 전기 화학적으로 식각하여 상기 희생층을 다공 구조의 희생층으로 변환하고,
    상기 다공 구조의 희생층을 패터닝하여 상기 다공 구조의 희생층 내에 보이드 패턴을 형성하는 것을 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 다공 구조의 희생층에 열을 가하는 것은,
    상기 에피층들을 갖는 성장 기판을 하부 틀 내에 배치하고,
    상기 에피층들을 갖는 성장 기판을 덮개로 덮고,
    상기 틀을 고온의 퍼니스에서 가열하는 것을 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 덮개는 다수의 개구부들을 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 틀을 가열한 후, 상기 덮개의 개구부들을 통해 접착제를 주입하여 상기 덮개와 상기 에피층들을 부착시키고,
    상기 하부 틀을 제거함과 아울러, 상기 성장 기판을 상기 에피층들로부터 분리하고,
    노출된 에피층에 이차 기판을 부착하고,
    상기 접착제 및 상기 덮개를 상기 에피층들로부터 제거하는 것을 더 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 이차 기판을 부착하기 전에, 상기 노출된 에피층에 거칠어진 표면을 형성하는 것을 더 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  8. 청구항 4에 있어서,
    상기 덮개는 상기 에피층의 가장자리를 덮되, 에피층의 중앙 영역을 노출시키는 개구부를 갖는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 틀을 가열한 후, 상기 덮개의 개구부를 통해 이차 기판을 부착하고,
    상기 덮개를 제거한 후, 이차 기판이 부착된 에피층들을 상기 하부 틀 및 상기 성장 기판으로부터 분리하는 것을 더 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 성장 기판으로부터 분리된 에피층 표면에 거칠어진 표면을 형성하는 것을 더 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 다공 구조의 희생층은 나노 스케일의 폭을 갖는 미세 공극들을 갖는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 성장 기판 상에 상기 희생층을 성장시키기 전에, 상기 성장 기판의 가장자리를 제거하여 노치를 형성하고,
    상기 노치를 절연물질로 덮는 것을 더 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 에피층들은 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
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