KR20110113311A - 기판 분리 기술을 이용한 발광 다이오드 제조방법 - Google Patents

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KR20110113311A
KR20110113311A KR1020100032628A KR20100032628A KR20110113311A KR 20110113311 A KR20110113311 A KR 20110113311A KR 1020100032628 A KR1020100032628 A KR 1020100032628A KR 20100032628 A KR20100032628 A KR 20100032628A KR 20110113311 A KR20110113311 A KR 20110113311A
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Abstract

발광 다이오드 제조방법이 개시된다. 이 방법은, 제1 기판 상에 제1 기판을 노출시키는 개구 영역을 정의하는 마스크 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 이어서, 개구 영역을 채우고 마스크 패턴을 덮도록 제1 질화물 반도체층이 성장된다. 그 후, 제1 질화물 반도체층을 패터닝하여 마스크 패턴 상에 제1 질화물 반도체층 패턴이 형성되며, 위 패터닝에 의해 개구 영역 내의 제1 질화물 반도체층이 제거된다. 또한, 제1 질화물 반도체층 패턴 상에 제2 질화물 반도체층이 성장된다. 제2 질화물 반도체층은 제1 질화물 반도체층 패턴으로부터 수직 및 수평으로 성장되어 제1 기판 상부를 덮고, 마스크 패턴에 의해 정의된 개구 영역에서 제2 질화물 반도체층과 제1 기판 사이에는 빈 공간이 형성된다. 그 후, 상기 마스크 패턴을 식각하여 상기 제1 기판이 상기 제2 질화물 반도체층으로부터 분리된다. 이에 따라, 기판 분리시 에피층에 충격이 가해지는 것을 방지할 수 있으며, 따라서 안정한 공정으로 발광 다이오드를 제조할 수 있다.

Description

기판 분리 기술을 이용한 발광 다이오드 제조방법{METHOD OF FABRICATING LIGHT EMITTING DIODE USING SUBSTRATE SEPARATION TECHNIQUE}
본 발명은 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것으로, 특히 공정 안정성이 높은 기판 분리 기술을 이용하여 발광 다이오드를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 갖고 있어, 최근 가시광선 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화인듐갈륨(InGaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.
이러한 III족 원소의 질화물 반도체층은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다. 이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다. 그러나, 사파이어는 전기적으로 부도체이므로, 발광 다이오드 구조를 제한한다. 이에 따라, 최근에는 사파이어와 같은 이종기판 상에 질화물 반도체층과 같은 에피층들을 성장시킨 후, 이종기판을 분리하여 수직형 구조의 발광 다이오드를 제조하는 기술이 연구되고 있다.
상기 이종기판을 분리하는 방법으로 기판 연마 가공에 의한 기판 제거 방법이 사용될 수 있으나, 사파이어 기판을 연마하여 제거하는 것은 많은 시간이 걸리고 비용이 많이 드는 단점이 있다. 따라서, 상기 이종기판을 분리하는 방법으로 레이저 리프트 오프 방법이 주로 사용된다(미국특허등록공보 6,559075 B1 참조). 레이저 리프트 오프 방법은 이종 기판, 예컨대 사파이어 기판 상에 에피층들을 성장시키고, 상기 에피층들 상에 제2 기판을 본딩한 후, 상기 사파이어 기판을 통해 레이저 빔을 조사하여 에피층으로부터 이종 기판을 분리하는 기술이다.
그러나 레이저 빔을 사용하여 기판을 분리할 때, 레이저 빔에 의한 충격에 의해 에피층에 크랙 등의 결함이 발생하기 쉽고, 나아가 에피층이 깨지기 쉬워 공정이 불안정하다.
미국특허등록공보 제6,559,075 B1
본 발명이 해결하려는 과제는 성장 기판을 에피층으로부터 분리하는 동안 에피층에 충격이 가해지는 것을 방지하여 성장 기판을 에피층으로부터 안정하게 분리할 수 있는 발광 다이오드 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는 결정질이 향상된 발광 다이오드 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는 성장 기판을 안정하게 분리할 수 있는 기판 분리 방법을 이용하여 발광 다이오드를 제조하기 위해 사용될 수 있는 질화갈륨계 기판을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 태양은 발광 다이오드 제조방법을 제공한다. 이 방법은, 제1 기판 상에 상기 제1 기판을 노출시키는 개구 영역을 정의하는 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 덮도록 제1 질화물 반도체층을 성장시키되, 상기 제1 질화물 반도체층은 상기 개구 영역을 채우고, 상기 제1 질화물 반도체층을 패터닝하여 상기 마스크 패턴 상에 제1 질화물 반도체층 패턴을 형성하되, 상기 패터닝에 의해 상기 개구 영역 내의 제1 질화물 반도체층이 제거되고, 상기 제1 질화물 반도체층 패턴 상에 제2 질화물 반도체층을 성장시키되, 상기 제2 질화물 반도체층은 상기 제1 질화물 반도체층 패턴으로부터 수직 및 수평으로 성장되어 상기 제1 기판 상부를 덮고, 상기 마스크 패턴의 상기 개구 영역에서 상기 제2 질화물 반도체층과 상기 제1 기판 사이에는 빈 공간이 형성되고, 상기 마스크 패턴을 식각하여 상기 제1 기판을 상기 제2 질화물 반도체층으로부터 분리하는 것을 포함한다.
이에 따라, 제1 기판을 분리하는 동안 제2 질화물 반도체층에 충격이 가해지는 것을 방지할 수 있어 공정 안정성이 높은 발광 다이오드 제조방법이 제공될 수 있다. 더욱이, 마스크 패턴의 식각에 의해 제1 기판이 분리되기 때문에, 제2 질화물 반도체층과 제1 기판의 계면에 스트레스를 인가할 필요 없이 쉽게 제2 기판을 분리할 수 있다.
상기 제1 기판은 질화물 반도체층을 성장시킬 수 있는 기판이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 사파이어 또는 SiC일 수 있다. 또한, 상기 제1 기판은 그 상부에 미리 성장된 질화물계 반도체층을 가질 수 있다.
상기 마스크 패턴은 상기 제1 및 제2 질화물 반도체층에 대해 식각선택비를 갖는 재료로 형성된다. 예컨대, 상기 마스크 패턴은 SiO2로 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1 질화물 반도체층을 패터닝하는 동안 상기 개구 영역에 노출된 상기 제1 기판의 일부가 제거될 수 있다. 식각에 의해 제1 기판이 제거됨에 따라, 상기 제2 질화물 반도체층을 성장시키는 동안, 제1 기판 상에서 제2 질화물 반도체층의 성장이 억제된다.
상기 마스크 패턴은 HF 용액을 이용한 습식 식각에 의해 식각될 수 있다. 특히, 상기 마스크 패턴이 SiO2로 형성된 경우, HF 용액을 이용하여 마스크 패턴을 쉽게 제거할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 방법은 상기 마스크 패턴을 식각하기 전에, 상기 제2 질화물 반도체층 상에 활성층을 포함하는 질화물 반도체층들을 성장시키는 것을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제2 질화물 반도체층이 n형 질화물 반도체층으로 성장되는 경우, 상기 제2 질화물 반도체층 상에 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체층들이 성장될 수 있다. 또는, 상기 제2 질화물 반도체층 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체층들이 성장될 수 있다.
또한, 상기 마스크 패턴을 식각하기 전에, 상기 제1 기판에 대향하여 상기 질화물 반도체층들에 제2 기판이 부착될 수 있다. 상기 제2 기판은 Au/Sn과 같은 본딩 금속에 의해 상기 질화물 반도체층들에 부착될 수 있다.
또한, 상기 마스크 패턴을 식각하기 전에, 상기 활성층을 포함하는 질화물 반도체층들의 측면들을 덮는 식각 보호막이 형성될 수 있다. 상기 식각 보호막은 마스크 패턴을 식각하는 동안 질화물 반도체층들의 측면을 보호한다. 상기 식각 보호막은 폴리머, 특히 HF에 내성이 있는 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 제1 기판이 분리된 후, 노출된 상기 제2 질화물 반도체층의 표면이 식각될 수 있으며, 그 후 상기 활성층을 포함하는 질화물 반도체층들을 이용하여 복수개의 발광 다이오드, 예컨대 수직형 발광 다이오드들이 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 태양은 질화갈륨계 기판 제조방법을 제공한다. 이 방법은, 제1 기판 상에 상기 제1 기판을 노출시키는 개구 영역을 정의하는 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 덮도록 제1 질화물 반도체층을 성장시키되, 상기 제1 질화물 반도체층은 상기 개구 영역을 채우고, 상기 제1 질화물 반도체층을 패터닝하여 상기 마스크 패턴 상에 제1 질화물 반도체층 패턴을 형성하되, 상기 패터닝에 의해 상기 개구 영역 내의 제1 질화물 반도체층이 제거되고, 상기 제1 질화물 반도체층 패턴 상에 제2 질화물 반도체층을 성장시키되, 상기 제2 질화물 반도체층은 상기 제1 질화물 반도체층 패턴으로부터 수직 및 수평으로 성장되어 상기 제1 기판 상부를 덮고, 상기 마스크 패턴의 상기 개구 영역에서 상기 제2 질화물 반도체층과 상기 제1 기판 사이에는 빈 공간이 형성되고, 상기 마스크 패턴을 식각하여 상기 제1 기판을 상기 제2 질화물 반도체층으로부터 분리하는 것을 포함한다.
이에 따라, 안정한 공정에 의해 질화갈륨계 기판을 제공할 수 있으며, 상기 질화갈륨계 기판을 성장기판으로 사용하여 그 위에 질화물 반도체층들을 성장시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 성장 기판을 에피층으로부터 분리하는 동안 에피층에 충격이 가해지는 것을 방지하여 성장 기판을 에피층으로부터 안정하게 분리할 수 있으며 따라서 발광 다이오드 제조방법의 공정 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한, 마스크 패턴 및 질화물 반도체층의 패턴을 이용하여 측면 에피 성장(LEO)을 도모하기 때문에, 질화물 반도체층의 결정질을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 성장 기판을 안정하게 분리할 수 있는 기판 분리 방법을 이용하여 질화갈륨계 반도체층과 동종 기판인 질화갈륨계 기판을 제공할 수 있다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 우선, 제1 기판(21) 상에 마스크 패턴(23a)이 형성된다. 제1 기판(21)은 질화물 반도체층을 성장시키기 위해 사용될 수 있는 기판이면 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 제1 기판(21)은 사파이어 또는 SiC일 수 있다. 나아가, 제1 기판(21)은 그 상부에 미리 성장된 질화물 반도체층을 가질 수 있다. 상기 마스크 패턴(23a)은 질화물 반도체층에 대해 식각 선택비를 갖는 재료, 예컨대 SiO2로 형성될 수 있다. 또한, 마스크 패턴(23a)은 제1 기판(21)을 노출시키는 개구 영역(들)을(23b) 정의하도록 제1 기판(21) 상에 형성된다. 상기 마스크 패턴(23a)은 스트라이프, 메쉬, 또는 도트 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 마스크 패턴(23a)은 SiO2와 같은 재료층을 형성하고, 제1 기판(21)을 노출시키도록 이 재료층을 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 마스크 패턴(23a)이 형성된 제1 기판(21) 상에 제1 질화물 반도체층(25)이 성장된다. 제1 질화물 반도체층(25)은 질화갈륨계 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 제1 질화물 반도체층(25)은 예컨대, MOCVD 기술을 사용하여 성장될 수 있으며, 제1 기판(21)의 노출된 부분에서 성장이 시작되어 마스크 패턴(23a)을 덮는다. 따라서, 제1 질화물 반도체층(25)은 마스크 패턴(23a)에 의해 정의된 개구 영역(23b)을 채운다. 또한, 제1 질화물 반도체층(25)은 마스크 패턴(23a) 상에서 측면 에피 성장(Lateral epitaxial Overgrowth)이 진행되며 이에 따라 전위 결함이 감소된 층으로 성장될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 제1 질화물 반도체층(25)이 패터닝되어 마스크 패턴(23a) 상에 위치하는 제1 질화물 반도체층 패턴(25a)이 형성된다. 제1 질화물 반도체층(25)은 예컨대, 사진 및 식각 공저을 사용하여 패터닝될 수 있다. 여기서, 마스크 패턴(23a)에 의해 정의된 개구 영역(23b) 내의 제1 질화물 반도체층이 제거되어 제1 기판(21)면이 노출된다. 나아가, 상기 패터닝 공정 동안, 제1 기판(21)의 일부(21a)가 제거될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 질화물 반도체층 패턴(25a) 상에 제2 질화물 반도체층(27)이 성장된다. 제2 질화물 반도체층(27)은 제1 질화물 반도체층(25)과 동일한 조성의 질화갈륨계 화합물 반도체로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 질화물 반도체층과 조성이 다른 질화갈륨계 화합물반도체로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 질화물 반도체층(27)은 n형 불순물이 도핑된 n형 반도체층으로 성장될 수 있다. 제1 질화물 반도체층과 동일한 조성의 제2 질화물 반도체층을 성장시킨 경우, 제1 질화물 반도체층(25a)과 제2 질화물 반도체층(27)은 그 경계가 명확하게 구별되지 않는 하나의 질화물 반도체층(26)을 형성할 수 있다.
제2 질화물 반도체층(27)은 제1 질화물 반도체층 패턴(25a)의 측면 및 상면에서 성장이 시작되어 측면 에피 성장(LEO)이 진행되며, 제1 기판(21) 상부를 덮는다. 제2 질화물 반도체층(27)이 성장됨에 따라, 개구 영역(23b)을 덮어 개구 영역(23b) 내에서 제2 질화물 반도체층이 성장되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 식각에 의해 제1 기판 부분(21a)을 제거함으로써 노출된 제1 기판 부분(21a)에서 질화물 반도체층(27)의 성장을 억제할 수 있다. 이에 따라, 개구 영역(23b) 내에서 제2 질화물 반도체층(27)과 제1 기판(21) 사이에 빈 공간(23c)이 형성된다.
도 5를 참조하면, 제2 질화물 반도체층(27) 상에 활성층(31)을 포함하는 질화물 반도체층들이 성장될 수 있다. 예컨대, n형 질화물 반도체층(29), 활성층(31) 및 p형 질화물 반도체층(31)이 순차적으로 성장될 수 있다.
질화물 반도체층들(29, 31, 33)은 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층들일 수 있으며, 유기 화학 기상 증착 또는 분자선 증착 기술을 사용하여 성장될 수 있다. 또한, 상기 활성층(23)은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조일 수 있다. 또한, n형 질화물 반도체층(29) 및 p형 질화물 반도체층(33)이 단일층인 것으로 도시하였지만, 이들 층들은 다중층일 수 있다. 한편, 상기 제2 질화물 반도체층(27)이 n형 불순물이 도핑된 n형 반도체층인 경우, 상기 n형 질화물 반도체층(29)은 생략될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 상기 질화물 반도체층들(29, 31, 33)의 최상층, 예컨대 p형 질화물 반도체층(33) 상에 제2 기판(41)이 본딩된다. 상기 제2 기판(41)은 열 전도, 전기 전도 등 그 용도에 따라 다양하게 선택될 수 있으며, 예컨대 실리콘 기판 또는 금속 기판일 수 있다. 특히, 수직형 발광 다이오드를 제조할 경우, 상기 제2 기판(41)은 도전성 기판일 수 있다. 그러나, 상기 제2 기판(41)이 도전성 기판에 한정되는 것은 아니며, 절연 기판일 수도 있다.
상기 제2 기판(41)은 본딩 금속(43)의 공융 본딩(eutectic bonding)을 이용하여 p형 질화물 반도체층(33)에 본딩될 수 있다. 상기 본딩 금속(43)은 AuSn일 수 있으며, AuSn은 약 330℃ 정도의 융점을 갖는다. AuSn보다 고융점의 본딩 금속이 또한 사용될 수 있다. 이러한 본딩 금속(43)이 p형 질화물 반도체층(33) 측 및 제2 기판(41) 측에 각각 형성된 후, 상온보다 높은 제1 온도, 예컨대 약 300℃의 온도로 가열됨으로써 공융 본딩되고, 그 결과, 제2 기판(41)이 질화물 반도체층(33)에 부착된다.
한편, 상기 본딩 금속(43)을 형성하기 전, 상기 질화물 반도체층(33) 상에 반사층(도시하지 않음) 및 확산 방지층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 반사층은 활성층(31)에서 생성되어 제2 기판(41) 측으로 향하는 광을 반사시키어 광 출력을 향상시킨다. 상기 반사층은 또한, p형 질화물 반도체층(33)과 오믹 콘택할 수 있으며, Al, Ag, Ni, Ph, Pd, Pt, Ru 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 한편, 확산 방지층은 본딩 금속(43)이 반사층으로 확산되어 반사층의 반사율을 떨어뜨리는 것을 방지한다.
도 7을 참조하면, 활성층(31)을 포함하는 질화물 반도체층들(29, 31, 33)의 측면에 식각 보호막(45)이 형성된다. 식각 보호막(45)은 마스크 패턴(23a)을 식각에 의해 제거하는 동안, 질화물 반도체층들(29, 31, 33)이 식각 에천트에 의해 손상되는 것을 방지한다. 식각 보호막(45)은 식각 에천트, 예컨대 HF에 내성이 있으며, 물에 쉽게 녹는 폴리머로 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 마스크 패턴(23a)이 식각되어 제1 기판(21)이 제2 질화물 반도체층(27)으로부터 분리된다. 마스크 패턴(23a)은 습식 식각에 의해 제거할 수 있으며, 예컨대 마스크 패턴(23a)이 SiO2로 형성된 경우, HF 용액 내에 마스크 패턴(23a)을 담가 제거할 수 있다. 그 후, 상기 폴리머가 제거되며, 마스크 패턴(23a)이 제거되어 노출된 질화물 반도체층(26)의 일부가 식각될 수 있다. 나아가, n형 질화물 반도체층(29)을 노출하도록 질화물 반도체층(26)이 제거될 수도 있다.
이어서, 상기 활성층(31)을 포함하는 질화물 반도체층들을 패터닝하여 발광 영역들로 분리하고 전극을 형성한 후 개별 발광 영역들을 분할하여 복수개의 발광 다이오드 칩이 제조될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 질화물 반도체층(27) 상에 활성층(31)을 포함하는 질화물 반도체층들을 성장시키고, 그 위에 제2 기판(41)을 부착하는 것으로 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 질화물 반도체층들(29, 31, 33)을 미리 패터닝한 후, 제2 기판(41)을 부착할 수도 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 제2 질화물 반도체층(27) 상에 활성층(31)을 포함하는 질화물 반도체층들을 성장시킨 후, 제1 기판(21)을 분리하여 발광 다이오드를 제조하는 방법에 대해 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 질화물 반도체층(27)을 성장시킨 후, 제1 기판(21)을 먼저 제거하고, 제2 질화물 반도체층(27)을 성장기판으로 사용하여 활성층(31)을 포함하는 질화물 반도체층들을 성장시킬 수 있다. 즉, 본 발명은 질화갈륨계 화합물 반도체층과 동종의 성장 기판을 제조하는 방법으로 실현될 수 있다.

Claims (15)

  1. 제1 기판 상에 상기 제1 기판을 노출시키는 개구 영역을 정의하는 마스크 패턴을 형성하고,
    상기 마스크 패턴을 덮도록 제1 질화물 반도체층을 성장시키되, 상기 제1 질화물 반도체층은 상기 개구 영역을 채우고,
    상기 제1 질화물 반도체층을 패터닝하여 상기 마스크 패턴 상에 제1 질화물 반도체층 패턴을 형성하되, 상기 패터닝에 의해 상기 개구 영역 내의 제1 질화물 반도체층이 제거되고,
    상기 제1 질화물 반도체층 패턴 상에 제2 질화물 반도체층을 성장시키되, 상기 제2 질화물 반도체층은 상기 제1 질화물 반도체층 패턴으로부터 수직 및 수평으로 성장되어 상기 제1 기판 상부를 덮고, 상기 마스크 패턴의 상기 개구 영역에서 상기 제2 질화물 반도체층과 상기 제1 기판 사이에는 빈 공간이 형성되고,
    상기 마스크 패턴을 식각하여 상기 제1 기판을 상기 제2 질화물 반도체층으로부터 분리하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 마스크 패턴은 상기 제1 및 제2 질화물 반도체층에 대해 식각선택비를 갖는 재료로 형성된 발광 다이오드 제조방법.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 마스크 패턴은 SiO2로 형성된 발광 다이오드 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 질화물 반도체층을 패터닝하는 동안 상기 개구 영역에 노출된 상기 제1 기판의 일부가 제거되는 발광 다이오드 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 마스크 패턴은 HF 용액을 이용한 습식 식각에 의해 식각되는 발광 다이오드 제조방법.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 마스크 패턴을 식각하기 전에, 상기 제2 질화물 반도체층 상에 활성층을 포함하는 질화물 반도체층들을 성장시키는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 마스크 패턴을 식각하기 전에, 상기 제1 기판에 대향하여 상기 질화물 반도체층들에 제2 기판을 부착하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 제2 기판은 본딩 금속에 의해 상기 질화물 반도체층들에 부착되는 발광 다이오드 제조방법.
  9. 청구항 6에 있어서, 상기 마스크 패턴을 식각하기 전에, 상기 활성층을 포함하는 질화물 반도체층들의 측면들을 덮는 식각 보호막을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 식각 보호막은 폴리머로 형성되는 발광 다이오드 제조방법.
  11. 제1 기판 상에 상기 제1 기판을 노출시키는 개구 영역을 정의하는 마스크 패턴을 형성하고,
    상기 마스크 패턴을 덮도록 제1 질화물 반도체층을 성장시키되, 상기 제1 질화물 반도체층은 상기 개구 영역을 채우고,
    상기 제1 질화물 반도체층을 패터닝하여 상기 마스크 패턴 상에 제1 질화물 반도체층 패턴을 형성하되, 상기 패터닝에 의해 상기 개구 영역 내의 제1 질화물 반도체층이 제거되고,
    상기 제1 질화물 반도체층 패턴 상에 제2 질화물 반도체층을 성장시키되, 상기 제2 질화물 반도체층은 상기 제1 질화물 반도체층 패턴으로부터 수직 및 수평으로 성장되어 상기 제1 기판 상부를 덮고, 상기 마스크 패턴의 상기 개구 영역에서 상기 제2 질화물 반도체층과 상기 제1 기판 사이에는 빈 공간이 형성되고,
    상기 마스크 패턴을 식각하여 상기 제1 기판을 상기 제2 질화물 반도체층으로부터 분리하는 것을 포함하는 질화갈륨계 기판 제조방법.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 마스크 패턴은 상기 제1 및 제2 질화물 반도체층에 대해 식각선택비를 갖는 재료로 형성된 질화갈륨계 기판 제조방법.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 마스크 패턴은 SiO2로 형성된 질화갈륨계 기판 제조방법.
  14. 청구항 11에 있어서, 상기 제1 질화물 반도체층을 패터닝하는 동안 상기 개구 영역에 노출된 상기 제1 기판의 일부가 제거되는 질화갈륨계 기판 제조방법.
  15. 청구항 11에 있어서, 상기 마스크 패턴은 HF 용액을 이용한 습식 식각에 의해 식각되는 질화갈륨계 기판 제조방법.
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KR20180133649A (ko) * 2017-06-07 2018-12-17 광주과학기술원 마이크로 led 어레이의 제조 방법

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