CN211828805U - 异质结太阳能电池片及光伏组件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种异质结太阳能电池片及光伏组件，其中异质结太阳能电池片包括：N型硅片，依次设置于所述N型硅片受光面的第一本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一透明导电膜层和第一金属电极，以及依次设置于所述N型硅片背光面的第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、第二透明导电膜层和第二金属电极；所述异质结太阳能电池片还包括钝化保护膜层，所述钝化保护膜层包括设置于所述第一金属电极上侧且覆盖所述第一透明导电膜层上表面的顶保护膜以及设置于所述第二金属电极下侧且覆盖所述第二透明导电膜层下表面的底保护膜；本实用新型所提供异质结太阳能电池片可大幅降低水汽、Na+进入到内部的概率，具有较为稳定的电池性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池片及光伏组件。
背景技术
随着太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，光伏发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。异质结太阳能电池片因制备温度低、电池转换效率高、可双面发电以及成本下降空间大等优点，被视为下一代可量产的高效电池之一。
然由于异质结太阳能电池片对水汽、Na+的敏感程度相对其它类型的太阳能电池片的敏感程度更强，在具体光伏组件的应用过程中，异质结太阳能电池片更容易受外界环境影响而出现性能恶化的问题。
有鉴于此，有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一，为实现上述实用新型目的，本实用新型提供了一种异质结太阳能电池片，其具体设计方式如下。
一种异质结太阳能电池片，包括：N型硅片，依次设置于所述N型硅片受光面的第一本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一透明导电膜层和第一金属电极，以及依次设置于所述N型硅片背光面的第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、第二透明导电膜层和第二金属电极；所述异质结太阳能电池片还包括钝化保护膜层，所述钝化保护膜层包括设置于所述第一金属电极上侧且覆盖所述第一透明导电膜层上表面的顶保护膜以及设置于所述第二金属电极下侧且覆盖所述第二透明导电膜层下表面的底保护膜。
进一步，所述钝化保护膜层还包括连接所述顶保护膜与所述底保护膜周边的侧保护膜。
进一步，所述钝化保护膜层为氧化硅或氮化硅。
进一步，所述所述钝化保护膜层的厚度为2-5nm。
进一步，所述第一透明导电膜层与所述第二透明导电膜层为石墨烯薄膜层或TCO透明导电膜层。
进一步，所述第一金属电极与所述第二金属电极为Ag电极或Cu电极。
进一步，构成所述第一金属电极的细栅分布密度小于构成所述第二金属电极的细栅分布密度。
本实用新型还提供了一种光伏组件，该光伏组件包括以上所述的异质结太阳能电池片。
本实用新型的有益效果是：基于本实用新型所提供异质结太阳能电池片的具体结构，由于钝化保护膜层的隔离作用，可大幅降低水汽、Na+进入到异质结太阳能电池片内部的概率，进而能够保证异质结太阳能电池片具有较为稳定的电池性能，有效提高相应光伏组件的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1所示为本实用新型异质结太阳能电池片一种结构示意图；
图2所示为本实用新型异质结太阳能电池片另一种结构示意图；
图中，10为N型硅片，111为第一本征非晶硅层，121为N型掺杂非晶硅层，131为第一透明导电膜层，141为第一金属电极，151为顶保护膜，112为第二本征非晶硅层，122为P型掺杂非晶硅层，132为第二透明导电膜层，142为第二金属电极，152为底保护膜，150为侧保护膜。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
参考图1所示，本实用新型所涉及的异质结太阳能电池片包括N型硅片10，依次设置于N型硅片10受光面的第一本征非晶硅层111、N型掺杂非晶硅层121、第一透明导电膜层131和第一金属电极141，以及依次设置于N型硅片10背光面的第二本征非晶硅层112、P型掺杂非晶硅层122、第二透明导电膜层132和第二金属电极142。
本实用新型所涉及的异质结太阳能电池片还包括钝化保护膜层，钝化保护膜层包括顶保护膜151与底保护膜152，其中，顶保护膜151设置于第一金属电极141上侧且覆盖第一透明导电膜层131上表面，底保护膜12设置于第二金属电极142下侧且覆盖第二透明导电膜层132下表面。
本实用新型还提供了一种光伏组件，该光伏组件包括以上所涉及的异质结太阳能电池片。
基于本实用新型所提供异质结太阳能电池片的具体结构，由于钝化保护膜层的隔离作用，可大幅降低水汽、Na+由异质结太阳能电池片两侧表面进入到异质结太阳能电池片内部的概率，进而能够保证异质结太阳能电池片具有较为稳定的电池性能，有效提高相应光伏组件的可靠性。
进一步，参考图2所示，在本实用新型的另一实施例中，钝化保护膜层还包括连接顶保护膜151与底保护膜152周边的侧保护膜150。即顶保护膜151、底保护膜152与侧保护膜150连接成一体并对异质结太阳能电池片的整个外表面形成包裹，如此可对异质结太阳能电池片形成全方位保护，相对图1所示实施例能更好的防止水汽、Na+进入到异质结太阳能电池片内部。
在本实用新型的一些具体实施例中，钝化保护膜层为氧化硅或氮化硅。
进一步，钝化保护膜层的厚度为2-5nm。可以理解，由于钝化保护膜层的厚度较薄，在具体光伏组件的组装过程中，连接至异质结太阳能电池片的焊带在光伏组件焊接组装时可以较为容易穿透钝化保护膜层，进而实现与第一金属电极141或第二金属电极142之间的电性连接。
在本实用新型的一些实施例中，第一透明导电膜层131与第二透明导电膜层132为石墨烯薄膜层或TCO透明导电膜层，受光面与背光面的透明导电膜层能够减少异质结太阳能电池片的横向电阻损失。另外，在第一透明导电膜层131与第二透明导电膜层132为TCO透明导电膜层的实施例中，TCO透明导电膜层的具体材质可以为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟、掺钛氧化铟、掺镓氧化铟及掺铈氧化铟中的一种或几种。
本实用新型中所涉及的第一金属电极141与第二金属电极142为Ag电极或Cu电极。
本实用新型中所涉及的第一金属电极141与第二金属电极142均包含有若干细栅，为在增加异质结太阳能电池片受光面的有效受光面积的同时尽量减小电阻，作为本实用新型的优选实施方式，构成第一金属电极141的细栅分布密度小于构成第二金属电极142的细栅分布密度。
为更好的理解本实用新型所涉及异质结太阳能电池片的具体结构，本实用新型还提供了异质结太阳能电池片的具体制程工艺。
具体而言，异质结太阳能电池片的制作过程为：对N型硅片10进行制绒，通过PECVD工艺在N型硅片10受光面与背光面分别形成第一本征非晶硅层111与第二本征非晶硅层112，通过PECVD工艺在第一本征非晶硅层111上表面形成N型掺杂非晶硅层121，通过PECVD工艺在第二本征非晶硅层112下表面形成P型掺杂非晶硅层122，通过PVD工艺形成第一透明导电膜层131与第二透明导电膜层132，在受光面与背光面通过印刷工艺形成Ag电极或者通过电镀工艺形成Cu电极，通过PECVD工艺来完成钝化保护层的制作。本实用新型所提供的异质结太阳能电池片具有较为优异的开路电压，钝化保护膜层可大幅降低水汽、Na+进入到异质结太阳能电池片内部的概率，进而能够保证异质结太阳能电池片具有较为稳定的电池性能，有效提高相应光伏组件的可靠性。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本实用新型的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本实用新型的保护范围，凡未脱离本实用新型技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种异质结太阳能电池片，包括：N型硅片，依次设置于所述N型硅片受光面的第一本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一透明导电膜层和第一金属电极，以及依次设置于所述N型硅片背光面的第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、第二透明导电膜层和第二金属电极；
其特征在于，所述异质结太阳能电池片还包括钝化保护膜层，所述钝化保护膜层包括设置于所述第一金属电极上侧且覆盖所述第一透明导电膜层上表面的顶保护膜以及设置于所述第二金属电极下侧且覆盖所述第二透明导电膜层下表面的底保护膜。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述钝化保护膜层还包括连接所述顶保护膜与所述底保护膜周边的侧保护膜。
3.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述钝化保护膜层为氧化硅或氮化硅。
4.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述钝化保护膜层的厚度为2-5nm。
5.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述第一透明导电膜层与所述第二透明导电膜层为石墨烯薄膜层或TCO透明导电膜层。
6.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述第一金属电极与所述第二金属电极为Ag电极或Cu电极。
7.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，构成所述第一金属电极的细栅分布密度小于构成所述第二金属电极的细栅分布密度。
8.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的异质结太阳能电池片。
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